Otros tipos de transistores ‘Ademas de los transistores bipolares y los FET, hay ‘otros tipos de transistores no tan utilizados, pero no por ello menos importantes en la electrénica debido a sus usos especiales en cierto tipo de circuitos. Transistores UJT (Unijunction Transistor) Este tipo, llamados transistores monojuntura 0 intura, como su nombre lo indica, tienen una sola unin PN. Estén conformados por un material tipo N que incluye una conexién no rectificadora en cada uno de sus extremos; estas conexiones reciben el nombre de Base | (BI) y Base 2 (B2).El tercer terminal es una juntura rectificadora PN si- tuada en un punto intermedio del material N, el cual recibe el nombre de emisor (E).Dependiendo del tipo de material principal hay UJT tipo N y tipo Pipero en laiprictica los més utilizados son los del tipo N.En la figura 10.16 se muestran el simbolo, fa estructura interna, el circuito equivalente y el aspecto fisico de uno de los transistores UJT tipo N mas conocidos, el 2N2646. Elfuncionamiento de los UJT es muy diferente al de los transistores bipolares y los FET. Como el material que conforma el cuerpo principal tiene una resistencia determinada (generalmente comprendi- dda entre 4,000 y 12.000 ©) llamada Rea,y el emisor {que forma la unién PN esta conectado en un punto « o f ls S 5 Figura 10.16. Simbolo, estructura interna, crcuito equivalente y ‘aspectofisico de un UT tipo N GHENT > cirso foe 30 sectrinica bisico ere rat foros ‘ensién inversa de emisor (méxima) = _30V Vas (maxima) = _35V Corriente de pico de emisor (mixima) = 2A Corriente eficaz de emisor (mixima) = _ SOmA Disipacién maxima = _300mW 0,56 - 0.75 To-18 Figura 10.17. Caracteristics eléctrices de un UIT to N Ref. 2N2646 intermedio de esta resistencia, una parte del voltaje aplicado a la Base 2 (B2) aparece entre fa juntura PN y la Base | (BI). Este voltaje es el parmetro mas importante del UJT y se le ha llamado «rela- i6n intrinsecan;se representa con la letra griega n y su valor tipico se puede encontrar entre 0,45 y 0,8. En la figura 10.17 se muestran las dems ca- racteristicas eléctricas de un UJT (2N2646). El comportamiento del UJT es similar al de un diodo Zener, pero se le puede variar el voltaje de avalancha con sélo modificar las condiciones eléc- tricas en el terminal Base 2. El efecto Zener se presenta normalmente entre los terminales Emi- sor y Base I,a través de los cuales se establece un paso siibito de corriente cuando la tensién eléc- trica entre éstos alcanza el punto de avalancha. Aprovechando esta caracteristica, los UJT se utili- zan principalmente como generadores de pulsos u osciladores de relajacién, su circuito basico se muestra en la figura 10.18. La carga del conden- sador a través de la resistencia R y la descarga a ‘través de la unién PN y la resistencia E-Bl, se util- za para generar impulsos de corriente a intervalos regulares y usualmente ajustables, lo cual lo con- Vierte en un circuito muy sencillo y apropiado para el disparo de tiristores, como oscilador, 0 como temporizador. Los transistores IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor) Estos dispositivos, cuyo nombre se puede traducir >>> bb bbbh bbe bpbppppoeeepppnppppppnneeppnnnnnnpnnnrrerrrnnn GS ceComponentes +a 12) Figura 10.18. Circuito bésico de un UJT como generador de pulsos como transistor bipolar de compuerta aislada, son la combinacién de un transistor bipolar y un FET, ya que en la entrada se comportan como un FET de ‘compuerta aislada y en la salida como un transistor bipolar de potencia. Esta combinacién les brinda muy buenas caracteristicas como interruptores de po- tencia, reemplazando otros semiconductores como los MOSFET de potencia y los tiristores 0 elemen- tos electromeciinicos, tales como los relés, 0 los contactores, los cuales sufren desgaste mecénico. Los IGBT son muy similares en su estructura fisica a los MOSFET de potencia, pero se aseme- jan mas a los transistores bipolares en su opera- cién eléctrica. En la figura 10.19 se muestran los simbolos utilizados para su representacion.De- pendiendo de su polaridad, existen IGBT NPN y PNP. Los primeros, son equivalentes a un transis- tor PNP manejado por un MOSFET de canal N y los segundos, a un transistor NPN manejado por un MOSFET de canal P La mayor parte de los IBGT disponibles comercialmente son dispositi- vos NPN 0 de canal N. & Colector Colector Is8T NPN Get PNP 6 6 Compuera Compuerta ° ° is 4 te ° Emisor Emisor Figura 10.19. Simbolos pora los IG8T 102 4A AMAA AAA AAA AAA Los IGBT se clasifican de acuerdo a su velo- cidad en: lentos, répidos y ultra-répidos, cada uno optimizado para operar en una gama de frecuencias especifica. Los IGBT lentos o de ve- locidad estndar, por ejemplo el IRGBC30S (600V/35A) de International Rectifier, trabajan desde CC (0 hertz) hasta ~IkHz. Se caracteri: zan por su baja caida de voltaje en estado de saturacién. Se utilizan principalmente en siste- mas de potencia ininterrumpida (UPS), tos de control de motores, estabilizadores de voltaje y otras aplicaciones practicas a nivel de frecuencia de linea. Para comprender cémo opera un IGBT, con- sideremos el circuito equivalente NPN de la fi gura 10.20. En condiciones normales, con un voltaje de compuerta Vce=0, entre colector y emisor circula una corriente de fuga (Ices) muy débil y el IGBT esta esencialmente bloqueado.A medida que aumenta el voltaje positivo de com- puerta, llega un momento en el cual se supera un valonumbral (VGe(th)) y el dispositive entra en conduccién, permitiendo la circulacién de una cortiente de colector (Ic). A partir de entonces,una pequefia variacién AVG del voltaje de compuerta, por ejemplo 0,5V, provo- «@ una gran variacién Alc de la corriente de colec- tor, digamos 1A. La relacién incremental entre la corriente de colector y el voltaje de compuerta de un IGBT define la transconductancia (gfe), en Sie- mens (5), del dispositivo. Esto es: ‘Transconductancia = gfe = Ale Ve e Figura 10.20. Circuito equivalente NPN de un IGBT Curso facit de electrénica besice » EMIT:rerpreesrerrererrrror rr LQ@CCLON Los tiristores ‘Ademis de los transistores, hay otro grupo muy importante de semi- conductores llamados tiristores, los cuales se emplean principalmente como interruptores electrénicos.A su vez, dentro de los tiristores hay varios tipos siendo los principales los SCR y los triac;y otros, no tan utilizados como los diac, y los GTO. Estos dispositivos han ido reempla- zando, con més eficiencia, confiabilidad y duracién en todo tipo de tareas, a los interruptoros electromecanicos tales como los relés y los contactores cuyas partes mecénicas se van desgastando con el uso. GRIT: > csrs0 foci de electrice basica