CONTROLE DE UM CONVERSOR BOOST

Carlos R. L. L. Jr., Fabricio F., Heitor J. T., Ricardo L. S. S., Willian E. R.

Universidade Tecnológica Federal do Paraná – UTFPR
Via do Conhecimento, Km 1 – CEP 85503-390 – Pato Branco
carlosrllj@hotmail.com, fabri.ferrari@hotmail.com, heitor.tessaro@hotmail.com,
ricksimon_12@hotmail.com, willian.e.rech@hotmail.com


I. INTRODUÇÃO
Os conversores CC-CC são equivalentes aos
transformadores, mas em corrente contínua. Eles recebem
uma tensão CC fixa em sua entrada e fornecem uma tensão
CC variável em sua saída. Podem ser separados em três
grupos, os que fornecem um sinal de tensão maior na saída
(Boost), os que fornecem um sinal menor na saída (Buck) e os Figura 1. Modelo simplificado de Boost[1].
que fornecem sinais maiores ou menores (Buck-Boost) de
tensão com relação à entrada. Os conversores CC-CC são
uma classe de circuito eletrônico de potência que são
amplamente utilizados na regulação de fontes de tensão e no
acionamento de motores CC devido as suas características de
desempenho, tamanho, peso e confiabilidade.
Os conversores CC-CC têm como princípio de
funcionamento obter um valor de tensão diferente ao da
entrada variando o tempo em que a saída fica ligada à Figura 2. Circuito completo do Boost[1].
entrada. A ligação entre a entrada e a saída é realizada através Da figura 1, considerando a chave na posição pode-se
de chaves semicondutoras (MOSFET, IGBT, SCR), sendo definir a tensão no indutor e a corrente no capacitor
que o acionamento dos mesmos é comumente realizado considerando que a variação de tensão sobre o mesmo seja
através de um sinal PWM (Pulse WidthModulation) desprezível como[1]:
proveniente de um circuito externo. Para filtragem desse sinal
pulsante adiciona-se elementos armazenadores de energia,   
como capacitores e indutores, os quais fornecem um sinal
contínuo na saída do circuito.   

Este trabalho demonstra o desenvolvimento de um Quando a posição da chave é alterada para a posição 2 a
conversor CC-CC elevador, também chamado de Boost, tensão no indutor e a corrente no capacitor considerando que
implementando o controle da tensão de saída a partir da a corrente sobre o indutor é constante e igual a , são
referência desejada. definidas como[1]:
II. DESCRIÇÃO DO PROCESSO E SIMULAÇÃO   
A. Equacionamento do Boost   
Um modelo de Boost é apresentado na figura 1, onde a
chave seletora representa o funcionamento simplificado de A figura 3 apresenta os sinais de tensão do indutor e
uma chave transistorizada em paralelo com o diodo, em que corrente no capacitor para um período, onde representa a
na posição 1 o transistor encontra-se conduzindo e na posição parte de (período completo) em que a chave esta
2 não está conduzindo. Este modelo é utilizado porque conduzindo e a parte de quando a chave não esta
quando a chave está conduzindo, considerando uma queda de conduzindo[1].
tensão insignificante na mesma, a tensão no anodo do diodo
não é suficientemente alta para romper a sua barreira de
potencial, ao contrário do que acontece quando a chave não
está conduzindo, fazendo com que a tensão proveniente da
fonte e do indutor ultrapasse facilmente o valor de sua
barreira de potencial. Na figura 2 é apresentado o circuito
completo para o Boost[1].

Figura 3. Sinais da tensão do indutor e corrente do capacitor [1].

 Considerando que a tensão sobre o indutor pode ser TABELA I. CARACTERÍSTICAS DO BOOST
definida como a integral de para um período temos[1]: Tensão na carga
Tensão de entrada
 ∫  
Potência de saída
Se igualarmos (5) a zero, sabendo que Frequência de chaveamento
obtemos que o valor da tensão de saída é[1]: Variação de tensão admitida na saída

   TABELA II. COMPONENTES PROJETADAS

E a relação da tensão de entrada pela tensão de saída pode Razão cíclica ( )

ser dada por[1]:
 
A equação (7) é definida como sendo a razão cíclica do
circuito, onde se pode definir que quando se aproxima de
zero a tensão de saída se aproxima da de entrada, e quando
aumenta a tensão tende ao infinito[1].
A corrente sobre o capacitor é definida para um período
como[1]:
 ∫
Igualando-se a equação a zero e resolvendo para
se[1]:
Capacitor
Indutor

C. Modelagem do Boost em Espaço de Estados
O circuito apresentado do Boost apresentado na figura 2
possui dois estados distintos de funcionamento, um quando a
chave está conduzindo e outro quando a chave não está
conduzindo. A o circuito simplificado para as duas etapas de
funcionamento são apresentados nas figuras 4 e 5[1].
 
tem-

   Figura 4. Modelo simplificado do circuito para chave conduzindo [1].

