ELECTRONICA DE POTENCIA

FASE 3

PRESENTADO POR:

LUIS HERNANDO MARTINEZ

COD. 1.024.498.640

TUTOR

JAIRO LUIS GUTIERREZ

GRUPO
203039_6

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA _ UNAD

NOVIEMBRE 28 DE 2018
 Actividades a desarrollar

Etapa de potencia y filtrado

3.1 Se debe presentar el circuito driver de la etapa de potencia y se debe explicar la

función del mismo.

La mayoría de dispositivos eléctricos y electrónicos requieren tensiones y corrientes que

destruirán los circuitos digitales, por tanto, en términos generales, debemos confiar
dicha labor a los llamados circuitos controladores o drivers.
Normalmente una salida de un micro controlador, puede tener tres estados (alto, bajo y
alta impedancia), naturalmente al proyectar un driver tenemos que tener en cuenta este
detalle. De modo que, en primer lugar se debe proteger la patilla de salida del micro
controlador, mediante una resistencia, limitando la corriente que circulará por dicha
patilla, para hacer muy general el dispositivo que vamos a proyectar, consideraremos
que la corriente máxima de la salida estará entorno a los 20mA y la tensión no mayor de
los 5V. Con estos datos, podemos asegurarnos que el driver será útil para la mayoría de
los micros controladores que podamos a manejar.
El circuito driver es en el que recae la función de tomar la señal de control de cualquier
transistor y adaptarla o convertirla en una señal que cumpla las condiciones que en la
zona de saturación o corte se necesitan.
Las características principales que debe tener el Driver, son el suministrar una
entrada de alta impedancia respecto al circuito de control, regular los niveles presentes
en la tensión, así como crear espacios de tiempo “muertos” y las adecuadas
protecciones.
Para la selección del driver se debe tener en cuenta aspectos tales como la tensión
máxima de salida del driver sea mayor que la tensión mínima necesaria en la puerta del
MOSFET para que así se realice la conmutación a la frecuencia seleccionada.
Existen diferentes opciones a la hora de seleccionar un driver. Se pueden emplear
componentes discretos para diseñar un driver, opto-acopladores o drivers fabricados
como circuitos integrados. Cada uno de ellos tiene unas ventajas e inconvenientes.
DRIVERS “CONTROL DE LOS MOSFET EN EL PUENTE H”

En todo sistema electrónico de control de potencia se requieren circuitos

especializados para controlar la actuación de los dispositivos conmutadores de potencia.

Estos circuitos de manejo de compuerta (drivers), deben cumplir las siguientes

funciones básicas:

1- Proporcionar aislamiento entre los circuitos de control y los altos niveles de tensión
y corriente manejados por los dispositivos electrónicos de control de potencia.

2- Generar las formas de onda de voltaje y corriente necesarias para que los
dispositivos de potencia operen hasta en las condiciones máximas de voltaje y
corriente definidas por el fabricante.

3- Proporcionar protección local contra fallas especialmente en situaciones de sobre

cargas.

Adicionalmente, es imprescindible que estos circuitos estén incluidos en un circuito

impreso que contenga también todas las fuentes de alimentación y los componentes de
interfaz necesarios, para minimizar las inductancias y capacidades parásitas y facilitar el
armado del sistema de potencia.

Algunos fabricantes, como I.R. y H.P., ofrecen circuitos integrados que contienen
algunas de las funciones básicas de un circuito de manejo de compuerta; estos
integrados son económicos pero no pueden ser conectados directamente a los
dispositivos de potencia. Es necesario construir fuentes de tensión de alimentación
independientes con aislamiento de tierra y proporcionar las funciones faltantes de
protección o de interfaz aislada con el controlador. Circuito de Manejo de Compuerta de
Bajo Costo para MOSFET e IGBT.

