Chapitre 1 Généralités et principes de la conversion

Chapitre 1

Généralités et principes
de la conversion
Chapitre 1 Généralités et principes de la conversion

SOMMAIRE DU CHAPITRE
1 Topologies de l’électronique de puissance ________________________________________ 1
2 Historiques des interrupteurs et des convertisseurs de puissance ______________________ 2
3 Applications des convertisseurs d’électronique de puissance : ________________________ 3
4 Interrupteurs de puissance idéale (semi-conducteur idéal) ___________________________ 5
4.1 Caractéristiques statiques idéales __________________________________________________ 6
4.2 Caractéristiques dynamiques idéale ________________________________________________ 6
5 Interrupteurs de puissance réels (semi-conducteur réels) ____________________________ 8
5.1 Caractéristiques des interrupteurs de puissance réels__________________________________ 8
 Tension inverse et directe __________________________________________________________________ 8
 Courant directe pendant la conduction _______________________________________________________ 8
 Limites liées à la fréquence de commutation___________________________________________________ 8
 Fréquence maximale de commutation ________________________________________________________ 9
 Pertes de puissance _______________________________________________________________________ 9

5.2 Semi-conducteurs à conduction naturelle/blocage naturelle ____________________________ 9

 Diode conventionnelle ____________________________________________________________________ 9
Les grandeurs caractéristiques de la diode de puissance____________________________________________ 9
 Diode de Schottky _______________________________________________________________________ 10

5.3 Semi-conducteurs à conduction forcée/blocage naturelle _____________________________ 10

 Thyristor _______________________________________________________________________________ 10
Les grandeurs caractéristiques du thyristor : ____________________________________________________ 10
 TRIAC _________________________________________________________________________________ 11

5.4 Semi-conducteurs à conduction forcée/blocage forcé_________________________________ 11

 Transistor bipolaire (BJT) __________________________________________________________________ 11
Les grandeurs caractéristiques du transistor bipolaire : ___________________________________________ 12
 MOSFET _______________________________________________________________________________ 12
Les grandeurs caractéristiques du transistor bipolaire : ___________________________________________ 12
 IGBT __________________________________________________________________________________ 12
Les grandeurs caractéristiques du transistor bipolaire ____________________________________________ 13
 GTO __________________________________________________________________________________ 13
Les grandeurs caractéristiques du GTO _________________________________________________________ 13

5.5 Semi-conducteurs à conduction naturelle/blocage forcé ______________________________ 14

 SIT ____________________________________________________________________________________ 14
 SITH __________________________________________________________________________________ 14
Chapitre 1 Généralités et principes de la conversion

L’électronique de puissance est définie comme étant : La conversion et le contrôle de l’écoulement

de puissance entre un appareil qui génère l’énergie électrique et un appareil qui la consomme, à
l’aide des dispositifs de commutation électronique.

1 Topologies de l’électronique de puissance

Les topologies de l'électronique de puissance convertissent l'énergie d'une source primaire
vers une charge ou vers une autre source nécessitant un niveau d'énergie différent.
Les topologies d’électronique de puissance peuvent être classées suivant les types des variables à
Controller (alternatives ou continues) ainsi que le nombre des étages de conversion (un étage ou
plusieurs étages).
La fig.1.1.a indique les différentes possibilités relatives à la conversion d’énergie.
 La fig.1.1.b surligne la conversion ac-ac, qui convertit une tension alternative de niveau v1 et
de fréquence f1 à une autre tension alternative de niveau v2 et de fréquence f2, égales ou
différentes de v1 et f1. Ce type de convertisseur est nommé : Cyclo convertisseur.
 La fig.1.1c indique la conversion continue alternative ou alternatif continu : Onduleur ou
Redresseur
 La figure 1.1.d montre le convertisseur continu continu : hacheur.
 La figure 1.1.e montre une conversion à deux étages : alternatif-continu-alternatif
 La figure 1.1.f montre une conversion à deux étages : continu-alternatif-continu.

