Transmisión de Señales Analógas Mediante Ondas lumı́nicas
José Daniel Alba Rodrı́guez Jesús Daniel Caballero Colina Geraldine Rojas Marulanda
{jdalbar, jdcaballeroco, gerojasma}@unal.edu.co
Marzo 16 de 2019
Resumen—Este documento explica los principios de funcio-
namiento y aplicación de la transmisión y procesamiento de
las señales analógicas por medio de un diodo láser y una
foto-resistencia, ası́ como las diferentes etapas de amplificación
mediante transistores MOSFET y BJT. Al final se obtuvo una
señal de salida significativamente limpia.
Palabras claves —Diodo Láser, Foto resistencia, Transistor
MOSFET, Transistor BJT, Transimisión de señales, Amplifica-
dores, Impedancias.
I. O BJETIVO
Aplicar los conocimientos adquiridos en las sesiones magis-
trales y prácticas de la asignatura Electrónica análoga I, para
realizar el diseño de un dispositivo que permita la transmisión
de señales análogas por ondas lumı́nicas.
II. I NTRODUCCI ÓN
Un ingeniero integral debe ser capaz de dar solución a
problemáticas propuestas dentro de su campo de acción. Este
proyecto corresponde precisamente a una propuesta para
solucionar un problema dado, y además cumple con una serie
de criterios y parámetros especificados:
Fue necesario crear u dispositivo capaz de enviar, recibir y
reproducir una señal análoga, con la condición de generar
una señal lumı́nica a partir de dicha señal y además se debe
transformar la señal lumı́nica en una señal auditiva.
En la figura 1, se observa groso modo lo que corresponde
Figura 1: Problema propuesto
a la estructura general del proyecto propuesto (estudiado
más a fondo en las siguientes secciones), que consta de
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una etapa emisora y otra receptora. En el diseño de las dos
etapas se utilizaron diferentes configuraciones logradas con
Transistores de Unión Bipolar BJT (por sus siglas en inglés
Bipolar Junction T ransistor) y Transistores tipo MOS.
Los transistores ya mencionados tienen diferentes zonas
de trabajo, pero para lograr el resultado esperado es
necesario que los BJT se encuentre en zona activa y los
M OSF ET en zona de saturación. Sumado a ello, para el
correcto funcionamiento de las configuraciones es necesario
determinar el ancho de banda en frecuencia, el valor de
la señal de entrada (valores de tensión pico, generalmente
pequeñas), y lo que se quiere conseguir con la configuración,
es decir, existen configuraciones amplificadoras de tensión,
de corriente y otras que sirven como acople de impedancias.
La correcta implementación de cada una de las etapas,
dicho de otra forma, saber cuándo usar y cuándo no usar una
configuración, además de las ventajas que tiene una sobre
otra, es justamente la parte esencial del proyecto. Lo descrito
anteriormente, será tratado acontinuación.
III. D ISE ÑO Y PROCESO
Inicialmente, se realizó la caracterización del diodo láser
a implementar(etapa emisora), haciendo pequeñas variaciones
de tensión, desde el punto en el que el diodo encendı́a (usando
el datasheet [1]) hasta el valor donde dejaba de funcionar
correctamente. Además se tomó las mediciones de corriente,
y a partir de la relación entre ambas se calculó el valor de
la resistencia en cada valor de tensión, como se ilustra en la
figura 2.
Figura 2: Caracterı́stica del diodo láser
En esta figura se observa una gráfica de I[mA] vs V[V]
del diodo láser. La tensión de 2,2 V es el valor inicial para
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el cual el diodo láser está encendido y 3,1V es el valor

donde empieza a titilar de manera anormal. De allı́ es posible
concluir que ∆v = 3,1 − 2,2 = 0,9 [V ] y que por ende, la
tensión sobre el diodo, teniendo en cuenta las especificaciones
del proyecto, debe ser una señal AC con una variación de
±0,45 [V ] con un nivel DC de 2,2 + 0,45 = 2,65 [V ], y la
resistencia asociada al valor de tensión es 129 [Ω]

Posteriormente, se realizó el mismo proceso de caracterización

sobre la foto-resistencia (etapa receptora), como se ilustra en
la figura 3.

Figura 4: Primera etapa de amplificación

Figura 5: Señales de entrada y salida de primera etapa

Con una señales de entrada y salida ilustradas en la figura

Figura 3: Curva caracterı́stica de la foto-resistencia
5, esta etapa tiene un Ri1 = (68kΩ||10kΩ) = 8717Ω, que
cumple que Ri1  Rsig y un Ro1 = 560Ω, con una ganancia
de voltaje Av1 ' −2,4[V /V ], el cual es el que se necesita, y
una ganancia de potencia de +60µW .

Gracias al valor de Ro1 no se necesitó el uso de una etapa de

acomplamiento entre la primera etapa de amplificación y la
etapa emisora.

A pesar de que la resistencia relativa en cada punto tenı́a

una variación considerable, se siguió tomando el mismo
intervalo de tensión como rango de trabajo.

