INFORME DE LABORATORIO

Espín Quispe Kevin Adrián, Pico Gordón Lucia Jacqueline

Ingeniería Mecatrónica, Universidad de las Fuerzas Armadas ESPE-L

Latacunga, Ecuador

Kaespin2@espe.edu.ec; ljpico1@espe.edu.ec

I. TEMA

Caracterización del BJT y operación en corte y saturación

II. RESUMEN

El transistor BJT es un dispositivo semiconductor de tres

terminales y que se utiliza para una variedad de funciones de
control en los circuitos electrónicos. Entre alguna´ de las
funciones se puede incluir la amplificación, oscilación Fig. 1: Esquema BJT [1]
conmutación y la conversión de frecuencias. La ventaja de
este tipo de transistor es que presenta ganancias mucho
Transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere
mayores que el MOSFET y no se denotan fácilmente, pero
decir que si se produce una cantidad de corriente por una de
por otro lado el MOSFET tiene mas aplicaciones por su
sus patillas (base), el entregara por otra (emisor), una´
facilidad para tener impedancia infinita en su parte interna.
cantidad mayor a esta, en un factor que se llama
amplificación. Este factor de amplificación se llama ß (beta)
y es un dato propio de cada transistor. Entonces:
III. OBJETIVO GENERAL • IC (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a β
 Hallar las características de transistores BJT, mediante (factor de amplificación) por IB (corriente que pasa por la
las hojas de especificaciones. patilla base).

IV. OBJETIVO ESPECIFICO IB = β · IB (1)

 Analizar las características de transistores BJT,
mediante el voltímetro.
 Medir las corrientes de un transistor en las regiones de
corte y saturación.
 Graficar las curvas características del transistor NPN y
PNP
 Deducir el tipo de transistor (NPN o PNP)
V. MARCO TEÓRICO
El transistor bipolar es el más común de los transistores, y
como los diodos, puede ser de germanio o silicio. En ambos
casos el dispositivo tiene 3 patillas y son: el emisor (E), la base
(B) y el colector (C). Como en el caso de los MOSFET hay
dos tipos NPN y PNP como se ve en la figura 1.
• IE (corriente que pasa por la patilla emisor) es igual a
(β+1) x IB, pero se redondea al mismo valor que IC, solo
que la corriente en un caso entra al transistor y en´ el otro
caso de sale el, o viceversa.
IE = (β +1) · IB (2)
• Según la ecuación 2 las corrientes no dependen del
voltaje´ que alimenta el circuito (VCC), pero en la realidad
si lo hace y la corriente IB cambia ligeramente cuando se
cambia VCC.
Regiones de trabajo
Región de corte: Un transistor está en corte cuando la
corriente de colector = la corriente de emisor = 0, (IC = IE = 0).
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del
transistor es el voltaje de alimentación del circuito. Como no
hay corriente circulando, no hay caída de voltaje (Ley de
Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente
de base = 0 (IB = 0).
 VII. PROCESOS
Región de saturación: Un transistor está saturado cuando´ la
corriente de colector = la corriente de emisor = la corriente VIII. CÁLCULOS, RESULTADOS Y ANÁLISIS
máxima, ( IC = IE = Imáxima). En este caso la magnitud de la
corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de
los resistores conectados en el colector o el emisor o en IX. CONCLUSIONES
ambos, ver L a ley de Ohm. Este caso normalmente se
presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente X. RECOMENDACIONES
grande como inducir una corriente de colector β veces más
grande. En este´ caso VCE es 0V o 0.2V. XI. BIBLIOGRAFÍA

Región activa: Cuando un transistor no está ni en su región de

[1] R. Boylestad, Boylestad and Nashelsky’s electronic devices and circuit
saturación ni en la región de corte entonces está en una región theory, 1st ed. Toronto: Prentice Hall, 2001, pp. 77-114.
intermedia, la región activa. En esta región la corriente de [2] A. Sedra and K. ”Senales”Smith, Microelectronic circuits, 4th ed.
colector (IC) depende principalmente de la corriente de base Oxford:˜ Toronto pp. 2-6.
[3] M. Sadiku, C. Alexander and S. Musa, Applied circuit analysis, 1st ed.
(IB), de β (ganancia de corriente de un amplificador, es un dato
New York, NY: McGraw-Hill, 2013, pp. 457-483.
del fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas en
el colector y emisor). Esta región es la mas importante si lo
que se desea es utilizar el transistor como un amplificador. En
la figura 2 se ve el comportamiento de las diferentes regiones
de trabajo comparando corriente IC y voltaje VCE

Fig. 2: Regiones de trabajo ICvsVCE [1]

VI. MATERIALES

Del laboratorio:

2 fuentes de tensión DC

Generador de señal

Osciloscopio

Voltímetro

De alumnos:

Transistores BJT: ECG123A y 159

Resistencias: 100, 1K, 4.7k, 47K

Potenciómetros: 10 K, 1M