RELACIÓN ENTRE ESTRUCTURA ELECTRÓNICA Y CONDUCTIVIDAD ELÉCTRICA DE

SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS Y EXTRÍNSECO

La superposición de un gran número de orbitales atómicos en un sólido resulta en una gran número
de orbitales moleculares que están estrechamente espaciados entre sí, formando una banda casi
continua de niveles de energía. Las bandas se encuentran separadas por espacios, conocidos como
anchos de banda prohíba, que son valores de energía para los cuales no hay orbital molecular.

La formación de las bandas puede entenderé bajo la consideración de una línea de átomos,
suponiendo que cada uno de los átomos cuenta con un orbital s que se superpone con el orbital s
de su vecino inmediato. Cuando las líneas consisten de solo dos átomos, se produce un orbital
molecular de enlace y otro de antienlace. Cuando se agrega un tercer átomo, se producen tres
orbitales moleculares. El orbital central del arreglo es de antienlace y los otros dos son de baja y alta
energía respectivamente. Conforme más átomos son agregados, cada uno contribuye con un orbital
atómico, por ende formando otro orbital molecular. Cuando se tienen N número de átomos en la
línea, existen N orbitales moleculares. El orbital de más baja energía no cuenta nodos (región donde
la función de onda del electrón vale cero) entre átomos vecinos, mientras que el orbital de más alta
energía tiene un nodo por cada par de átomos vecinos. Los orbitales resultantes tienen
sucesivamente 1, 2,… nodos intermoleculares y un rango correspondiente de energías entre los dos
extremos.

El ancho total de la banda, el cual permanece finito inclusive cuando N se aproxima al infinito,
depende de la fuerza de interacción entre los átomos vecinos. Entre mayor sea la fuerza de
interacción (en términos generales, mayor el grado de superposición entre vecinos), mayor la
energía de separación entre los orbitales de no-nodos y los orbitales de muchos nodos. Sin embargo,
sea cual sea el número de orbitales atómicos utilizados para formar los orbitales moleculares, existe
un rango finito de energías de orbitales. Esto resulta en que la separación en energía entre orbitales
vecinos debe acercarse a cero cuando N se aproxima al infinito, de otro modo el rango de energías
de orbital no podrían ser finitos. O sea, una banda cosiste de un número contable pero casi continuo
de niveles de energía.
El principal factor para diferenciar la conductividad eléctrica de un semiconductor de un conductor
metálico es la temperatura: En un conductor metálico, la conductividad se reduce cuando se
presenta un incremento en la temperatura, por el contrario, en un semiconductor, la conductividad
aumenta con el incremento de la temperatura.

TIPOS Y CARACTERÍSTICAS FÍSICAS Y ELÉCTRICAS DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES

Comúnmente, los semiconductores son usualmente definidos de manera general como un material
con un valor de resistividad eléctrica dentro del rango de los 10-2 – 109 Ωcm1. De manera alterna,
puede ser definido como un material cuyo ancho de banda cae entre 0 a 4 electrón-volts (eV). Los
materiales con un calor de ancho de banda prohibida de cero son los metales o semimetales,
mientras que aquellos con un ancho de banda prohibida más grande que 3 eV son comúnmente
conocidos como aislantes. Hay excepciones a estas definiciones. Por ejemplo, términos como
diamante semiconductor (cuyo valor de ancho de banda es alrededor de 6 eV) y el semi-aislante
GaAs (con un valor de ancho de banda de 1.5 eV) son usados frecuentemente. El GaN es un
semiconductor con un ancho de banda de 3.5 eV.

Los semiconductores se presentan en diferentes composiciones química con una gran variedad de
estructuras cristalinas. Pueden ser semiconductores elementales o intrínsecos, como el Si, carbono
en la forma de C60 o nanotubos de Se, o compuestos binarios como el arseniuro de galio (GaAs).
Muchos compuestos orgánicos, p. ej. El poliacetiléno (CH)n, son semiconductores. Algunos
semiconductores presentan comportamiento magnético (Cd1-xMnxTe) o ferroeléctrico (SbSI).

