SEMICONDUCTORES

Un conductor es un material en el cual se produce un flujo significativo de carga

cuando se aplica una fuente de voltaje de magnitud limitada a través de sus terminales.

Un aislante es un material que ofrece un nivel muy pobre de conducción bajo la

tensión de una fuente de voltaje aplicada.

Un Semiconductor es un material de conductividad intermedia entre la de un

conductor y la de un aislante, que se modifica en gran medida por la temperatura, la
excitación óptica y las impurezas.

Como un ejemplo considere los valores de resistividad (ρ) de un conductor, dos

semiconductores y un aislante mostrados en la siguiente tabla.

Conductor Semiconductor Aislante

ρ ≈ 10-6 Ω.cm ρ ≈ 50 Ω.cm (Germanio) ρ ≈ 1012 Ω.cm
(Cobre) ρ ≈ 50x103 Ω.cm (Silicio) (Mica)

Ejemplo: Calcule la resistencia del elemento rectangular mostrado en la figura 1,

considerando los casos de que este sea de cobre, germanio ó mica,

1cm
1cm 2
2cm
Figura 1

La resistencia de un material de longitud L y área de su sección transversal A se

calcula por medio de la siguiente formula:

L
R
A
 Utilizando la formula anterior tenemos lo siguiente:
Caso 1: Elemento de Cobre
2cm
R  106 .cm.  0,000002
1cm2
Caso 2: Elemento de Germanio:
2cm
R  50.cm.  100
1cm2
Caso 3: Elemento de Mica:
2cm
R  1012 .cm.  2.000.000.000.000
1cm2

Los mejores conductores como lo son la plata, el cobre y el oro tienen un solo
electrón de valencia, los semiconductores tienen cuatro electrones de valencia y los
aislantes ocho. Como ejemplo observe la distribución electrónica del cobre (conductor),
el germanio y el silicio (semiconductores) en las figuras 2 y 3.

Figura 2: Átomo de cobre

Figura 3: Átomo de Germanio Átomo de silicio

 El germanio y el silicio son los semiconductores más utilizados por varias
razones, una muy importante es el hecho de que pueden producirse con muy alto nivel
de pureza. De hecho avances recientes han reducido los niveles de impureza en el
material puro hasta de una parte por cada diez mil millones (1 : 10.000.000.000). Otra
razón es que sus características pueden alterarse notablemente mediante la aplicación
de calor y luz.

Los átomos del germanio y el silicio forman un patrón bastante definido que es
de naturaleza periódica (es decir, se repite en forma continua). Un patrón completo se
denomina cristal y el arreglo periódico de los átomos red. En el caso del germanio y el
silicio el cristal tiene la estructura tridimensional del diamante.

Figura 4:

Cualquier material compuesto únicamente de estructuras cristalinas repetitivas

del mismo tipo se llama estructura monocristalina.

En un cristal puro de germanio ó silicio los cuatro electrones de valencia de un

átomo se encuentran unidos (compartidos) a cuatro átomos adyacentes formando
enlaces covalentes como se muestra a continuación.

Si Si Si

Si Si Si

Si Si Si

Figura 5: Enlaces covalentes de los átomos de silicio

Semiconductores intrínsecos

Un semiconductor intrínseco es un semiconductor puro, es decir, que no posee

impurezas de otros elementos. Un cristal de silicio es un semiconductor intrínseco si
cada átomo en el cristal es un átomo de silicio.

Electrones libres y huecos

Cuando la temperatura ambiente es mayor que el cero absoluto (-273ºc), la

energía térmica del aire circundante hace que los átomos en un cristal de silicio ó
germanio vibren dentro del cristal. Cuanto mayor sea la temperatura ambiente, más
intensas serán las vibraciones. Si se toma un objeto tibio, el calor que se siente
proviene de la vibración de los átomos.

Las vibraciones de los átomos de silicio pueden ocasionalmente hacer que se

desligue un electrón de la órbita de valencia y pasar a una órbita mayor, en este caso
se dice que el electrón es un electrón libre. La salida del electrón deja un vacío en la
órbita de valencia, a este vacío se le llama hueco.

Figura 6: Electrón libre y hueco

El número de electrones libres y huecos creados por la energía térmica es muy

pequeño en un cristal de silicio (ó germanio) por lo que no es un buen conductor.
Materiales Extrínsecos tipos N y P

Las características de los materiales semiconductores pueden alterarse de modo

considerable mediante la adición de ciertos átomos de impureza en el material
semiconductor relativamente puro.

Un material semiconductor que se ha sometido a este proceso de dopado se

denomina material extrínseco. Hay dos tipos de materiales extrínsecos: El tipo N y el
tipo P.

Material tipo N: Se crea añadiendo todos aquellos elementos de impureza que

tengan cinco electrones de valencia (pentavalentes), como el antimonio, arsénico y
fósforo. El efecto de añadir estas impurezas se muestra en la siguiente figura:

Sb: antimonio
Si Si Si
Impurezas del
grupo V de la Quinto electrón de
tabla periódica valencia del
(Pentavalentes) + antimonio
Si Sb
Si Si
A temperatura ambiente
todos los átomos de
Impurezas se encuentran
ionizados
Si Si Si

Impureza de Antimonio

Figura 7: Semiconductor extrínseco tipo N

Nótese que los cuatro enlaces covalentes aún están presentes, sin embargo, hay
un quinto electrón adicional debido al átomo de impureza, el cual no está asociado con
algún enlace covalente particular. Este electrón unido débilmente a su átomo padre
(antimonio), a temperatura ambiente se libera y se puede mover más o menos con
cierta libertad dentro del material tipo N, esto quiere decir que se convierte en un
electrón libre.
 Debido a que las impurezas pentavalentes pierden un electrón después de
enlazarse con cuatro átomos de silicio, éstas se convierten en iones positivos, por lo
que podemos representar un material tipo N como se muestra en la figura 8.

