PSI 2223 – Introdução à Eletrônica

Programação para a Terceira Prova

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 17ª Aula:
O Transistor de Efeito de Campo

Ao final desta aula você deverá estar apto a:

-Contar um pouco da história do transistor de efeito de campo (FET)

-Explicar porque empregamos os nomes “MOSFET canal n” ou

“MOSFET canal p”

-Mostrar o princípio de funcionamento do FET tipo MOS

-Explicar o comportamento da corrente de dreno em um gráfico

corrente de dreno em função da tensão dreno-fonte

-Identificar as regiões triodo e de saturação, mostrando onde o

transistor MOSFET possui uma relação ôhmica entre ID e VDS

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 Transistores de Efeito de Campo
(FET – Field Effect Transistors)

•MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor)

•JFET (Junction)

•MESFET (MEtal-Semiconductor)

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 O Primeiro Transistor
O físico Julius Edgar Lilienfeld patenteou o
transistor em 1925, descrevendo um
dispositivo similar ao transistor de efeito de
campo (FET). No entanto, Lilienfeld não
publicou nenhum artigo científico sobre sua
descoberta nem a patente cita nenhum
dispositivo construído. Em 1934, o inventor
alemão Oskar Heil patenteou um dispositivo
similar.
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A patente do Primeiro Transistor (1925)

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A patente do Primeiro Transistor (1925)

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 Transistor NMOSFET
(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor, canal N,
tipo Enriquecimento)
IDS
D Porta
(G-Gate)
G Fonte Dreno
VDS (S-Source) Metal (D-Drain)
Óxido
VGS S N+ Sem. N+

Substrato
(B-Body)

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 Transistor NMOSFET
(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor, canal N,
tipo Enriquecimento)
VDS
IDS
Metal VGS W
IDS Óxido de porta
(condutor)
D (isolante)
G Porta xox
VDS

S N+ N+
VGS L
Fonte Dreno
P

Substrato (ou Corpo)

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 Transistor - NMOSFET

Porta
(G)
Alumínio

Fonte Dreno
(S) (D)

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 Lei de MOORE
(dobra a quantidade de transistores a cada 18 meses)
11
10
Memória 16G
10 64G
10 Microprocessador 4G
1G
9 256M
10 Cell
Transistores por circuito integrado

64M
10
8 Power5
16M Opteron 64
4M G4
7 Pentium IV
10 1M
10
6
256k Pentium
64k 80486
10
5 16k 68040
4k
4 1k 68000
10 8086
3 8080
10
1970 1980 1990 2000 2010
ANO
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 Transistor NMOSFET

Fonte Porta (VGS)

Metal Dreno (VDS)

Isolante

y
N N
x P

L
Substrato (VB)

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 Transistor NMOSFET : Região de Corte
Fonte Porta (VGS)
Metal Dreno (VDS )
Isolante

N N
P

L
Substrato (VB)

1: Se a Fonte e o Substrato estiverem aterrados, não haverá corrente na

junção Fonte-Substrato.
2: Se a tensão aplicada no dreno for positiva, a junção dreno-substrato
estará reversamente polarizada, e portanto não haverá corrente
significativa nestes terminais.
3: A porta é isolada do substrato.

 Nesta condição não haverá corrente fluindo em nenhum dos terminais.

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Lei de MOORE

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 O Transistor FET moderno
 ox
1 W
I D   Cox (VG  Vt ) 2 Cox 
2 L tox
FET tecnologia 65nm

Lporta = 35 nm
tox = 1.2 nm
n = Silício tensionado de 2ª geração
Ron = NiSi para baixa resistência parasita

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 Transistores de Efeito de Campo
(FET – Field Effect Transistors)

•MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor)

•JFET (Junction)

•MESFET (MEtal-Semiconductor)

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 Transistor NMOSFET
(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect
Transistor, canal N, tipo Enriquecimento)
IDS
D Porta
(G-Gate)
G Fonte Dreno
VDS (S-Source) Metal (D-Drain)
Óxido
VGS S N+ Sem. N+

Substrato
(B-Body)

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 Transistor NMOSFET

Fonte Porta (VGS)

Metal Dreno (VDS)

Isolante

x
N N
y P

L
Substrato (VB)

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 Transistor NMOSFET : Região de Corte
Fonte Porta (VGS)
Metal Dreno (VDS )
Isolante

N N
P

L
Substrato (VB)

1: Se a Fonte e o Substrato estiverem aterrados, não haverá corrente na

junção Fonte-Substrato.
2: Se a tensão aplicada no dreno for positiva, a junção dreno-substrato
estará reversamente polarizada, e portanto não haverá corrente
significativa nestes terminais.
3: A porta é isolada do substrato.

 Nesta condição não haverá corrente fluindo em nenhum dos terminais.

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 Transistor NMOSFET : VGS > Vt (tensão de limiar)
Porta (VGS )
Fonte Dreno (V DS )
Metal
Isolante

N Região de depleção N
canal invertido
(eletrons)
P Substrato (V B )

1: Quando a tensão aplicada na porta (VGS) for acima da tensão de

limiar (Vt – Threshold voltage), será formada uma camada de inversão
composta de eletrons.
2: Uma região tipo N, chamada de canal de inversão, conecta as regiões
de fonte e dreno.

 Nesta condição uma corrente fluirá do dreno para a fonte.

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 Aplicando um pequeno valor de VDS
(comportamento  resistivo)

N N
P

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 A operação
com o Aumento N N
de VDS P
Figura 5.5

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