Enseñanza Práctica de Electrónica de PDF

Enseñanza práctica
de electrónica de
componentes
Raúl Alcaraz Martínez
Enseñanza práctica de electrónica de
componentes
Raúl Alcaraz Martınez, César Sánchez Meléndez
Septiembre 2009
© de los textos: Raúl Alcaraz Martínez y César Sánchez Meléndez, 2009
© de la edición: Universidad de Castilla-La Mancha
Edita: Servicio de Publicaciones de la Universidad de Castilla-La Mancha
ISBN: 978-84-692-6822-3
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Indice
1. El Diodo Rectificador 7
1.1. Cálculosteóricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.2. SimulaciónenPspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.3. Desarrollodelapráctica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2. Diodos Zéner, Leds y Fotodiodos 13
3. Fuente de Alimentación 19
3.2. Simulación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
4. Transistor Bipolar (I) 23
5. Transistor Bipolar (II) 29
4 ÍNDICE
6. Transistor Unipolar 35
7. Diseño de un Amplificador 41
7.1. Diseño . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
7.2. SimulaciónconPspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
7.3. Medidasenellaboratorio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
A. Ejemplo de Resolución de una Práctica 45

A.1. Cálculosteóricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
A.2. SimulaciónenPspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
A.3. Desarrollodelapráctica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
Índice de Figuras
1.1. Circuitosdepolarizacióndeundiodo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.2. Circuitorecortadoradosniveles. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.3. Circuitofijador. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2.1. Circuitoconundiodozéner. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.2. Circuitoestabilizador. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.3. CircuitoconunLED. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.4. Circuitoconunoptoacoplador. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.5. Modificación del modelo del diodozéner genérico incluido en la versión

deestudiantedePspice. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
3.1. Etapaderectificaciónconectadaaltransformador. . . . . . . . . . . . . . 20
3.2. Fuente de alimentación sin regulador de tensión. . . . . . . . . . . . . . . 20
3.3. Fuentedealimentacióncompleta. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
4.1. Circuito básico de polarización en un transistor NPN. . . . . . . . . . . . 25
4.2. CircuitobásicodeautopolarizaciónenuntransistorNPN. . . . . . . . . 25
4.3. Circuito polarización en un transistor NPN. . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
5.1. Circuito básico de polarización para la obtención de la caracterıstica de

salida de un transistor NPN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
5.2. Circuito básico de polarización para la comprobación de las zonas de

funcionamiento de un transistor NPN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
5.3. FuncionamientodeuntransistorNPNcomointerruptor. . . . . . . . . . 33
5.4. Funcionamiento de un transistor NPN como fuente de corriente. . . . . 34

6 ÍNDICE DE FIGURAS
6.1. Circuito básico de polarización en un transistor unipolar JFET canal N. . 37

6.2. Funcionamiento de un transistor unipolar JFET canal N como interruptor. 37
6.3. Funcionamiento de un transistor unipolar JFET canal N como interrup
torcontroladoportensión. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
A.1. Circuito de polarización de un transistor bipolar. . . . . . . . . . . . . . . 47

A.2. Simplificación del circuito de la Fig. A.1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
A.3. Resultado de editar el modelo (en formato texto) del transistor Q2N2222. 49
A.4. Esquemático en Pspice correspondiente al circuito de la Fig. A.1. . . . . . 50
A.5. Valores de tensión obtenidos por PSpice tras el análisis del punto de
polarización. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
A.6. Valores de corriente obtenidos por PSpice tras el análisis del punto de
polarización. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
A.7. Patillaje correspondiente al transistor 2N2222 obtenido a partir de sus
hojas de caracterısticas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
A.8. Detalle del encapsulado del transistor 2N2222 y medición del valor β
conpolımetro. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
A.9. Montaje en laboratorio del circuito de la Fig. A.1. Detalle de conexiones. 53
A.10.Detalle de medición de tensión base-emisor en laboratorio. . . . . . . . . 54
A.11.Detalle de medición de tensión colector-emisor en laboratorio. . . . . . . 54
A.12.Detalle de medición de tensión colector-base en laboratorio. . . . . . . . 55
A.13.Detalle de medición de tensión en bornas de la resistencia de emisor en
laboratorio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
A.14.Detalle de medición de tensión en bornas de la resistencia de colector en
laboratorio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
A.15.Detalle de medición de tensión en bornas de la resistencia de 39k en
laboratorio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
A.16.Detalle de medición de tensión en bornas de la resistencia de 4.7k en
laboratorio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
Práctica 1
El Diodo Rectificador
1.1. Cálculosteóricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.2. SimulaciónenPspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.3. Desarrollodelapráctica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
Objetivos
En las próximas dos prácticas se pretende conocer el comportamiento de los dis
positivos semiconductores básicos: diodos rectificadores, diodos zéner y diodos leds.
Por lo que se recomienda al alumno que repase la parte teórica correspondiente a
diodos.
En el transcurso de esta práctica se estudiarán los diodos rectificadores y se de
berá:
Identificar una serie de diodos, ası como obtener algunos de sus parámetros más
importante, utilizando para ello los catálogos disponibles.
Obtener la curva que define el comportamiento de un diodo.
Montar y verificar el funcionamiento de una serie de circuitos básicos, tal como

el recortador a dos niveles y el fijador de nivel.
8 ELECTRÓNICA I
1.1. Cálculos teóricos
Antes de realizar las medidas prácticas en el laboratorio se deben resolver los si

guientes ejercicios teóricos.
1. Buscar en los catálogos de los fabricantes, los cuales se pueden obtener desde
internet, las caracterısticas principales (aplicación o tipo, corriente máxima en
directa y corriente máxima en inversa) de cuatro diodos diferentes.
2. En los dos circitos de la Fig. 1.1, si Evale 2 V:
a) Calcular la tensión que cae en el diodo y la corriente que circula a través de
él.
b) ¿Cómo está polarizado el diodo en cada circuito?.
Figura 1.1. Circuitos de polarización de un diodo.
3. En el circuito de la Fig. 1.1(a), calcular el valor de la corriente que circula a través

del diodo para los casos en que la fuente de entrada E está a 0,0.1, 0.2, 0.3, 0.4,
0.5, 0.6,0.8 y 1 V.
4. En el circuto de la Fig. 1.1(b), calcular el valor de la corriente que circula a través
del diodo para los casos en que la fuente de entrada E está a 0,0.5,1,2,3, y 4 V.
5. Representar la corriente que circula por el dido en función de la tensión de la

fuente de entrada E a partir de los datos calculados en los dos puntos anterio
res. Puesto que la resistencia tiene un valor muy pequeño, esta gráfica se puede
considerar como la función caracterıstica tensión–corriente del diodo.
6. El circuito de la Fig. 1.2 es un circuito recortador a dos niveles. Obtener:
a) Su función de transferencia, es decir, la variación de la tensión de salida vs

en función de la tensión de entrada ve.
b) La representación temporal de vs si ve es una señal triangular de 1 kHz de
frecuencia y 16 Vpp de amplitud.
PRÁCTICA1. EL DIODO RECTIFICADOR 9
1K
+ D1 D2
ve vs
5V 2V
Figura 1.2. Circuito recortador a dos niveles.
7. En el cirucito de la Fig. 1.3, el cual es un fijador de nivel:

a) Explique detalladamente el funcionamiento del circuito.
b) Dibuje vs cuando ve es una señal sinusoidal de 1 kHz de frecuenca y 5Vpp de
amplitud, y el condesador C tiene un valor de 0.56 nF.
c) Repita el punto anterior cuando Cvale 1 µF.
Figura 1.3. Circuito fijador.
1.2. Simulación en Pspice