Para a primeira parte do período, a variação do valor da

corrente do indutor pode ser dado por[1]:

   
Já para a segunda parte do período:

    Figura 5. Modelo simplificado do circuito para chave em aberto [1].

As equações (10) e (11) representam a inclinação da reta A partir das figuras 4 e 5 podemos desenvolver o modelo
de variação da corrente do indutor, assim, se multiplicadas de espaço de estados para ambos os estados de
pelo tempo obtém-se o valor da variação. O valor total da funcionamento do Boost. Definindo as matrizes de espaço de
variação da corrente é[1]: estados como[2]:

     

     
Assim, iniciando pelo estado onde a chave encontra-se
Fazendo o mesmo raciocínio para o capacitor obtém-se a conduzindo e definindo como variáveis de estados a corrente
corrente para ambas as partes do período[1]: no indutor ( ) e a tensão sobre o capacitor ( ), também
   definindo a saída como sendo a tensão sobre a carga ( ) têm-
se[2]:
  
Análogo ao indutor, mas agora para a tensão no capacitor,  [ ] [ ][ ] [ ]  
obtém-se que a variação na tensão é[1]:
    [ ][ ] 

B. Dimensionamento dos Componentes do Boost Agora para o estado onde a chave encontra-se em aberto
A partir das equações do item A e das características define-se o espaço de estados como[2]:
desejadas para o Boost,apresentadas na Tabela I,
determinaram-se os valores para os componentes,
apresentados na Tabela II.  [ ] [ ][ ] [ ]  
 [ ][ ]  %% Discretização da planta
T=1/fs; %período de amostragem
D. Método de Simulação e Controle a M.F. npc=400; %número de pontos de descretização
Tc=T/npc; %período da planta pseudocontínua
A resposta da tensão sobre a carga na saída do Boost,
considerando o sistema a M.A. (Malha Aberta), com os I=eye(2); %Gera matriz identidade 2x2
valores do circuito apresentado na tabela II do item B Ada=I+A*Tc;%Discretização da Matriz A
utilizando o simulador PSIM, é apresentada na figura 6. %Matriz para chave aberta
Bd=B*Tc; %Discretização da Matriz B
Maux=[1 0;0 1]; %Matriz auxiliar
Adf=Ada.*Maux; %Matriz A para chave fechada

%% Configuração da simulação
Ts=0.4; %tempo de simulação
nps=Ts/T; %numero de passos de simulação

%% Ganho do controlador
Kp=0.0001; %ganho proporcional
Ki=60; %ganho integral
Kd=0.00080; %ganho derivativo

%% inicialização de variáveis
r=zeros(1,nps+1); %referencia
ra=zeros(1,nps+1); %referencia adaptativa
e=zeros(1,nps+1); %erro
Figura 6. Resposta da tensão na saída do Boost a M.A. u=zeros(1,nps+1); %ação de controle
uP=zeros(1,nps+1); %ação de controle proporcional
Da figura 6 notou-se que existe um overshoot muito alto uD=zeros(1,nps+1); %ação de controle derivativo
na entrada, chegando a quase o dobro da saída desejada. Com uI=zeros(1,nps+1); %ação de controle integral
a intenção de minimizar o overshoot e tornar o sistema mais Se=zeros(1,nps+1); %Soma do erro
rápido fechou-se a malha de controle do sistema. A figura 7 X=zeros(2,nps+1); %saída
apresenta o diagrama em blocos simplificado do projeto de Xc=zeros(1,nps*npc+1); %saída continua
Xc=zeros(2,nps*npc+1); %saída continua
controle a M.F. (Malha Fechada), englobando desde a parte uc=zeros(1,nps*npc+1); %controle continuo
de potência até a parte de controle. td=zeros(1,nps+1); %contador tempo discreto
tc=zeros(1,nps*npc+1); %contador pseudocontínuo
kc=0; %Contador pseudo continuo
auxp=1; %utilizada no PWM (principal)
auxs=0; %utilizada no PWM (secundaria)
chave=0; %define a posicao da chave

