Universidade Federal da Bahia

Escola Politécnica
Departamento de Engenharia Elétrica

Disciplina Eletrônica de Potência (ENGC48)

Tema: Comutação e Perdas Térmicas

Eduardo Simas
(eduardo.simas@ufba.br)

Aula 8
 Sumário

 Introdução
 Circuitos Amaciadores (Snubbers)
 Perdas Térmicas
 Exercícios de Fixação

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 1. Introdução

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 Introdução

 Na montagem de conversores eletrônicos de potência é necessário considerar

aspectos práticos como:

 A necessidade de circuitos de proteção para as chaves semicondutoras

(conhecidos como circuitos amaciadores ou snubbers).

 As perdas térmicas associadas à dissipação de potência nos dispositivos

semicondutores e utilização de sistemas dissipadores de calor.

 Estes aspectos serão abordados a seguir.

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 2. Circuitos Amaciadores

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 Circuitos Amaciadores

 A função de um circuito amaciador é reduzir o “esforço elétrico” sobre o dispositivo

durante o chaveamento para níveis dentro dos limites suportados.

 Os circuitos amaciadores podem ser projetados para:

 Limitar o pico de tensão no transitório de desligamento

 Limitar a taxa de crescimento da tensão (dv/dt) , lembrando que os tiristores

podem ser disparados de modo forçado se a taxa de variação da tensão for
alta.
 Controlar as características de chaveamento de transistores.

 Etc.

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 Amaciadores para limitar dV/dt

Circuito Tipo 1
 Um circuito RC conectado em paralelo com o dispositivo
semicondutor (diodo, tiristor, TRIAC, GTO, etc) é capaz de:

 Reduzir a taxa de crescimento da tensão (reversa ou

direta).

 Limitar os picos de tensão sobre o dispositivo.

 A tensão no dispositivo segue a dinâmica imposta pela rede RC.

 Quando o SCR é ligado o capacitor C se descarrega,

ocasionando um pico de corrente no dispositivo semicondutor
que é limitado pelo resistor R.

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 Amaciadores para limitar dV/dt

Circuito Tipo 2
 Neste caso o pico de corrente produzido pela descarga do
capacitor pode ser minimizado pela escolha adequada dos
resistores R1 e R2.

 Com R1 << R2:

 Enquanto a tensão direta sobre o tiristor aumenta é

criado um caminho de baixa resistência para a carga
do capacitor (Req ≈ R1//R2);

 Quando o tiristor é disparado a descarga do capacitor

ocorre apenas através de R2, limitando a corrente
enviada para o dispositivo semicondutor.

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 Amaciadores para limitar dV/dt

Circuito Tipo 3
 De modo semelhante ao circuito 2, o diodo cria um
caminho preferencial para a corrente de carga do
capacitor enquanto o tiristor está em bloqueio direto.

 Com o acionamento do dispositivo semicondutor, a

energia armazenada no capacitor é descarregada através
de R e L.

 O indutor impede que ocorra um pico de corrente no

dispositivo semicondutor devido à descarga do capacitor.

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 Amaciadores para Chaveamento de
Transistores
 Os transistores de potência (TBJ, MOSFET, IGBT, etc) se comportam de modo
diferente de uma “chave ideal” durante os transitórios de chaveamento:

Dependendo das
características do circuito
podem ocorrer:
Picos de corrente
 Corrente de bloqueio
não nula
 Tensão no estado
ligado não nula
 Chaveamentos não
instantâneos
 etc

É interessante a utilização de circuitos auxiliares (amaciadores)

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que minimizem algumas destas características. 10/22
 Amaciadores para Chaveamento de
Transistores
 O circuito amaciador pode ser utilizado para manter o dispositivo dentro da região
de operação segura.

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 Amaciadores para Chaveamento de
Transistores
 Considerando as características dinâmicas, o aumento de Vce é atrasado, evitando o
pico de dissipação de potência, e consequentemente protegendo e aumentando a
vida útil do dispositivo.

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 3. Perdas Térmicas

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 Introdução

 A circulação de corrente elétrica provoca dissipação de potência.

 A potência dissipada converte-se em calor por efeito Joule.

 Relações entre potência e energia:

 1 J = 1 W.s

 1 cal = 4,187 J

 Os semicondutores são projetados para operar dentro de uma certa faixa de

temperatura.

 Deste modo, é necessário estabelecer critérios para o dimensionamento de

sistemas de dissipação de calor para os componentes eletrônicos.

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Estimativa das Perdas (aprox. linear)
Considerando um dispositivo
semicondutor genérico:

Desligado Ligado Desligado

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 Comportamento em Regime Permanente

 Resistência Térmica:

 Analogia com circuito elétrico:

Sendo:
Tj – Temp. na Junção
Tc – Temp. na Cápsula
Ta – Temp. Ambiente
Td – Temp. no Dissipador

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 Comportamento em Regime Permanente

 Utilizando o dissipador de calor:

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 Comportamento com Ventilação Forçada

 O valor de Rtda é inversamente proporcional à velocidade do ar em ventilação forçada

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 Exemplos de Dissipadores de Calor

 ...

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 4. Exercícios de Fixação

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 Exercícios de Fixação

1) Um MOSFET utilizado num conversor DC-DC abaixador tem perda no estado ligado igual a 50 W, ciclo de trabalho 50 % e perda de
chaveamento dada por: 10-3fs (em watts), sendo fs a frequência de chaveamento em Hz. A resistência térmica da junção para a cápsula é
Rtjc = 1 oC/W e máxima temperatura na junção igual a 150 oC. Assumindo que os tempos de comutação do dispositivo são desprezíveis e
que a temperatura na capusula é 50 oC, calcule a máxima frequência de chaveamento que pode ser utilizada no dispositivo.

2) O MOSFET da Questão 01 é montado juntamente com um dissipador de calor. Sabendo que a temperatura ambiente é de 35 oC e que a
Resistência Térmica entre a cápsula e o ambiente é da ordem 0,5 oC/W, encontre a resistência térmica necessária para o dissipador de
calor de modo que o dispositivo possa operar com uma margem de segurança de 20 % em relação à máxima temperatura na junção.

3) Para o diodo BYC8-600 encontre a frequência máxima de chaveamento que garante que a máxima temperatura de operação no dispositivo
seja menor que 70 % da temperatura máxima permitida.

4) Um certo dispositivo semicondutor dissipa 10 w durante o ciclo de operação. Considerando que Rtjc = 4 oC/W e Rtca = 60 oC/W, verifique a
necessidade de utilização de dissipador de calor se a temperatura máxima da junção é 150 oC. Caso seja necessário utilizar um dissipador,
encontre o valor da Rtda.

5) Para o problema da Questão 05, considerando que está disponível apenas um dissipador de calor com Rtda = 20 oC/W, o que pode ser feito
para garantir a operação segura do dispositivo semicondutor ?

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 Referências

 Mohan, Undeland & Robbins. Power Electronics – Converters, Applications

and Design, Wiley, 1995.

 Rashid, Muhammad H. Power Electronics Handbook, Devices, Circuits and

Applications, Segunda Edição, Elsevier, 2007.

 Ahmed, Ashfak. Eletrônica de Potência, Wiley,

 Pomilio, José Antenor. Eletrônica de Potência , Faculdade de Engenharia

Elétrica e de Computação, UNICAMP, 1998, Revisado em 2002.

Algumas figuras utilizadas neste documento foram retiradas das

referências listadas acima.

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