En esta sección se simularán los ejercicios analizados teóricamente en la sección
anterior. La memoria de esta parte de la práctica se debe completar con capturas de los
esquemáticos realizados y las gráficas obtenidas con Pspice.
1. Simule independientemente los circuitos de la Fig. 1.1, e indique el valor de ten

sión que cae en el diodo y la corriente que lo atraviesa en cada uno de ellos. El
diodo que se empleará en la realización práctica será el 1N4007.
2. Simule el circuito de la Fig. 1.1(a) e indique el valor de la corriente que circula a

través del diodo para los siguientes valores de E: 0,0.1, 0.2,0.3, 0.4, 0.5, 0.6,0.8 y
1 V.
10 ELECTRÓNICA I
3. Simule el circuito de la Fig. 1.1(b), e indique el valor de la corriente que circula a

través del diodo para los siguientes valores de E: 0,0.5,1,2,3 y 4V.
4. Eligiendo el adecaudo análisis de simulación obtener la caracterıstica tensión–
corriente del diodo en el circuito de la Fig. 1.1(a).
5. Simule el circuito de la Fig. 1.2, y obtenga la variación temporal de vs cuando ve
es una señal triangular de 1 kHz y 16 Vpp.
6. Simule el circuito de la Fig. 1.3, y obtenga la variación temporal de vs cuando ve
es una señal sinusoidal de 1 kHz y 5Vpp y:
a) C vale 0.56 nF.
b) C vale 1 µF.
1.3. Desarrollo de la práctica
En esta sección se analizarán en el laboratorio los circuitos estudiados teóricamente

y mediante simulación en los apartados anteriores.
1. Una vez que ha comprobado en las hojas de caracterısticas cuales son las limi
taciones eléctricas del diodo 1N4007, conecte ambos terminales del diodo a las
puntas de prueba del multımetro y compruebe con cual de las dos combinaciones
posibles se obtiene lectura distinta de rebosamiento. En esta posición, el terminar
conectado al COMUN del multımetro es el cátodo. Compruebe que uno de los
dos extremos está marcado, y es el cátodo. Además:
a) Monte el circuito de la Fig. 1.1(a) y ajuste la tensión de la fuente a 2 V. Mida
la tensión entre ánodo y cátodo del diodo y la corriente que circula a través
de él.
b) Monte el circuito de la Fig. 1.1(b) y ajuste la tensión de la fuente a 2 V. Mida
la tensión entre ánodo y cátodo del diodo y la corriente que circula a través
de él.
c) Compare los resultados con los obtenidos en los puntos correspondientes de
las dos secciones anteriores. Comente a qué se deben las diferencias encon
tradas, si es que las hay.
2. En este apartado se obtendrán varios puntos de la caracterıstica tensión–corriente
del 1N4007 polarizado en directa. Para ello, se debe montar el circuito de la
Fig. 1.1(a) y colocar el amperımetro en serie con el diodo. Una vez hecho esto,
se debe ajustar la fuente de entrada E a 0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 0.8 y 1 V y
anotar la corriente que circuila por el amperimétro en cada caso.
Compare estos resultados con los obtenidos en los puntos correspondientes de
las dos secciones anteriores. Comente a qué se deben las diferencias encontradas,
si es que las hay.
PRÁCTICA1. EL DIODO RECTIFICADOR 11
3. Para medir puntos de la caracterıstica tensión–corriente del diodo polarizado en

inversa, se debe realizar el montaje de la Fig. 1.1(b). Al igual que en el caso ante
rior colocar el amperimetro en serie con el diodo, ajustar la fuente E a 0,0.5, 1, 2,
3, y 4 V y anotar la corriente que circula por el amperimetro en cada caso.
Compare estos resultados con los obtenidos en los puntos correspondientes de
las dos secciones anteriores. Comente a qué se deben las diferencias encontradas,
si es que las hay.
4. A partir de los datos obtenidos en los dos apartados anteriores, obtener la gráfica
de tensión–corriente del diodo. ¿Qué diferencias hay con respecto a la obtenida
teóricamente y a la simulada? ¿A qué se deben?.
5. Realice el montaje de la Fig. 1.2 alimentando el circuito con una forma de onda
triangular de 1 KHz, reduzca su amplitud hasta el valor mınimo que sumistra el
generador de funciones (tener en cuenta las atenuaciones de -20 y -40 dB), y:
a) Conecte el canal A del osciloscopio a la señal de entrada y el canal B a la
salida, y vaya aumentado lentamente la amplitud de la señal de entrada
comparando la forma de onda en la entrada y en la salida, y anote los va
lores de tensión en los que se producen diferencias significativas. Además,
represente la señal de entrada y la de salida en una sola gráfica indicando
claramente todos los valores significativos.
b) Varıe la frecuencia de la señal de entrada y compruebe que la forma de onda
de la salida no depende de ésta (a elevadas frecuencias aparecen los efectos
debidos a las capacidades internas de los diodos).
c) Seleccione otras formas de onda en la entrada y compárelas con las obteni
das en la salida.
d) Compare la señal de salida obtenida en el apartado a) con las obtenidas
teóricamente y mediante simulación. Indique a qué se deben las diferencias,
si es que se encuentran.
6. Realice el montaje de la Fig. 1.3 en el que la resistencia de carga será el mismo os

ciloscopio. Alimente el circuito con una señal sinusoidal de 1 KHz de frecuencia
y 5Vpp de amplitud, visualice en el osciloscopio las señales de entrada (canal A)
y de salida (canal B), y:
a) Represente ambas formas de onda para un valor de C de 0.56 nF y 1 µF.
Establezca la influencia del valor del condensador en la onda de salida del
circuito.
b) Seleccione otros tipos de onda y compare las señales de entrada y salida.
c) Compare estos resultados con los obtenidos teóricamente y mediante simu
lación. Indique a qué se deben las diferencias, si es que se encuentran.
2 Práctica
Diodos Zéner, Leds y Fotodiodos
Objetivos
En esta práctica se continúa estudiando experimentalmente el comportamiento de
los diodos. Si en la anterior práctica se estudiaron los diodos rectificadores, en ésta se
analizarán los diodos Zéner, diodos LEDs y fotodiodos.
Los objetivos principales de esta práctica son:
Determinar experimentalmente la caracterıstica inversa de un diodo Zéner.
Comprobar el funcionamiento de un estabilizador de tensión con un diodo Zéner.
Averiguar la relación entre la corriente y la intensidad de brillo de un diodo LED

y diseñar un circuito para utilizar el LED como indicador.
Comprobar el funcionamiento de un optoacoplador.

14 ELECTRÓNICA I

1. En el circuito de la Fig.2.1, sabiendo que la tensión umbral del zéner es de 12V,

obtener:
a) La corriente que circula a través del diodozéner cuando la fuente de entrada
E presenta valores de 0,2,4, 7, 11,12, 13 y 14 V.
b) La tensión que deberıa tener la fuente de entrada E para que la corriente
que circule por el zéner sea de 2,5, 10, 20, y 25 mA.
c) Representar la corriente que circula por el dido zéner en función de la ten
sión de la fuente de entradaE a partir de los datos calculados en los dos pun
tos anteriores. Puesto que la resistencia tiene un valor muy pequeño, esta
gráfica se puede considerar como la función caracterıstica tensión–corriente
del diodo zéner.
Figura 2.1. Circuito con un diodo zéner.
2. El circuito de la Fig. 2.2 es un estabilizador de tensión, Considerando que elzéner

tiene una tensión umbral de 12V, calcular:
Figura 2.2. Circuito estabilizador.

PRÁCTICA 2. DIODOS ZÉNER, LEDS Y FOTODIODOS 15
a) La tensión que cae en elzéner y la corriente que circula a través de él cuando
la fuente de entrada Evale 8, 12, 14 y 15V.
b) Con cada uno de estos valores de tensión de entrada, ¿se produce estabili
zación a la salida?.
3. En el circuito de la Fig. 2.3 calcular el valor mınimo que deberıa tener la resis
tencia R para que el diodo LED no se queme. Considerar que en el LED, cuando
está polarizado en directa, caen 1.5 V y que la intensidad máxima que puede
soportar es de 25 mA.
Figura 2.3. Circuito con un LED.
4. El circuito de la Fig. 2.4 representa un montaje tıpico con un optoacoplador. Ex

plicar cualitativamente, es decir, sin caclular valores, cómo variará la tensión de
salida Vs del caso en que se introduzca un objeto opaco entre el LED y el fotodio
do a cuando dicho objeto no se introduzca.
Figura 2.4. Circuito con un optoacoplador.