%% simulacao em MF
for k=3:nps
td(k)=k*T; %incrementa contador
if k<300
r(k)=25; %referência
else
r(k)=25;
Figura 7. Diagrama simplificado do projeto. end
ra(k)=0.8*ra(k-1)+0.2*r(k);%variação da
Para simulação da planta e controle da mesma se utilizou %referência
o softwareMatlab e as equações de espaços de estados %adaptativa
apresentadas no item C. O quadro 1 apresenta o programa X(k)=Xc(2,kc+1)+R*(2*rand(1)-1); %amostragem
utilizado para simular o sistema, onde utilizou-se um %com ruído
controlador PID e um ganho unitário na realimentação da e(k)=ra(k)-X(k); %define o erro
Se(k)=Se(k-1)+e(k); %somatória do erro
malha. if Se(k)>(45/(Ki*T)) %condição para que o
Quadro 1. Programa utilizado para simulação.
%erro nãoextrapole +
%%Parâmetros iniciais Se(k)=45/(Ki*T);
end
R=0.01; %ruído if Se(k)<(-45/(Ki*T)) %condição para que o
fs=2000; %frequência de amostragem %erro nãoextrapole -
Rb=100; %resistência Se(k)=-45/(Ki*T);
Cb=0.00047; %Capacitância end
Lb=0.0031; %indutância
Vin=10; %Tensão de entrada %% controlador PID discreto
D=0; %razãocíclica uP(k)=Kp*e(k); %componente proporcional
uI(k)=Ki*T*Se(k); %componente integral
%% Definição do modelo em espaço de estados uD(k)=Kd/T*(e(k)-e(k-1));%componente
A=[0 -1/Lb;1/Cb -1/(Rb*Cb)]; %Matriz A %derivativa
B=[1/Lb;0]; %Matriz B u(k)=uP(k)+uI(k)+uD(k); %ação de controle
C=[0 1]; %Matriz C if u(k)>45 %condição para que
D=0; %Matriz D %nãoextrapole +
u(k)=45;
end
if u(k)<0 %condição para que nãoextrapole +
u(k)=0;
end
D(k)=(u(k)/45)*0.75; %define razãocíclica
%D=0.4;
if X(k)<Vin
D(k)=0;
end
if D(k)<0
D(k)=0;
end
%% Simulação da planta pseudocontínua Figura 9. Sinal de tensão de saída em regime
for k1=1:npc
kc=k*npc+k1; %contador pseudocontínuo
tc(kc)=kc*Tc; %tempo pseudocontínuo III. DESENVOLVIMENTO E MATERIAIS
if (k1)>(100*(auxp-1)+(D(k)*100))
%verifica condição para abertura ou A. Materiais e circuito
%fechamento da chave Os materiais necessários para os circuitos doBoost, do
chave=0; circuito de controle, aquisição de dados e acionamento são
else
chave=1;
apresentados na tabela III:
end
if chave==0 %de acordo com a posição da TABELA III. MATERIAIS NECESSÁRIOS.
%chave escolhe uma matriz
%Ad. Chave = 0 significa COMPONENTE CARACTERÍSTICA
%chaveaberta e chave=1 Circuito do Boost
%significa chave fechada 1 Indutor
Xc(:,kc+1) = Ada*Xc(:,kc)+Bd*Vin; 1 Capacitor
else
1 MOSFET IRF520
Xc(:,kc+1) = Adf*Xc(:,kc)+Bd*Vin;
end 1MOSPEC S16C45C
auxs=auxs+1; %contador para PWM 1 Resistor
if auxs==100 Circuito de aquisição de sinal
auxs=0; 1 Resistor
auxp=auxp+1;
end
1 Resistor
end 1Zener
auxp=1; %contador para PWM 1 Indutor
auxs=0; %contador para PWM 1 Capacitor
end Circuito de acionamento
A partir do programa simulou-se o funcionamento da 1 Resistor
malha de controle. A figura 8 e 9 apresentam os resultados 1 Resistor
obtidos com a simulação. Como pode-se observar na figura 8 1 Resistor
em comparação com a figura 6 o overshoot foi eliminado e o 1 BJT BC548
sistema se tornou mais rápido. A figura 9 apresenta com Circuito de controle
ênfase o sinal de saída regime, e como definido na tabela 2 1Microcontrolador
do item B, a saída não sofreu variações maiores que . MSPG2452
A partir das figuras 2 e 7 e da tabela III de materiais
montou-se os circuitos presentes no sistema. Os circuitos de
acionamento, do Boost e de aquisição de sinal são
apresentados na figura 10, que também já indica a ligação do
microcontrolador ao circuito de acionamento.

