UNIVERSIDAD TÉCNICA DE ESMERALDAS

“LUIS VARGAS TORRES”

FACULTAD DE INGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS

CARRERA DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

CICLO:

SÉPTIMO
TRANSISTORES DE POTENCIA
INTEGRANTES:
LUCAS OBREGON CRISTHIAN
SALAZAR CHILA JOHAN
SOLÓRZANO MEDRANDA LIZ
VERA SAAVEDRA VIVIANA
DOCENTE:

MSc. JORGE SALAZAR

MATERIA:

ELECTRÓNICA DE POTENCIA

ESMERALDAS – ECUADOR
 INTRODUCCIÓN

Los transistores de potencia tienen características controladas de activación y desactivación.

Los transistores que se utilizan como elementos conmutadores, se operan en la región de
saturación, lo que da como resultado en una caída de voltaje baja en estado activo. La
velocidad de conmutación de los transistores modernos es mucho mayor que la de los
tiristores, por lo que se utilizan en forma amplia en convertidores de ca-cd y de cd-ca, con
diodos conectados en paralelo inverso para proporcionar un flujo de corriente bidireccional.
Sin embargo, las especificaciones de voltaje y de corriente son menores que las de los
tiristores y por lo que, los transistores se utilizan, por lo general, en aplicaciones de baja a
media potencia.

Los transistores de potencia se pueden clasificar de manera general en cuatro categorías:

1. Transistores bipolares de juntura (BJT)

2. Transistores semiconductores de metal de óxido de efecto de campo (MOSFET)

3. Transistores de inducción estática (SIT)

4. Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT)

A fin de explicar las técnicas de conversión de potencia, los BJT s o MOSFET. SIT o IGBT
se pueden tratar como interruptores ideales. Un transistor interruptor es mucho más simple
que un tiristor interruptor dc conmutación forzada. Sin embargo, en los circuitos dc
convertidores no es obvia la elección entre un BIT y un MOSFET, ya que cualquiera de ellos
puede reemplazar a un tiristor, siempre que su especificación de voltaje y de corriente cumpla
con los requisitos de salida del convertidor. Los transistores reales difieren de los dispositivos
ideales. Los transistores tienen ciertas limitaciones estando restringidos a algunas
aplicaciones. Las características y especificaciones de cada uno de estos tipos deberán
examinarse para determinar su adecuación a una aplicación en particular.
 TRANSISTORES DE POTENCIA

El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los

transistores normales, teniendo como características especiales las altas tensiones e
intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.

Existen cuatro tipos de transistores de potencia:

1. TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)

Un transistor bipolar se forma añadiendo una segunda región p o n a un diodo de unión pn.
Con dos regiones n y una región p, se forman dos uniones conociéndose como un transistor
NPN, tal y como se muestra en la figura 1a. Con dos regiones p y una región n, se conoce
como un transistor PNP, tal y como se muestra en la figura 1b. Las tres terminales se llaman
colector, emisor y base. Un transistor bipolar tiene dos uniones, la unión colector base (CBJ)
y la unión base emisor (BEJ).

Figura 1: Transistores bipolares

CARACTERÍSTICAS EN RÉGIMEN PERMANENTE

En un transistor existen tres regiones de operación: de corte, activa y de saturación. En la

región de corte, el transistor está desactivado o la corriente de base no es suficiente para
activarlo teniendo ambas uniones polarización inversa. En la región activa, el transistor actúa
como un amplificador, donde la corriente del colector queda amplificada mediante una
ganancia y el voltaje colector-emisor disminuye con la corriente de la base. La unión
colectora base tiene polarización inversa, y la base emisor polarización directa. En la región
de saturación, la corriente de base es lo suficientemente alta para que el voltaje colector—
emisor sea bajo, y el transistor actúa corno interruptor. Ambas uniones (CBJ y BEJ) tienen
polarización directa. La característica de transferencia, que es una gráfica de Vce en función
de Ib aparece en la figura 2.