16 ELECTRÓNICA I
1. Simule el circuito de la Fig.2.1 y obtenga el valor de corriente que circula a través

del zéner cuando la Evale 0, 2, 4, 7, 11, 12, 13 y 14V. El diodo zéner que se
empleará en el laboratorio será el BZX55C12 de 12 V. Puesto que este diodo no se
encuentra disponible en la versión de estudiante de Pspice, se empleará el diodo
zéner genérico (DbreakZ). Para conseguir que este diodo tenga una tensión de
ruptura de 12 V se tiene que editar el modelo (Edit /Model ... / Edit Instance
Model (Text)...) y añadir el parámetro BV = 12 tal como se muestra en la Fig. 2.5.
Figura 2.5. Modificación del modelo del diodo zéner genérico incluido en la versión de estudiante de
Pspice.
2. Eligiendo adecuadamente el análisis de simulación obtener la caracterıstica ten

sión–corriente del diodo zéner en el circuito de la Fig.2.1.
3. Simule el circuito de la Fig. 2.2 y obtenga la tensión que cae en el diodo zéner y
la corriente que lo atraviesa cuando Evale 8,12, 14 y 15 V. ¿Para quévalores de
E se produce estabilización?

1. Se montará el circuito de la Fig.2.1 con la fuente de alimentación ajustada a 0 V

y se irá ajustando a 0,2,4, 7, 11,12, 13 y 14 V, midiendo los valores de corriente
PRÁCTICA 2. DIODOS ZÉNER, LEDS Y FOTODIODOS 17
que atraviesan al zéner (integrado BZX55C12). Para no quemar el diodo se debe

limitar la corriente máxima de la fuente al valor máximo que puede soportar, el
cual será:
Pz 0,5W (2.1)
Izmax = Vz= 12=41,67mA
¿Se observan diferencias entre los valores medidos y los obtendios teóricamente
y mediante simulación? ¿A qué se deben?.
2. Con el mismo montaje que en el punto anterior y ajustando nuevamente la ten

sión de la fuente a 0 V, ésta se irá aumentando hasta conseguir que la intensidad
que circula por el zéner sea de 2,5, 10, 20,25 mA. Anotar los valores de la fuen
te de entrada en cada caso. ¿Se aprecian diferencias con los valores calculados
teóricamente y los obtenidos mediante simulación? ¿A qué son debidas?.
3. A partir de los datos obtenidos en los dos apartados anteriores, obtener la gráfi
ca de tensión–corriente del diodo zéner. ¿Qué diferencias hay con respecto a la
obtenida teóricamente y a la simulada? ¿A qué se deben?.
4. Se montará el circuito estabilizador de la Fig. 2.2 ajustando la fuente de alimen

tación a 0V. Después se ajustará la fuente de entrada a 8, 12, 14 y 15V. ¿Cuánto
vale la tensión en el zéner y la corriente que lo atraviesa en cada caso? ¿Existen
diferencias entre los valores medidos y los calculados teóricamente o simulados
en Pspice? ¿A qué se podrıan deber?.
5. Se montará el circuito de la Fig. 2.3 con la fuente de alimentación ajustada a 0 V

(recuerde que el cátodo del LED es el terminal más corto). Se limitará la corriente
del circuito a 25 mA, que es la corriente máxima que soporta el diodo. No supere
jamás esa corriente. Compruebe que un aumento de corriente corresponde con un
incremento del brillo del LED. ¿Cuál crees que es el valor óptimo de la corriente
que produciendo un brillo suficientemente visible en el diodo es económico des
de el punto de vista de la carga que supone para la fuente de alimentación? Tenga
en cuenta que el diodo debe ser útil como dispositivo indicador en amplias con
diciones de iluminación ambiental. ¿Cuánto vale, es esas condiciones, la tensión
en el diodo? ¿Por qué no es de 0.7V?
6. Tras localizar el emisor (E) y detector (D) del optoacoplador (integrado con refe
rencia TCST2000), se montará el circuito de la Fig. 2.4 y se medirá la tensión de
salida. Introduzca un objeto opaco (una moneda, por ejemplo) en la ranura del
optoacoplador. ¿Cuánto vale ahora la tensión de salida? ¿Coinciden las variacio
nes de tensión de un caso a otro con las explicaciones teóricas que indicó en la
sección 2?.
Práctica 3
Fuente de Alimentación
3.2. Simulación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
Objetivos
En esta práctica se montará una fuente de alimentación, realizando las medidas
oportunas en cada uno de los pasos en que se va a dividir su montaje.
Los objetivos principales de esta práctica son:
Comprobar el funcionamiento de transformador reductor.
Analizar una etapa de rectificación de onda completa.
Estudiar el efecto de filtrado producido por un condensador.
Analizar el funcionamiento de un estabilizador de tensión.
Conseguir una fuente de alimentación de tensión continua de 8 V.

20 ELECTRÓNICA I

1. Dibujar la forma de onda de la salida de un transformador reductor 220/12 V si

la entrada es la tensión de la red eléctrica. Caracterizar completamente esta onda
indicando su tensión de pico, su frecuencia, y su valor medio.
2. Si al transformador anterior conectado a la red eléctrica se le añade una etapa de

rectificación como la mostrada en la Fig.3.1, dibujar la forma de onda a la salida
del rectificador Vs indicando su valor de pico, sufrecuencia y su valor medio.
Figura 3.1. Etapa de rectificación conectada al transformador.
3. En el circuito de la Fig. 3.2 se ha añadido un condensador para realizar una fun

ción de filtrado y obtener una señal lo más continua posible. Para los valores
del condensador C de 22 nF, 3.3 µF y 22 µF, calcular la tensión de rizado que
tendrá la forma de onda que se obtendrıa sobre el condensador cuando la resis
tencia de carga (RL) es de 3.9 kΩ. Además, dibujar esta forma de onda, indicando
sus valores extremos ası como su frecuencia aproximada y su valor medio para
cada uno de los condensadores indicados.
Figura 3.2. Fuente de alimentación sin regulador de tensión.

PRÁCTICA3. FUENTE DE ALIMENTACIÓN 21
4. Empleando el condesador de 22 µF y añadiendo una última etapa de estabiliza

ción, tal como muestra la Fig. 3.3, dibujar la forma de onda de la tensión de salida
cuando la resistencia de carga RLvale 150,560, 1500, 2200, y 3900 Ω. Indicar cla
ramente la amplitud y la frecuencia de cada señal.
7812
Figura 3.3. Fuente de alimentación completa.
3.2. Simulación
En esta sección se simulará la fuente de alimentación analizada teóricamente en

la sección anterior empleando el software FA.exe1. La memoria de esta parte de la
práctica se debe completar con la captura del esquemático realizado y las gráficas ob
tenidas con el software indicado.
En primer lugar, elegir una fuente de alimentación similar a la mostrada en la
Fig. 3.3, y ajustar los valores correspondientes a los indicados en la misma. Posterior
mente, ver en el osciloscopio (simulador):
1. La forma de onda después del secundario. Indicar claramente su amplitud de

pico, su frecuencia y su valor medio, considerando la RL =3.9 kΩ.
2. La forma de onda a la salida del rectificador. Indicar claramente su amplitud de

pico, su frecuencia, y su valor medio, considerando la RL =3.9 kΩ.
3. La forma de onda después del condensador, cuando éste tiene valores de 22 nF,
3.3 µF y 22 µF. Indicar claramente cuál es la tensión de rizado en cada caso.
4. La forma de onda después del regulador de tensión cuando la resistencia de carga

tiene valores de 150,560, 1500, 2200, y 3900Ω. Indicar claramente la amplitud de
la señal, su frecuencia y su valor medio.
1Este software está disponible en moodle.