Ya que se decidió trabajar con un celular como generador

de señales, se midió la impedancia de la señal utilizando
un plug de audio; obteniendo un valor de Rsig = 15Ω. Se
decidió escoger para esta primera etapa un Source Común
Degenerado, para que la etapa tuviese una ganancia de
tensión no muy alta pero con un buen acople de impedancias,
además se necesitaba lograr una señal de salida de 400mVpp
(para que haya un rango de variación de amplitud con
una resistencia relativa lo mas uniforme posible, y evitar
deformación innecesaria), con una señal de entrada es
relativamente pequeña, en ordenes de 100mVpp , esta etapa de
amplificación esta ilustrada la figura 4. Figura 6: Etapa de emisión de señal

Para la etapa emisora, se utilizó la configuración de la figura
6, la cual le dio el nivel DC de 2.65V, calculado anteriormente
para ası́ poder transmitir la señal correctamente.
Figura 7: Etapa de recepción de señal
Para la etapa receptora, se utilizó la configuración de la
figura 7, en la cual se realiza un divisor de tensión, dando
como resultado una señal similar a emitida.
Luego se probó el parlante, el cual sonaba de manera
aceptable con una tensión Vpp = 2,8V y una potencia de
0.5W. También se tiene la impedancia que es igual a 8Ω.
Figura 8: Segunda etapa de amplificación
Figura 9: Señales de entrada y salida de segunda etapa
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Para la segunda etapa de amplificación se decidió, de igual
manera, utilizar una etapa de Source Común Degenerado, ya
que se necesitaba lograr una señal de salida de 2.8Vpp (medida
anteriormente), con una señal de entrada Vsig ∼ 50mVpk . La
cual fue medida sobre la configuración mostrada en la figura
10.
Con una señales de entrada y salida ilustradas en la figura 9,
la segunda etapa tiene un Ri2 = (66kΩ||10kΩ) = 8684Ω,
la cual es mucho mas grande que la resistencia de la etapa
receptora y una Ro2 = 1,5kΩ, con una ganancia de tensión
Av ' 40[V /V ] y una ganancia de potencia de 220m [W/W]
aproximadamente.
Figura 10: Amplificador de potencia
Por ultimo, se colocó una etapa de amplificación de
potencia para tener 0.5W sin necesidad de alterar la tensión.
Para ello se utilizó una configuración de divisor de corriente
unida a un TIP122 (Datasheet [3]).
Figura 11: Circuito General Parte 1: Emisión

Figura 12: Circuito General Parte 2: Recepción
Dando una configuración general del dispositivo ilustrada en
las figuras 11 y 12. Teniendo el diseño de las configuraciones
terminadas, se procedió al diseño de las PCBs y la carcasas
para los dispositivos; se decidió por un cubo de madera DM
de 3mm, por mayor facilidad en conseguir los materiales,
facilidad para el corte (se optó el corte a láser) y tiene una
estética considerable. El tamaño del cubo para el la ser es de
38mm x 38mm x 32.5mm, como se muestra en la figura 14,
para el cubo del foto receptor y el parlante las dimensiones
son de 56mm x 56mm x 86mm, siendo este un diseño muy
compacto, además se optó por un foto receptor movible, para
mayor dinamicididad para ajustar el rayo de luz.
Figura 13: Carcasa y PCB para el puerto emisor
Figura 14: Carcasa y PCB para el puerto receptor
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Después de realizar pruebas con esta, se llegó a que se
debe tener en cuenta que para que la señal no se corte o se
distorsione a través de las etapas se debe cumplir:
Ancho de banda: 200 Hz a 15kHz
Ganancia Av = 2Vpk /50mVpk = 40[V /V ]
Lı́mite de amplitud en pequeña señal: 350mVpp
Impedancia de entrada: 8,72kΩ
IV. C ONCLUSIONES
El prototipo obtenido aunque cumple con el ancho de
banda en Ondas sonoras audibles, tiene una distorsión
muy notable en melodı́as de tonos bajos. Además cumple
con las especificaciones de un diseño compacto, muy
dinámico y de calidad de audio con señales sinusoidales
puras. Pero no es muy eficiente ya que depende de estar
conectado a fuentes de voltaje.
Se evidencia el uso de diseños de calidad para el proce-
samiento y envı́o de señales, por lo cual se constata el
aprendizaje de los estudiantes en la implementación de
amplificadores con transistores MOSFET y BJT.
R EFERENCIAS
[1] A. S. Sedra y K. C. Smith, Microelectronic Circuits Revised Edition,
5ta ed, Oxford University Press, Inc., 2007.
[2] Union Optronics Corp, ÜOCNET Web Site,”2011. [Online]. Available:
http://www.uocnet.com/pdf/LD/U-LD-650543A..pdf.
[3] ON Semiconductor, .ONSEMI Web Site,”2013. [Online]. Available:
https://www.onsemi.com/pub/Collateral/TIP120-D.PDF.
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V. ANEXOS
Diodo laser
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TIP122
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