MOSFET DE POTENCIA

Un transistor MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, que

requiere solo de una pequeña corriente de entrada. La velocidad de conmutación es muy
alta siendo los tiempos de conmutación del orden de los nanosegundos. Los MOSFET
DE POTENCIA están encontrando cada vez más aplicaciones en los convertidores de
alta frecuencia y baja potencia. Los MOSFET no tienen los problemas de los fenómenos
de ruptura secundaria que tienen los BJT, sin embargo los MOSFET tienen problemas
de descargas electrostáticas, por los que su manejo requiere de cuidados especiales
además, es relativamente difícil protegerlos bajo condiciones de falla por corto circuito.
Los MOSFET son de dos tipos: (1) los MOSFET de agotamiento y (2) los MOSFET de
enriquecimiento. Un MOSFET tipo agotamiento, de canal n se forma en un substrato de
silicio de tipo p, tal y como se muestra en la siguiente figura. Con dos silicios n
fuertemente dopados para tener conexiones de baja resistencia. La compuerta está
aislada del canal mediante una delgada capa de óxido. Las tres terminales se conocen
como compuerta. Drenaje y fuente. Normalmente el substrato se conecta a la fuente. El
voltaje de compuerta a fuente, VGS, puede ser positivo o negativo. Si VGS es negativo,
algunos de los electrones del área del canal n estarán repelidos, y se creara una región
de agotamiento, por debajo de la capa de óxido, que resultara en un canal efectivo más
angosto y en una alta resistencia de drenaje, a fuente RDS. Si VGS se hace
suficientemente negativo, el canal se agotara totalmente, ofreciendo un alto valor en RDS
y no habrá flujo de corriente de drenaje a fuente, IDS = 0. Cuando esto ocurre, el valor de
VGS se conoce como voltaje de estrechamiento, Vp por otra parte VGS se hace positivo,
el cual se ensancha, e IDS aumenta debido a la reducción en RDS. Con un MOSFET tipo
agotamiento de canal p se invierten las polaridades de VDS, IDS, y VGS. Un MOSFET
tipo enriquecimiento de canal n y p, sucede un proceso similar al anterior.
 3.2 Se debe diseñar el circuito LC que filtrara la salida del puente inversor. ¿Por qué es
necesario filtrar la salida?

Recordemos que un filtro es un circuito electrónico de entrada y salida que son sensibles
a la frecuencia y que permite eliminar o excluir las señales que no se sitúen en un
determinado rango, permitiendo así que las señales de otras frecuencias pasen.

Generalmente los filtros se dividen en activos y pasivos, siendo los primeros

Los basados en circuitos electrónicos con elementos amplificadores activos.
Los segundos, están basados en elementos pasivos básicamente en la inductancia y la
capacidad.

Una parte muy importante de los filtros pasivos, la constituyen los filtros designados como
RC, RL, RLC y LC, si bien no son los únicos. Es importante hacer notar que todo filtro
eléctrico requiere, por lo menos, de un elemento reactivo, bien sea explícito, como una
bobina o un condensador, o bien sea implícito en su estructura o comportamiento.
De esta clase de filtros y para nuestro caso, destacamos los de tipo LC, que sirven para
garantizar la calidad de los inversores.
Si lo que se requiere es obtener que la onda sinusoidal sea pura, nos vemos obligados a la
utilización de que reúnan ciertas condiciones, y para este caso, los más apropiados son los
filtros LC pasa bajos ya que éstos eliminan las componentes armónicas que se presenten en
bandas laterales a la frecuencia de la onda portadora.
De lo anterior, podemos decir que, para diseñar nuestro circuito, éste en su salida debe ser
en paralelo para así reducir el contenido armónico, pero sin que sin afecte en su salida la
frecuencia fundamental.
En el desarrollo de este tipo de circuito, es preciso que la corriente que se recibe en la
entrada, deba ser mayor a la corriente de carga, obteniendo así mayor factor de calidad en
el resultado.
FILTROS LC.

El objetivo del filtro es conseguir aplicar a la carga únicamente el armónico

fundamental de todo el espectro que aparece a la salida del puente H. Se trata de un
filtro LC paso bajo de segundo orden que se muestra, presenta la función de
transferencia de este filtro sin considerar los efectos de carga ni parásitos. Donde n es la
frecuencia natural del filtro.

En la siguiente figura, se muestra el diagrama de Bode en módulo y Fase del filtro LC

en función de la frecuencia natural del filtro Wn. Se puede observar aquí las
frecuencias.