Fig.1.1 : Topologies de conversion de puissance

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2 Historiques des interrupteurs et des Conducteur idéal

convertisseurs de puissance
La fig.2 résume la chronologie du développement des
interrupteurs de puissance. En outre, il convient de BCT 1999
mentionner que le secteur de l'électronique de puissance
était profondément Influencé par le développement de la
microélectronique, et le progrès des circuits intégrés
utilisés pour contrôler les alimentations de commutation. SITH, SIT ,IGBT 1983

Un autre aspect important dans l’histoire des

convertisseurs de l’électronique de puissance est le
développement des alimentations à découpage, qui MOSFET 1975
remplace les alimentations linéaires : Dans les
alimentation linéaire, une tension continue est obtenue à
partir du réseau électrique à travers la séquence suivante :
 Un transformateur 60Hz qui convertit la tension
alternative au primaire de 110V (ou 220V) à une
tension plus faible au secondaire ;
 Un redresseur à diode qui convertit cette tension
alternative en tension continue ;
 Un régulateur linéaire qui impose à sa sortie la
valeur souhaité de la tension continue. TRIAC 1963

Cette alimentation linaire a les avantages suivants :

 La tension de sortie très stable ; GTO 1960
 Le système de conversion n’a pas de bruit.
Par contre, l’alimentation linéaire souffre de certains
inconvénients : Thyristor 1956
 Son rendement était faible : 50 à 65 % de l’énergie
est dissipée sous forme de chaleur ;
 Elle était lourde et volumineuse, essentiellement à
cause du transformateur, des ventilateurs et des 1950
BJT
dissipateurs de chaleur.
La première alimentation à découpage est conçue en
1959. Son principe est le suivant : Au lieu de la conduction
en continu de la puissance entre l’entrée et la sortie, les
interrupteurs et les éléments passifs (résistances,
condensateurs et bobines) sont connectés de manière à
basculer rapidement entre l’état de connexion (ON) et l’état
de coupure (OFF) entre l’entrée et la sortie du bloc Diode 1919
d’alimentation. Les signaux de commande des interrupteurs
imposent le nombre des commutations, et règle et contrôle
la valeur moyenne désirée à la sortie du convertisseur (de Fig.1.2. Chronogramme du
l’alimentation à découpage). développement des semi-
conducteurs de puissance.

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3 Applications des convertisseurs d’électronique de puissance :

La gamme d'applications des convertisseurs d'électronique de puissance est très grande. Elle
va des applications résidentielles à faible puissance aux lignes de transmission à haute puissance.
Certaines applications sont classiques, telles que le redressement et les systèmes
d’entrainements des moteurs. D’autres applications sont récentes et émergeantes telles que les
systèmes à énergies renouvelables.
La fig.1.3 indique certains exemples d’applications des convertisseurs d’électronique de puissance.
La fig.1.3.a montre l’application de l’électronique de puissance dans les véhicules
électriques et hybrides. Ces véhicule fait usage des convertisseurs pour adapter l’énergie électrique
au moteur électrique utilisé pour la traction du véhicule. La gamme de puissance des convertisseurs
utilisés pour les véhicules hybrides est plus faible que celle des convertisseurs utilisés pour les
véhicules complétement électriques. Une autre application de l’électronique de puissance dans les
véhicules électriques est le chargeur de batteries, basé sur des convertisseurs.
La fig.1.3b montre l’application de l’électronique de puissance dans un PC de bureau ou un
PC portable. A l’intérieur de ces appareils se trouve plusieurs convertisseurs de puissance : un
convertisseur principal ac-dc convertit la tension alternative du secteur d’alimentation en tension
continue. Cette tension continue alimente plusieurs convertisseurs dc-dc qui sert à l’alimentation du
microprocesseur, du disque dur, des mémoires…etc. Dans le cas des PC portable, on note aussi la
présence du chargeur de la batterie, et du système électronique de gestion de puissance qui commande
le mode en veille, ce qui permet d’augmenter la durée de vie de la batterie et la réduction de la
consommation d’électricité.

Fig.1.3 : Exemples d’applications des convertisseurs d’électronique de puissance.

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La fig. 1.3.c montre l’application de l’électronique de puissance dans un système à énergie

renouvelable. Le centre de commande d’énergie gère transfert de puissance entre le réseau alternatif
et le système photovoltaïque. Des convertisseurs ac-dc assurent le passage de la puissance dans les
deux sens.
La fig.1.3.d montre l’application de l’électronique de puissance dans un système de transport
électrifié. Un bus électrique reçoit l’énergie électrique à partir d’une ligne électrique aérienne, à
travers des convertisseurs d’électronique de puissance.

Fig.1.4 : Applications des convertisseurs d’électronique de puissance dans les réseaux électriques.

