Laboratorio de Electrónica, Práctica N° 5, 26 de enero del 2019
Transistor Bipolar de Juntura (TBJ)
Lenin Salcedo, Angel Gómez, Escuela Politécnica Nacional (EPN), Quito - Ecuador
Resumen – En el presente informe se realiza la comprensión y
análisis del funcionamiento del transistor bipolar de juntura
(TBJ), para lo cual se realiza dos experimentos donde se analiza la
región de corte y saturación, donde trabaja como un interruptor,
así como la región activa del circuito, donde funciona como un
amplificador. Para la región activa se realiza una amplificación de
10 a 1, misma que se presenta en los cálculos realizados en la
práctica, así como algunas recomendaciones que se deben tomar
en cuenta para su diseño.
Índices – Bipolar, Diodo, Cristales, Portadores de carga,
Resistencias, Semiconductor, TBJ, Transistor, Vacantes, Zonas.
I. MARCO TEÓRICO
Para la mejor comprensión de todo el análisis aquí expuesto, se
debe tener en cuenta y comprender los conceptos que se
manejan en la presente práctica, algunos de los conceptos más
relevantes se presentan de manera breve y sin profundizar
mucho en ellos, se recomienda al lector realizar una
investigación más formal, en caso de no tener claro los
conceptos a fin de que este informe sirva de guía para la futura
elaboración de un amplificador usando un TBJ.
A. Transistor
Este dispositivo electrónico es un semiconductor que se lo
utiliza para que entregue una determinada señal de salida,
dependiendo de la señal de entrada que se le suministre. Su
nombre viene de la contracción del inglés de las palabras;
transistor, resistor, por lo cual se le conoce como transistor.
B. Transistor bipolar de juntura
Es un dispositivo electrónico que consta de dos uniones PN,
que significa de dopar a un semiconductor de impurezas
haciéndolo penta o tetra valente, a propósito, con la finalidad de
aumentar los portadores de cargas libres, lo cual hace que se
genere una corriente cuando estos portadores de carga son
sometidos a algún campo eléctrico externo, por esta razón, este
transistor tiene la capacidad de controlar la corriente entre sus
terminales, disminuyendo el voltaje, cuando la corriente
aumenta. Se base de tres regiones; base, colector y emisor.
C. Regiones operativas del transistor
Región activa: Cuando el transistor no se encuentra en las
demás zonas operativas, entonces se halla en la región activa, y
es ahí cuando la corriente del colector depende de la corriente
de base, por un valor de β veces la corriente de la base.
Región de corte: El transistor entra en la región de corte
1
cuando la corriente de colector es igual a la corriente de emisor
y estas son iguales a cero, para este caso el voltaje la batería que
suministra al circuito es igual al voltaje de colector emisor, en
otras palabras, el circuito se comporta como un circuito abierto,
debido a que la corriente entre dichas terminales es cero.
Región de saturación: Esto ocurre cuando la corriente de
colector y la corriente de emisor son aproximadamente iguales
y estas a su vez son iguales a la corriente máxima que puede
circular a través del transistor, en otras palabras el transistor se
comporta como un cortocircuito, es decir como un cable que no
ofrece resistencia, la corriente, dependerá exclusivamente del
voltaje que suministre la fuente y las resistencias que se
encuentren conectadas en las diferentes terminales (colector y
emisor) del transistor.
II. METODOLOGÍA
A. Materiales empleados
En la práctica se utilizaron los siguientes materiales.
 Fuentes: Fuente12V DC, Generador de funciones (0.3V
AC a 1kHz).
 Elementos Pasivos: Resistencias (3.9KΩ,39Ω,
27Ω, 120Ω, 1.5K Ω, 1.2KΩ),
𝑐𝑎𝑝𝑎𝑐𝑖𝑡𝑜𝑟𝑒𝑠 (1.2𝜇𝐹, 3.3𝜇𝐹, 56𝜇𝐹) , TBJ NPN 2N3904.
 Equipo de medida: Multímetro, osciloscopio.
 Elementos varios: cable UTP, protoboard.
B. Procedimiento
1) Medir el valor real de la fuente de 12 V DC y calibrar
el generador de funciones con 0.3 V a 1kHz usando
el osciloscopio.
2) Armar el circuito descrito en la Figura 1.
Fig.1) Esquema circuito amplificador emisor común por
estabilización en el emisor.
3) Conectar el osciloscopio para ver las formas de onda
del voltaje a la entrada y a la salida del circuito.
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Tomar medidas de las señales y graficarlas en hoja de 𝑉𝑅𝐶 = 3.78[𝑉] + 1.2[𝑉] = 4.54[𝑉]
datos.
4) Medir con el multímetro los voltajes Medir con el entonces tomamos el inmediato superior
multímetro los voltajes 𝑉𝐶𝐸 , 𝑉𝐵𝐸 , 𝑉𝐵𝐶 , 𝑉𝐵 , 𝑉𝐸 , 𝑉𝐶 y
𝑉𝑅𝐶 . 𝑉𝑅𝐶 ≈ 5[𝑉]
5) Implementar el diseño para que el TBJ trabaje en
modo corte y saturación. Visualizar la señal de Ahora consideremos que:
entrada y en el LED con ayuda del osciloscopio.
𝑉𝑅 𝐶 5[𝑉]
𝐼𝐶𝑄 = = = 12.82 [𝑚𝐴]
𝑅𝐶 390[Ω]

