Ingeniería eléctrica

Materia: electrónica analogica

Unidad: 4 semestre 4

Alumno: Noé Alejandro Tun Noh

Grupo: 4YB

Profesor: limbert

Chetumal Q.Roo a 1 de junio de 2018

 Dispositivos optoeléctricos
Fotodiodo
Un Fotodiodo resulta ser un semiconductor construido con el tipo de unión PN, este elemento
es sensible a la presencia de luz visible e incluso infrarroja. En pocas palabras el fotodiodo
resulta ser un diodo con sensibilidad a la luz, al ser un diodo se debe considerar que su
polarización es muy importante ya que será la que haga funcionar al sensor.
Para que el funcionamiento de este sistema sea correcto se debe polarizar al fotodiodo de una
manera inversa, esto provocara que exista la circulación de una pequeña corriente cuando el
elemento sea excitado por la luz.
Tal y como cualquier otra pieza de electrónica, los fotodiodos poseen un símbolo para ser
representados en diagramas, este símbolo es el siguiente:

Características y funcionamiento
Por lo general estos elementos se fabrican en Silicio (este material lo hace sensible a la luz,
Germanio (lo hace sensitivo a la luz infrarroja), sulfuro de plomo e indio, galio o arsénico.
Cada uno de estos materiales tiene su propia longitud de onda.

Un fotodiodo es una unión PN o estructura P-I-N. Cuando un haz de luz de suficiente energía
incide en el diodo, excita un electrón dándole movimiento y crea un hueco con carga positiva.
Si la absorción ocurre en la zona de agotamiento de la unión, o a una distancia de difusión de
él, estos portadores son retirados de la unión por el campo de la zona de agotamiento,
produciendo una fotocorriente.
Los diodos tienen un sentido normal de circulación de corriente, que se llama polarización
directa. En ese sentido el diodo deja pasar la corriente eléctrica y prácticamente no lo permite
en el inverso. En el fotodiodo la corriente (que varía con los cambios de la luz) es la que
circula en sentido inverso al permitido por la juntura del diodo. Es decir, para su
funcionamiento el fotodiodo es polarizado de manera inversa. Se producirá un aumento de la
circulación de corriente cuando el diodo es excitado por la luz. En ausencia de luz la corriente
presente es muy pequeña y recibe el nombre de corriente de oscuridad.
Fotodiodos de avalancha Tienen una estructura similar, pero trabajan con voltajes inversos
mayores. Esto permite a los portadores de carga fotogenerados ser multiplicados en la zona
de avalancha del diodo, resultando en una ganancia interna, que incrementa la respuesta del
dispositivo. Todo esto se basa en el manual del fabricante.
Fotorresistencia
Un fotorresistor o fotorresistencia es un componente electrónico cuya resistencia disminuye
con el aumento de intensidad de luz incidente.1 Puede también ser llamado fotoconductor,
célula fotoeléctrica o resistor dependiente de la luz, cuyas siglas, LDR, se originan de su
nombre en inglés light-dependent resistor. Su cuerpo está formado por una célula
fotorreceptora y dos patillas.

Su funcionamiento se basa en el efecto fotoeléctrico. Un fotorresistor está hecho de un