22 ELECTRÓNICA I
En esta sección se analizará en el laboratorio la fuente de alimentación estudiada

teóricamente y mediante simulación en los apartados anteriores.
1. La primera etapa de la fuente pretende cambiar el nivel de la señal de entrada

al nivel requerido. Esta etapa se realiza por medio de un transformador, en este
caso será necesario uno de 220/12 V, 1 A. La tensión de entrada será la de la
red, por lo que se recomienda máxima precaución al conectar el transformador y
durante todo el desarrollo de la práctica. No se debe intentar medir la tensión de
entrada del transformador con el osciloscopio. Se debe dibujar la señal de salida
del transformador sin carga, indicando su valor de pico, su frecuencia, y su valor
medio.
¿Existen diferencias con las ondas obtenidas teóricamente y mediante simula
ción? ¿A qué se deben?.
2. Se pretende, a partir de una onda senoidal de entrada, de valor medio nulo, obte
ner una salida unipolar, con una componente continua no nula. En la fuente que
se está implementando se utiliza un rectificador de onda completa tal como se
muestra en la Fig. 3.1. Montar este circuito y representar la señal a la salida del
puente de diodos (integrado B250C1500) con una resistencia de carga RL de 3.9
kΩ. Indicar claramente su amplitud de pico, sufrecuencia y su valor medio.
¿Existen diferencias con las formas de onda calculadas teóricamente y mediante
simulación? ¿A qué se deben?.
3. Para obtener una señal lo más continua posible se puede colocar un condensador
en paralelo con la carga tal como muestra la Fig. 3.2. Sin embargo, la señal de sali
da tendrá un rizado que dependerá del valor del condensador empleado. Montar
el circuito y representar el rizado obtenido para valores del condesador C de 22
nF, 3.3 µF y 22 µF siendo RL = 3.9 kΩ. Indicar claramente el valor de la tensión
de rizado, sus valores extremos, su valor medio y su frecuencia aproximada.
¿Se encuentras diferencias con los valores obtenidos teóricamente y mediante si
mulación? ¿A qué se deben?.
4. Por último, para que la tensión de salida permanezca constante se empleará un

regulador, en este caso el 7812. Se conectará tal como aparece en la Fig.3.3. Mon
tar este circuito empleando un condensador de valor C 22 µF, y representar la
señal de salida cuando la resistencia de carga RL tiene valores de 150,560, 1500,
2200 y 3900Ω. Indicar claramente el valor de la señal obtenida, sufrecuencia y su
valor medio.
¿Existen diferencias con las formas de onda calculadas teóricamente y mediante
simulación? ¿A qué se deben?.
Práctica 4
Transistor Bipolar (I). Polarización
Objetivos
El transistor se utiliza principalmente en amplificación y como elemento de conmu
tación, siendo imprescindible para ambas aplicaciones el estudio de la polarización
del transistor en las diferentes zonas de trabajo. En esta práctica se observarán y ob
tendrán las caracterısticas del transistor en las distintas zonas de trabajo, introducien
do las aplicaciones fundamentales para su uso en próximas prácticas. Se pretende
que el alumno distinga las diferentes zonas de funcionamiento y observe las peculiari
dades de cada una de ellas.
24 ELECTRÓNICA I

guientes ejercicios y cuestiones teóricas.
1. Buscar en los catálogos de los fabricantes, los cuales se pueden obtener desde in
ternet, las caracterısticas principales (aplicación o tipo, tensión base emisor en po
larización, valor tıpico de β, patillaje, etc..) de los transistores Q2N222, Q2N3904,
Q2N3906 y BC556.
2. Viendo la ecuación básica de funcionamiento del transistor bipolar en zona activa

¿Qué debemos controlar para fijar la corriente de colector?
3. Suponiendo una configuración en emisor común, con circuito autopolarizado,
¿en cuál de los siguientes casos se obtiene el valor más grande de IC?:
a) activa directa
b) saturación
c) corte
d) activa inversa
e) ninguna de las anteriores
4. En el circuito básico de polarización de la Fig. 4.1, determine el punto de trabajo

del transistor supuesto un valor de V1 de 0,2,3 y 5 voltios. Suponga un valor de
β = 250, VBEon = 0,7V y VCEsat = 0,2V .
5. En los circuitos de autopolarización de las Fig. 4.2 y Fig.4.3, determine el punto
de trabajo de los transistores suponiendo, en todos los casos, un valor de β = 250,
VBEon = 0,7V y VCEsat = 0,2V .
6. Considerando un valor de R2 = 1500Ω, vuelva a calcular el punto de trabajo del
circuito de la Fig.4.2, manteniendo el resto de componentes y parámetros en sus
valores originales.

1. Simule el circuito de la Fig. 4.1 suponiendo un valor de V1 de 0,2,3 y 5 voltios, e

indique los valores de tensión VBE y VCE y los valores de corriente IB, IE e IC. El
PRÁCTICA4. TRANSISTOR BIPOLAR (I) 25
Figura 4.1. Circuito básico de polarización en un transistor NPN.
Figura 4.2. Circuito básico de autopolarización en un transistor NPN.

26 ELECTRÓNICA I
RC 820
+
12v
RE 180
Figura 4.3. Circuito polarización en un transistor NPN.
transistor utilizado será el Q2N2222. Supuesta una señal de entrada cuadrada de

nivel bajo 0 V, nivel alto 5V y frecuencia 1 kHz, obtenga la señal entre colector y
emisor.
2. Simule los circuitos de las Fig.4.2 y Fig.4.3 indicando los valores de tensión VBE y
VCE y los valores de corriente IB, IE e IC. El transistor utilizado será el Q2N2222.
3. Considerando un valor de R2 = 1500Ω, vuelva a simular y obtener el punto de
trabajo del circuito de la Fig.4.2, manteniendo el resto de componentes y paráme
tros en sus valores originales.

y mediante simulación en los apartados anteriores en comparación con las resultados
medidos sobre los distintos montajes.
1. Una vez que ha comprobado en las hojas de caracterısticas cuales son las limita
ciones eléctricas del transistor Q2N2222, conecte los terminales del transistor al
multımetro y compruebe quévalor de β se obtiene. Además:
2. Monte el circuito de la Fig. 4.1 y ajuste la tensión de la fuente V1 a 0,2,3 y 5 V.
Mida las tensiones VBE y VCE y los valores de corriente IB, IE e IC.
a) En el circuito anterior, se sustituirá la tensión V1 por una señal alterna cua

drada, que se obtiene del generador de señal y que tendrá como nivel bajo
0V y como nivel alto 5V, y una frecuencia de 1KHz. Con el osciloscopio se
PRÁCTICA4. TRANSISTOR BIPOLAR (I) 27
medirá y representará la tensión entre colector y emisor (VCE), comprobando

que se trata de una onda cuadrada, invertida respecto a la anterior.
b) Compare los resultados con los obtenidos en los puntos correspondientes
de las dos secciones anteriores (Cálculos teóricos y simulación). Comente a
qué se deben las diferencias encontradas, si es que las hay.
3. Monte el circuito de la Fig. 4.2 y mida las tensiones VBE y VCE y los valores de
corriente IB, IE e IC . Compare estos resultados con los obtenidos en los puntos
correspondientes de las secciones anteriores. Comente a qué se deben las dife
rencias encontradas, si es que las hay. Repita el apartado suponiendo un valor de
R2 = 1500Ω.
4. Monte el circuito de la Fig. 4.3. Mida las tensiones VBE y VCE y los valores de
corriente IB, IE e IC. Compare estos resultados con los obtenidos en los puntos
correspondientes de las dos secciones anteriores. Comente a qué se deben las
diferencias encontradas, si es que las hay.
Práctica 5
Transistor Bipolar (II). Caracterısticas
de salida y aplicaciones
Objetivos
Con esta segunda práctica dedicada al transistor bipolar se pretende medir la ca
racterıstica de salida de un transistor bipolar en emisor común, comprobar las dife
rentes zonas de funcionamiento y algunas sencillas aplicaciones del transistor bipolar.
Los principales objetivos son:
Comprobar el efecto de la corriente de base en la corriente de colector.
Determinar experimentalmente las caracterısticas de salida de un transistor y

a partir de los resultados obtenidos distinguir las distintas zonas de trabajo del
transistor.
Comprobar, a través de sencillas aplicaciones, el control de la corriente de co

lector mediante la corriente de base.
30 ELECTRÓNICA I

guientes ejercicios y cuestiones teóricas.Suponga, en todos los apartados, un valor de
β = 250, VBEon = 0,7V y VCEsat = 0,2V .
1. En el circuito de la Fig.5.1, ¿cuál debe ser la posición del potenciómetro para con
seguir una corriente de base IB = 20uA suponiendo un funcionamiento en activa
directa?. Considere el potenciómetro como la asociación serie de dos resistencias
de valor x·R y (1−x)·R, siendo x un valor entre 0 y 1 que define la posición del
potenciómetro.
2. En el circuito de la Fig.5.2, determine los valores de IC y VCE suponiendo IB
=
10uA para los siguientes valores de V1: 2,3 y 5 voltios.
3. Repita el apartado anterior suponiendo IB = 20uA y IB = 30uA. ¿Qué ocurrirıa

si bajamos progresivamente el valor de V1?. Represente la curva caracterıstica de
salida del transistor a partir de los datos calculados en estos primeros apartados.
4. En el circuito de la Fig. 5.3, determine el punto de trabajo del transistor para los
dos casos posibles en función de la posición del conmutador. Suponga un valor
de VLEDon = 1,5V .
5. En el circuito de la Fig. 5.4, determine el punto de trabajo del transistor supo

niendo el LED en el circuito y suponiendo que se sustituye por una resistencia de
100Ω. Suponga un valor de VLEDon = 1,5V.