La fig.1.4 montre l’utilisation de l’électronique de puissance dans les réseaux électriques : les
micro-grid, les macro-grid et leur interconnexion et isolation. Les réseaux électriques

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traditionnels (Macro grid) ont une topologie radiale et un sens unique de transfert de puissance, du
producteur vers le consomateur. Dans ces dernières années, il ya une forte tendence à remplacer cette
topologie traditionnelle par des structures des réseaux plus complexes, multisources, avec un transfert
bidirectionnel de puissance. Dans ces nouveaux structures, Le réseau électrique assure la demande
du consommateur, et exploite les données des prix du marché d’électricité et des prévisions
d’énergies, (par exemple les prévisions du vent et des irradiations solaires), pour optimiser la
distribution de la production sur les différentes unités du système.
Un microgrid peut etre défini comme étant
comme un groupement locale des unités de production, de
stockage et de consommation d’électricité. Ce
groupement locale est lié au réseau traditionnel
(macrogrid), comme indiqué à la fig.1.4. Cette figure
montre un micro grid avec un bus continu, oàu les
convertisseurs de puissance (notés C) assurent la
liaison des sources et des charges à ce bus continu.
L’interface entre le réseau traditionnel et le micro grid est
assurée par le centre de commande d’énergie, qui est un
convertisseur dc ac (ou ac dc), qui lie le bus continu du
micro grid au lignes alternative du macro grid. La
commande de ceonvertisseur permet, entre autre de
déconnecter completement le micro grid du macro grid.
Le micro grid fonctionne dans ce cas d’une facon
autonome. Dans ce cas on doit tenir compte de la nécéssite
de présence d’un système d’anti-islanding.

4 Interrupteurs de puissance idéale

(semi-conducteur idéal)
Un interrupteur idéal a le pouvoir :
 de bloquer une tension infinie ;
 de ne permet aucun passage du courant pendant
l’état de blocage ;
 de faire passer un courant infini pendant l’état
de conduction ;
 de ne provoquer aucune chute de tension
pendant l’état de conduction.
 de ne provoquer aucune perte de puissance Fig.1.5 : Caractéristique idéal I-V
pendant son fonctionnement pour les interrupteurs existant sur
 de travailler à n’importe quelle fréquence de le marché
commutation.

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4.1 Caractéristiques statiques idéales

La caractéristique statique d’un interrupteur est liée à son pouvoir de conduction ou de
blocage. La meilleure façon de décrire la caractéristique statique d’un interrupteur est de donner
le graphe de son courant en fonction de sa tension : I-V.Les figs.1.5 a et b indiquent la
caractéstique statique idéale de l’état de conduction et de l’état de blocage respectivement, tandis
que les figs.1.5 c-g indiquent les caractéristiques statiques idéales des différents types des semi-
conducteurs existant sur le marché : Ces semi-conducteurs peuvent être unidirectionnels ou
bidirectionnels, en courant et en tension. Par exemple :
 la diode, le BJT et l’IGBT sont des composantes unidirectionnels en courant et en
tension ;
 le thyristor est unidirectionnel en courant et bidirectionnel en tension ;
 le TRIAC et le BCT (Bilateral Conduction Thyristor) sont bidirectionnels en courant
et en tension ;
 le MOSFET est bidirectionnel en courant et unidirectionnel en tension.
Les graphes indiqués sur les figs.1.5c – g sont des approximations des caractéristiques
réelles des différents semi-conducteurs. Par exemple, le graphe de la fig.1.5 est une
approximation de la caractéristique réelle de la diode.

4.2 Caractéristiques dynamiques idéale

La caractéristique dynamique d’un interrupteur de puissance est liée à son comportement
pendant le changement de son état, de la conduction vers le blocage (Turn OFF) ou du blocage
vers la conduction (Turn ON), c.à.d. pendant la
commutation.
Sur la caractéristique statique de la fig.1.5, la
commutation correspond au passage du point de
fonctionnement d’un axe vers l’autre axe. Par
exemple, pour le cas de la fig.1.5.c, le processus de
commutation de blocage correspond au passage du
point de fonctionnement de l’axe du courant I vers
l’axe de tension V.
La commutation d’un interrupteur peut être
naturelle ou forcée. On a ainsi quatre cas de
figures, indiqués sur la fig.1.6. :
 La conduction naturelle,
fig.1.6.a ;
 Le blocage naturel, fig.1.6.b ;
 La conduction forcée, fig.1.6.c ;
 Le blocage forcé. fig.1.6.d
Dans le cas de la commutation naturelle (en
blocage ou en conduction), le changement d’état de
l’interrupteur est défini par les variables du
circuit de puissance. Dans le cas de la
commutation forcée, le changement d’état est
Fig.1.6 : Caractéristique dynamique d’un
assuré par un signal de déclenchement (signal de
interrupteur idéal.
commande).