Además de los ejemplos anteriores, diferentes tipos de compuestos presentan propiedades

semiconductoras, por ejemplo: varios óxidos (CuO, Cu2O, ZnO, etc.), semiconductores en capas
(PbI2, MoS2, GaSe), orgánicos, y magnéticos.
 Elemento o compuesto Estructura cristalina

Silicio

FCC Los números indican la altura

átomos

Estaño

Sulfuro de Molibdeno
MoS2

Fullereno y otras moléculas

esféricas

ESTRUCTURA ATÓMICA DE SEMICONDUCTORES ELEMENTALES: SILICIO, GERMANIO Y DOPANTES;

BORO, GALIO, FÓSFORO

El semiconductor más conocido es el Si, sin embargo, existen otros elementos que son considerados
semiconductores intrínsecos, por ejemplo el Ge. Las estructuras cristalinas del Si y el Ge son la
misma que la del diamante y el estaño-α (semiconductor de ancho cero conocido como estaño gris).
En este tipo de estructura, cada átomo está rodeado por cuatro átomos vecinos cercanos (cada
átomo se dice que tiene un número coordinación de 4), formando un tetraedro. Algunos
semiconductores de los grupos V y VI de la tabla periódica (P, S, Se y Te) también son
semiconductores. Los átomos de estos cristales pueden tener un número de coordinación de 3 (P),
2 (S, Se, Te), o de 4. Como resultado, estos elementos pueden existir en varios tipos de estructuras
cristalinas y también son buenos formadores de estructuras vítreas.

Sin embargo, es posible adicionar elementos que cuenten con un número distinto de electrones de
valencia a la estructura del material, por lo que se generaría un desequilibrio en la cantidad de
enlaces, y por ende de electrones libres o desapareados. Por ejemplo, al sustituir un átomo de B por
uno de Si, se crean “estados aceptores”, pues el boro tiene solamente 3 electrones de valencia en
lugar de los 4 del Si, por lo que el átomo de B sería una impureza negativamente cargada y un hueco
quedaría libre para moverse en la banda de valencia, generando un semiconductor tipo P. Otro
ejemplo de esta situación es cuando se sustituye un átomo de Si por uno de Ga. Por otro lado, si se
sustituyera un átomo de Si por uno de P, cuatro de los 5 electrones de valencia del P se enlazarían
a los átomos adyacentes de Si. El quinto que quedaría desapareado (sin formar enlace) estando
justo por debajo de la banda de conducción, generando así “estados donantes”.

Uno de los elementos que suele estar presente como impureza en la fabricación de
semiconductores a base de Si, es el C, el cual se incorpora comúnmente cuando cristaliza a partir de
la fundición de Si (método Czochralski). El C no suele generar estados donantes ni aceptores, sin
embargo es indeseable su presencia, pues tiene a promover la formación de defectos puntuales
intrínsecos.

CARACTERÍSTICAS BÁSICAS DE LOS SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS

Un semiconductor intrínseco, es aquel semiconductor que su ancho de banda prohibida es tan

pequeño que la energía el movimiento térmico resulta suficiente para promover electrones de la
banda de valencia a la banda de conducción. Esta promoción genera huecos positivos en la banda
de valencia. Generalmente un semiconductor a temperatura ambiente tiene una conductividad
mucho menor que un conductor metálico debido a que solo pocos electrones y huecos actúan como
portadores de carga.

CARÁCTERÍSTICAS BÁSICAS DE SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS

Un semiconductor es aquel que depende de la presencia de impurezas intencionalmente agregadas

(dopantes). El número de portadores electrónicos puede ser incrementado si se introducen átomo
con más electrones que los de la matriz (material anfitrión o de mayor proporción). Alterativamente,
el introducir átomos con menos electrones que los del material anfitrión, se incrementa la cantidad
de estados aceptores, lo que ayuda a la recepción de electrones térmicamente excitados
provenientes de los átomos anfitriones.

COMPORTAMIENTO DE LOS SEMICONDUCTORES TIPO N Y P

De manera general para el Si, los elementos del grupo VB actúan como impurezas donantes ya que
estos contribuyen a la adición de electrones a la banda de conducción. Por otro lado, los elementos
del grupo IIIB actúan como impurezas aceptoras, ya que estas pueden atrapar electrones de la
banda de valencia y, por lo tanto, generar huecos adicionales.

Este ejemple de dopaje puede ser aplicado en una amplia gama de semiconductores, en donde se
agregar impurezas que aumenten la concentración de portadores de carga, ya sean electrones o
huecos.

