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de Oviedo Electrónica
+ Convertidor
Carga
CC/CC
(sistema
electrónico)
Convertidores CA/CC
• Con alto contenido de armónicos de baja frecuencia.
• Con bajo contenido de armónicos de baja frecuencia.
Convertidores CC/CC
• Convertidores conmutados.
• Convertidores lineales
Convertidores CC/CA
Realimentación
Carga
Realimentación
Carga
Carga1
+5V
Red
CA Carga2
+15V
Carga3
-15V
Transformador de baja
frecuencia Rectificadores Reguladores Lineales
+
PWM VO
Vg -
Carga
Carga Regulador conmutado
Regulador lineal VO
Vg
t
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
Convertidores CC/CC conmutados (II)
Filtrando la tensión sobre la carga
+ Filtro
+ +
Vg
PWM VO VF pasa- VO
- Vg -
- bajos
VO
Vg
Vg VF
t VO
t
Filtro +
+ +
VF pasa- VO
Vg
- bajos VO Vg
-
-
Vg VF
VO
Vg VO
t
t
NO se puede
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
Convertidores CC/CC conmutados (IV)
¿Se puede usar un filtro “LC” sin más?
+ Filtro +
pasa-
+
VF
Vg VO
- bajos
- iL VO
Vg
-
NO se puede
porque interrumpe bruscamente la corriente en la bobina
+ Filtro +
pasa- + +
VF
Vg VO
- bajos
- Vg VF VO
- -
t
VO Durante d·T
iD iD
Vg t
+
iD= iL d·T
- VO T
+ En caso contrario,
Circuito en crecería indefinidamente
vL = 0 la corriente en la bobina
régimen - y la tensión en el
iC = 0 condensador
permanente (incompatible con el
régimen permanente).
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
Análisis del convertidor reductor (III)
Frecuentemente, cuando se opera en “modo continuo de
conducción”, la forma de onda de tensión en la bobina es
rectangular “suma de productos voltios·segundos = 0”
Mando
t
Circuito en iL
+
régimen iL t
vL = 0
permanente - vL
+ t
-
d·T
Áreas iguales T
+
-
+
Mando
iL IO
Vg VO t
iC = 0 R - iL
IO
t
• Aplicación del balance “suma de
vL
productos voltios·segundos = 0” Vg- VO
(Vg- VO)·d·T - VO·(1-d)·T = 0 VO = d·Vg + t
- - VO
d·T
• Corriente media nula por el
T
condensador
iL = IO = VO/R
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
Análisis del convertidor reductor (V)
iS vS IO
+
- •Tensiones máximas
+
+ iL vS max = vD max = Vg
Vg VO
vD iD
- R
-
iS
• Aplicación del balance de potencias iS
t
iS = IO·VO/Vg iS = IO·d iD
iD
t
• Corriente media por el diodo d·T
T
iD = iL - iS iD = IO·(1-d)
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
Análisis del convertidor reductor (VI)
Otra forma de razonar (I):
vL = 0
+
-
+ vD
+ Vg vD
Vg vD R VO
- - d·T t
T
vD = d·Vg
vD = vL + VO vD = vL + VO = VO
Luego: VO = d·Vg
Convertidor reductor VO
Vg
Incontrolado
d VO
Vg 1-d
Vg VO
+
S
+ -
+ +
VO Vg VO
Vg vD vS
- -
Reductor Elevador
VO = Vg·d Modificaciones VO = Vg/(1-d)
d 1-d
Siempre VO<Vg Siempre VO>Vg
1-d d
vS max = vD max = Vg VO Vg vS max = vD max = VO
Vg VO
VO<Vg VO>Vg
Vg R
+ 1-d +
d Vi
Vg d Vo
1-d - -
Reductor Elevador
VO/Vg = (VO/Vi )·(Vi/Vg ) = d/(1-d)
d 1-d
VO Vg
VO
Vg d
1-d
B
VO
A Vg
-
Durante B
+ VO (1-d)·T
+
-
+
d 1-d
+ -
VO VO
Vg vL
Vg R
- +
• Balance voltios·segundos
Vg·d·T - VO·(1-d)·T = 0 VO = Vg·d/(1-d)
• Tensiones máximas
vS max = vD max = Vg+VO= Vg/(1-d)
