antarmuka antara semikonduktor tipe-p dan n menunjukkan fenomena rektifikasi di mana arus listrik

dapat melewati satu arah tetapi tidak dapat melewati sepanjang yang berlawanan. transistor
persimpangan dan sel surya telah dibuat berdasarkan fenomena ini.
Ketika semikonduktor tipe-n berhubungan dengan semikonduktor tipe-p, elektron dalam semikonduktor
tipe-n bermigrasi ke semikonduktor tipe-p dan lubang elektron pada semikonduktor tipe-p bermigrasi ke
semikonduktor tipe-n. Sebagai akibatnya, level Fermi dari kedua semikonduktor bertepatan satu sama
lain, Kondisi ini disebut kesetimbangan termal. Ketika bias positif diterapkan pada semikonduktor tipe-
p (atau bias negatif ke semikonduktor tipe-n), tingkat Fermi semikonduktor tipe-p menjadi lebih rendah.
Sebagai akibatnya, elektron bermigrasi dari tipe-n ke semikonduktor tipe p dan lubang elektron
bermigrasi dari tipe-p ke semikonduktor tipe-n. Ini disebut bias maju. Arus I meningkat secara
eksponensial dengan meningkatnya bias V dan diberikan oleh 4.10) di mana lo adalah konstanta.

Ketika bias negatif diterapkan pada semikonduktor tipe-p (atau bias positif ke semikonduktor tipe-n),
sedikit arus listrik mengalir karena ada sangat sedikit elektron dalam semikonduktor tipe-p dan sangat
sedikit lubang elektron dalam semikonduktor tipe-n. Meskipun Persamaan. (4.10) masih berlaku dalam
situasi ini, arus listrik tidak pernah melebihi -lo karena V negatif. Situasi ini disebut bias terbalik. Ketika
bias balik melebihi nilai tinggi tertentu, arus listrik mulai mengalir deras. Ini disebut tegangan tembus
dielektrik. Karakteristik I-V dari persimpangan p-n adalah bowa pada Gambar 4.11. Ketika
semikonduktor diiradiasi dengan foton dengan energi lebih besar dari celah ikatannya, elektron
tereksitasi ke pita konduksi dan dengan demikian konduktivitas listrik semikonduktor meningkat.
Fenomena ini disebut fotokonduktivitas. Ketika persimpangan p-n dibentuk dengan semikonduktor
yang menunjukkan fotokonduktivitas, konsentrasi pembawa minoritas meningkat dengan radiasi cahaya
tanpa bias dan arus listrik mulai mengalir. arus ini adalah sumber sel surya yang sebagian besar terbuat
dari polikristalin dan Si amorf. Sel surya juga dibentuk oleh elektrodeposisi Cu2S tipe-p pada permukaan
dan batas butir dari tipe-CdS

𝜀𝑟
χ

Gbr.411 Karakteristik tegangan-arus dari persimpangan p-n. Tegangan bias V-reverse; Tegangan
tembus dielektrik tegangan bias maju

I = I0 {exp( eV/kT)-1}