Figura 8. Sinal de tensão de saída obtido na simulação.

Figura 10. Circuitos de acionamento, do Boost e de aquisição de sinal.

Considere o microcontrolador da figura 10. O

microcontrolador (MSP4302452) aciona o transistor BC548
(que foi utilizado por poder ser acionado através de baixos void ini_portas(void);
void ini_ADC10(void);
valores de tensões) para fazer o chaveamento do mosfet void ini_timer0(void);
IRF530. O primeiro divisor de tensão, formado pelos void ini_WDT(void);
resistores de e tem a função de garantir uma void main(void){
tensão maior que no gate do mosfet, já que a tensão Ki=T*Ki;
Kd=Kd/T;
mínima de acionamento é . O indutor de 3,1 mH foi config_ini();
definido anteriormente no item II B, e basicamente funciona ini_portas();
como um armazenador de energia, possibilitando que a ini_ADC10();
tensão de saída seja maior que a de entrada. O mosfet ini_timer0();
ini_WDT();
IRF530, usado pela disponibilidade em laboratório, foi do{
dimensionado devido sua alta velocidade de trabalho, }while(1);
possibilitando que seja utilizado em operações de }
void config_ini(void){
chaveamento em altas frequências. O diodo ( em série WDTCTL=WDTPW+WDTHOLD;
com a carga e o capacitor de , faz parte da DCOCTL = CALDCO_8MHZ;
configuração do circuito do Boost, e funciona basicamente BCSCTL1 = CALBC1_8MHZ;
como um filtro para o sinal de tensão, sendo que nesta BCSCTL2= DIVS0 + DIVS1;
_enable_interrupts();
aplicação utilizou um diodo Schottkey, modelo MOSPEC }
S16C45C, escolhido pelo fato de também trabalhar em altas void ini_portas(void){
frequências. O resistor de representa nossa carga no P1DIR = PWM;
circuito. Por trabalharmos com correntes elevadas, P1SEL = PWM;
}
utilizamos um resistor de potência de . O segundo void ini_ADC10(void){
divisor de tensão, formado por um resistor de e um ADC10CTL0 &=~ ENC;
resistor de , limita a tensão da carga que realimentará ADC10CTL0 |= ADC10SHT0 + ADC10ON + ADC10IE ;
ADC10CTL1 |= INCH_1 + ADC10SSEL0 + ADC10SSEL1;
o microcontrolador. Após o segundo divisor de tensão, ADC10AE0 = BIT1;
conectou-se um filtro passa baixa LC, o qual foi feito com ADC10CTL0 |= ENC;
um indutor e um capacitor de , resultando em }
void ini_timer0(void){
uma frequência de corte de , com o intuito de filtrar
TA0CTL = TASSEL1 + MC0;
o ruído gerado pelo sistema. O diodo Zener, ligado em TA0CCTL1 = OUTMOD0 + OUTMOD1 + OUTMOD2;
paralelo com o filtro, tem a função de limitar a tensão TA0CCR0 = 250;
máxima de realimentação no microcontrolador para . TA0CCR1 = 125;
}
B. Controlador void ini_WDT(void){
WDTCTL = WDTPW + WDTTMSEL + WDTCNTCL + WDTIS1;
A implementação do controlador no circuito do Boostfoi IE1 |= WDTIE;
realizada através domicrocontrolador modelo }
MSP430G2452. Para realizar o controle é necessário que ele #pragma vector=WDT_VECTOR
__interrupt void RTI_WDT(void)
obtenha o valor da tensão de saída do circuito, por isso o {
sinal de tensão de saída é tratado pelo circuito de aquisição, ADC10CTL0 |= ADC10SC;
limitando a tensão disponibilizada ao microcontrolador em }
#pragma vector=ADC10_VECTOR
no máximo . O quadro 2 apresenta o programa
__interrupt void RTI_ADC(void){
utilizado para realizar o controle do sistema. eant=e;
e=ADC10MEM-455;
Quadro 2. Programa do microcontrolador. Se=Se+e;
if (Se>(45/(Ki))){
#include <msp430g2452.h> Se=45/(Ki);
}
#define ENTRADA BIT1 if (Se<(-45/(Ki))){
#define PWM BIT6 Se=-45/(Ki);
}
float ref=25; uP=Kp*e;
float ra=0; uI=Ki*Se;
int e=0; uD=Kd*(e-eant);
float eant=0; u=uP+uI+uD;
float Se=0; if (u>45){
float uP=0; u=45;
float uI=0; }
float uD=0; if (u<-45){
int u=0; u=-45;
float T=0.00051203; }
float Vin=15; TA0CCR1=u*4.16;
float Kp=0.00; if (ADC10MEM<260){
float Ki=0.008; TA0CCR1=0;
float Kd=0.0008; }
if (TA0CCR1>187){
void config_ini(void); TA0CCR1=187;
 } Figura 12. Sinal PWM do IFR520 (amarelo) e saída em regime (azul).
if (TA0CCR1<63){
TA0CCR1=63; Na figura 13 é apresentada a transição no circuito com o
} controlador já implantado, considerando como condição
} inicial o circuito já energizado e estabilizado em , ou
seja, com razão cíclica igual a zero.
O controle da tensão de saída, como pode ser observado
no Quadro 2, é feito a partir da variação do ciclo de trabalho
do PWM proveniente do TIMER A do microcontrolador,
então, como já abordado anteriormente, a saída recebe um
aumento de tensão em relação a entrada.
Ainda no Quadro 2, observa-se que o controle da planta
foi efetuado a partir de um controlador PID. Os ganhos do
controlador foram ajustados a partir da simulação da planta
no MATLAB, e a partir das respostas obtidas por tentativas.