anterior. La memoria de esta parte de la práctica se debe completar con capturas de
los esquemáticos realizados y las gráficas obtenidas con Pspice. En todos los casos, el
modelo transistor utilizado será el Q2N2222.
1. Simule el circuito de la Fig. 5.1 y obtenga las curvas caracterısticas de salida

suponiendo las siguientes posibilidades en el circuito de entrada IB = 10uA,
IB = 20uA y IB = 30uA. Para esta simulación puede sustituir el montaje en la
entrada (fuente de 5V, potenciómetro y resistencia de 10kΩ) por un generador
ideal de corriente.
2. Simule las dos posibilidades del circuito de la Fig.5.3 indicando el punto de tra
bajo del transistor en cada caso. Para la simulación, y puesto que PSpice no in
cluye en sus librerıas un diodo LED, puede utilizar dos diodos del tipo 1N4007.
PRÁCTICA 5. TRANSISTOR BIPOLAR (II) 31
3. Simule el circuito de la Fig. 5.4 indicando el punto de trabajo del transistor. Para
la simulación, y puesto que PSpice no incluye en sus librerıas un diodo LED,
puede utilizar dos diodos del tipo 1N4007. Sustituya el LED por una resistencia
de 100Ω y vuelva a obtener el punto de trabajo.

1. Caracterıstica de salida en emisor común

Una vez que ha comprobado en las hojas de caracterısticas cuales son las limita
ciones eléctricas y valores de funcionamiento tıpicos del transistor seleccionado
para el desarrollo de la práctica, conecte los terminales del transistor al multıme
tro y compruebe qué valor de β se obtiene. Además:
a) Monte el circuito de la Fig. 5.1 .Se fijará V1 a 0V y se variará el potenciómetro

hasta obtener una corriente de base de 10µA. Manteniendo constante la co
rriente de base en 10µA, se irá variando la tensiónV1 de tal forma que se vaya
incrementado en intervalos adecuados hasta llegar a los 5V. Para cada una
de las tensiones anteriores se medirá la corriente de colector y la tensión co
lector emisor para después representar estos datos en una gráfica V/I. Nota:
La distancia entre valores medidos, y el número de los mismos, será fijado
por el alumno de forma justificada y comentada. Si al variar la tensión V1 va
riase también la corriente de base, esta se modificarıa hasta volver a obtener
10µA.
b) Repita el apartado anterior para una corriente de base igual a 20µA y 30µA.
Nota: represente todas las gráficas V/I sobre los mismos ejes.
c) Compare los resultados con los obtenidos en los puntos correspondientes
de las dos secciones anteriores (cálculos teóricos y simulación). Comente a
2. Zonas de funcionamiento
Monte el circuito de la Fig. 5.2. Partiendo de una corriente de base de 0A se
irá modificando ésta, con ayuda del potenciómetro hasta llegar a los 80µA. Los
intervalos de medición serán fijados por el alumno de manera que el transis
tor pase por todos los estados de funcionamiento posibles; corte,activa directa y
saturación. Para cada uno de estos valores de corriente de base se medirán la co
rriente de colector IC y las tensiones VBE y VCE, justificando con estos parámetros
la zona de funcionamiento en la que se encuentra el transistor.
3. Trasistor bipolar como interruptor
32 ELECTRÓNICA I
Figura 5.1. Circuito básico de polarización para la obtención de la caracterıstica de salida de un tran
sistor NPN.
V1
Figura 5.2. Circuito básico de polarización para la comprobación de las zonas de funcionamiento de un
transistor NPN.
PRÁCTICA 5. TRANSISTOR BIPOLAR (II) 33
Monte el circuito de la Fig. 5.3 que muestra un sencillo interruptor con un tran
sistor bipolar (el conmutador se puede sustituir por un cable con un extremo
conectado al resistor de 33kΩ y el otro libre para conectarlo a masa (posición 1) o
a VCC (posición 2). Se conmutará a la posición 1, midiendo el punto de trabajo del
transistor y comprobando si luce el LED. Repita el proceso con el conmutador en
la posición 2.
Figura 5.3. Funcionamiento de un transistor NPN como interruptor.
4. Transistor como fuente de corriente

Monte el circuito de la Fig. 5.4 que representa una fuente de corriente con un
transistor bipolar para excitar al diodo LED. Una vez conectada la base a VBB, se
anotará la corriente IC. Sustituya el diodo LED por un resistor de 100Ω. Mida IC
y compárela con la obtenida. ¿Qué conclusiones obtiene?
34 ELECTRÓNICA I
Figura 5.4. Funcionamiento de un transistor NPN como fuente de corriente.

6 Práctica
Transistor Unipolar. Caracterısticas de

salida y aplicaciones
Objetivos
En esta práctica se medirá la caracterıstica de salida de un transistor unipolar en
surtidor común, y se verán algunas sencillas aplicaciones de este transistor.Los obje
tivos de la práctica son:
Determinar el efecto de la tensión puerta-surtidor (VGS) sobre la corriente de

drenador.
Determinar experimentalmente la caracterıstica de salida de un transistor JFET

de canal n y su transconductancia.
Comparar los parámetros IDSS y VP obtenidos en la práctica con los suministra

dos por el fabricante.
Comprobar, a través de sencillas aplicaciones, el control de la corriente de dre

nador mediante la tensión puerta-surtidor.
36 ELECTRÓNICA I

guientes ejercicios y cuestiones teóricas.Suponga, en todos los apartados, un valor de
VP = −3V y IDSS = 10mA.
1. ¿Qué se utiliza para controlar la corriente ofrecida por un transistor unipolar?.
2. ¿De qué signo tiene que ser la tensión puerta-surtidor para polarizar los siguien
tes transistores en zona de saturación?
a) FET de canal N
b) FET de canal P
c) MOS de acumulación de canal N
d) MOS de deplexión de canal P
3. ¿Cuándo circulará más corriente en un transistor FET de canal N?
a) VGS = 0V
b) VGS = −3V
c) VGS = −4V
4. En el circuito de la Fig. 6.1, determine los valores de ID y VDS suponiendo VGS =
0V para los siguientes valores de V1: 0, 1, 3, 5, 7 y 10 voltios. Repita el apartado
anterior suponiendo VGS = −0,5V y VGS = −1V. Represente la caracterıstica de
salida a partir de los datos obtenidos.
5. En el circuito anterior, y suponiendo VDS = 15V, calcule los valores de ID necesa
rios para poder representar la caracterıstica de transferencia del transistor.
6. En el circuito de la Fig. 6.2, determine el punto de trabajo del transistor y si el
LED se enciende en las dos posiciones posibles del interruptor.Suponga un valor
de VLEDon = 1,5V y RLED = 0Ω.
7. En el circuito de la Fig. 6.3, determine el punto de trabajo del transistor suponien
do que Vcontrol puede llegar a valer −1V y −10V.

anterior. La memoria de esta parte de la práctica se debe completar con capturas de
los esquemáticos realizados y las gráficas obtenidas con Pspice. En todos los casos, el
modelo transistor utilizado será el J2N3819.
PRÁCTICA 6. TRANSISTOR UNIPOLAR 37
Figura 6.1. Circuito básico de polarización en un transistor unipolar JFET canal N.
Figura 6.2. Funcionamiento de un transistor unipolar JFET canal N como interruptor.