Convenientemente, un cristal semiconductor al cual se le ha agregado una cantidad controlada de

impurezas donantes, se dice que es un semiconductor tipo-n, ya que su conductividad eléctrica es
el resultado de un exceso en la concentración de portadores de carga negativa (electrones en la
banda de conducción). Por el contrario, un cristal semiconductor al cual se le ha agregado una
cantidad controlada de impurezas aceptoras, se duce que es un semiconductor tipo-p, pues su
conductividad eléctrica es el resultado de un exceso en la concentración de portadores de carga
positiva (huecos en la banda de valencia).
En el estado intrínseco, el número de electrones libres en Ge o Si se debe sólo a los electrones en la
banda de valencia que adquirieron suficiente energía de fuentes térmicas o luminosas para romper
la banda covalente o a las impurezas que no pudieron ser eliminadas. Los vacíos que quedan en la
estructura de enlace covalente representan una fuente muy limitada de huecos. En un material tipo
n, el número de huecos no cambia significativamente con respecto a este nivel intrínseco. El
resultado neto, por consiguiente, es que el número de electrones sobrepasa por mucho al de
huecos. Por eso:

En el material tipo p el número de huecos excede por mucho al de electrones. Por consiguiente:

En un material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y el electrón el minoritario. Cuando el

quinto electrón de un átomo donador abandona el átomo padre, el átomo que queda adquiere una
carga positiva neta: de ahí el signo más en la representación de ión donador. Por las mismas razones,
el signo menos aparece en el ión aceptor.

COMPORTAMIENTO DE LA UNIÓN PN

Una unión PN, o diodo semiconductor, se crea uniendo un material tipo n a un material tipo p; sólo
la unión de un material con un portador mayoritario de electrones a uno con un portador
mayoritario de huecos.
En el momento en que los dos materiales se “unen”, los electrones y los huecos en la región de la
unión se combinan y provocan una carencia de portadores libres en la región próxima a la unión.
Las únicas partículas mostradas en esta región son los iones positivos y negativos que quedan una
vez que los portadores libres han sido absorbidos.

Esta región de iones positivos y negativos revelados se llama región de “empobrecimiento”, debido
a la disminución de portadores libres en la región. Si se conectan cables conductores a los extremos
de cada material, se produce un dispositivo de dos terminales, como se muestra en las figuras 1.12a
y 1.12b. Se dispone entonces de tres opciones: sin polarización, polarización en directa y
polarización en inversa. El término polarización se refiere a la aplicación de un voltaje externo a
través de las dos terminales del dispositivo para extraer una respuesta. La condición mostrada en
las figuras 1.12a y la 1.12b es la situación sin polarización porque no hay ningún voltaje externo
aplicado. Es un diodo con dos cables conductores que yace aislado sobre un banco de laboratorio.
En la figura 1.12b se proporciona el símbolo de un diodo semiconductor para mostrar su
correspondencia con la unión p-n. En cada figura es evidente que el voltaje aplicado es de 0 V (sin
polarización) y la corriente resultante es de 0 A, casi como un resistor aislado. La ausencia de voltaje
a través de un resistor produce una corriente cero a través de él. Incluso en este punto inicial del
análisis es importante señalar la polaridad del voltaje a través del diodo en la figura 1.12b y la
dirección dada a la corriente. Esas polaridades serán reconocidas como las polaridades definidas del
diodo semiconductor. Si se aplica un voltaje a través del diodo cuya polaridad a través de él sea la
mostrada en la figura 1.12b, se considerará que el voltaje es positivo. A la inversa, el voltaje es
negativo. Los mismos estándares se pueden aplicar a la dirección definida de la corriente en la figura
1.12b.

Los portadores mayoritarios (electrones) del material tipo n deben vencer las fuerzas de atracción
de la capa de iones positivos en el material tipo n y el escudo de iones negativos en el material tipo
p para que emigren al área más allá de la región de empobrecimiento del material tipo p. Sin
embargo, el número de portadores mayoritarios es tan grande en el material tipo n que
invariablemente habrá un menor número de portadores mayoritarios con suficiente energía cinética
para que atraviesen la región de empobrecimiento hacia el material p. De nueva cuenta, se puede
aplicar el mismo tipo de planteamiento a los portadores mayoritarios (huecos) del material tipo p.
El flujo resultante producido por los portadores mayoritarios se muestra en la parte inferior de la
figura 1.12c.

Sin ninguna polarización aplicada a través de un diodo semiconductor, el flujo neto de carga en una
dirección es cero.