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La figure 1.7 indique le comportement de

la tension et du courant en fonction du temps
lors de la commutation naturelle, du blocage
naturel, de la conduction forcée et du blocage
forcé. Les points P1, P2 et P3 illustre le
comportement des variables courant et
tension pendant la commutation.
Par exemple, le point P1 de la fig.1.7.a
indique le point de fonctionnement lorsque
l’interrupteur de puissance est bloqué. Dans
ce point P1, cet interrupteur est soumis à une
tension négative, et aucun courant ne le
traverse. Le point P2 indique le point de
fonctionnement de l’interrupteur lorsque sa
tension est réduite. Finalement, le point P3
indique le point de fonctionnement lorsque
l’interrupteur est commuté vers l’état de
conduction. Ce type de commutation se
manifeste par exemple dans le cas d’un
redresseur à diodes, où le circuit de
puissance contenant le redresseur impose le
changement d’état de chaque diode du
blocage à la conduction.
D’autre part. Un semi-conducteur à
commutation forcée doit avoir une électrode
de commande, habituellement appelée base
ou gâchette, en plus des deux bornes
principales (par exemple, l’émetteur et le
récepteur pour un transistor). L’application
d’un signal de commande sur la base ou la
gâchette, lorsque la tension appliquée entre
les deux bornes principales est positive,
provoque le changement d’état du
convertisseur de la façon souhaitée, comme
indiqué sur les fig.1.7.c et d.
De point de vue de la caractéristique
dynamique, les interrupteurs de puissance
peuvent être classés en quatre catégories :
 Conduction Naturelle / Blocage Naturel ;
 Conduction Forcée / Blocage Naturel ;
 Conduction Forcée / Blocage Forcé ;
 Conduction Naturelle / Blocage Forcé ; Fig.1.7 : Forme temporelle des variables pendant
la commutation

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5 Interrupteurs de puissance réels (semi-conducteur réels)

Les semi-conducteurs de puissances les plus utilisés sont les diodes, les thyristors et les
transistors de puissance. Habituellement, un semi-conducteur a deux bornes de puissance
(anode/cathode, collecteur/émetteur ou drain/source) en plus d’une ou plusieurs bornes de commande
(gâchette ou base).
Contrairement à un interrupteur idéal, le semi-conducteur réel a des limites concernant la
tension et le courant mises en jeu, ainsi que la fréquence de fonctionnement. Ces limites sont
normalement spécifies par la fiche technique du semi-conducteur fournie par le fabricant. La
connaissance des limites et spécifications des semi-conducteurs est crucial lors du Choi du semi-
conducteur à utiliser dans un montage donné de puissance.

5.1 Caractéristiques des interrupteurs de puissance réels

Les caractéristiques les plus courantes des interrupteurs réels sont les suivantes :
 Tension inverse et directe
Les limites liées à la tension directe et inverse sont les suivantes :
 Tension répétitive directe de pointe : C’est la tension directe répétitive maximale
qu’on peut appliquer aux bornes de puissance du semi-conducteur (de l’anode à la
cathode, du collecteur à l’émetteur ou du drain à la source), de sorte que ce semi-
conducteur bloque toujours le flux du courant dans le sens directe, sauf s’il est
commandé en fermeture (turned ON).
 Tension répétitive inverse de pointe : C’est la tension inverse répétitive maximale
qu’on peut appliquer aux bornes de puissance du semi-conducteur (de la cathode à
l’anode, de l’émetteur au collecteur ou de la source au drain), de sorte que ce semi-
conducteur bloque toujours le flux du courant dans le sens inverse.
 Tension de pointe maximale non répétitive, directe ou inverse : Ce sont la tension
maximale supportée, dans le sens directe ou inverse, sous les conditions transitoires.
 Tension de seuil : C’est la valeur instantanée de la chute de tension en conduction.
Elle dépend de la température.
 Courant directe pendant la conduction
Ce courant dépend de la température. Les limites liées à ce courant sont les suivantes :

 Valeur moyenne du courant à l’état de conduction.