38 ELECTRÓNICA I
Figura 6.3. Funcionamiento de un transistor unipolar JFET canal N como interruptor controlado por
tensión.
1. Simule el circuito de la Fig. 6.1 y obtenga las curvas caracterısticas de salida

suponiendo las siguientes posibilidades en el circuito de entrada VGS = 0V,
VGS = −0,5V y VGS = −1V. Para esta simulación puede sustituir el montaje
en la entrada (fuente de 5V y potenciómetro) por un generador ideal de tensión.
2. Simule las dos posibilidades del circuito de la Fig. 6.2 indicando el punto de tra
bajo del transistor en cada caso. Para la simulación, y puesto que PSpice no in
cluye en sus librerıas un diodo LED, puede utilizar dos diodos del tipo 1N4007.
3. Simule el circuito de la Fig. 6.3, suponiendo en la entrada una señal senoidal de
1 KHz y 10mV de amplitud y Vcontrol = −1V. Indique el punto de trabajo del
transistor y represente las señales obtenidas a la salida. Repita la simulación para
Vcontrol = −10V.

y mediante simulación en los apartados anteriores. El modelo de transistor utilizado
será el 2N5485 o equivalente.
1. Caracterıstica de salida del transistor unipolar

Una vez que ha comprobado en las hojas de caracterısticas cuales son las limita
ciones eléctricas y valores de funcionamiento tıpicos del transistor seleccionado
para el desarrollo de la práctica, se pide:
a) Monte el circuito de la Fig. 6.1, donde el potenciómetro se empleará para fi

jar una determinada tensión puerta-surtidor a partir de una tensión fija de 5
PRÁCTICA 6. TRANSISTOR UNIPOLAR 39
V que ofrece la fuente de alimentación, mientras que la tensión del drenador

la obtenemos variando la tensión V1 (fuente de alimentación). Con el poten
ciómetro se ajustará la tensión puerta-surtidor a 0V. Partiendo de este valor,
se irá disminuyendo la tensión V1 en los intervalos que considere necesarios.
Para cada uno de estos valores de tensión se medirá la corriente de drena
dor, de forma que con los datos obtenidos (VDS/ID) se pueda representar la
caracterıstica de drenador.
b) Repita el apartado anterior ajustando la tensión VGS a –0,5V y a –1V. Nota:
represente todas las gráficas V/I sobre los mismos ejes.
c) Compare los resultados con los obtenidos en los puntos correspondientes
de las dos secciones anteriores (cálculos teóricos y simulación). Comente a
2. Caracterıstica de transferencia del transistor unipolar
En el circuito de la Fig. 6.1 y ajustando esta vez la tensión VDS a 15V, se irá va
riando la tensión VGS desde 0 a –2,5V en los intervalos que considere adecuados,
anotando la corriente de drenador ID. Represente los resultados obtenidos en una
gráfica (caracterıstica de transferencia).
3. Transistor unipolar como interruptor
a) Se realizará el montaje de la Fig. 6.2, que representa un interruptor con un

transistor JFET. El conmutador K se puede sustituir por un cable que vaya al
borne negativo de la fuente de tensión ajustable, que variará entre 1V (po
sición 1) y 10V (posición 2), mientras que el borne positivo de dicha fuente
quedará conectado a masa.
1) Se conmutará a la posición 1. Se medirá ID y VDS y se comprobará si luce
el LED.
2) Se conmutará a la posición 2. Se medirá ID y VDS y se comprobará si luce
el LED.
3) Compare los resultados con los obtenidos en los puntos correspondien
tes de las dos secciones anteriores (cálculos teóricos y simulación). Co
mente a qué se deben las diferencias encontradas, si es que las hay.
b) Se realizará el montaje de la Fig. 6.3, que representa un interruptor contro
lado por tensión (Vcontrol ). A la entrada conectaremos una señal senoidal de
1kHz y 10mV de amplitud. Con el osciloscopio se verá la tensión de entrada
(canal 1) y la de salida (canal 2).
1) Suponiendo Vcontrol = 1V, obtenga las señales a la salida.
2) Suponiendo Vcontrol = 10V, obtenga las señales a la salida.
3) ¿Qué misión tiene Vcontrol ?. Compare los resultados con los obtenidos
en los puntos correspondientes de las dos secciones anteriores (cálculos
teóricos y simulación). Comente a qué se deben las diferencias encon
tradas, si es que las hay.
Práctica 7
Diseño de un Amplificador
7.1. Diseño . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
7.2. SimulaciónconPspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
7.3. Medidasenellaboratorio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
Objetivos
El objetivo de esta última práctica es que el alumno realice el diseño de un amplifi
cador a partir de los transistores analizados en la prácticas anteriores.
42 ELECTRÓNICA I
7.1. Diseño
Se debe realizar el diseño de un amplificador en emisor común con la resistencia de
emisor desacoplada. Emplear un único transistor bipolar y tener en cuenta las siguien
tes especificaciones:
La ganancia en tensión debe ser 100 con un desfase entre la entrada y la salida de
180o.
La impedancia de entrada debe ser de 500Ω.

La impedancia de salida debe ser de 820 Ω.
El transistor debe tener un parámetro β de 200 aproximadamente.
La resistencia de emisor debe ser igual o inferior a 180Ω.
El transistor debe trabajar en activa–directa.
La alimentación en continua del circuito debe ser de 12 V.

Emplear condensadores de 10 µF, en caso de que sean necesarios.
En todas las especificaciones anteriores se puede considerar un margen de error
de ±20%.
En la memoria de esta práctica se deben reflejar todos los cálculos realizados ası co
mo las justificaciones de la elección de los valores de todos los componentes empleados
en el diseño realizado.
7.2. Simulación con Pspice
Simular en Pspice el amplificador diseñado en el apartado anterior y obtener, utili

zando los análisis apropiados, las gráficas que muestren:
1. La ganancia en tensión a una frecuencia de 10 kHz.

2. La ganancia en corriente con una resistencia de carga de 3.3 kΩ a una frecuencia
de 10 kHz.
3. La impedancia de entrada.
4. La impedancia de salida.
5. La respuesta en frecuencia entre 10 Hz y 200 kHz.
6. La ganancia en tensión a 10 kHz cuando la resistencia de emisor vale 22, 100 y
180Ω y se elimina el condensador de desacoplo de emisor. ¿A qué se deben las
variaciones de ganancia encontradas de un caso a otro?.
PRÁCTICA 7. DISEÑO DE UNAMPLIFICADOR 43
7.3. Medidas en el laboratorio

Una vez diseñado el amplificador se debe montar en el laboratorio y medir sus
caracterısticas fundamentales para comprobar que su funcionamiento es el que se ha
diseñado realmente. Ası, se debe medir:
1. La ganancia en tensión a una frecuencia de 10 kHz.
2. La ganancia en corriente con una resistencia de carga de 3.3 kΩ a una frecuencia

de 10 kHz.
3. La impedancia de entrada.
4. La impedancia de salida.
5. La respuesta en frecuencia entre 10 Hz y 100 kHz, midiendo la ganancia en ten
sión a las frecuencias 10 Hz, 100 Hz, 1 kHz, 10 kHz, 20 kHz, 60 kHz, y 100 kHz.
6. La ganancia en tensión a 10 kHz cuando la resistencia de emisor vale 22, 100 y
180Ω y se elimina el condensador de desacoplo de emisor.
Finalmente, se debe comparar los resultados obtenidos en el laboratorio con los si

mulados y con los cálculados durante la fase de diseño. ¿A qué se deben las diferencias
encontradas?.
Apéndice. Valores de resistencias que hay en el laboratorio

En el laboratorio se pueden encontrar resistencia de los valores:
1, 2.2, 3.3, 4.7, 6.8, 10, 12, 15, 18, 22, 27,33,39, 46,47, 56, 68,82, 100, 120, 150, 180,
220,270, 330,470, 560, 650, 680, 820 Ω.
1, 1.8, 2.2, 2.7, 3.3, 3.9, 4.7, 5.6, 6.8, 8.2, 10, 12, 15, 18, 20, 22, 27,33, 39,47, 56, 68,
82, 100, 120, 150, 180, 220, 270, 330, 390, 470, 560, 680,820 kΩ.
1, 1.5, 10 MΩ.
Apéndice A
Ejemplo de Resolución
de una Práctica
A.1. Cálculosteóricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
A.2. SimulaciónenPspice . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
A.3. Desarrollodelapráctica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
Objetivos
El objetivo de este apéndice es que los alumnos vean la manera de resolver las
prácticas de la asignatura de forma clara y precisa, ya que a continuación se puede
encontrar la resolución completa de una de ellas.
46 ELECTRÓNICA I
A.1. Cálculos teóricos

1. A partir de las hojas de caracterısticas del transistor bipolar P2N2222A, que es el

que se utilizará en el laboratorio, indicar el valor de:
a) La ganancia de corriente en continua (β).
b) La tensión entre la base y el emisor cuando su unión está polarizada en di

recta.
c) La tensión entre el colector y el emisor en saturación.