IV. RESULTADOS
A partir da montagem do circuito da figura 10 capturou-
se algumas imagens dos sinais presentes no circuito.
Inicialmente, na figura 11, é apresentado o sinal de
Figura 13. Sinal da tensão de entrada (amarelo) e o transitório de saída com o
chaveamento proveniente do microcontrolador, e o sinal acionamento do controlador (azul).
chaveado do IRF520. Notou-se que o mosfet em questão
possuí lógica inversa, ou seja, quando o sinal de Na figura 14 foi realizado o mesmo procedimento que na
chaveamento do micro encontra-se em nível alto, o sinal do da figura 13, com a diferença de que a carga ligada ao
mosfet encontra-se em baixo. Boostfoi alterada. As características de tensão, carga e
corrente para as figuras 13 e 14 são apresentadas na tabela
IV.

Figura 11. Sinal PWM do microcontrolador

(azul) e do IFR520 (amarelo).
Figura 14. Sinal da tensão de entrada(amarelo) e o transitório de saída com o
A figura 12 apresenta os sinais de um PWM com razão acionamento do controlador (azul).
cíclica fixa em aproximadamente e o sinal de tensão de
saída em regime para o sistema em M.A.. TABELA IV. VALORES MEDIDOS.

Figura 13 Figura 14
Tensão na carga em regime
Tensão de entrada
Corrente na carga
Valor da carga

V. CONSIDERAÇÕES FINAIS
Inicialmente pode-se dizer que os resultados obtidos e
apresentados no item IV, se assemelharam aos obtidos
através de simulação, apresentados no item II B, sendo estes
resultados considerados satisfatórios.
Entre alguns fatos interessantes observados, ressalta-se a
diminuição da variação da tensão de saída com o sistema
controlado quando a carga era diminuída, ou seja, quanto
maior a corrente do sistema, menores oscilações de tensão
existiam no sistema, fazendo com que o controle atuasse de
maneira mais satisfatória, já que havia menos interferência
no sinal capturado pelo conversor AD do microcontrolador.
Uma das soluções para atenuação da variação de tensão
ocorrida com baixa corrente na carga poderia ser amenizada
com a adição de um capacitor cerâmico em paralelo com a
carga.
A divergência existente entre os ganhos de controle da
simulação e os ganhos de controle do microcontrolador é
devido à ausência do filtro passa baixa na simulação da
planta no Matlab.

REFERÊNCIAS
[1] Erickson, Robert W., “Fundamentals of Power Electronics”. Second
Edition. Secaucus, NJ, USA: Kluwer Academic Publishers, 2000.
[2] K. Ramash Kumar, “Design of a Hybrid Posicast Control for a DC-
DC Boost Converter Operated in Continuous Conduction Mode”.
IEEE, 2011.
[3] Muhammad H. Rashid, “Eletrônica de Potência: Circuitos,
Dispositivos e Aplicações”, Makron Books, São Paulo, 1999.
[4] Ashfaq Ahmed, “Eletrônica de Potência”, Prentice Hall, São Paulo,
2000.