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4.10 Disipación del calor

4.10.1 Introducción

Debido al tamaño relativamente reducido de los transistores y otros

semiconductores de potencia, en general, no son capaces de disipar toda la
potencia que producen sin calentarse excesivamente, con el consiguiente riesgo de
destrucción. Por este motivo es necesario acompañarlos de algún elemento que
facilite la eliminación de esa potencia, esta es la función del disipador de calor (heat
sink).

4.10.2 Analogía eléctrica.

Se puede establecer una correspondencia entre la Ley de Ohm y la propagación

térmica mediante la siguiente tabla de equivalencias:

analogía térmica - Ley de Ohm

calor ( P )
Intensidad ( I )

Tensión ( V ) Temperatura ( T )

Resistencia ( R ) Resistencia térmica ( R )

V = IR T=PR

Las unidades son P (watios), T (°C, grados centígrados) y R (°C/W)

Modelo térmico simplificado sin disipador

Si no interesara qué sucede en la cápsula, podría resumirse en una sola resistencia

térmica entre la juntura y el ambiente

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Tj – Ta = Pd x Rja

Pd: Potencia disipada

Tj = Temperatura de la unión

Ta = Temperatura ambiente

Rtjc = Resistencia térmica unión-cápsula

Rtda = Resistencia térmica capsula-ambiente

Ejemplo 1

Un regulador integrado disipa 2W. Si Rtja = 50 ºC/W y la temperatura ambiente es

de 25 ºC, determinar la temperatura de la juntura.

Tj = Ta + P . Rtja = 125 ºC.

Ejemplo 2

La máxima temperatura de juntura que soporta un transistor de potencia es de

200°C. Si debe disipar 5 W y su Rtja = 35 ºC/W, hallar la máxima temperatura
ambiente.

Tj máx =Ta + P . Rtja

Ta=Tjmáx- P.Rtja = 25 ºC

Ejemplo 3

Un transistor que disipa 10 W tiene un disipador cuya resistencia térmica con el

ambiente (Rtda) es de 5 ºC/W. Encontrar la temperatura de la cápsula si el ambiente
está a 30 °C.

Tc = Ta + P.Rtda = 80 ºC

Ejemplo 4

Si se hace funcionar un LM317 en un recinto cerrado cuya temperatura es de 35°C

sin disipador, averiguar cuál es la corriente que puede entregar sin destruirse,
donde Vi=12 y Vo=7v. La resistencia térmica Rtja=50 C/W.

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Por lo tanto la maxiam corriente de salida seria de i=1.8W/5=257mA

Ejemplo 5

La máxima temperatura que soporta la juntura de cierto transistor de potencia es

150 °C. Si debe disipar 10 W a una temperatura ambiente de 40°C, obtener la
máxima RT ja.

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4.10.4 Especificaciones térmicas de los semiconductores

Se suele especificar los siguientes parámetros:

a) Potencia máxima Pmáx a una determinada temperatura ambiente Ta. Este dato se
especifica en general para transistores de baja potencia que van a utilizarse sin
disipador.

b) Curva de depreciación (derating) sin disipador en función de la temperatura

ambiente Ta (figura 2) También es un dato típico para transistores de baja potencia.
Esta curva tiene dos zonas. Para temperaturas entre 0 y Tambiente responde a la
ecuación
es decir representa la potencia que hace que la temperatura de juntura sea la
máxima. Para las temperaturas mayores a la Tamb la potencia queda limitada por la
máxima potencia que puede disipar el dispositivo. En lugar de esta curva se suele
dar su pendiente, que no es otra cosa que -1/RT ja . En general se la expresa en
mW/ ºC.

c) Temperatura máxima de juntura Tj máx. Superado este valor no es posible

garantizar que el dispositivo funcione correctamente, pudiendo inclusive llegar a
deteriorarse o aun a destruirse. También se especifica la máxima temperatura de
almacenamiento del dispositivo. Esta temperatura no necesariamente permite un
funcionamiento adecuado, pero si no se supera, el dispositivo no se deteriora. De
todas maneras, la prolongada exposición a altas temperaturas reduce la vida útil y
acelera las derivas por envejecimiento aunque no llegue a producirse la franca
destrucción del elemento.

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d) Potencia máxima Pmáx a una determinada temperatura de cápsula Tc. Este dato
se brinda para dispositivos de potencia. En algunos casos se especifica el punto de
la cápsula en el cual se mide la temperatura. La Pmáx es útil cuando se trabaja con
disipador, como se verá más adelante.

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4.10.5. Modelo térmico simplificado con disipador

El modelo térmico de un dispositivo con disipador es el indicado en la figura

Fig 4. Modelo eléctrico del proceso de disipación térmica con un disipador.