TB2 TC2
TL1
Reductor-elevador
TS1 TL1
TL1 TD1
1A (medios) D 2A
vS max = vD max = 150V
4A (medios) D 2A
vS max = vD max = 75V
S 50V iS=4A iD=2A iL=6A
25V L
Reductor-elevador
100W VAS = 300VA VAD = 150VA
iL R3 > Rcrit
iL Sigue el modo
t continuo
R3 > Rcrit
iL
iL
t Modo discontinuo
N = d / (1-d) t
Lm
D2
Lm D1
Lm
Dipolo de tensión
constante
Esta es la solución
V1 n1
vi/ni t
V1/n1
+
n2 - t
V2 d1·T d2·T V2/n2
T
n2
V2
n1
Teniendo en cuenta:
Vg n2
d’ = d·n2/n1 d’ < 1 - d
obtenemos:
d < n1/(n1 + n2) dmax = n1/(n1 + n2)
+
-
+
n1 VO
vD1
Vg + - +
n2:n3
vS Vg·n3/n1 - VO
-
Durante d·T
dmax = n1/(n1 + n2)
vS max = Vg+Vg·n1/n2 = Vg/(1-dmax) +
VO
vD1 max = Vg·n3/n1 -
vD2 max = Vg·n3/n2 VO = d·Vg·n3/n1 Durante (1-d)·T
(en modo continuo)
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
El convertidor directo (III) iL
iO
iD3
iD2 iL iO t
iD2
t
n1 iD1
VO iD1
Vg n2:n3 t
iS
iS
iD2·n3/n1 t
iD2 = IO·d iD1 = IO·(1-d) iD3 t
1A (medios) D3 L 2A
D2 vD1 max= vD2 max= 100V
vS max=200V iL=2A
100V
D1 50V
S 1 : 1:1 iS=1A iD1= iD2=1A
Directo
100W
VAS = 200VA VAD = 100VA
Mayor VS max en el directo
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
max
Variación de Vg
vD2 t
-
+
vi/ni
Vg/n1
+ t
n1 VO +
vD1 -
Vg + - Vg/n2
vS
n2:n3 Baja Vg
-
max max
t t
vi/ni vi/ni
Vg/n1 Vg/n1
+ t
+ t
-
Vg/n’2 -
Vg/n2
Mejores tensiones máximas Alta Vg
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
¿Existen otras formas de
desmagnetizar el transformador?
VC
max
t
Vg vi/ni
Enclavamiento RCD Vg/n1
(RCD clamp) + t
-
VC/n1
Lm
Vg Ld Mal rendimiento
Integración de parásitos
Útil para rect. sinc. autoexc.
Área de Tecnología Electrónica
de la Universidad de Oviedo
Otras formas de desmagnetizar el
transformador: Desmagnetización resonante
(Resonant reset)
+
vT
- vT
Vg
+ t
-
Lm
Ld
Vg Pequeña variación de Vg
Integración de parásitos
Útil para rect. sinc. autoexc.
Área de Tecnología Electrónica
de la Universidad de Oviedo
Otras formas de desmagnetizar el
transformador: Enclavamiento activo
(Active clamp)
VC
t
Vg
VC = Vg·d/(1-d)
vi/ni
Vg/n1
+ t
-
VC/n1
Lm
Ld Dos transistores
Vg
Integración de parásitos
Útil para rect. sinc. autoexc.
Área de Tecnología Electrónica
Flujo sin nivel de continua
de la Universidad de Oviedo
Otras formas de desmagn. el transf.:
Convertidor directo con dos transistores
D2 D4
S1
VO
max
Vg S2 D3 t
n1 : n2 vi/ni
D1 Vg/n1
dmax = 0.5 + t
-
VO = d·Vg·n2/n1 (en modo continuo) Vg/n1
vS1 max = vS2 max = Vg Dos transistores
vD1 max = vD2 max = Vg Bajas tensiones en
vD3 max = vD4 max = Vg·n2/n1 los semiconductores
“Suma de productos
(voltios/espiras)·segundos = 0”
vD d·T·Vg/n1 - (1-d)·T·VO/n2 = 0
+
-
VO = Vg·(n2/n1)·d/(1-d)
+
n1 n2 VO Máximas tensiones
Vg - vS max = Vg+VO·n1/n2 = Vg/(1-d)
+
vS
- vD max = Vg·n2/n1 + VO= Vg·(n2/n1)·/(1-d)
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
Comparando retroceso y reductor-elevador
1A (medios) D 2A
vS max = vD max = 150V
1A (medios) D 2A
vS max = vD max = 150V
50V iS=1A iD=2A
100V 1:1
S 100W VAS = 150VA VAD = 200VA
Retroceso
VO
Vg S2
n1 : n2
D1
Dos transistores
VO = Vg·(n2/n1)·d/(1-d) (en m.c.)