Dado que la ganancia mínima 𝛽𝑚𝑖𝑛 = 60 ademas 𝐼𝐸 ≈ 𝐼𝐶 ,

entonces 𝐼𝐸 = 12.82 [𝑚𝐴].

26 [𝑚𝑉] 26 [𝑚𝑉]
𝑟𝐸 = = = 2.028[Ω]
𝐼𝐸 12.82 [𝑚𝐴]

Para tener estabilidad térmica 𝑉𝐸 ≥ 1.3[𝑉] ya que

𝑉𝐵𝐸 = 0.7[𝑉], y para evitar una señal recortada se tiene que:

Fig.2) Esquema del circuito trabajando en la región de 𝑉𝐸 ≥ 1[𝑉] + 𝑉𝑖𝑛,𝑝𝑝

corte.
𝑉𝐸 ≥ 1.3[𝑉] entonces tomamos 𝑉𝐸 = 2[𝑉].
Entonces tenemos que:
III. RESULTADOS Y DISCUSIÓN 𝑉𝐸 2[𝑉]
𝑅𝐸 = = = 156[Ω]
En las siguientes figuras se presentan los esquemas de los 𝐼𝐸 12.82[𝑚𝐴]
circuitos implementados acompañado con una tabla que
detalla los valores de los elementos que los constituyen: Ahora podemos calcular 𝑅𝐸1 y 𝑅𝐸2 además 𝑅 = 𝑅𝐸1 + 𝑅𝐸2

𝑅𝑒𝑞 309.52[Ω]
𝐴𝑣 = = = 10
𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 2.028[Ω] + 𝑅𝐸1

𝑅𝐸1 = 28.92[Ω]

Tomamos

𝑅𝐸1 = 27[Ω]

Para no variar exageradamente la ganancia.

Fig.2) Esquema circuito amplificador emisor-común por
estabilización en el emisor y la descripción de sus respectivos 𝐴𝑣 = 10.66
valores.
Con lo cual se garantiza una ganancia de 10 debido a las
Para el circuito del amplificador emisor-común por tolerancias.
estabilizador en el emisor se uso el siguiente:
𝑅𝐸 ≤ 156[Ω]
Para 𝑅𝐶 usamos: 𝑅𝐶 = 390 [Ω].
Regresando a la ecuación 𝑅 = 𝑅𝐸1 + 𝑅𝐸2
𝑅𝐶 𝑅𝐿 390[Ω] ∗ 1500[Ω]
𝑅𝑒𝑞 = = = 309.52[Ω]
𝑅𝐶 + 𝑅𝐿 390[Ω] + 1500[Ω] Nos queda 𝑅𝐸2 = 120[Ω], entonces 𝑅𝐸 = 147[Ω]

390[Ω] Asi nos queda 𝑉𝐸 = 1.88[𝑉] > 1.3[𝑉] la condición se cumple

𝑉𝑅𝐶 = 3[𝑉] ∗ = 3.78 [𝑉]
309.52[Ω] Calculamos también 𝐼𝐵 Y 𝑉𝐵 :

Para asegurar que no existan distorsiones en la señal tomamos 𝐼𝐶𝑄 12.82[𝑚𝐴]

𝐼𝐵 = = = 213.67 [𝜇𝐴]
un factor de tolerancia f=20% : 𝛽 60
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𝑉𝐵 = 𝑉𝐸 + 𝑉𝐵𝐸 =1.8846[V]+0.7[V]=2.5846[V] 𝜒𝐶𝐵 = 60.44[Ω]

Como 𝐼𝐵 tiene y es pequeño, por el calculado anteriormente 1

podemos considerar que: 𝐶𝐵 = = 2.633 [μF]
2𝜋 ∗ 𝜒𝐶𝐵 ∗ 𝑓

𝐼2 ≫ 𝐼𝐵 Debemos considerar 𝐶𝐵 ≥2.633[μF]