Figura 2: Características de transferencia

2. TRANSISTOR MOSFET

Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, que requiere sólo de una
pequeña corriente de entrada. La velocidad de conmutación es muy alta siendo los tiempos
de conmutación del orden de los nanosegundos. Los MOSFET de potencia están encontrando
cada vez más aplicaciones en los convertidores de alta frecuencia y baja potencia. Los
MOSFET no tienen los problemas de los fenómenos de ruptura secundaria que tienen los
BIT. Sin embargo, los MOSFET tienen problemas de descargas electrostáticas, por lo que su
manejo requiere de cuidados especiales. Además, es relativamente difícil protegerlos bajo
condiciones de falla por corto circuito.

CARACTERISTICAS DE ESTADO PERMANENTE

Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje y tienen una impedancia de entrada
muy alta. La compuerta toma una corriente de fuga muy pequeña, del orden de los
nanoamperios. La ganancia de corriente, que es la relación entre la corriente de drenaje ID y
la corriente de compuerta IG suele ser del orden de 10 a la 9na potencia. Sin embargo, la
ganancia de corriente no es un parámetro importante. La transconductancia, que es la relación
de la corriente de drenaje al voltaje de compuerta, define a las características de transferencia,
y es un parámetro muy importante. En la figura 3 se muestran las características de
transferencia de MOSFET de canal n y de canal p.
 Figura 3: Características de transferencia de los MOSFET

3. TRANSISTORES DE INDUCCIÓN ESTÁTICA (SIT)

El SIT es un dispositivo portador minoritario en el que el flujo de electrones de la fuente al

drenaje es controlado por un potencial de barrera en el semiconductor de dos dimensiones
con forma de silla de montar entre las compuertas metálicas. En consecuencia, el SIT tiene
una baja resistencia en estado activo así como una baja caída de potencial, y se puede fabricar
con especificaciones de voltaje y de corriente muy altas. En la figura 4 se puede observar la
sección trasversal de un SIT donde los electrones fluyen de la fuente al drenaje a través de
un "punto ensillado" de potencia electrostática entre los electrodos de compuerta.

Figura 4: Sección transversal de un transistor de unión estática (SIT)

CARACTERISTICAS DE FUNCIONAMIENTO

Las características de un SIT son similares a las de un MOSFET. Por lo general, un SIT es
activado al aplicarse un voltaje positivo de compuerta, como los tiristores normales, y se
desactiva al aplicarse un voltaje negativo a su compuerta. Las características experimentales
estáticas son más pequeñas en el SIT. El SIT tiene velocidades de conmutación muy rápidas
y capacidades altas de dv/dt y di/dt. El tiempo de conmutación es del orden de 1 a 6
microsegundos. La especificación de voltaje puede alcanzar hasta 2500 V y la de corriente
está limitada a 500 A.

4. TRANSISTORES BIPOLARES DE COMPUERTA AISLADA (IGBT)

Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de control

de puerta es de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando
una señal eléctrica de entrada muy débil en la puerta.

CARACTERISTICAS
 El IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 20 kHz y a sustituido
al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energías
como fuente conmutada, control de la tracción en motores y cocina de inducción.
Grandes módulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo
que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de
bloqueo de 6.000voltios.
 Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington híbrido. Tiene la capacidad
de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para
mantenerse en conducción. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutacion de
la base pueden ser igualmente altas. En aplicaciones de electrónica de potencia es
intermedio entre los tiristores y los MOSFET. Maneja más potencia que los segundos
siendo más lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros.
CONEXIONES
Existen cuatro condiciones de polarización posibles. Dependiendo del sentido o signo de los voltajes
de polarización en cada una de las uniones del transistor pueden ser:

Figura 5: Modos de trabajo del transistor

 Región activa directa: Corresponde a una polarización directa de la unión emisor -

base y a una polarización inversa de la unión colector - base. Esta es la región de
operación normal del transistor para amplificación.