semiconductor de alta resistencia como el sulfuro de cadmio, CdS.2 Si la luz que incide en
el dispositivo es de alta frecuencia, los fotones son absorbidos por las elasticidades del
semiconductor dando a los electrones la suficiente energía para saltar la banda de
conducción. El electrón libre que resulta, y su hueco asociado, conducen la electricidad, de
tal modo que disminuye la resistencia. Los valores típicos varían entre 1 MΩ, o más, en la
oscuridad y 100 Ω con luz brillante.
Las células de sulfuro del cadmio se basan en la capacidad del cadmio de variar su
resistencia según la cantidad de luz que incide en la célula. Cuanta más luz incide, más baja
es la resistencia. Las células son también capaces de reaccionar a una amplia gama de
frecuencias, incluyendo infrarrojo (IR), luz visible, y ultravioleta (UV).
La variación del valor de la resistencia tiene cierto retardo, diferente si se pasa de oscuro a
iluminado o de iluminado a oscuro. Esto limita a no usar los LDR en aplicaciones en las
que la señal luminosa varía con rapidez. El tiempo de respuesta típico de un LDR está en el
orden de una décima de segundo. Esta lentitud da ventaja en algunas aplicaciones, ya que
se filtran variaciones rápidas de iluminación que podrían hacer inestable un sensor (p. ej.,
tubo fluorescente alimentado por corriente alterna). En otras aplicaciones (saber si es de día
o es de noche) la lentitud de la detección no es importante.
Se fabrican en diversos tipos y pueden encontrarse en muchos artículos de consumo, como
por ejemplo en cámaras, medidores de luz, relojes con radio, alarmas de seguridad o
sistemas de encendido y apagado del alumbrado de calles.
También se fabrican fotoconductores de Ge:Cu que funcionan dentro de la gama más baja
"radiación infrarroja".
Tipos de fotoresistencias
Sulfuro de cadmio – Las que son elaboradas a partir de este material son sensibles a todas
las radiaciones de tipo luminoso que son visibles.
Sulfuro de plomo – En caso que se use esta clase de material, la fotoresistencia es sensible
únicamente a las radiaciones infrarrojas.
Aplicaciones de las fotoresistencias
Son utilizadas con regularidad en el sector de la iluminación para el apagado y el encendido
de alumbrado como los interruptores crepusculares. También están presentes en las
alarmas, en las cámaras fotográficas o en los medidores de luz.
En relación con las que pertenecen a la gama infrarroja, son comunes entre las funciones de
control de máquinas o en los procesos de contar y de detección de objetos.
Grafica de comportamiento de una fotoresistencia
Fototransistor
Sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la región de base,
generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de
conducción.1 El fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia
propio del transistor.
Un fototransistor es igual a un transistor común, con la diferencia que el primero puede
trabajar de 2 formas:
Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común).
Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente
de base. Ip (modo de iluminación).
Puede utilizarse de las dos en formas simultáneamente, aunque el fototransistor se utiliza
principalmente con el pin de la base sin conectar.
La corriente de base total es igual a corriente de base (modo común) + corriente de base
(por iluminación): IBT = IB + IP.

Si es necesario aumentar la sensibilidad de este transistor, debido a la baja iluminación, se

puede incrementar la corriente de base (IB), con ayuda de polarización externa. El circuito
equivalente es un transistor común con un fotodiodo conectado entre la base y el colector,
con el cátodo del fotodiodo conectado al colector del transistor y el ánodo a la base.
Características
En el mercado se encuentran fototransistores tanto con conexión de base como sin ella y
tanto en cápsulas plásticas como metálicas (TO-72, TO-5) provistas de una lente.

Grafica del funcionamiento del fototransistor

Optoacopladores
Un optoacoplador, también llamado optoaislador o aislador acoplado ópticamente, es un
dispositivo de emisión y recepción que funciona como un interruptor activado mediante la
luz emitida por un diodo LED que satura un componente optoelectrónico, normalmente en
forma de fototransistor o fototriac. De este modo se combinan en un solo dispositivo
semiconductor, un fotoemisor y un fotorreceptor cuya conexión entre ambos es óptica. Estos
elementos se encuentran dentro de un encapsulado que por lo general es del tipo DIP. Se
suelen utilizar para aislar eléctricamente a dispositivos muy sensibles.

El optoacoplador combina un LED y un fototransistor

Funcionamiento
Si la tensión de entrada varía, la cantidad de luz también lo hará, lo que significa que la
tensión de salida cambia de acuerdo con la tensión de entrada. De este modo el dispositivo
puede acoplar una señal de entrada con el circuito de salida, aunque hay que tener en cuenta
que las curvas tensión/luz del LED no son lineales, por lo que la señal puede distorsionarse.
Se venden optoacopladores especiales para este propósito, diseñados de forma que tengan un
rango en el que la señal de salida sea casi idéntica a la de entrada.
La ventaja fundamental de un optoacoplador es el aislamiento eléctrico entre los circuitos de
entrada y salida. Mediante el optoacoplador, el único contacto entre ambos circuitos es un
haz de luz. Esto se traduce en una resistencia de aislamiento entre los dos circuitos del orden
de miles de MΩ. Estos aislamientos son útiles en aplicaciones de alta tensión en las que los
potenciales de los dos circuitos pueden diferir en varios miles de voltios.

Tipos
En general, los diferentes tipos de optoacopladores se distinguen por su diferente etapa de
salida. Entre los principales caben destacar el fototransistor, ya mencionado, el fototriac y el
fototriac de paso por cero. En este último, su etapa de salida es un triac de cruce por cero,
que posee un circuito interno que conmuta al triac sólo en los cruces por cero de la fuente.

Etapa de salida a fototransistor. Etapa de salida a fototriac.