 Valeur efficace du courant à l’état de conduction.
 Courant répétitive de pointe à l’état de conduction : c’est le courant répétitif maximal
qui peut circuler à travers le semi-conducteur à l’état de conduction.
 Courant non répétitif de pointe à l’état de conduction : c’est le courant non répétitif
maximal qui peut circuler à travers le semi-conducteur à l’état de conduction, sous les
conditions transitoires.
Il faut noter que lorsqu’il est bloqué, le semi-conducteur fait circuler un courant de fuite,
directe ou inverse, suivant l’état du semi-conducteur.
 Limites liées à la fréquence de commutation
La commutation des semi-conducteurs n’est pas instantanée. Ainsi, certaines limites
s’imposent concernant le temps et la fréquence commutation

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 Temps de fermeture : c’est le temps nécessaire pour que le semi-conducteur passe de

l’état de blocage à l’état de conduction.
 Temps de recouvrement : C’est le temps minimal nécessaire au semi-conducteur, à
partir de l’instant du début de décroissance du courant directe, pour qu’il puisse
supporter la tension directe sans entrer en conduction.
 dv/dt : C’est le taux de variation maximale de la tension directe qu’on peut appliquer
au semi-conducteur l’état de blocage, sans qu’il entre en conduction non prévisible.
 di/dt : C’est le taux de variation maximale du courant de conduction direct qui peut
supporter le semi-conducteur en état de conduction. Le dépassement de ce tau peut
détruire le semi-conducteur.
 Fréquence maximale de commutation
La fréquence maximale de commutation d’un semi-conducteur dépend de son temps de
recouvrement
 Pertes de puissance
Les pertes dans les semi-conducteurs sont composées de trois termes :
 les pertes par commutation ;
 les pertes par conduction directe ;
 les pertes par conduction inverse.
Les semi-conducteurs de puissance les plus utilisés sont classés en quatre catégories, suivant leurs
caractéristiques dynamiques.

5.2 Semi-conducteurs à conduction naturelle/blocage naturelle

La diode conventionnelle et la diode de Schottky sont des semi-conducteurs de ce type.
 Diode conventionnelle
C’est une jonction p-n qui a deux
bornes : une anode (A) et une cathode (K).
Elle conduit le courant de A à K. Le symbole,
la caractéristique statique réelle I-V te la
forme de la diode sont indiqués à la fig.1.8. La
diode conduit lorsque VAK > 0. Le courant à
travers la diode est limité par le circuit externe.

Les grandeurs caractéristiques de la diode de

puissance
(c)
On distingue entre deux types des diodes
utilisées :
 Diodes « 50Hz » ; trr = 25µs, VDO =1V; Fig.1.8 : symbole (a), caractéristique I-V
ID moy= 5kA; VDIM = 5kV. Utilisées (b) et forme (c) d’une diode de puissance.
dans les redresseurs
 Diodes rapides: trr < 1µs, 0.5V<VDO
<3V; ID moy= qq 100 A; VDIM = qq 100 V.

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 Diode de Schottky
Elle est similaire à la diode conventionnelle, sauf que la jonction p est remplacée par
un métal, dans le but de réduire le temps de commutation et par conséquence augmenter la
fréquence de commutation.
Les grandeurs caractéristiques de la diode de Schottky :
VDO<3V, IDmoy=qq 100 A ; Vdim = 100V; Fréquence de travail élevée.