Relación de
dmax = 0.5 transformación acotada
vS1 max = vS2 max = Vg Bajas tensiones en
vD1 max = vD2 max = Vg los semiconductores
vD3 max = Vg·(n2/n1)·/(1-d)
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
Incorporación de aislamiento galvánico
al convertidor elevador
i1 i2
Situación ideal Situación ideal
i1 i2
t 1:N t
i1 i2
t t
Reductor
no ruidoso
ruidoso
i1 i2
i1 i2
t
t ruidoso
no ruidoso Elevador
i1 i2
i1
i2
t t
ruidoso Reductor-elevador ruidoso
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
Filtrando la corriente de entrada
Reductor
Elevador
Reductor-elevador
Área de Tecnología Electrónica
de la Universidad de Oviedo
¿Existen convertidores con ambas
corrientes “poco ruidosas”?
i1 i2
t t
poco ruidosa poco ruidosa
i2
i1 Convertidor
CC/CC
Puerto de Puerto de
entrada salida
Vi
+ -
Modificamos la posición +
relativa del condensador Vg d vD
1-d -
y el diodo
Elevador
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
Convertidor elevador-reductor (II)
+ + Mando
+ t
Vi d vD Vo
- 1-d - vD
- Vi
Reductor t
d·T
Vi T
+ -
+ Mando
Vg d vD t
1-d - vD t
Elevador
-Vi
La tensión vD en ambos casos d·T
T
es igual, salvo por el signo
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
Convertidor elevador-reductor (III):
El convertidor de ´Cuk
Vi Mando
+ - t
+ vD t
Vg d vD VO
1-d - -Vi
d·T
Elevador Reductor T
Vi = Vg/(1-d) VO = Vg·d/(1-d) Vi = Vg + VO
Teniendo en cuenta que las corrientes medias por
los condensadores son cero: iD = iO iS = ig
vS max = vD max = Vi = Vg/(1-d)
t
Vg/L1 + Vg/L2 = Vg/Leq
VO/L1 + VO/L2 = VO/Leq
Vg
L1 Vg + VO L2 VO vL1 = vL2 = 0
(1-d-d’)·T Área de Tecnología Electrónica
de la Universidad de Oviedo
Acoplamiento de dos bobinas (I)
+ L1 L2 + Bobinas sin
vL1 n1 vL2 acoplar
n2
- -
M
+ L1 L2 + Bobinas acopladas
vL1 n1 vL2
n2
- -
Circuito equivalente
Ld1 Ld2
+ + Lm + +
n1
vL1 vLm vL2· n vL2
2
- - - -
n1 : n2
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
Acoplamiento de dos bobinas (II)
Ld1 Ld2
+ + Lm + +
n1
vL1 vLmO vL2· n vL2
2
- - - -
n1 : n2
Ld2·Lm
Lsal = Thèvenin
Ld1 Ld2 + Lm
+ +
n1 Lm
vL1 vLmO = vL2 · n ·
2 Lm+Ld2
- -
diL1
Si vL1 = vLmO =0 iL1 = cte. (sin rizado)
dt
iL1 iL2·n2/n1
iL2 [v ]
L1 iL1=0 = (Lm·n2/n1)·diL2/dt
+L +
vL1 d1 Ld2 [vL1]iL2=0 = (Ld1+Lm)·diL1/dt
Lm vL2
- - [vL2]iL1=0 = (Ld2+Lm)·(n2/n1)2·diL2/dt
n1 : n2
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
Relaciones entre L1, L2 y M por un
lado y Ld1, Ld2, Lm, n1 y n2 por otro (II)
M = Lm·n2/n1
L1 = Ld1 + Lm
L2 = (Ld2 + Lm)·(n2/n1)2
M = L2
L1 L2
iL1 iL2
iL1 n1 n2 iL2
t t
M = L1
L1 L2
iL1 iL1 iL2 iL2
n1 n2
t t
VO Vi = Vg/(1-d)
Vg
VO
Fuente Configuración LDC
+ transistor de un reductor
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
Vamos a buscar otros convertidores
con 4 elementos reactivos (II)
Vi = Vg/(1-d)
¿Podemos usar otra
VO configuración LDC de salida?
VO
Fuente
Va a dar origen a un + transistor Configuración LDC de
nuevo convertidor un reductor-elevador
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
Vamos a buscar otros convertidores
con 4 elementos reactivos (III)
Vi (¿?)
VO
L1 Vi (¿?)