 Región activa inversa: Corresponde a una polarización inversa de la unión emisor -

base y a una polarización directa de la unión colector - base. Esta región es usada
raramente.

 Región de corte: Corresponde a una polarización inversa de ambas uniones. La

operación en ésta región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo
apagado, pues el transistor actúa como un interruptor abierto (IC 0).

 Región de saturación: Corresponde a una polarización directa de ambas uniones. La

operación en esta región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo
encendido, pues el transistor actúa como un interruptor cerrado (VCE 0).
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
La función de este circuito es eliminar uno de los dos semiciclos de una señal alterna
senoidal, proveniente del secundario del transformador. El componente electrónico que se
usa para este fin es el diodo, que tiene la propiedad de conducir en un solo sentido.

Figura 6: Esquema y formas de onda de un rectificador

R1 carga o elemento al que vamos a alimentar con la tensión rectificada.

Vsec, tensión de entrada al rectificador (V secundario).

Aplicamos una onda senoidal a la entrada (transformador reductor). En el semiciclo positivo

el diodo queda polarizado directamente y se comporta prácticamente como un interruptor
cerrado (excepto los 0.6V de la barrera de potencial).

Esto hace que por el circuito circule una corriente cuya forma de onda está representada en
la siguiente figura.

Figura 7: Forma de onda de la corriente para el semiciclo positivo

En el semiciclo negativo, es diodo se polariza inversamente (ánodo más negativo que el

cátodo), comportándose como un interruptor abierto. No existe corriente por el circuito y en
la resistencia de carga R1 no hay caída de tensión, esto supone que toda la tensión de entrada
estará en extremos del diodo como se ve en la siguiente figura.
 Figura 8: Forma de onda para el semiciclo negativo

PROTECCIÓN ASOCIACIÓN Y REFRIGERACIÓN DE SEMICONDUCTORES

PROTECCIÓN PARA SEMICONDUCTORES

Los semiconductores presentan unos límites muy estrictos en cuanto a valores máximos de
tensión corriente y potencia soportadas, que si son superados podrían provocar la destrucción
del dispositivo. Cuando se diseña un circuito se ha de poner especial cuidado en que sus
componentes puedan resistir las condiciones de trabajo más desfavorables que tengan lugar,
tanto durante su funcionamiento normal como ante determinadas acciones ajenas a la propia
operación normal del circuito (sobretensiones espúreas, cortocircuitos externos, etc.).

Los circuitos de ayuda a la conmutación conocidos comúnmente como “snubber” son una
parte esencial en muchos de los circuitos electrónicos de potencia. Básicamente podemos
considerarlos como un conjunto de componentes (pasivos y/o activos) que se incorporan al
circuito de potencia para reducir en el dispositivo semiconductor el estrés eléctrico durante
las conmutaciones y asegurar un régimen de trabajo seguro.

La función principal que desarrollan los circuitos de ayuda a la conmutación es absorber la

energía procedente de los elementos reactivos del circuito durante el proceso de conmutación
controlando parámetros tales como la evolución de la tensión o corriente en el interruptor, o
bien limitando los valores máximos de tensión que ha de soportar. Se incrementa de esta
forma la fiabilidad de los semiconductores al reducirse la degradación que sufren debido a
los aumentos de potencia disipada y de la temperatura de la unión.

Por ejemplo, si la temperatura de la unión se duplica en un MOSFET, la resistencia de

conducción puede llegar a crecer un 50%, aumentando considerablemente las pérdidas en
conducción con el consiguiente deterioro del dispositivo. La tasa de averías puede aumentar
en más de 100 veces a causa del incremento en la temperatura de la unión Tj.
Cuando se diseña una red de protección adecuadamente el interruptor tendrá que disipar
menores picos de potencia, tensión y corriente, todo ello a costa de incrementar la circuitería
y la complejidad del circuito.

