UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN

MARCOS

Facultad de Ing. Electrónica, Eléctrica y de

Telecomunicaciones

APELLIDOS Y NOMBRES MATRÍCULA

ARICA VIDAL Sebastián 17190285

MINAYA RIVERA Iberth Alexander 17190084

SINCHI RUMUACA Diego Adrián 17190280

YEN LANDA Fuy Hong 17190092

Boulangger Ñañez Joan Manuel 17190247

CURSO TEMA

Lab. Dispositivos y Componentes Electrónicos Instrumentación de corriente continua

INFORME FECHAS NOTA

Final REALIZACIÓN ENTREGA

NÚMERO
13 de junio del 20 de junio de
2018 2018
6

GRUPO PROFESOR

“L3” miércoles 2pm - 4 pm (2018 I) Ing. Luis Paretto Quispe

DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS 1

 ÍNDICE GENERAL

 CARÁTULA

 OBJETIVOS

 INTRODUCCIÓN TEÓRICA

 MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO

 PROCEDIMIENTO

 DATOS OBTENIDOS-INTERPRETACIÓN

 CUESTIONARIO FINAL - DESARROLLO

 CONCLUSIONES

 BIBLIOGRAFÍA

DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS 2

 EXPERIMENTO N°6

TEMA: EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP CARACTERÍSTICAS

BÁSICAS
OBJETIVOS
 Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP.
 Comprobar las características de funcionamiento de un transistor bipolar
PNP

MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO

1. Un multímetro digital.
2. Un miliamperímetro.
3. Un microamperímetro.
4. Un voltímetro de C.C. (analógico).
5. Un transistor 2N3906.
6. Un osciloscopio.
7. Resistores: Re=330Ω, Rc=1KΩ, R1=56KΩ, R2=22KΩ.
8. Condensadores: Cb=0.1µF, Cc=0.1µF, Ce=3.3µF.
9. Una fuente de C.C variable.
10. Cables conectores (3 coaxiales ORC).
11. Un potenciómetro de 1MΩ.
12. Una placa con zócalo de 3 terminales.
13. Tres placas con zócalos de 2 terminales.

INTRODUCCION TEORICA
El transistor NPN es un dispositivo electrónico que está
compuesto por tres regiones semi-conductoras inter-
conectadas N-P-N. Este elemento tiene por lo tanto tres pines
de conexión. El transistor es bipolar. Las uniones PN o NP
están compuestas por materiales semi-conductor.
Un material semi-conductor puede funcionar como conductor
y como aislante de acuerdo a la polarización eléctrica que se
conecte. El transistor NPN tiene dos funciones básicas, ser un
interruptor electrónico o un amplificador. Este tipo de
transistor también se puede clasificar como BJT.

El transistor NPN está compuesto por tres capas de materiales semi-conductores, este arreglo
es como un pastel de tres capas, Capa N-P-N. Estos materiales son cristales de silicio que se
encuentran dopados de forma distinta.

DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS 3

Cuando un cristal de material semi-conductor, (Silicio ó Germanio), se “dopa” con Boro,
produce un cristal semiconductor con sólo 3 electrones disponibles de 4, por lo tanto se
genera un “hueco” eléctrico. En cambio, cuando el cristal es dopado con impurezas
como arsénico, (el arsénico tiene 5 electrones en su última capa), el cristal se queda con un
electrón de más. En resumen:

SÍMBOLO DE UN TRANSISTOR NPN

El símbolo de un transistor NPN incluye a los tres pines antes
mencionados, el Colector, Base y Emisor. Este sería el diagrama más
usado para este tipo de transistor. Algunos transistores más comunes
NPN de pequeña señal son: 2N2222 y 2N3904. SI se requiere de mayor
potencia, se puede usar un TIP21C. En las hojas de datos se encuentra
especificada la ubicación de cada uno de estos tres pines.

APLICACIONES DEL TRANSISTOR NPN

Un transistor NPN, que también se llama BJT, puede ser usado para dos cosas. El transistor
puede funcionar como un interruptor controlado electrónicamente o como un amplificador
con ganancia variable. El transistor es también la base para el desarrollo de sistemas digitales
como compuertas lógicas. Las compuertas lógicas son la base de los sistemas embebidos.
Entonces podemos plantear que el transistor es la base de la tecnología digital actual.
Regresando a las aplicaciones comunes, la más usada es el uso del transistor NPN
como interruptor electrónico, para este funcionamiento, el transistor debe de operar en las
zonas llamadas corte y saturación.

TRANSISTOR NPN COMO AMPLIFICADOR

Existen dos tipos de transistores, los bipolares que se controlan mediante una entrada de
corriente y los de efecto de campo que son activados mediante una entrada de voltaje. Para un
amplificador electrónico se utiliza una pequeña corriente en la base del transistor para
controlar una corriente mayor entre el colector y el emisor.