Vg L2 VO
Convertidor SEPIC
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
Subcircuitos en el convertidor SEPIC
Vi
L1
Vg VO
L2
Vi Vi
L1 L1
L2 L2
Vg VO Vg VO
Dura: d·T Dura: (1-d)·T en modo continuo
Vi d’·T en modo discontinuo
L1 Dura: (1-d-d’)·T
Vg L2 VO (sólo en modo discontinuo)
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
Tensiones en el convertidor SEPIC
vL1 Vi vD
- -
+
- +
+
+ - +
L1
L2 VO
Vg vS vL2
- + -
L1
Vg VO
L2
Vi = Vg
L2 VO
Vg VO
L2 A efectos de tensiones máximas y
corrientes medias por los
semiconductores, ambos son iguales
t
Vg/L1 + Vg/L2 = Vg/Leq
VO/L1 + VO/L2 = VO/Leq
M = L2
iL2
iL1 L1 L2
n1 n2
iL1 iL2
t t
Integración magnética
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
Simetrías en los convertidores descritos (I)
d 1-d
Vg 1-d VO VO Vg
d
Vg VO d
1-d
VO 1-d
d VO Vg
Vg
SEPIC Flujo de potencia
Flujo de potencia Nuevo convertidor
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
El convertidor zeta o SEPIC inverso
d
Modificaciones
VO 1-d VO Vg SEPIC zeta
d 1-d
1-d d
VO Vg
VO VO Vg VO
Vg
VO = Vg·d/(1-d) Vg = VO·(1-d)/d
Despejando, queda: VO = Vg·d/(1-d) (lo mismo que en el SEPIC)
V1 V2< V1 V1 V2
Flujo de potencia Flujo de potencia
Reductor / elevador Red.-elev. / Red.-elev.
V1 V2 V1 V2
Flujo de potencia Flujo de potencia
SEPIC / zeta ´Cuk / ´Cuk
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
Introducción de aislamiento galvánico
en el convertidor de ´Cuk (I)
Convertidor sin
aislamiento galvánico
Dividimos el condensador
en dos partes
En la posición de la
bobina se puede poner
un transformador
Estructura final
n3 : n4
• Balance “(voltios/espiras)·segundos”
L1: Vg·d·T + (Vg - VC1 + VC2·n3/n4 )·(1-d)·T = 0
L2: (VC2 + VC1·n4/n3 - VO ) ·d·T - VO·(1-d)·T = 0
T1: (VC1/n3) ·d·T - (VC2/n4) ·(1-d)·T = 0
Corrientes medias:
iS = iL1 = iO·(n4/n3)·d/(1-d) iD = iL2 = iO
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
El convertidor de ´Cuk con aislamiento
vL1 (III) vL2
+ - Vg VO + -
T1
L1 - + L2
vL3 VO
Vg vL4
+ -
n3 : n4
L3 L4
L1 Vg
Vg VO
L2
L1 Vg
Vg VO
L2 L3
n2 : n3
• Es muy sencillo incorporar aislamiento galvánico
• Todas las solicitaciones eléctricas son como en el
convertidor de retroceso
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
El convertidor SEPIC con aislamiento (II)
M1 = L2
i1
L1
Vg VO
Vg L3
L2
i1 n2 : n3
t
VO VO Sin aislamiento
Vg L1
M = L2
L2 VO
VO
L1 VO i1
L3 VO Vg
L1
Vg L2 n1 : n2
i1
n1 : n2 t
Con aislamiento Con aislamiento
Sin integración magnética Con integración magnética
VO
Vg
S2
“Push-pull” S1 VO
S1
Vg
S2
Medio puente
S1 S3
Vg VO
S2 S4 Puente completo
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
Obtención de convertidores CC/CC
desde los inversores clásicos (Ejemplo)
B H
B
H
B
Convertidor
“push-pull” o simétrico
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
El convertidor “push-pull” o simétrico (II)
n1 : n2
• Circuito equivalente
n1 L cuando conduce S1:
n2
VO
n1 L
n2 VO
Vg·n2/n1
Vg
S2 • Circuito equivalente
S1
cuando conduce S2:
L VO
+
t
+ L vS2
n1 D1 2·Vg
n2 vD t
n1 - VO
vD Vg·n2/n1
S2 S1
+ n2 dmax = 0.5 t
Vg +
vS1 D2 vD1 2·Vg·n2/n1
- - t
vS2 - +
vD2 vD2
2·Vg·n2/n1
• La tensión vD es la misma que en un t
conv.directo con un ciclo de trabajo 2·d
d·T
VO = 2·d·Vg·n2/n1 (en modo continuo) T
Corrientes medias: t
d·T
T