 Dispositivos electrónicos de potencia
SCR
El rectificador controlado de silicio (en inglés SCR: Silicón Controlled Rectifier) es un tipo
de tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor con estructura PNPN o bien
NPNP. El nombre proviene de la unión de Tiratrón (tyratron) y Transistor.
Un SCR posee tres conexiones: ánodo, cátodo y gate (puerta). La puerta es la encargada de
controlar el paso de corriente entre el ánodo y el cátodo. Funciona básicamente como un
diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido. Mientras
no se aplique ninguna tensión en la puerta del SCR no se inicia la conducción y en el instante
en que se aplique dicha tensión, el tiristor comienza a conducir. Trabajando en corriente
alterna el SCR se des excita en cada alternancia o semiciclo. Trabajando en corriente
continua, se necesita un circuito de bloqueo forzado, o bien interrumpir el circuito.
El pulso de conmutación ha de ser de una duración considerable, o bien, repetitivo si se está
trabajando en corriente alterna. En este último caso, según se atrase o adelante el pulso de
disparo, se controla el punto (o la fase) en el que la corriente pasa a la carga. Una vez
arrancado, podemos anular la tensión de puerta y el tiristor continuará conduciendo hasta que
la corriente de carga disminuya por debajo de la corriente de mantenimiento (en la práctica,
cuando la onda senoidal cruza por cero)
Cuando se produce una variación brusca de tensión entre ánodo y cátodo de un tiristor, éste
puede dispararse y entrar en conducción aun sin corriente de puerta. Por ello se da como
característica la tasa máxima de subida de tensión que permite mantener bloqueado el SCR.
Este efecto se produce debido al condensador parásito existente entre la puerta y el ánodo.
Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrónica de potencia, en el campo del control,
especialmente control de motores, debido a que puede ser usado como interruptor de tipo
electrónico.
Parámetros del SCR
VRDM: Máximo voltaje inverso de cebado (VG = 0)
VFOM: Máximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)
IF: Máxima corriente directa permitida.
PG: Máxima disipación de potencia entre compuerta y cátodo.
VGT-IGT: Máximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebado
IH: Mínima corriente de ánodo requerida para mantener cebado el SCR
dv/dt: Máxima variación de voltaje sin producir cebado.
di/dt: Máxima variación de corriente aceptada antes de destruir el SCR

Curva característica del SCR

En la figura inferior de muestra la dependencia entre el voltaje de conmutación y la
corriente de compuerta. Cuando está polarizado en inversa se comporta como un diodo
común (ver la corriente de fuga característica que se muestra en el gráfico). En la región de
polarización en directo, se comporta también como un diodo común, siempre que ya haya
sido activado (On). Ver los puntos D y E. Para valores altos de corriente de compuerta (IG)
(ver punto C), el voltaje de ánodo a cátodo es menor (VC).

Curva característica de un SCR para diferentes corrientes de compuerta (IG) - Electrónica

Unicrom
Si la IG disminuye, el voltaje ánodo-cátodo aumenta. (ver el punto B y A, y el voltaje
ánodo-cátodo VB y VA). Concluyendo, al disminuir la corriente de compuerta IG, el
voltaje ánodo-cátodo tenderá a aumentar antes de que conduzca (se ponga en On / esté
activo)

TRIAC
El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo
de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en ambos sentidos
y puede ser bloqueado por inversión de la tensión o al disminuir la corriente por debajo del
valor de mantenimiento. El triac puede ser disparado independientemente de la polarización
de puerta, es decir, mediante una corriente de puerta positiva o negativa.
Funcionamiento
Cuando el triac conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy baja resistencia de
una terminal a la otra, dependiendo la dirección de flujo de la polaridad del voltaje externo
aplicado. Cuando el voltaje es más positivo en MT2, la corriente fluye de MT2 a MT1 en
caso contrario fluye de MT1 a MT2. En ambos casos el triac se comporta como un interruptor
cerrado. Cuando el triac deja de conducir no puede fluir corriente entre las terminales
principales sin importar la polaridad del voltaje externo aplicado por tanto actúa como un
interruptor abierto.
Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variación de tensión importante al triac (dv/dt)
aún sin conducción previa, el triac puede entrar en conducción directa.
La estructura contiene seis capas como, aunque funciona siempre como un tiristor de cuatro
capas. En sentido MT2-MT1 conduce a través de P1N1P2N2 y en sentido MT1-MT2 a través
de P2N1P1N4. La capa N3 facilita el disparo con intensidad de puerta negativa. La
complicación de su estructura lo hace más delicado que un tiristor en cuanto a di/dt y dv/dt y
capacidad para soportar sobre intensidades. Se fabrican para intensidades de algunos
amperios hasta unos 200 A eficaces y desde 400 a 1000 V de tensión de pico repetitivo. Los
triac son fabricados para funcionar a frecuencias bajas, los fabricados para trabajar a
frecuencias medias son denominados alternistores, el símbolo esquemático e identificación
de las terminales de un triac, la nomenclatura Ánodo 2 (A2) y Ánodo 1 (A1) pueden ser
reemplazados por Terminal Principal 2 (MT2) y Terminal Principal 1 (MT1) respectivamente