ASOCIACIÓN DE SEMICONDUCTORES

Cuanclo las exigencies de tension de un circuito de Electronica de Potencia exceden las

posibilidades de los semiconductores individuales comercialmente disponibles, es necesario
recurrir a Ia conexiOn en serie de los componentes. Si se exceden las posibilidades de inten-
sided, hay que recurrir a Ia conexion en paralelo. Mediante este sistema es posible realizar
instalaciones que manejen algunos cientos de miles de voltios y varias decenas de miles de
amperios, como es el caso de las estaciones convertidoras pars transmisiOn de energia elec-
trice por lineas de alta tension en corriente continua.

Desgraciadamente las tolerancias inevitables en las caracteristicas electricas de semicon-

ductores de un mismo tipo hacen necesario tomar precauciones especiales pan asegurar un
buen reparto de tension o intensidad en los semiconductores, de forma que no se excedan sus
limites de trabajo.

Conexión serie de transistores bipolares. Excitación

La problemática de la conexión en serie de transistores bipolares no es muy diferente de la

vista en los FET. Es valida la ecualización estática mediante resistencias en paralelo y la
dinámica mediante redes RC en paralelo. La excitación de transistores bipolares en serie se
ve dificultada respecto de las soluciones vistas para los FET por el hecho de que la intensidad
que necesitan es mayor. Por ello, tras la aparición de los IGBT suele evitarse la utilización
de transistores bipolares en serie y solucionar esta necesidad mediante IGBT, más fáciles de
excitar.

Conexión paralelo de transistores bipolares. Excitación

Los transistores bipolares, equivalen en saturación a un diodo, en cuanto al circuito base-

emisor, y a una resistencia en cuanto al circuito colector-emisor. Por tanto, cuando se
conectan en paralelo, la ecualización de las corrientes de base es un problema similar al de
los diodos de potencia en paralelo, y a ecualización de las corrientes de emisor se parece a la
vista en los transistores FET de potencia, que también equivalen a resistencias cuando se
hallan saturados. Como la meta es la ecualización de las corrientes de emisor (y por tanto las
de colector, pues las de base son muy pequeñas relativamente), las acciones tomadas sobre
los circuitos de base deben evaluarse por su influencia sobre los emisores.

REFRIGERACIÓN DE SEMICONDUCTORES

La refrigeración adecuada de los semiconductores de potencia es fundamental para su

correcta aplicación, y su estudio se hace más crítico al aumentar las potencias manejadas.

Un diseño electrónico de potencia excelente puede malograrse si al implementarlo la

temperatura alcanzada por las pastillas semiconductoras es excesiva, pudiendose llegar a la
destrucción de las mismas. Para evitarlo los semiconductores se montan sobre disipadores
encargados de evacuar el calor generado en ellos.

Cuando por un semiconductor circula una corriente se producen perdidas do energia en forma
de calor cuya cuantía depende del componente en cuestión y de las condiciones de
funcionamiento. Por tanto, el primer paso en el diseño de la refrigeración de un
semiconductor de potencia será el cálculo de dichas perdidas.
BIBLIOGRAFÍA

 https://riverraid17.files.wordpress.com/2010/03/electronica-de-potencia-rashid-
espanol.pdf
 http://dispositivoselectronicadepotencia.blogspot.com/2012/03/transistores-de-
potencia.html
 https://es.calameo.com/read/00037915627fb5c252b97
 https://www.uv.es/marinjl/electro/transistores.html?fbclid=IwAR25jFnVZPAC3Uzz
6zMh9tgXbkeMFeofcr82bD
 https://mantenimientoiia.wordpress.com/2016/03/11/rectificadores-de-media-onda-
y-onda-completa/
 Electrónica de potencia: componentes, topologías y equipos

Por Salvador Martínez García, Juan Andrés Gualda Gil