PRÁCTICAA. EJEMPLO DE RESOLUCIÓN DE UNA PRÁCTICA 47
2. Calcular el punto de polarización del circuito de la Fig. A.1. Concretamente se

debe calcular la corriente de base, la corriente de colector y la tensión colector–
emisor. Indicar también en la zona en la que está trabajando el transistor.
Figura A.1. Circuito de polarización de un transistor bipolar.
Solución:
Realizando el equivalente de Thevenin, el circuito de la Fig. A.1 se podrıa simplificar
de la forma indicada en la Fig. A.2, siendo RTH y VTH:
39 · 4,7 = 4,2kΩ
RTH = 39+4,7 (A.1)
4,7
VTH = · (24 − 5)+5=7V (A.2)
39 + 4,7
Suponiendo que el transistor está en ACTIVA–DIRECTA, de la malla base–emisor
se podrıa obtener la ecuación:
7=4,2IB + 0,6+1,2(1 + β)IB (A.3)
48 ELECTRÓNICA I
Figura A.2. Simplificación del circuito de la Fig. A.1.
de tal forma que la correiente de base se podrıa obtener como:

7− 0,6
IB = 4,2+1,2·301 = 0,0175mA = 17,5µA (A.4)
Ası pues, la corriente de colector y de emisor serıan:

IC = βIB = 300 · 17,5µA = 5,25mA (A.5)
IE = (β + 1) · IB = 3001 · 17,5µA = 5,27mA (A.6)
A partir de estas corrientes se puede obtener la tensión entre colector y emisor co

mo:
VCE = VC − VE = 24 − 3,9IC − 1,2IE = 24 − 3,9 · 5,25 − 1,2 · 5,27 = −2,8V (A.7)
Puesto que esta tensión es inferior a la tensión colector–emisor en saturación se puede
llegar a la conclusión de que el transistor está en SATURACIÓN y no en activa–directa.
Por tanto, la tensión colector–emisor será la de saturación, es decir, 0.3V.
Si volvemos a analizar la malla base–emisor se obtendrá la ecuación:
7=4,2IB + 0,6+1,2(IB + IC) (A.8)

y si analizamos la malla colector–emisor, obtendremos:
24 = 3,9IC + 0,3+1,2(IB + IC ) (A.9)
Ası pues, se obtiene un sistema de dos ecuaciones con dos incognitas, el cual se
puede resolver obteniéndose:
IB = 0,16mA (A.10)
IC = 4,61mA (A.11)
A.2. Simulación en Pspice

1. Editar el modelo del transistor empleado y buscar los valores de la ganancia de

corriente en continua, la tensión de la unión base–emisor cuando está polarizada
en directa y la tensión colector–emisor en saturación.
2. Simular el circuito de la Fig. A.1 y mostrar la tensión colector–emisor, la corriente

de base y la corriente de colector obtenidas. ¿En qué zona trabaja el transistor?
¿Por qué?
Solución:
Para el desarrollo de la simulación seleccionaremos en PSpice el transistor NPN con
referencia Q2N2222. Si editamos el modelo (en formato texto) encontramos que los
valores tıpicos buscados de ganancia de corriente en continua, tensión base emisor y
colector emisor son los que aparecen en la Fig. A.3. Como se puede apreciar, estos va
lores coinciden con los suministrados por el fabricante en sus hojas de caracterısticas y
que han sido mostrados en el apartado anterior. Tras este primer análisis, se procede a
la simulación del circuito que nos ocupa, según el esquemático mostrado en Fig. A.4.
Puesto que deseamos obtener el punto de polarización del transistor, el análisis que
debe ser seleccionado es el Bias Point Detail, que nos mostrará sobre el mismo esque
ma del circuito los valores de tensión y corriente en los puntos más importantes del
montaje, tal y como muestran las representaciones de Fig. A.5 y Fig. A.6.
Figura A.3. Resultado de editar el modelo (en formato texto) del transistor Q2N2222.
50 ELECTRÓNICA I
Figura A.4. Esquemático en Pspice correspondiente al circuito de la Fig. A.1.
Figura A.5. Valores de tensión obtenidos por PSpice tras el análisis del punto de polarización.
Figura A.6. Valores de corriente obtenidos por PSpice tras el análisis del punto de polarización.
A la vista de estos resultados podemos deducir lo siguiente:
1. El valor de tensión base-emisor se puede calcular como la diferencia entre las

tensiones obtenidas en base y emisor, por tanto:
VBE = VB − VE = 6,641 − 5,948 = 0,693v (A.12)
Según este dato, la unión base-emisor se encuentra polarizada en directa como

corresponde a un estado de polarización en saturación.
2. Del mismo modo, la tensión colector-emisor puede calcularse según:
VCE = VC − VE = 6,262 − 5,948 = 0,314v (A.13)
Según esto, la unión colector-base se encuentra polarizada también en directa

como corresponde a un estado de polarización en saturación, con una tensión
colector-emisor igual a la obtenida en el desarrollo teórico.
3. Las corrientes obtenidas en la polarización pueden observarse de forma directa y,

por tanto, IB = 0,0349mA, IC = 5,913mAeIE = 5,948mA. En este caso las diferen
cias son más apreciables respecto al modelo teórico. Especialmente significativo
es el valor de la corriente de base (cinco veces inferior a la obtenida teóricamen
te). Las diferencias en este caso se deben a las aproximaciones adoptadas en el
modelo teórico para la resolución del modelo equivalente de Thevenin de la red
de autopolarización a la entrada y a las diferencias en los valores de tensión entre
base y emisor y entre colector y emisor del modelo teórico frente a la simulación
(0,6 frente a 0,693 para base-emisor y 0,3 frente a 0,314 en colecto-emisor).
52 ELECTRÓNICA I
A.3. Desarrollo de la práctica

En esta sección se analizará en el laboratorio el circuito de la Fig. A.1, estudiado
teóricamente y mediante simulación en los apartados anteriores. Ası pues, una vez
montado se debe medir:
1. La ganancia de corriente en continua haciendo uso del polımetro.

2. La tensión base-emisor y la de colector–emisor.
3. La corriente de base y la corriente de colector.
4. ¿En qué zona trabaja el transistor? ¿Por qué?
Solución:
Antes del montaje es necesario conocer el patillaje del componente seleccionado (en
nuestro caso un 2N2222). El fabricante, a través de las hojas de caracterısticas, suminis
tra esa información tal y como aparece en la Fig. A.7. La pestaña nos indica el terminal
1 (emisor), a partir del cual empezamos a contar (2 para base y 3 para colector).
Figura A.7. Patillaje correspondiente al transistor 2N2222 obtenido a partir de sus hojas de caracterısti
cas.
Una vez tenemos clara la forma de conexión, tenemos que utilizar el polımetro
para obtener la β real del transistor. Podemos observar como el polımetro tiene un
cırculo de conexiones dividido en dos mitades (NPN y PNP). Una vez identificados los
terminales y seleccionado el modo de medición, sólo nos queda conectar el transistor
y apuntar el valor de la ganancia, tal y como muestra la Fig. A.8.
Tras esta medida inicial, procedemos al montaje del circuito según se muestra en
la Fig. A.9. Estas fotografıas muestran una posible disposición de componentes en la
Figura A.8. Detalle del encapsulado del transistor 2N2222 y medición del valor β con polımetro.
placa de inserción. Aunque existen múltiples posibilidades, la opción elegida permite

un mınimo cableado y evita dobleces en las patillas del transistor que, en la mayorıa
de los casos, pueden provocar interferencias y funcionamientos erróneos.
Figura A.9. Montaje en laboratorio del circuito de la Fig. A.1. Detalle de conexiones.
Para obtener las tensiones de base-emisor y de colector-emisor utilizaremos el polıme