iS1 = iS2 = iO·d·(n2/n1) iD1 = iD2 = iO/2
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
Un problema presentado por el
convertidor “push-pull”
n1
VO B
Vg iS2 n1 H
B
S2 S1
iS1
• En control “modo tensión” puede llegar a saturarse el
transformador por asimetrías en la duración de los tiempos
de conducción de los transistores
• Se usa “modo corriente”
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
El convertidor en medio Mando
puente (“half bridge”) S1 S2 t
vS1 Vg
vD1 L
- t
+
V
+ vS2 vS2
Vg/2 S2 O Vg
- D1 +
v t
n2 - D
vD Vg·0.5·n2/n1
Vg n1 n2 t
S1 + D2 dmax = 0.5
Vg/2 vD1 Vg·n2/n1
vS1
- - t
vD2 + vD2
• La tensión vD es la mitad que en el caso Vg·n2/n1
t
del “push-pull”
d·T
VO = d·Vg·n2/n1 (en modo continuo) T
• vsmax = Vg vD1max = vD2max = Vg·n2/n1
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
Corrientes en el convertidor Mando
S1 S2 t
en medio puente iL
iD1 iL t
iS2 iS1
Vg/2 S2 iO
D1 t
n2 L
V iS2
Vg n1 n2 O t
S1 D2 dmax = 0.5 iD1
Vg/2 iS1
t
iD2
iD2
Corrientes medias: t
d·T
iS1 = iS2 = iO·d·(n2/n1) iD1 = iD2 = iO/2 T
+
+v V
S3 t
S1 S3 O
- D1 + vS2, vS3
vD
n2 -
Vg
t
Vg n1 n2
vD
S4 + D2 dmax = 0.5
Vg·n2/n1
S2 t
vS4
- -
vD2 + vD1 2·Vg·n2/n1
t
• La tensión vD es como en el caso del vD2
“push-pull” 2·Vg·n2/n1
t
VO = 2·d·Vg·n2/n1 (en modo continuo)
d·T T
• vsmax = Vg vD1max = vD2max = 2·Vg·n2/n1
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
Corrientes en el convertidor S1, S4 S2, S3 Mando
t
en puente completo iL
t
iD1 iL
iO iS1, iS4
iS3
S1 S3 t
D1 L
n2 iS2, iS3
Vg n1 t
n2 V
D2 O iD1
S2 S4 iS4 dmax = 0.5
t
iD2 iD2
t
Corrientes medias: d·T
T
iS3 = iS4 = iO·d·(n2/n1) iD1 = iD2 = iO/2
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
Problemas de saturación en el transformador
del convertidor en puente completo
• En control “modo tensión” puede llegar a saturarse el
transformador por asimetrías en la duración de los tiempos
de conducción de los transistores
• Soluciones:
• Colocar un condensador en serie CS
• Usar “modo corriente”
S1 S3 CS
VO
Vg
S2 S4
Inversor Inversor en
“Push-pull” puente completo
+
t
n1 VO vS1 2·VO·n1/n2
n2 t
n1 vS2 2·V ·n /n
Vg n2 O 1 2
t
S1 S2 + dmin = 0.5
vS2 vD1 2·VO
- -
vD2 + VO
t
VO·n1/n2 VO·n1/n2 vD2
2·VO
+ + VO t
Vg Vg - Vg - d·T T
Conducen No conduce S1 No conduce S2
S1 y S2
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
Convertidor “Push-pull” alimentado en
corriente (II)
VO·n1/n2 VO·n1/n2
+ +
Vg Vg - Vg Vg -
Conducen No conduce S1 Conducen No conduce S2
S1 y S2 S1 y S2
dura t1 dura t2 dura t1 dura t2
d·T (1-d)·T
Aplicando el balance “voltios·segundos”
VO = Vg·(n2/n1)/2(1-d) (en modo continuo)
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
Corrientes en el “push-pull” Mando de S1
alimentado en corriente t
Mando de S2
iD1
iO t
iL iL
n1
n2 t
iS1 n1 iS1
Vg n2 t
S1 S2 dmin = 0.5
iS2 iS2
iD2 t
iD1 iD2
iS1 = iS2 = iO·(n2/n1)/4(1-d) t
iD1 = iD2 = iO/2 d·T
T
Área de Tecnología Electrónica de la Universidad de Oviedo
Convertidores alimentados en tensión
vs. alimentados en corriente
Modificaciones
d 1-d
Vg VO 1-d d
Vg VO
Reductor V = V ·d VO Vg Elevador V = V /(1-d)
O g O g
Vg VO
n n1 n2 n
1 n VO n2 n1 1 n VO
Vg n 2 Vg n 2
1
n 1
n
2 2
iL
Desmagnetización
hacia la entrada
Desmagnetización
hacia la salida
Desmagnetización
hacia la entrada
Desmagnetización
hacia la salida