5.3 Semi-conducteurs à conduction forcée/blocage naturelle

Les principaux semi-conducteurs de cette catégorie sont le thyristor et le TRIAC.
 Thyristor
C’est une jonction p-n-p au
silicium. Il a trois bornes : deux bornes
de puissance (l’anode A et la cathode
K) à travers lesquelles passe le courant,
et une borne de commande (la gâchette
G). Le thyristor est unidirectionnel en
courant, et bidirectionnel en tension. Il
a le pouvoir de bloquer dans les deux
sens, direct et inverse. Il est déclenché
par une impulsion positive de courant
sur sa gâchette. Tant que sa gâchette
n’est pas déclenchée, il bloque le
courant dans le sens direct même si la
tension vAK est positive. Si iGK>0 et
vAK>0, le thyristor conduit le courant de
l’anode vers la cathode. La valeur de ce
courant est imposée par le circuit
externe dans lequel le thyristor est
inséré. La chute de tension durant la
conduction est de 1 à 4V. Une fois en (c)
conduction, le thyristor se comporte
comme une diode. La gâchette perd le
contrôle sur le thyristor lors de la Fig.1.9 : symbole (a) et caractéristique I-V (b) et
conduction. Le thyristor se bloque forme (c) d’un thyristor
lorsque son courant anode-cathode
s’annule. Le symbole et la
caractéristique I-V du thyristor sont indiqués à la fig.1.9.
Les grandeurs caractéristiques du thyristor :
1.5V<VTHO<3V, ITHmoy= 4kA ; VTHim = 7kVV.

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 TRIAC
Le TRIAC est un semi-
conducteur composé de deux thyristors
intégrés en antiparallèle. Il peut
conduire ou bloquer dans le sens direct
ou inverse. Il a deux bornes de puissance
T1 et T1 et une borne de commande (une
gâchette) G. Son symbole et sa
caractéristique I-V sont indiqués à la
fig.1.10. Lorsque vT=vT1-vT2 est positive,
le TRIAC est déclenché par une
impulsion positive de courant sur sa
gâchette. Il fonctionne alors dans le
quadrant I. Lorsque vT=vT1-vT2 est
négative, le TRIAC est déclenché par une
impulsion négative de courant sur sa
gâchette. Il fonctionne alors dans le (c)
quadrant III. Il intervient généralement
dans les gradateurs (convertisseurs ac- Fig.1.10 : symbole (a) et caractéristique I-V (b) et
ac). forme (c) d’un triac

5.4 Semi-conducteurs à conduction forcée/blocage forcé

Il existe plusieurs semi-conducteurs qui ont une conduction forcée et un blocage forcé :

 Transistor bipolaire (BJT)

C’est une jonction n-p-n ou p-n-p. Il
a trois bornes : deux bornes de
puissance (émetteur et récepteur) et
une borne de commande (la base). Son
symbole et sa caractéristique I-V sont
indiqués à la fig.1.11. Il est
unidirectionnel en courant : Son courant
passe de l’émetteur vers le récepteur. Ce
courant est commandé par le courant de
base. Contrairement au transistor
bipolaire ordinaire, le transistor
bipolaire de puissance fonctionne à
l’état saturé : le courant de base bascule
entre zéro (blocage) et valeur maximale (c)
(conduction). Ce composant est de
Fig.1.11 : symbole (a) et caractéristique I-V (b) et
moins en moins utilisé dans les
forme (c) d’un BJT
montages d’électronique de puissance.

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Les grandeurs caractéristiques du transistor bipolaire :

VCE = 1000V, IC = 1000A , fc = 5kHz, Gain en courant : β = 10.

 MOSFET
C’est une jonction p-n-p ou n-p-n. Il a
trois bornes : deux bornes de puissances, le
drain (D) et la source (S), et une borne de
commande, la gâchette (G). Son symbole est
sa courbe caractéristique I-V sont indiqués à
la fig.1.12. Le MOSFET est déclenché par
une impulsion de tension entre la gâchette et
le drain (G et D). Il peut fonctionner à des
hautes fréquences de commutation. Sa
commande est facile car elle ne nécessite pas
de courant, mais des pertes élevées de
(c)
commutation.
Les grandeurs caractéristiques du transistor Fig.1.12 : symbole (a) et caractéristique I-V (b)
bipolaire : et forme (c) d’un MOSFET
Il est caractérisé par la tension drain-source VDS, le courant du drain ID, et la résistance drain
source à l’état passante RDSON. IDS diminue avec l’augmentation de VDS. RDSON augmente
progressivement avec VDS. Ces grandeurs évoluent dans une large gamme de variation.
Exemple : VDS = 1000V ; ID = qq 100A ; RDSON = qq Ω.