Si se aplica un potencial externo de V volts a través de la unión p-n con la terminal positiva conectada
al material tipo n y la negativa conectada al material tipo p como se muestra en la figura 1.13, el
número de iones positivos revelados en la región de empobrecimiento del material tipo n se
incrementará por la gran cantidad de electrones libres atraídos por el potencial positivo del voltaje
aplicado. Por las mismas razones, el número de iones negativos no revelados se incrementará en el
material tipo p. El efecto neto, por consiguiente, es una mayor apertura de la región de
empobrecimiento, la cual crea una barrera demasiado grande para que los portadores mayoritarios
la puedan superar, por lo que el flujo de portadores mayoritarios se reduce efectivamente a cero,
como se muestra en la figura 1.13a.

Sin embargo, el número de portadores minoritarios que entran a la región de empobrecimiento no

cambia, y se producen vectores de flujo de portadores minoritarios de la misma magnitud indicada
en la figura 1.12c sin voltaje aplicado. La corriente en condiciones de polarización en inversa se llama
corriente de saturación en inversa y está representada por Is.

La condición de polarización en directa o “encendido” se establece aplicando el potencial positivo

al material tipo p y el potencial negativo al tipo n como se muestra en la figura 1.14.
La aplicación de un potencial de polarización en directa VD “presionará” a los electrones en el
material tipo n y a los huecos en el material tipo p para que se recombinen con los iones próximos
al límite y reducirá el ancho de la región de empobrecimiento como se muestra en la figura 1.14a.

El flujo de portadores minoritarios de electrones resultante del material tipo p al material tipo n (y
de huecos del material tipo n al tipo p) no cambia de magnitud (puesto que el nivel de conducción
es controlado principalmente por el número limitado de impurezas en el material), aunque la
reducción del ancho de la región de empobrecimiento produjo un intenso flujo de portadores
mayoritarios a través de la unión. Un electrón del material tipo p ahora “ve” una barrera reducida
en la unión debido a la región de empobrecimiento reducida y a una fuerte atracción del potencial
positivo aplicado al material tipo p. En cuanto se incrementa la magnitud de la polarización aplicada,
el ancho de la región de empobrecimiento continuará reduciéndose hasta que un flujo de electrones
pueda atravesar la unión, lo que produce un crecimiento exponencial de la corriente como se
muestra en la región de polarización en directa de las características de la figura 1.15.
El análisis realizado hasta ahora ha utilizado únicamente Si como material semiconductor base. En
la figura 1.18 aparece una gráfica que compara las características de diodos de Si, GaAs y Ge
comerciales. De inmediato es obvio que el punto de levantamiento vertical de las características es
diferente para cada material, aunque la forma general de cada una es muy semejante. El germanio
es el más cercano al eje vertical y el GaAs es el más distante. Como se observa en las curvas, el
centro de la rodilla de la curva está aproximadamente en 0.3 V para Ge, 0.7 V para Si y 1.2 V para
GaAs.
La temperatura puede tener un marcado efecto en las características de un diodo semiconductor
como lo demuestran las características de un diodo de silicio mostradas en la figura 1.19:

En la región de polarización en directa las características de un diodo de silicio se desplazan a la

izquierda a razón de 2.5 mV por grado centígrado de incremento de temperatura.
Un incremento desde la temperatura ambiente (20°C) hasta 100 °C (el punto de ebullición del agua)
produce una caída de 80(2.5 mV ) 200 mV o 0.2 V, lo cual es significativo en una gráfica graduada
en décimas de volts. Una reducción de la temperatura tiene el efecto inverso, como también se
muestra en la figura.

En la región de polarización en inversa la corriente de saturación en inversa de un diodo de silicio se

duplica por cada 10°C de aumento de la temperatura.

Con un cambio de 20°C a 100°C, el nivel de Is se incrementa desde 10 nA hasta un valor de 2.56 mA,
el cual es un incremento significativo de 256 veces. Continuando hasta 200°C se tendría una
corriente de saturación en inversa monstruosa de 2.62 mA. En aplicaciones a alta temperatura se
tendrían que buscar por consiguiente diodos con Is a temperatura ambiente de cerca de 10 pA, un
nivel comúnmente disponible en la actualidad, el cual limitaría la corriente a 2.62 mA. En realidad,
es una fortuna que tanto Si como GaAs tengan corrientes de saturación en inversa relativamente
pequeñas a temperatura ambiente. Hay dispositivos de GaAs disponibles que funcionan muy bien
en el intervalo de temperatura de –200°C a 200°C, y algunos tienen temperaturas máximas que se
aproximan a 400°C. Considere, por un momento, qué tan grande sería la corriente de saturación en
inversa si iniciáramos con un diodo de Ge con una corriente de saturación de 1 mA y aplicáramos el
mismo factor de duplicación.