Tomamos 𝐶𝐵 = 3.3[μF]
𝐼2 = 10𝐼𝐵 = 2.13[𝑚𝐴]
Para calcular el capacitor del colector:
E
𝑅𝐶 ∥ (𝜒𝐶𝐶 + 𝑅𝐿 )
𝐼1 = 𝐼2 + 𝐼𝐵 = 2.35[𝑚𝐴] 𝐴𝑣 =
𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1

𝑉𝐵 2.58 Por la misma razón anterior tenemos que:

𝑅2 = = = 1209.62[Ω]
𝐼2 2.13 𝑅𝐿
𝜒𝐶𝑐 ≪
Como la corriente 10

1500[Ω]
𝐼2 ≫ 𝐼𝐵 𝜒𝐶𝑐 = = 150[Ω]
10
Entonces 1
𝐶𝑐 = = 1.062[μF]
𝑅2 < 1209.62[Ω] entonces tomamos 𝑅2 = 1.2𝐾[Ω] 2𝜋 ∗ 150 ∗ 1000

Debemos considerar 𝐶𝐶 ≥1.062[μF]

Calculamos 𝑅1 con 12v de la fuente DC
𝐶𝐶 = 1.2[μF]
𝑉𝑅1 = 12[V] − 𝑉𝑅2
Para calcular el capacitor del emisor:
𝑉𝑅2 ≈ 𝑉𝐵
𝑅𝑒𝑞
𝐴𝑣 = entonces 𝜒𝐶𝐸 ≪ 𝑅𝐸2
𝑉𝑅1 = 12[V] − 𝑉𝐵 𝑟𝑒 +𝑅𝐸1 +𝑅𝐸2 ∥𝜒𝐶𝐸

𝑉𝑅1 = 12[V] − 2.58[V] = 9.41[V] 𝑅𝐸2

𝜒𝐶𝐸 =
10
𝑉𝑅1
𝑅1 = = 4006.55[Ω] 𝑅𝐸2 ∗ 𝜒𝐶𝐸 𝑅𝐸
𝐼1 𝑅𝑒𝑞 = = 2
𝑅𝐸2 + 𝜒𝐶𝐸 11
𝑅1 < 4006.55[Ω]

Entonces la ganancia de voltaje es:

𝑅1 = 3.9[𝐾Ω]
𝑅𝑒𝑞
𝐴𝑣 =
Para el cálculo del valor de las capacitancias: 𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 + 𝜒𝐶𝐸

𝑍𝑖𝑛−𝑇 = (𝛽 + 1)(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 ) = 61 ∗ (2.028 + 27)[Ω] = Consideramos que

1770.708[Ω]
𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 ≫ 𝜒𝐶𝐸
𝑍𝑖𝑛 = 𝑅1 ∥ 𝑅2 ∥ 𝑍𝑖𝑛−𝑇 =604.42[Ω]

Para que la impedancia de 𝐶𝐵 sea tal que se pueda tomar 𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 29.028[Ω]
𝜒𝐶𝐸 = = = 2.903[Ω]
como un cable, se debe tomar: 𝜒𝐶𝐵 ≪ 𝑧𝑖𝑛 10 10

Para el capacitor de la base tenemos: 1

𝐶𝐸 = = 54.83[μF]
2𝜋 ∗ 1000 ∗ 2.903
𝑧𝑖𝑛
𝜒𝐶𝐵 = Tomamos
10
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𝐶𝐸 = 56[μF]
En el caso que se reemplace 𝑅𝐸1 y 𝑅𝐸2 , por una sola resistencia
Para el circuito que tenemos el siguiente esquema: obtenemos los siguientes valores:

Para 𝑅𝐶 usamos: 𝑅𝐶 = 390 [Ω].

𝑅𝐶 𝑅𝐿 390[Ω] ∗ 1500[Ω]
𝑅𝑒𝑞 = = = 309.52[Ω]
𝑅𝐶 + 𝑅𝐿 390[Ω] + 1500[Ω]

390[Ω]
𝑉𝑅𝐶 = 3[𝑉] ∗ = 3.78 [𝑉]
309.52[Ω]

Para asegurar que no existan distorsiones en la señal tomamos

un factor de tolerancia f=20% :
Fig.1) Esquema circuito amplificador emisor-común por
estabilización en el emisor y la descripción de sus respectivos 𝑉𝑅𝐶 = 3.78[𝑉] + 1.2[𝑉] = 4.54[𝑉]
valores.
entonces tomamos el inmediato superior

𝑉𝑅𝐶 ≈ 5[𝑉]

Se realizaron los siguientes cálculos: Ahora consideremos que:

𝑉𝑅 𝐶 5[𝑉]
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝑉𝐷𝐼𝑂𝐷𝑂 𝐼𝐶𝑄 = = = 12.82 [𝑚𝐴]
𝑅𝐶 390[Ω]

Para que el TBJ trabaje en la región de corte y saturación,

Dado que la ganancia mínima 𝛽𝑚𝑖𝑛 = 60 ademas 𝐼𝐸 ≈ 𝐼𝐶 ,
tomamos 𝐼𝐶,𝑠𝑎𝑡 = 10 [𝑚𝐴] y 𝑉𝐷𝐼𝑂𝐷𝑂 = 0.7 [𝑉]
entonces 𝐼𝐸 = 12.82 [𝑚𝐴].
12[𝑉] = 10[𝑚𝐴]𝑅𝐶 + 0.7[𝑉] 26 [𝑚𝑉] 26 [𝑚𝑉]
𝑟𝐸 = = = 2.028[Ω]
𝑅𝐶 = 1.130[Ω] 𝐼𝐸 12.82 [𝑚𝐴]

Tomamos una resistencia 𝑅𝐶 ≈ 1.2[Ω] que es comercial, por Para tener estabilidad térmica 𝑉𝐸 ≥ 1.3[𝑉] ya que
otro lado: 𝑉𝐵𝐸 = 0.7[𝑉], y para evitar una señal recortada se tiene que:
𝐼𝐶,𝑠𝑎𝑡 10[𝑚𝐴]
𝐼𝐵 = = = 1.6 ∗ 10−4 [𝐴] 𝑉𝐸 ≥ 1[𝑉] + 𝑉𝑖𝑛,𝑝𝑝
𝛽 60

5 − 𝑉𝐵𝐸 5[𝑉] − 0.7[𝑉] 𝑉𝐸 ≥ 1.3[𝑉] entonces tomamos 𝑉𝐸 = 2[𝑉].

𝑅𝐵 = =
𝐼𝐵 1.6 ∗ 10−4 [𝐴] Entonces tenemos que:
𝑅𝐵 = 26,875[Ω] 𝑉𝐸 2[𝑉]
𝑅𝐸 = = = 156[Ω]
𝐼𝐸 12.82[𝑚𝐴]
Tomamos una resistencia 𝑅𝐵 = 28000[Ω] que es comercial,
además aseguramos que la corriente de base disminuya.
Si usamos el método aproximado usamos la condición:
(𝛽 + 1)𝑅𝐸 ≥ 10𝑅2
Los resultados obtenidos se presentan en la siguiente tabla:
(61) ∗ 156[Ω] ≥ 10𝑅2
Entonces tomamos 𝑅2 = 951.6[Ω]
Además 𝐼𝐸 ≈ 𝐼𝑐
𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝑐 𝑅𝑐 ≈ 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝑐 = 0.6 + 12.82[𝑚𝐴] ∗ 390[Ω]
= 2.606 [𝑉]

𝑅2 951.6[Ω]
𝑉𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 = 12[𝑉] ∗ = 2.606 [𝑉]
𝑅2 + 𝑅1 951.6[Ω] + 𝑅1

12[𝑉] ∗ 951.6[Ω]
𝑅1 = − 951.6[Ω] = 3430[Ω]
Tabla 1) Errores relativos entre valores teóricos y 2.606[𝑉]
experimentales de los voltajes 𝑉𝐶𝐸 , 𝑉𝐵𝐸 , 𝑉𝐵𝐶 , 𝑉𝐵 , 𝑉𝐸 , 𝑉𝐶 , 𝑉𝑅𝐶 .
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Los errores se deben principalmente a que los valores

calculados de las resistencias no existen comercialmente, así
que hay que aproximarlos lo que modifica los valores teóricos,
dependiendo de la forma de la ecuación se toman valores
superiores o inferiores como se especifica en el cálculo de los
datos teóricos.

IV. CONCLUSIÓN
1) El diseño implementado en el circuito de un
amplificador en emisor común con estabilización de
emisor permite amplificar la señal de entrada, pero es
necesario tomar aproximaciones que nos permita
obtener valores comerciales en las resistencias lo que
acumula errores en los cálculos, así que hay que tener
cuidados al aproximar los valores, según el
comportamiento de la ecuación en que esta considerada.
.
2) En el diseño implementado en segundo circuito, se
evidencia el trabajo TBJ 2N3904 en la región de corte y
saturación así que trabaja como un swich, el LED se
Referencias
[1] Thomas L. Floyd, “Principios de circuitos eléctricos,”
Octava Edición. PEARSON EDUCACIÓN. México. 2007..