EL DIODO SEMICONDUCTOR

EL DIODO SEMICONDUCTOR
DIODO DE MEDIANA POTENCIA
(MONTADO EN PERNO)

TIPOS DE DIODOS
DIODO DE POTENCIA
(DISCO DE HOCKEY)
 DIODOS PARA
CIRCUITO IMPRESO

DIODO DE MEDIANA POTENCIA

MONTAJE EN PERNO
DIODO PARA TECNOLOGÍA SMD
DIODO DE POTENCIA
MONTAJE EN PERNO
DIODO DE POTENCIA
(DISCO DE HOCKEY)

DIODO DE POTENCIA
( EN PACK)
SÍMBOLO DEL DIODO Y SU ESPECIFICACIÓN TÉCNICA

ESPECIFICACIÓN TÉCNICA DE UN DIODO:

Código del fabricante o
Corriente / PIV
Ejemplo:

Un diodo 1N4007
Un diodo de 1 Amperio/1000 Voltios
ALESSANDRO VOLTA
Símbolo del Diodo y encapsulado

El Anodo es abreviado como A

El Cátodo es abreviado como K
 Diodos
El diodo es un dispositivo de dos
terminales

Un diodo ideal conduce en

una sola dirección
 TIPO DE ENCAPSULADO DE DIODOS

La línea indica el
cátodo
 TIPO DE ENCAPSULADO DE DIODOS

BAJA POTENCIA
MEDIANA
TERMINAL AXIAL POTENCIA ALTA POTENCIA
MONTAJE EN DISCO DE HOCKEY
PERNO
 Materiales Semiconductores

Los materiales comunmente usado en los

dispositivos semiconductores son:

• Silicio (Si)
• Germanio (Ge)
• Arseniuro de Galio (GaAs)
 Dopaje
Las características del Silicio y Germanio son mejoradas agregando
materiales en un proceso llamado Dopaje.
Esto origina dos tipos de materiales semiconductores.

Tipo N
Tipo P

• Los materiales tipo N se forman dopando al Silicio con átomos

pentavalentes como el Antimonio, Arsénico o Fósforo.
El material tipo N contienen un exceso de electrones .
. Los materiales tipo P se forman dopando al Silicio con átomos
trivalentes como el Boro, Galio o el Indio.
El material tipo P contienen un exceso de huecos .
ESTRUCTURA CRISTALINA DE UN SEMICONDUCTOR

Los átomos de los Los cuatro electrones de la capa

materiales exterior del silicio se llaman
semiconductores forman electrones de valencia.
una red cristalina No hay electrones libres como en
uniforme los conductores.
EFECTO DE LA TEMPERATURA EN EL CRISTAL DE
SILICIO

Al calentar el cristal de
silicio se rompen los
enlaces y aparecen
electrones libres.
El lugar dejado por un
electrón se llama hueco,
 DOPADO O CONTAMINACIÓN DEL SILICIO

Introducimos átomos de Introducimos átomos de indio

arsénico ( pentavalente ) y hay ( trivalente ) y falta un
un electrón de mas. Se ha electrón, se ha formado un
formado el silicio tipo N hueco y se obtenido el silicio
tipo P.
 PROCESO DE DIFUSIÓN

Al unirse el silicio N con el P,

los electrones del N se Esta zona sin portadores se
combinan con los huecos del llama barrera de potencial y
P , dando lugar a una zona vale entre 0,5 V a 0,8 V.
exenta de portadores.
 POLARIZACION DE LA JUNTURA PN

Si se aplica tensión + al
silicio N y negativa al Si se aplica tensión + al silicio
silicio P (polarización P y negativa al silicio N
Inversa) la barrera de (polarización directa), la
potencial se ensancha y no barrera de potencial se reduce
hay flujo de portadores. y existe flujo de portadores.
 JUNTURA PN

Un material de silicio o germanio tipo P se puede unir

con otro material tipo N.

El resultado es una JUNTURA PN.

 ESTRUCTURA DEL DIODO Y SU SÍMBOLO ESQUEMÁTICO

Juntura PN Contacto metálico y

terminales

Ánodo(A) Cátodo(K)

Estructura básica del diodo Símbolo esquemático

 CONEXIONES EN´POLARIZACIÓN DIRECTA E INVERSA

Polarización directa Polarización inversa

EL DIODO CONDUCE CORRIENTE EN UNA SOLA
DIRECCIÓN
 Condiciones de operación del Diodo
Polarización Directa
El diodo se comporta, idealmente,
como un cortocircuito.
Constantes ID
• Diodo de Silicio: VD = 0.7 V
• Diodo de Germanio: VD = 0.3 V IR

Análisis ( Para diodo de Silicio )

• VD = 0.7 V (o VD = E si E < 0.7 V)
• VR = E – VD
• ID = IR = IT = VR / R
 Condiciones de operación del Diodo
Polarización Inversa

El diodo se comporta,
idealmente, como un circuito
abierto.