Semiconductor extrínseco : TIPO N

+
Sb
+
Sb +
Sb +
Sb
Impurezas
+
Sb
+
Sb
grupo V
+
Sb +
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Sb
+ +
Sb
+
Sb +
Sb Sb

Electrones libres Átomos de impurezas ionizados

(Iones Donadores)

Figura 8: Representación de un material tipo N.

Material tipo P: Se forma añadiendo a un cristal puro de germanio o silicio

átomos de impureza que tengan tres electrones de valencia (trivalentes), como por
ejemplo el aluminio, el boro, y el galio. El efecto de añadir boro al silicio se muestra en
la figura 9.

Al: aluminio
Impurezas del Si Si Si
grupo III de la Vacante ó hueco
tabla periódica

Si Al
Si Si
-

Si Si Si

Impureza de Aluminio

Figura 9: Semiconductor extrínseco tipo P

 Nótese que ahora hay un número insuficiente de electrones para completar los
enlaces covalentes de la red recién formada. La vacante que resulta se denomina
hueco. Estos huecos se comportan como cargas positivas y atraen a los electrones que
se encuentren cerca de ellos. El material tipo P se puede representar como un ión
negativo (la impureza) unido a un hueco, tal y como se muestra en la figura 10.

Semiconductor extrínseco : TIPO P

-
Al
-
Al -
Al -
Al

-
Al Al - Impurezas grupo III
-
Al -
Al
-
Al
-
Al
-
Al
-
Al
- -
Al
-
Al -
Al Al

Huecos libres Átomos de impurezas ionizados

Iones aceptores.

Figura 10: Representación de un material tipo P.

Portadores mayoritarios y minoritarios.

En un material tipo N el número de electrones libres es mucho mayor que el de

huecos, por tal motivo, para el material tipo N el electrón se denomina portador
mayoritario y el hueco portador minoritario.

Para un material tipo P, el número de huecos supera ampliamente el número de

electrones libres, por lo tanto, para el material tipo P el hueco es el portador mayoritario
y el electrón es el portador minoritario.

EL DIODO SEMICONDUCTOR (La unión P-N).

El dispositivo que resulta de la unión de un material tipo P a un material tipo N se

denomina diodo semiconductor o simplemente diodo (ver figura 11).
 - - - + + + +
- - - + +
- + +
- - + +
- - - +
- + + + +
- - - +
Material tipo P Material tipo N

Región de empobrecimiento

- - - + + + +
- - - + +
- + +
- - + +
- - - +
- + + + +
- - - +
Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N
- +
Figura 11: Resultado de la unión de un material tipo P a un material tipo N (El diodo).

En el momento que un material tipo P se une a uno tipo N, los electrones del
material tipo N cercanos a la unión pasan hacia el material tipo P y llenan algunos
huecos cercanos a la unión. Como resultado se forma una región donde no hay
electrones libres ni huecos.

A esta región de iones negativos y positivos se le denomina comúnmente como

región de empobrecimiento, ya que es una región donde no hay portadores de carga,
es decir, ni electrones ni huecos. Además debido a que en la unión no hay huecos que
neutralicen a los iones negativos del material tipo P ni electrones libres que neutralicen
los iones positivos del material tipo N, en la región de empobrecimiento también se
produce una pequeña diferencia de potencial a la cual se le llama barrera de potencial.

Condición de polarización inversa de un diodo.

Esta condición ocurre cuando el terminal positivo de una fuente de voltaje se

conecta del lado del material tipo N y el negativo se conecta del lado del material tipo P.
 Figura 12: Polarización inversa de un diodo.

El terminal positivo de la fuente de voltaje atrae los electrones libres del material
tipo N hacia la derecha y el terminal negativo atrae los huecos hacia la izquierda, como
resultado se obtiene que la región de empobrecimiento y barrera de potencial se
amplían, impidiendo la circulación de los portadores mayoritarios de de cada zona, por
lo que la corriente que circula es aproximadamente igual a cero.

Condición de polarización Directa de un diodo.

Esta condición ocurre cuando el terminal positivo de una fuente de voltaje se

conecta del lado del material tipo P y el negativo se conecta del lado del material tipo N.

Región de empobrecimiento

P - - - + + + + N
-
- - + +
- +
- +
- + +
- - -
- + +
- - + + +
- - +

I≠0
Figura 13: Polarización directa de un diodo.
 En este caso el terminal positivo de la fuente de voltaje repele los huecos del
material tipo P hacia la derecha y el terminal negativo repele los electrones libres del
material tipo N hacia la izquierda, como resultado se obtiene que la región de
empobrecimiento y barrera de potencial disminuyen, por lo cual los electrones pueden
pasar desde el material N al P y viajar de hueco en hueco hasta llegar al terminal
positivo de la fuente, por este motivo ahora la corriente es diferente de cero y
dependerá del valor de la resistencia que se ha colocado para limitarla.

En resumen podemos decir que:

 Un diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente eléctrica en un

solo sentido.
 Al aplicar polarización inversa no hay conducción de corriente.
 Al aplicar polarización directa si hay conducción de corriente.

Símbolo del diodo.

El símbolo que representa a un diodo es el que se muestra en la siguiente figura,

donde podemos observar que la terminal que está del lado del material tipo P se le
denomina ánodo y la que está del lado del material tipo N se le denomina cátodo. El
símbolo tiene la forma de una flecha la cual indica el sentido de la conducción de la
corriente eléctrica.

Ánodo Cátodo Ánodo Cátodo

P N
Símbolo del Diodo