 IGBT
Il combine les avantages du
MOSFET et du transistor bipolaire :
 Tension élevée à l’état ouvert :
caractéristique BJT
 Tension faible à l’état fermé (faible
pertes) : caractéristique BJT
 Commande facile : caractéristique
MOSFET
 Bon caractéristique dynamique :
caractéristique MOSFET
Son symbole et sa courbe
caractéristique sont indiqués à la
fig.1.13. Il est commandé en tension,
comme le MOSFET. L’effet « transistor
« ralentit l’ouverture du composant et
(c)
augmente les pertes par commutation.
Fig.1.13 : symbole (a) et caractéristique I-V (b)
et forme (c) d’un IGBT

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Les grandeurs caractéristiques du transistor bipolaire

Les fabricants de l’IGBT proposent plusieurs gammes :
 Des IGBTs à faible chute de tension en conduction (1.8 à 2.5V), mais avec des pertes
par commutation élevées : fréquence de commutation relativement faible ;
 Des IGBTs à faibles pertes par commutation, mais avec une chute de tension élevée
en état de conduction, allant jusqu’à 4V : Fréquence de commutation élevée.
Exemple d’ordre de grandeurs d’un IGBT de puissance :
VCE = 4.5kV ; IC = 1.2 kA ; fc = 20kHz - 50kHz.

Les IGBTs sont de plus en plus utilisés dans les convertisseurs modernes de l’électronique
de puissance tels que les onduleurs MLI, les redresseurs MLI, les convertisseurs
multiniveaux…etc.

 GTO
Le GTO est un thyristor qui peut
être commandé en conduction et en
blocage. Son symbole et sa caractéristique
I-V sont donnés à la fig.1.14. C’est un
semi-conducteur unidirectionnel en
courant et en tension. Pour entrer en
conduction, il a besoin d’une impulsion de
faible courant positif sur sa gâchette. Pour
se bloque, il faut appliquer sur sa gâchette
une impulsion de fort courant négatif,
d’environ un quart du courant mise en jeu
par le semi-conducteur. Par exemple, pour
bloquer un GTO de 6kV/6kA, on a besoin
d’appliquer sur sa gâchette une impulsion
négatif de 1.5 kA. Il est difficile à
commander par rapport au MOSFET et à
l’IGBT car sa gâchette et toujours
parcourue par un courant lorsqu’il est en
phase de conduction. Un autre
inconvénient est les pertes importantes lors
de la commande de d’ouverture, à cause du (c)
fort courant nécessaire à la gâchette. Sa
fréquence de commutation est par
Fig.1.14 : symbole (a) et caractéristique I-
conséquence limitée.
V (b) et forme (c) d’un GTO
Les grandeurs caractéristiques du GTO
Il est utilisé pour les applications de fortes
puissances, comme la traction ferroviaire.
Ordre des grandeurs : VTH = 5 kV, ITH 5 kA.

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Chapitre 1 Généralités et principes de la conversion

Le tableau suivant donne un comparatif entre les quatre types des semi-conducteurs entièrement
commandabes, de point de vue puissance et fréquence de commutation.
Semi-conducteur Puissance d’utilisation Fréquence de commutation
BJT Moyenne Moyenne
MOSFET Faible Forte
IGBT Moyenne Moyenne
GTO Forte Faible
Tableau 1.1 : Comparatif entre les semi-conducteurs commandables.

5.5 Semi-conducteurs à conduction naturelle/blocage forcé

Deux semi-conducteurs récents peuvent être classés dans cette catégorie : le SIT et le SITH.
Leurs symboles sont indiqués à la fig.1.16. Leur développement n’est pas encore entièrement
établi et standardisé.

Fig.1.16 : symboles du MCT (a) et du IGCT (b)

 SIT
Le symbole du SIT (Static Induction Transistor) est indiqué à la fig.1.16.a. Il conduit
lorsque vGS égale à zéro. Le courant du drain est commandé par la valeur de la tension vGS. Le
semi-conducteur peut être bloqué en imposant une tension vGS négative, d’environ 40V. La
gamme de ce semi-conducteur est alentours de 1.2kV et 300A. Sa fréquence de commutation
est promue pour atteindre 100 kHz.
 SITH
Le symbole du SITH (Static Induction Thyristor) est indiqué à la fig.1.16.b. C’est un
semi-conducteur qui est normalement, en état de conduction. Son blocage est effectué en
imposant une tension de gâchette négative. Il n’a pas le pouvoir de bloquer une tension
inverse. Sa gamme est de l’ordre de 1.5kV et 300A. Sa gamme de fréquence est de 10 kHz. Il
souffre, avec le SIT, de la chute de tension élevée en état de conduction, ainsi que de la
complexité du processus de fabrication.

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