Análisis
• VD = -E ID
• VR = 0 V
• ID = 0 A
EN EL SIGUIENTE CIRCUITO :

LA LECTURA DE LOS VOLTÍMETROS ES :

V1 = 10V

Vo = 9,3 V

V diodo = 0,7 V
EN EL SIGUIENTE CIRCUITO :

LA LECTURA DE LOS VOLTÍMETROS ES :

V1 = 10V

Vo = 0V

Vdiodo = 10V
CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIODO

Polarización
directa

Polarización
inversa
 ECUACION DE BOLTZMANN
qV

I Is  K T 1
Donde:
I = Corriente en el diodo (Amperios)
Is = Corriente inversa de saturación (Amperios)
q = carga del electrón = 1,602 x10 19
Coulombs
V = tensión aplicada al diodo (Voltios)
K = Constante de Boltzman = 1,38 x10 23

Wattio-segundo/ºC
T = temperatura absoluta en ºK
LUDWING BOLTZMANN
 Curva característica del Diodo

Observe las regiones :

Sin polarización, TEÓRICO REAL PARA EL
polarización directa y SILICIO
polarización inversa.
Cuidadosamente observe
las escalas para cada una
de estas condiciones.
 VERIFICANDO EL ESTADO DE UN DIODO
Para verificar el estado de un diodo usando el multímetro
digital en la función diodo, debemos recordar que en esta
función el multímetro aplica un voltaje determinado a los
terminales del diodo bajo prueba.
Con el multímetro digital en
la función diodo; un diodo
en buenas condiciones
mostrará aproxidamente 0,7
V o 0.6 V, al estar polarizado
directamente.
En polarización inversa, el
multímetro digital mostrará
el voltaje total de prueba o
las letras OL o parpadeará.
Diodo en polarización Diodo en polarización
directa inversa
PRUEBA DE UN DIODO USANDO EL MULTIMETRO DIGITAL
 Prueba de un Diodo Semiconductor
Los multímetros digitales tienen una función para probar
diodos .
Para probar un diodo, éste debe encontrarse fuera del
circuito.

Un diodo, en condiciones normales muestra

aproximadamente los siguientes niveles de voltajes:

• Arseniuro de Galio 1.2 V

• Diodo de Silicio 0.7 V
• Diodo de germanio 0.3 V
TRANSFORMADOR DE ACOPLAMIENTO DE ENTRADA
Los Transformadores son usados para cambiar el voltaje y
producir aislamiento..
La relación de vueltas del primario al secundario determina el
voltaje de salida con respecto al de entrada.
Al no haber conexión directa entre los bobinados primario y
secundario, ello evita que los riesgos del primario pasen al
circuito secundario.
DIAGRAMA EN BLOQUES DE UN RECTIFICADOR Y
UNA FUENTE DE ALIMENTACIÓN CON SU CARGA
Voltaje rectificado de
220V,60Hz media onda

RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA

220V,60Hz Voltaje filtrado Voltaje regulado

FUENTE DE ALIMENTACIÓN COMPLETA, CON

RECTIFICADOR, FILTRO Y REGULADOR
CIRCUITO DE UN RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
OPERACIÓN DEL RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA

Durante el semiciclo positivo, el diodo está polarizado directamente y conduce, la tensión en

RL es igual a la tensión de entrada.

Durante la alternancia negativa, el diodo está polarizado inversamente, no

conduce, por lo tanto la tensión en RL es 0.

Forma de onda del voltaje en RL para tres ciclos de la onda de entrada

OPERACIÓN BÁSICA DE UN RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON DERIVACIÓN CENTRAL.
OBSERVE QUE LA CORRIENTE EN LA CARGA (RL) CIRCULA EN LA MISMA DIRECCIÓN DURANTE
AMBOS SEMICICLOS DE LA ONDA DE ENTRADA, POR LO TANTO EL VOLTAJE DE SALIDA TIENE
LA MISMA POLARIDAD

Durante el semiciclo positivo, D1 está polarizado directamente y D2 está polarizado inversamente.

Durante el semiciclo negativo, D1 está polarizado inversamente y D2 está polarizado directamente.

OPERACIÓN DEL RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA
 EL DIODO PUENTE DE GRAETZ

SÍMBOLOS
ASPECTO FÍSICO
PRUEBA DEL DIODO PUENTE DE GRAETZ
RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA TIPO PUENTE
ORDEN DE CONDUCCIÓN DE LOS DIODOS DURANTE
EL SEMICICLO POSITIVO
FORMA DE ONDA DURANTE
EL SEMICICLO POSITIVO
ORDEN DE CONDUCCIÓN DE LOS DIODOS
DURANTE EL SEMICICLO NEGATIVO
FORMA DE ONDA DE ENTRADA Y DE SALIDA EN
UN RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA
FUENTE DE ALIMENTACIÓN DE 9 VOLTIOS DC
CONSTITUCIÓN INTERNA DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN
DE 9 VOLTIOS DC
CIRCUITO ELÉCTRICO BÁSICO
ANDRÉ MARIE AMPÉRE
DEMOSTRANDO LOS NIVELES DE CORRIENTE POR EFECTO
DEL CORTOCIRCUITO

I = V/R
EJEMPLOS DE CORTOCIRCUITOS
DATASHEET DEL DIODO 1N4007
DATASHEET DEL DIODO 1N4007
DATASHEET DEL DIODO 1N4007
DIODO POLARIZADO DIRECTAMENTE E INVERSAMENTE

Página 62 Página 63
CIRCUITO PARA OBTENER LA CURVA CARACTERÍSTICA DE
UN DIODO SEMICONDUCTOR
APLICACIONES DEL DIODO
EL DIODO PUENTE DE GRAETZ
THE END