tro y conectaremos, para facilitar el proceso, las sondas a los terminales de las resisten
cias que estén conectadas a los puntos de interés. De este modo, evitaremos conectar
directamente sobre las patillas del transistor, ya que el espacio disponible para ello es
muy limitado y las posibilidades de error muy elevadas. Los valores medios aparecen
en la Fig. A.10 y en la Fig. A.11. Para afianzar nuestra hipótesis de funcionamiento en
la zona de saturación, mediremos la tensión entre base y colector. Si, tal y como hemos
54 ELECTRÓNICA I
supuesto desde el principio, el transistor está en saturación la unión base y colector

debe estar polarizada en directa, tal y como se demuestra en la medición que aparece
en la Fig. A.12.
Figura A.10. Detalle de medición de tensión base-emisor en laboratorio.
Figura A.11. Detalle de medición de tensión colector-emisor en laboratorio.
A la vista de los resultados obtenidos podemos afirmar que, en principio, el tran

sistor parece funcionar en la zona de saturación. Las dos uniones están polarizadas en
directa (VBE ≥ 0,6v) y la tensión colector-emisor es muy bajo. En este último caso, los
valores obtenidos están por debajo de lo esperado pues el fabricante indica un valor
tıpico de VCEsat = 0,3vfrente a los 0,05v medidos en laboratorio.
La forma más cómoda de medir las corrientes es haciendo uso de la ley de Ohm.
Midiendo tensiones sobre las resistencias del circuito y teniendo en cuenta los valores
Figura A.12. Detalle de medición de tensión colector-base en laboratorio.
de las mismas podemos obtener fácilmente los valores de las corrientes. Para obtener
una mayor exactitud serıa conveniente medir con el óhmetro el valor real de las resis
tencias ya que la tolerancia del 10% puede influir en los cálculos finales. Aunque este
método supone una medida indirecta de la corriente, evita problemas en las conexio
nes de los polımetros como amperımetros (requieren una conexión en serie) y permite
medir corrientes de bajo valor (que con un fondo de escala como el de los polımetros
de uso general serıa complicado de obtener). De este modo, y atendiendo a los resulta
dos de las tensiones medidas que aparecen en Fig. A.13, Fig. A.14, Fig. A.15 y Fig. A.16,
los valores de corriente obtenidos aparecen en la Ec. A.15 y Ec. A.15.
IC = VRC/RC = 18,26/3,9k = 4,68mA (A.14)

IE = VRE/RE = 5,82/1,2k = 4,85mA (A.15)
Para obtener la corriente de base restamos los dos valores de corriente medidos (de
forma indirecta) en las resistencias de la red de autopolarización, tal y como muestra
Ec. A.17.
IB = IR1 − IR2 = (VR1 /R1) − (VR2 /R2 ) = (A.16)

IB = 17,64/39k − 1,51/4,7k = 0,45mA −0,32mA = 0,13mA (A.17)
Los resultados obtenidos son prácticamente iguales a los obtenidos en el aparta

do de desarrollo teórico y coinciden con la tendencia mostrada por la simulación en
PSpice. Llegados a este punto podemos afirmar que el transistor se encuentra funcio
nando en la zona de saturación ya que las dos uniones están polarizadas en directa, la
VCE ≤ 0,2v y la IC <βIB
56 ELECTRÓNICA I
Figura A.13. Detalle de medición de tensión en bornas de la resistencia de emisor en laboratorio.
Figura A.14. Detalle de medición de tensión en bornas de la resistencia de colector en laboratorio.

Figura A.15. Detalle de medición de tensión en bornas de la resistencia de 39k en laboratorio.
Figura A.16. Detalle de medición de tensión en bornas de la resistencia de 4.7k en laboratorio.

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Enseñanza práctica

Raúl Alcaraz Martınez, César Sánchez Meléndez

Edita: Servicio de Publicaciones de la Universidad de Castilla-La Mancha

2. Diodos Z´ener, Leds y Fotodiodos 13

4. Transistor Bipolar (I) 23

5. Transistor Bipolar (II) 29

A. Ejemplo de Resoluci´on de una Pr´actica 45

2.5. Modificación del modelo del diodozéner genérico incluido en la versión

3.2. Fuente de alimentaci´on sin regulador de tensi´on. . . . . . . . . . . . . . . 20

4.1. Circuito b´asico de polarizaci´on en un transistor NPN. . . . . . . . . . . . 25

4.3. Circuito polarizaci´on en un transistor NPN. . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

5.1. Circuito básico de polarización para la obtención de la caracterıstica de

5.2. Circuito básico de polarización para la comprobación de las zonas de

5.4. Funcionamiento de un transistor NPN como fuente de corriente. . . . . 34

6.1. Circuito b´asico de polarizaci´on en un transistor unipolar JFET canal N. . 37

A.1. Circuito de polarizaci´on de un transistor bipolar. . . . . . . . . . . . . . . 47

Obtener la curva que define el comportamiento de un diodo.

Montar y verificar el funcionamiento de una serie de circuitos b´asicos, tal como

1.1. C´alculos te´oricos

Antes de realizar las medidas pr´acticas en el laboratorio se deben resolver los si

Figura 1.1. Circuitos de polarizaci´on de un diodo.

3. En el circuito de la Fig. 1.1(a), calcular el valor de la corriente que circula a trav´es

5. Representar la corriente que circula por el dido en funci´on de la tensi´on de la

a) Su función de transferencia, es decir, la variación de la tensión de salida vs

Figura 1.2. Circuito recortador a dos niveles.

7. En el cirucito de la Fig. 1.3, el cual es un fijador de nivel:

Figura 1.3. Circuito fijador.

1.2. Simulaci´on en Pspice

1. Simule independientemente los circuitos de la Fig. 1.1, e indique el valor de ten

2. Simule el circuito de la Fig. 1.1(a) e indique el valor de la corriente que circula a

3. Simule el circuito de la Fig. 1.1(b), e indique el valor de la corriente que circula a

1.3. Desarrollo de la pr´actica

En esta sección se analizarán en el laboratorio los circuitos estudiados teóricamente

3. Para medir puntos de la caracterıstica tensi´on–corriente del diodo polarizado en

6. Realice el montaje de la Fig. 1.3 en el que la resistencia de carga ser´a el mismo os

Determinar experimentalmente la caracterıstica inversa de un diodo Z´ener.

Comprobar el funcionamiento de un estabilizador de tensi´on con un diodo Z´ener.

Averiguar la relaci´on entre la corriente y la intensidad de brillo de un diodo LED

Comprobar el funcionamiento de un optoacoplador.

2.1. C´alculos te´oricos

Antes de realizar las medidas pr´acticas en el laboratorio se deben resolver los si

1. En el circuito de la Fig.2.1, sabiendo que la tensi´on umbral del z´ener es de 12V,

Figura 2.1. Circuito con un diodo z´ener.

2. El circuito de la Fig. 2.2 es un estabilizador de tensi´on, Considerando que elz´ener

Figura 2.2. Circuito estabilizador.

Figura 2.3. Circuito con un LED.

4. El circuito de la Fig. 2.4 representa un montaje tıpico con un optoacoplador. Ex

Figura 2.4. Circuito con un optoacoplador.

2.2. Simulaci´on en Pspice

esquem´aticos realizados y las gr´aficas obtenidas con Pspice.

1. Simule el circuito de la Fig.2.1 y obtenga el valor de corriente que circula a trav´es

2. Eligiendo adecuadamente el an´alisis de simulaci´on obtener la caracterıstica ten

2.3. Desarrollo de la pr´actica

En esta sección se analizarán en el laboratorio los circuitos estudiados teóricamente

1. Se montar´a el circuito de la Fig.2.1 con la fuente de alimentaci´on ajustada a 0 V

que atraviesan al z´ener (integrado BZX55C12). Para no quemar el diodo se debe

2. Con el mismo montaje que en el punto anterior y ajustando nuevamente la ten

4. Se montar´a el circuito estabilizador de la Fig. 2.2 ajustando la fuente de alimen

5. Se montar´a el circuito de la Fig. 2.3 con la fuente de alimentaci´on ajustada a 0 V

Comprobar el funcionamiento de transformador reductor.

Analizar una etapa de rectificaci´on de onda completa.

Estudiar el efecto de filtrado producido por un condensador.

Analizar el funcionamiento de un estabilizador de tensi´on.