Menores que la frecuencia natural del filtro (W < Wn) la ganancia del filtro es 0dB y
para frecuencias mayores (W > Wn) el filtro atenúa la señal a razón de -40dB = dec. Sin
embargó, a frecuencia W= Wn aparece un gran pico de resonancia. Para diseñar el
filtro se debe tener en cuenta que:

- Debe atenuar los armónicos producidos por la conmutación, que aparecen a

frecuencias ftri y múltiplos o 2ftri y múltiplos según el tipo de modulación.

- Debe dejar intacto el armónico fundamental.

- No debe amplificar los armónicos de baja frecuencia. (En relación al pico de

resonancia)

Dado que la atenuación crece a razón de 40dB = dec, la frecuencia natural del filtro
debe encontrarse al menos una década antes de los primeros armónicos producidos por
la conmutación. Si estos armónicos, para el peor de los casos (Modulación bipolar)
aparecen alrededor de la frecuencia de la señal portadora ftri = 10Khz, implicará que
la frecuencia natural del filtro debe ser:
El filtro pasa bajo debe ser calculado con las siguientes exigencias:

- La frecuencia de corte debe ser 10 veces menor con relación a la señal

portadora.

- La frecuencia de corte debe ser 10 veces mayor que la frecuencia de la señal

fundamental.

9,3 KHz señal portadora < 10 veces = 930 Hz

60 Hz señal fundamental > 10 veces = 600 Hz.

Sumadas las dos señales son da 1530 KHz, dividida entre dos es la frecuencia
por la cual calcularemos el filtro = 765 Hz
Tomando arbitraria mente la capacidad del condensador a 1 uf

1 1
𝑓= 𝑑𝑒𝑝𝑒𝑗𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑙 𝑦 𝑡𝑒𝑛𝑒𝑚𝑜𝑠 𝑙 =
2𝜋 ∗ 𝑙 ∗ 𝑐 2𝜋 ∗ 𝑓 ∗ 𝑐
1
𝑟𝑒𝑚𝑝𝑙𝑎𝑧𝑎𝑛𝑑𝑜 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟𝑒𝑠 𝑡𝑒𝑛𝑒𝑚𝑜𝑠 𝑙 = = 208 𝑚𝐻
2𝜋 ∗ 765𝐻𝑧 ∗ 1𝑢𝑓
3.3 Proponga un método de regulación de la tensión y corriente de salida frente a la
distorsión armónica inyectada por la conexión de cargas no lineales.

En el diseño de un inversor SPWM diseñado análogamente, se toma una muestra de la

tensión que entrega, y es llevada a la tensión de referencia en el oscilador Bubba. En
ese circuito la tensión de referencia tiene una variación con la amplitud de la señal
fundamental y la cual varía con el índice de amplitud, en tensión y corriente.
Lógicamente esta señal de muestra de la salida debe ser tratada con anterioridad.

En el diseño de un inversor SPWM con construcción digital (utilizando micro

controladores para generar la señal spwm y la etapa driver de potencia), la
retroalimentación se toma y se procesa, llevándola a un nivel entre 2,5 Vdc y 3,1 Vdc, la
cual es llevada a una entrada del micro controlador y conformando un algoritmo se
manipula la amplitud del voltaje de salida. Esta variación de amplitud ataca
directamente a los índices de amplitud en el bloque de oscilación en el micro
controlador.
 Filtros Activos

Están compuestos por elementos pasivos y transistores controlados, son capaces de

eliminar prácticamente todos los armónicos de baja frecuencia y no tienen los
inconvenientes de los filtros pasivos.
Los filtros activos pueden ser conectados en serie o en paralelo. Los filtros serie actúan
como fuente de voltaje, proporcionan una alta impedancia para los armónicos e
impedancia reducida para la frecuencia de la red. Los filtros activos en paralelo, actúan
como fuente de corriente en paralelo con la carga, inyectando o absorbiendo corriente
según sea necesario.
Existe la posibilidad de combinar filtro activo y pasivo, formando un filtro híbrido.

Reductor de armónicos CC (Harmonic reducer DC)

Este convertidor se conecta en paralelo con la carga, como se muestra en la siguiente
figura.

En esta configuración el filtro actúa como fuente de corriente, la tensión del

condensador debe ser mayor a la tensión máxima de entrada.