Grafica

describe la característica tensión – corriente del Triac. Muestra la corriente a través del
Triac como una función de la tensión entre los ánodos MT2 y MT1.
El punto VBD (tensión de ruptura) es el punto por el cual el dispositivo pasa de una
resistencia alta a una resistencia baja y la corriente, a través del Triac, crece con un pequeño
cambio en la tensión entre los ánodos.
El Triac permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye por debajo de la
corriente de mantenimiento IH. Esto se realiza por medio de la disminución de la tensión de
la fuente. Una vez que el Triac entra en conducción, la compuerta no controla más la
conducción, por esta razón se acostumbra dar un pulso de corriente corto y de esta manera
se impide la disipación de energía sobrante en la compuerta.
El mismo proceso ocurre con respecto al tercer cuadrante, cuando la tensión en el ánodo
MT2 es negativa con respecto al ánodo MT1 y obtenemos la característica invertida. Por
esto es un componente simétrico en cuanto a conducción y estado de bloqueo se refiere,
pues la característica en el cuadrante I de la curva es igual a la del III.

DIAC
Es un componente electrónico que está preparado para conducir en los dos sentidos de sus
terminales, por ello se le denomina bidireccional, siempre que se llegue a su tensión de
cebado o de disparo (30v aproximadamente, dependiendo del modelo).

Los encapsulados de estos dispositivos suelen ser iguales a los de los diodos de unión o de
zener.
Es un diodo bidireccional disparable que conduce la corriente, solo tras haberse superado su
tensión de disparo, y mientras la corriente circulante no sea inferior al valor característico
para ese dispositivo.
El comportamiento es fundamentalmente el mismo para ambas direcciones de la corriente.
La mayoría de los DIAC tienen una tensión de disparo de alrededor de 30V. En este sentido,
su comportamiento es similar a un neón. Los diac son una clase de tiristor, y se usan
normalmente para disparar los TRIAC, otra clase de tiristor. Es un dispositivo semiconductor
de dos terminales, llamados ánodo y cátodo. Actúa como un interruptor bidireccional el cual
se activa cuando el voltaje entre sus terminales alcanza el voltaje de ruptura, dicho voltaje
puede estar entre 20 y 36 volts según la referencia.
Cuando la tensión de disparo se alcanza, la tensión en el DIAC se reduce y entra en
conducción dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o TRIAC. Se utiliza
principalmente en aplicaciones de control de potencia mediante control de fase.
Un diac es un elemento semiconductor utilizado normalmente en el control de potencia, lo
que significa que servirá para controlar electrónicamente el paso de corriente eléctrica.
Principio de operación y curva característica
La operación del DIAC consiste fundamentalmente en llevar la estructura NPN hasta un
voltaje de ruptura equivalente al del transistor bipolar. Debido a la simetríade construcción
de este dispositivo, la ruptura puede ser en ambas direcciones y debe procurarse que sea la
misma magnitud de voltaje. Una vez que el dispositivo empieza a conducir corriente sucede
un decremento en el voltaje de ruptura, presentando una región de impedancia negativa (si
se sigue aumentando la corriente puede llegar hasta la segunda ruptura), entonces se logra
que el dispositivo maneje corrientes muy grandes.

En este dispositivo se tiene siempre una pendiente negativa, por lo cual no es aplicable el
concepto de corriente de sustentación.
La conducción ocurre en el DIAC cuando se alcanza el voltaje de ruptura, con cualquier
polaridad, a través de las dos terminales. La curva de la figura 1 ilustra esta característica.
Una vez que tiene lugar la ruptura, la corriente fluye en una dirección que depende de la
polaridad del voltaje en las terminales. El dispositivo se apaga cuando la corriente cae abajo
del valor de retención.
Características generales y aplicaciones
Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la corriente del
TRIAC, de forma que solo se aplica tensión a la carga durante una fracción de ciclo de la
alterna. Estos sistemas se utilizan para el control de iluminación con intensidad variable,
calefacción eléctrica con regulación de temperatura y algunos controles de velocidad de
motores.
La forma más simple de utilizar estos controles es empleando el circuito en que la resistencia
variable R carga el condensador C hasta que se alcanza la tensión de disparo del DIAC,
produciéndose a través de él la descarga de C, cuya corriente alcanza la puerta del TRIAC y
le pone en conducción. Este mecanismo se produce una vez en el semi ciclo positivo y otra
en el negativo. El momento del disparo podrá ser ajustado con el valor de R variando como
consecuencia el tiempo de conducción del TRIAC y, por tanto, el valor de la tensión media
aplicada a la carga, obteniéndose un simple pero eficaz control de potencia.
Otras diferentes aplicaciones de este dispositivo semiconductor son:

Controles de relevador.
Circuitos de retardo de tiempo.
Fuentes de alimentación regulada.
Interruptores estáticos.
Controles de motores.
Recortadores.
Inversores.
Ciclo-conversores.
Cargadores de baterías.
Circuitos de protección.
Controles de calefacción.
Controles de fase.
Tipos de DIAC
DIAC de tres capas:
Es similar a un transistor bipolar sin conexión de base y con las regiones de colector y emisor
iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece bloqueado hasta que se alcanza tensión de
avalancha en la unión del colector. Esto inyecta corriente en la base que vuelve el transistor
conductor, produciéndose un efecto regenerativo. Al ser un dispositivo simétrico, funciona
igual en ambas polaridades, intercambiando el emisor y colector sus funciones.
DIAC de cuatro capas:
Consiste en dos diodos Shockley conectados en anti paralelo, lo que le da la característica
bidireccional. Su aplicación tiene como dispositivo de disparo bidireccional para el TRIAC.

Transistores IGBT
Durante mucho se tiempo se buscó la forma de obtener un dispositivo que tuviera una alta
impedancia de entrada y que fuera capaz de manejar altas potencias a altas velocidades, esto
dio lugar a la creación de los Transistores bipolar de puerta aislada (IGBT). Los transistores
IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces y se describirán
más adelante.
Estructura
El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan (PNPN) que son
controlados por un metal-óxido-semiconductor (MOS), estructura de la puerta sin una acción
regenerativa. Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) celular se construye de manera
similar a un MOSFET de canal n vertical de poder de la construcción, excepto la n se
sustituye con un drenaje + p + capa de colector, formando una línea vertical del transistor de
unión bipolar de PNP.
Este dispositivo posee la característica de las señales de puerta de los transistores de efecto
campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar,
combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como
interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del
MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. En la figura
II se observa la estructura interna de un IGBT, el mismo cuenta con tres pines Puerta (G),
Emisor (E) y Colector (C).
Funcionamiento
Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta, el IGBT enciende inmediatamente, la
corriente de colector IC es conducida y el voltaje VCE se va desde el valor de bloqueo hasta
cero. La corriente IC persiste para el tiempo de encendido en que la señal en la puerta es
aplicada. Para encender el IGBT, el terminal C debe ser polarizado positivamente con
respecto a la terminal E. La señal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado a
la puerta G.
Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15 volts, puede causar
que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, después de lo cual la corriente de colector ID es
igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo
se mantiene así por una señal de voltaje en el G. Sin embargo, en virtud del control de voltaje
la disipación de potencia en la puerta es muy baja.
El IGBT se apaga simplemente removiendo la señal de voltaje VG de la terminal G. La
transición del estado de conducción al estado de bloqueo puede tomar apenas 2
microsegundos, por lo que la frecuencia de conmutación puede estar en el rango de los 50
kHz.
EL IGBT requiere un valor límite VGE (TH) para el estado de cambio de encendido a
apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VCE cae a
un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el
G debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente IC se auto limita.
Características técnicas
ICmax Limitada por efecto Latch-up.
VGEmax Limitada por el espesor del óxido de silicio.
Se diseña para que cuando VGE = VGEmax la corriente de cortocircuito sea entre 4 a 10
veces la nominal (zona activa con VCE=Vmax) y pueda soportarla durante unos 5 a 10 us. y
pueda actuar una protección electrónica cortando desde puerta.
VCEmax es la tensión de ruptura del transistor pnp. Como α es muy baja, será
VCEmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700, 2.100 y
3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV).
La temperatura máxima de la unión suele ser de 150ºC (con SiC se esperan valores mayores)
Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp.
En la actualidad es el dispositivo más usado para potencias entre varios kW y un par de MW,
trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.
Aplicaciones
El IGBT es un dispositivo electrónico que generalmente se aplica a circuitos de potencia.
Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. Se usan en los
Variadores de frecuencia, así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas y convertidores
de potencia que nos acompañan cada día y por todas partes, sin que seamos particularmente
conscientes de eso: Automóvil, Tren, Metro, Autobús, Avión, Barco, Ascensor,
Electrodoméstico, Televisión, Domótica, Sistemas de Alimentación Ininterrumpida o SAI
(en Inglés UPS), etc.