Para: MsC.

Luz Adanaqué
De: Javier Gustavo Noriega Quiroga
Título: Caracterización de circuitos basados en BJT y MOSFET EN LTSpice.
Fecha: Abril 24 del 2019
Curso: Micro/Nano Sistemas Electrónicos

Objetivo: El objetivo principal de esta experiencia de laboratorio es interactuar con el software

simulador de circuitos LTSpice a través del diseño, la caracterización de compuertas lógicas y la
verificación de su comportamiento cuando se somete a cambios.

Herramientas: Laptop, software de simulación LTSpice y la librería: cmosedu_models.txt.

Procedimiento:

Parte1: Crear una carpeta llamada MyLTSpice.

1. Diseñar un inversor en LTSpice (MyInversor_Apellido)

2. Diseñar un NAND en LTSpice

INVERSOR (MyInversor_Noriega)
Model: nmos4 – pmos4
Fuente DC: Voltage
Fuente de Entrada Vin.
.dc Vin 0 1
.include cmosedu_models.txt
NAND (MyNAND_Noriega)
Model: nmos4 – pmos4
Fuente DC: Voltage
Fuentes de entrada: VA y VB (PULSE 1 0 0.5 0.01 0.01 1 2)
.tran 6
.include cmosedu_models.txt

Parte 2: Estudio de la librería

¿Qué incluye la librería?

a) .MODEL: N_1u
b) .MODEL: P_1u
c) .model: N_50n
d) .model: P_50n

Completar la siguiente tabla:

Modelo A B C D
Channel Long Long Short Short
Level 3 3 54 54
VDD 5V 5V 1V 1V
Cjs 300x 10−12 300x 10−12 0.0005 0.0005

Parte 3: Colocar los modelos a) y b) en el inversor y en el NAND

3.1 Agregar en la pestaña .op la siguiente línea: .include cmosedu_models.txt

3.2 Guardar el cmosedu_models.txt en la carpeta MyLTSpice_Noriega.

3.3 Guardar el MOS con el mismo nombre del modelo.

3.4 Configurar el VDD correspondiente (5V o 1V)

3.5 Simular

Vout vs Vin

Vin vs Id (M1)

3.6 Seleccionar Vout y Id (M1) como señales a visualizar. Guadar la gráfica como Noriega_Ic
 Vout vs Id (M1)

3.7 Graficar la salida (Cambiamos a fondo blanco para hacer más notorias las gráficas)

Para la puerta NAND

3.8 Cambiar el valor de VDD a 2V y repetir los pasos 3.6 y 3.7

Para el inversor:

En el NAND cambiar los valores de VA y VB también

3.9 Cambiar el valor de VDD a 0.75V y repetir los pasos 3.6 y 3.7

Para el inversor
En el NAND cambiar los valores de VA y VB también.

Parte 4: Colocar los modelos c) y d) en el inversor y en el NAND

(waveforms como Noriega_sc)

Para el inversor:
Para el NAND

Parte 5: Modificar los valores de W y L

Colocar tres circuitos

El primero W/L = 30/1 (pmos) W/L = 10/1 (nmos) Bn/Bp = 1

Para el inversor:
Para el NAND
El segundo W/L = 10/1 (pmos) W/L = 10/1 (nmos) Bn/Bp = 3

Para el inversor

Para el NAND

El tercero W/L = 90/1 (pmos) W/L = 10/1 (nmos) Bn/Bp = 0.3333

Para el inversor

Para el NAND

Parte 6: Avances y resultados

Conclusiones:

-En esta experiencia de laboratorio he usado la librería cmosedu_models.txt para poder correr el
inversor y el NAND.

-He podido aprender el diseño de estas compuertas con el transistor nmos y pmos que te
proporciona el software.

-Variando el VDD en el inversor se puede apreciar una gráfica diferente.

-Variando el VDD en el NAND y los voltajes de pulso para que su respuesta sea unos y ceros
podemos tener una semejanza al comportamiento de este circuito, aunque hay un pequeño
intervalo de tiempo donde hay una respuesta aleatoria.

-Podemos variar el layout y el diseño del circuito variando los parámetros del w y l en los
transistores utilizados.