Para este tipo de transistores bipolares, la amplificación es

entonces respecto de la corriente. La corriente del colector
es proporcional a la corriente en la base multiplicada por la
“beta” del transistor. Entonces este es el factor de ganancia
en un transistor NPN.

Ic = hFE*Ib

Ic = Corriente de colector

hFE = Beta del transistor

Ib = Corriente en la base

DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS 4

 Este factor de ganancia depende de la corriente del colector y puede llegar a variar, es por eso
que no es recomendable el uso de transistores como amplificadores electrónicos y se
recomienda mejor el uso de amplificadores operacionales. Por ejemplo, en el transistor
2N2222A, el cual es un transistor NPN bipolar, su Hfe puede valer desde 35 hasta 300
dependiendo de la corriente del colector y del voltaje colector-emisor. (VCE).
Para determinar la corriente en el emisor Ie, se puede usar la siguiente ecuación.

Ie = Ib + Ic = (1/hFE+1)*Ic

PROCEDIMIENTO
1.-Verificar el estado operativo del transistor, usando el ohmímetro
Resistencia Directa (Ω) Inversa(Ω)
Base-emisor 708Ω Mayor a 30M Ω
Base-colector 704 Ω Mayor a 30M Ω
Colector-emisor Mayor a 30M Ω Mayor a 30M Ω

2. Armar el siguiente circuito

a) Medir las corrientes que circulan por el
colector (Ic) y la base obtener el β (P1=0 Ω).
b) Medir los voltajes entre colector emisor entre
base emisor y emisor-tierra.
c) Colocar los datos obtenidos en la tabla 2.
d) Cambiar R1 a 68 kΩ, repetir los pasos (a) y
(b) y anotar en la tabla 3.
e) Aumentar p1 a 100k k Ω ,250k Ω, 500k Ω y
1M Ω observar lo que sucede con las
corrientes Ic y Ib y con el voltaje Vce.
Llenar la tabla 5
3. Ajustar el generador de señales a 50 mv.pp, 1KHz, onda senoidal. Observar la
salida Vo con el osciloscopio. Anotar en la Tabla 4.

TABLA 2 (Q1)

Valores 𝑽𝑬 (𝑽)
𝑰𝑪 (𝒎𝑨) 𝑰𝑩 (µ𝑨) 𝜷 𝑽𝑪𝑬 (𝑽) 𝑽𝑩𝑬 (𝑽)
(R1=56kΩ)
Teóricos −6.425 −35.538 180 −3.45 0.7 −2.12

Medidos −6.38 −34 𝟏𝟖𝟕. 𝟔𝟒 −3.68 𝟎. 𝟕 −2.07

DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS 5

 TABLA 3 (Q2)

Valores 𝑰𝑪 (𝒎𝑨) 𝑰𝑩 (µ𝑨) 𝜷 𝑽𝑪𝑬 (𝑽) 𝑽𝑩𝑬 (𝑽) 𝑽𝑬 (𝑽)

(R1=68kΩ)
Teóricos −5.405 −26.92 200 −4.811 0.7 −1.784 𝑉
Medidos −5.27 −26 𝟐𝟎𝟐. 𝟔𝟗 −5.11 𝟎. 𝟔𝟗𝟏 −1.712 𝑉

TABLA 4

Tabla 𝑽𝒊(𝒎𝒗. 𝒑𝒑) 𝑽𝒐 (𝒗. 𝒑𝒑) 𝑨𝒗 𝑽𝒐 (𝒔𝒊𝒏 𝑪𝒆) 𝑨𝒗(𝒔𝒊𝒏 𝑪𝒆)

3 (Q2) 900𝑚𝑉 9.8𝑉 𝟏𝟎. 𝟖𝟗 2.5 𝟐. 𝟕𝟕

TABLA 5

P1 𝟏𝟎𝟎 𝑲Ω 𝟐𝟓𝟎 𝑲Ω 𝟓𝟎𝟎 𝑲Ω 𝟏 𝑴Ω

𝑰𝑪 (𝒎𝑨) −1.84 −0.37 0 0
𝑰𝑩 (µ𝑨) −7.5 −1.7 0 0
𝑽𝑪𝑬 (𝑽) -9.61 −11.5 −11.99 -11.99

(Q3) (Q4) (Q5) (Q6)

- Analizando el circuito
entregado podemos
observar que se trata
de un transistor de
polarización tipo ‘H’; es
decir, debemos aplicar
un circuito equivalente
de Thevenin para
poder calcular aquellos
valores que dependen
directamente de las
resistencias 1 y 2 y del
potenciómetro (P1).

DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS 6

 𝑅 = 𝑅1 + 𝑃1

Donde:
𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅2 𝑅 ∗ 𝑅2
𝑉𝐻𝐽 = ; 𝑅𝑒𝑞 =
𝑅 + 𝑅2 𝑅 + 𝑅2

Hallamos los valores máximos de 𝐼𝐶 y 𝑉𝐶𝐸 :

𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 = = −9.02 𝑚𝐴 ; 𝑉𝐶𝐸𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐶𝐶 = −12 𝑉
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸

 Haciendo 𝑅1 = 56 𝐾Ω (𝑃1 = 0 𝐾Ω):

𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅2 𝑅 ∗ 𝑅2
𝑉𝐻𝐽 = = −3.384 𝑉 ; 𝑅𝑒𝑞 = = 15.794 𝐾Ω
𝑅 + 𝑅2 𝑅 + 𝑅2

𝑅2 = 22 𝐾Ω ; 𝑅𝐶 = 1 𝐾Ω ; 𝑅𝐸 = 330 Ω ; 𝑉𝐵𝐸 ≅ 0.7 𝑉 (Si.) → 𝑉𝐸𝐵 ≅ −0.7 𝑉 ;

𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 ; 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸

En la malla 1:
𝐼𝐶
𝑉𝐻𝐽 = 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐸𝐵 + 𝑅𝑒𝑞 ∗ 𝐼𝐵 ; 𝐼𝐵 =
𝛽
𝑅𝑒𝑞
𝑉𝐻𝐽 − 𝑉𝐸𝐵 = 𝐼𝐶 (𝑅𝐸 + )
𝛽
𝑉𝐻𝐽 − 𝑉𝐸𝐵
𝐼𝐶𝑄 = ≅ −6.425 𝑚𝐴
𝑅𝑒𝑞
𝑅𝐸 +
𝛽

DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS 7

 En la malla 2:

𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) + 𝑉𝐶𝐸

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) ≅ −3.45 𝑉

Hallamos 𝐼𝐵 y 𝑉𝐸 :
𝑉𝐻𝐽 − 𝑉𝐸𝐵
𝐼𝐵 = ≅ −35.538µ𝐴
𝑅𝑒𝑞 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸

𝑉𝐸 = 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐸 = −2.12 𝑉

TABLA 2 (𝑹𝟏 = 𝟓𝟔 𝑲Ω)

𝑰𝑪 (𝒎𝑨) 𝑰𝑩 (µ𝑨) 𝜷 𝑽𝑪𝑬 (𝑽) 𝑽𝑩𝑬 (𝑽) 𝑽𝑬 (𝑽)

−𝟔. 𝟒𝟐𝟓 −35.538 𝟏𝟖𝟎 −3.45 𝟎. 𝟕 −2.12

 Haciendo 𝑅 = 68 𝐾Ω (𝑅1 = 68 𝐾Ω):

𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅2 𝑅 ∗ 𝑅2
𝑉𝐻𝐽 = = −2.933 𝑉 ; 𝑅𝑒𝑞 = = 16.622 𝐾Ω
𝑅 + 𝑅2 𝑅 + 𝑅2

𝑅2 = 22 𝐾Ω ; 𝑅𝐶 = 1 𝐾Ω ; 𝑅𝐸 = 330 Ω ; 𝑉𝐵𝐸 ≅ 0.7 𝑉 (Si.) → 𝑉𝐸𝐵 ≅ −0.7 𝑉 ;

𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 ; 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸

En la malla 1:
𝐼𝐶
𝑉𝐻𝐽 = 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐸𝐵 + 𝑅𝑒𝑞 ∗ 𝐼𝐵 ; 𝐼𝐵 =
𝛽
𝑅𝑒𝑞
𝑉𝐻𝐽 − 𝑉𝐸𝐵 = 𝐼𝐶 (𝑅𝐸 + )
𝛽
𝑉𝐻𝐽 − 𝑉𝐸𝐵
𝐼𝐶𝑄 = ≅ −5.405 𝑚𝐴
𝑅𝑒𝑞
𝑅𝐸 +
𝛽
En la malla 2:
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) + 𝑉𝐶𝐸

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) ≅ −4.811 𝑉

DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS 8

 Hallamos 𝐼𝐵 y 𝑉𝐸 :
𝑉𝐻𝐽 − 𝑉𝐸𝐵
𝐼𝐵 = ≅ −26.92 µ𝐴
𝑅𝑒𝑞 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸

𝑉𝐸 = 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐸 = −1.784 𝑉

TABLA 3 (𝑹 = 𝟔𝟖 𝑲Ω)

𝑰𝑪 (𝒎𝑨) 𝑰𝑩 (µ𝑨) 𝜷 𝑽𝑪𝑬 (𝑽) 𝑽𝑩𝑬 (𝑽) 𝑽𝑬 (𝑽)

−𝟓. 𝟒𝟎𝟓 −26.92 𝟐𝟎𝟎 −4.811 𝟎. 𝟕 −1.784 𝑉

DATOS OBTENIDOS-INTERPRETACIÓN
CUESTIONARIO FINAL - DESARROLLO
CONCLUSIONES
BIBLIOGRAFÍA
 https://hetpro-store.com/TUTORIALES/transistor-npn/
 http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema8/Paginas/Pagina
3.htm
 https://techlandia.com/definicion-transistor-pnp-info_247918/
 https://www.infootec.net/transistor-npn-y-pnp/

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