Donde

T = Tj-Ta = Pd (Rtjc + Rtcd + Rtda)

Tj = Temperatura se la unión
Ta = Temperatura Ambiente
Rtjc = Resistencia Térmica unión-cápsula

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Rtcd = Resistencia Térmica cápsula-disipador

Rtda = Resistencia Térmica disipador-ambiente

La asociación de resistencias térmicas es igual que la asociación de resistencias. En

serie, sumamos los valores de cada R, de manera que la resistencia térmica
equivalente es mayor que cada una de las resistencias por separado. Lógicamente,
cuanto mayor es la resistencia térmica, mayor dificultad para el flujo de calor.

4.10.6 Cálculo del disipador

La mayoría de fabricantes de semiconductores proporcionan los datos suficientes

para poder calcular el disipador que necesitamos. Necesitamos como punto de
partida, conocer la temperatura máxima que puede alcanzar la juntura
semiconductora. Esta temperatura no se deberá alcanzar en ningún caso, para no
destruir el componente. Normalmente el fabricante proporciona el "operating
temperature range" por ejemplo, -65 to 200 °C que indica que la temperatura
máxima es de 200°C. Nosotros podemos tomar unos coeficientes de seguridad k
como sigue:

k = 0.5 para un diseño normal con temperatura moderada.

k = 0.6 para economizar en tamaño de disipador.
k = 0.7 cuando el disipador permanezca en posición vertical y en el exterior (mejora
de convección).

Con el coeficiente k, y tomando la temperatura máxima de funcionamiento como Tj,

tenemos la expresión:

T = k Tj - Ta = P (Rtjc + Rtcd + Rtda)

donde P representa la potencia en watios (calor) que disipará el componente.

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Ejemplo1

Diseñar un regulador de tensión con LM317T para una fuente de 3.3v y corriente de
salida de 700ma, la tensión de entrada es de 35v y la temperatura ambiente es de
35 grados.

Calcular el rendimiento de la fuente.

Solución:

De las hojas de datos del LM317T, vemos lo siguiente:

El rendimiento es:

Rendimiento=Potencia Salida/Potencia Entrada=0.094

O sea 9%. Quiere decir que se desperdicia el 91 por ciento de la potencia en calor.

Tenemos los siguientes parámetros

Tj = 125 °C (del datasheet)

Rtjc = 5 °C/W (del datasheet)

Rtcd = 1.5 °C/w (separador de mica+Grasa siliconada)

Ta = 35 °C

En primer lugar, calculamos la potencia disipada por el regulador

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Pot.Max = (35-3.3) x 0.7 amp= 22.2w

partimos de la expresión:

DeltaT = Tj - Ta = P. (Rtjc + Rtcd + Rtda)

Tenemos que calcular el valor de disipador que necesitamos, Rda. Despejamos y

ponemos un k = 0.7 porque vamos a poner el disipador en el exterior y vertical.

Rda = [(k Tj - Ta) / P] - Rtjc - Rtcd = [(0.7·125 - 35)/22.2] - 5 - 1.5 = -4.1 °C/W

Por lo tanto, no es posible obtener un disipador que tenga resistencia térmica

negativa. Esto significa que ni aun contando con un disipador ideal sería posible que
el regulador se deshiciera de toda la potencia manteniéndose por debajo de 125 ºC.

Ejemplo 2

Volver a plantear el caso anterior si se alimenta ahora con 9 volt.

Solución:

Ahora el rendimiento cambia a Rendimiento=36%

Luego vemos

Potmax = (9-3.3) x 0.7 = 3.99w

partimos de la expresión:

DeltaT = Tj - Ta = w (Rtjc + Rtcd + Rtda)

Tenemos que calcular el valor de disipador que necesitamos, Rda. Despejamos y

ponemos un k = 0.7 porque vamos a poner el disipador en el exterior y vertical.

Rda = [(k Tj - Ta) / P] - Rtjc - Rtcd = [(0.7·125 - 35)/3.99] - 5 - 1.5 = 6.7 °C/W

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Seleccionamos de estos disponibles:

El nro 18 tiene una R = 7 °C/w para 50mm de largo, es suficiente, máxime teniendo
en cuenta que ya hemos tomado un coeficiente k de seguridad igual a 0.7 y nos
aseguramos de sobra.

Con este radiador, podemos calcular la temperatura que alcanzará el mismo cuando
el LM317 disipa 3.99 w de una forma muy sencilla:

Td - Ta = Rtda · w ---> Td = Rtda · w + Ta = 7 · 3.99 + 35 = 62.9 °C

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