TALLER N O 2 DE F ÍSICA DE S EMICONDUCTORES

1. (3.5 puntos). Experimentalmente se han tomado los siguientes datos de capacitancia C J en función del voltaje
inverso VR .
X Y1 Y2 X2 Y12 Y22 XY1 XY2
VR
VR [V ] C J [ pF ] log[1 + Vbi ] log[C J ] log[C J − 1,05]
0,0 4,45
1,0 3,59
2,0 3,21
3,0 2,98
4,0 2,82
5,0 2,70
6,0 2,61
7,0 2,54
8,0 2,47
9,0 2,42
10,0 2,37
ΣX ΣY1 ΣY2 ΣX 2 ΣY12 ΣY22 ΣXY1 ΣXY2
Se quiere establecer a cuál de los siguientes modelos se ajustan mejor los datos:

C J1 (0) C J2 (0)
C J1 = VR K1
C J2 = VR K2
+ Cp ,
[1 + Vbi ] [1 + Vbi ]

donde Vbi = 0, 9 V y C p = 1,05 pF. Para esto se linealiza tomando logaritmo en los dos lados de cada ecuación
T RATAMIENTO DE LOS DATOS Y PROCEDIMIENTO
Con los datos linealizados obtenga la ecuación de la recta de la forma Y = a + bX y R a partir de

Σx2 Σy − ΣxΣxy nΣxy − ΣxΣy nΣxy − ΣxΣy

a= b= y R=r= p ,
nΣx2 − (Σx )2 nΣx2 − (Σx )2 (nΣx2 − (Σx )2 )(nΣy2 − (Σy)2 )

donde n es el número de parejas ordenadas. De la regresión lineal se deduce que: log[C J1 ] = log[C J1 (0)] − K1 log[1 +
VR VR
Vbi ] para el primer modelo y log [C J2 − C p ] = log [C J2 (0)] − K2 log [1 + Vbi ] para el segundo modelo. Establezca los
valores de C J1 (0), K1 , C J2 (0) y K2 .
Para establecer cuál de los dos modelos es mejor realice la siguiente tabla:
VR [V ] C J [ pF ] C J1 C J2 kC J − C J1 k/C J kC J − C J2 k/C J
0,0 4,45
1,0 3,59
... ... ... ... ... etc.
Por ultimo, si K = 1/(m + 2), determine el valor de m para cada modelo.
2. (1.5 puntos). Un diodo de silicio tiene NA = 5 ∗ 1015 cm−3 y ND = 1017 cm−3 . (ni = 1, 5 ∗ 1010 cm−3 , T = 300K,
A = 0, 002 cm−2 y e = er e0 = 11, 4e0 )
i. Dibuje el diagrama de bandas
ii. Calcule el potencial de contacto Vbi
iii. Complete la siguiente tabla:
VR [V ] C J [ pF ] W [µm] xn [µm] x p [µm]
0,0
1,0
5,0

Profesor Hugo Aya

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