No = pa 300K No = pa cualquier temp. d. Np = nacualquier temperatura Bu energia de estado fundamental (en eV) de un electron un poo de potencial unidimensic au ensional de 0,5nm de i a 1.505ev me? = 0.511x10%V “ema? he =124umeV x (Byes hiveles de energia de ios electrones dentro de wn pozo de potencial: R/Son inversamente proporcionales a la masa F efectiva del electron. Jun foton cuya energia es 8x10~'5) es dispersado por un electron en un angulo de 180°, cual es la longitud de | onda emergente en m? | galt 1.24 um eV. BE ~ Br10-% « 6.2415 + 10 Un foton cuya energia es 2x10~"5/ es dispersado por un ‘cual es la longitud de onda 49 +10-'m electron en un angulo de 90°, emergente en m? 1.24um eV do =e = Fel + 62415 + 10 hk Hay = C= 05090) 2.43x107"*(1 - 0) i = 243x107 + 99.34 « 107% = 101.8prn cenergia 0.0005 eV tienen una longitud de = 99.34» 10°? Neutrones con onda de: me? = 139x108 (Neutrones) a Ac ‘L.24um eV = Fame [2039x10%eV)(0.0008eV) 1.28x1077em @ weorriente de diode en 2 frontera de la zona de agotamiento se debe basicamente 2: pita difusién de huecos inyectados Q@iacapacitancia det diodo de uniéa abrupts: yoisminuye con el aumento del V inverso. @ enum semiconductor dorado enreiénintnsea se encuentra: |__ yA mayor temperatura que @ regién extrinseca. Ge para ioninar un electron desde el segundo estado de excitacién de un tomo de hidrogeno se necesita Lsi2ev, cval es el Adel forén? af \ t ‘he 12dameV nae cexctacion de un stoma d energia de 13.6eV; cual es el Adel La expresion Anas = R/la ley de desplazamiento de Wien. Una particula de carga “q” y masa “m”, que se mueve conuna velocidad y magnitud constante "V_. - perpencicular a un campo magnético“B", sigue una trayectora circular Si el momento angular de la partic ‘esta dado por mvr=nh; n=1,2,3. Calcule el radio de las fe stacion ys valores deta todo en funcién de hn, “q”,"m"y “8” “erbitas @ waren = 2.3% paras fotones spersados por efecto Compton en un angulo de 135"éCudl debe se la Tongitud de onda de fos fotones incidentes? Caleule la energia correspondiente del fotén incidente y del dispérsado. 4B) Los nveles de eneraia de las impurezas donoras se ubican: fy Cerca de ia banda de conduccién La corriente del diodo PN se debe a: fia cifustin de huecos tos neutronestérmicos (energia0.02SeW) tienen una ongitud de onda: 1.244m eV he tai tue LeAem ev A= ease” Jmesiiniorer O005e) =7.8x10-%m .8nm = 780nem El pico de emisidn del espectro. de radiacién de una truest de aero es 1500nm, Determinela temeperatura absoluta de superficie (aprox) Auax * T = 0. 2898x10-?m °K te T {811°K (18) considere ‘un diodo de silicio de forma cilindrica con 20um de didmetro con una concentracién de donores d 10cm? y los aceptores 10'*em?, La constante jo, Ks=13.7. Clacular’ (con T=220" dieigetrica a. Voltaje de unién Va = in (42) Potencial de contacto. b. Ancho de a zona de agotamiente con volte d polarizacién de 0.5V, OV y-SV e