ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL

ESCUELA DE FORMACIÓN DE TECNÓLOGOS

TECNOLOGÍA SUPERIOR EN REDES Y TELECOMUNICACIONES

CP - ELECTRÓNICA ANALÓGICA Y
DIGITAL

INFORME

Práctica No: 6
Tema: Amplificador con TBJ en Emisor, Base y Colector Común

Realizado por:

Estudiante: Soledispa Víctor – Vega Josué Grupo: CPR2 – Grupo: 4

(Espacio Reservado)
Fecha de entrega: 2019 / 05 / 28 f.
Año mes día Recibido por:
Sanción:

PERÍODO 2019 – A
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TRTR246CP - CP - ELECTRÓNICA ANALÓGICA Y DIGITAL

INFORME- PRÁCTICA 6
1. Marco teórico

TRANSISTORES TBJ
Es un dispositivo electrónico de sólido el cual posee dos uniones PN muy cercanas entre sí, que
permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la
corriente a través de sus terminales.
La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento
de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran
utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su
impedancia de entrada bastante baja.

Ilustración 1. Transistor TBJ. Ilustración 2. Simbología del Transistor TBJ.

Transistor NPN
Estos transistores están conformados por dos diodos semiconductores con sus terminales
negativas colocadas de manera opuesta. Estos transistores poseen características específicas
las cuales se presentan a continuación.
- La unión base-emisor se polariza de manera directa.
- La unión base-colector se polariza de manera inversa.
- La base de un transistor NPN es más delgada que el ancho de difusión de los electrones.
- Funciona como amplificador o interruptor electrónico.

Transistor PNP
Estos transistores están conformados por dos diodos semiconductores con sus terminales
positivas colocadas de manera opuesta. Además, poseen características únicas presentadas a
continuación.
- Cubierta de plástico o caja de metal.
- La corriente fluye por la base.
- Controla corriente que fluye en Emisor-Colector.
- Las polaridades y direcciones de corriente son invertidas respecto al transistor PNP.
- Se usan como conmutadores.

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Regiones del transistor TBJ

Imagen 3: Regiones del Transistor TBJ

- Región De Corte: Donde ambas uniones

están conectadas en contra. La corriente de
base es muy pequeña, y no fluye, para todos
los efectos, corriente al emisor.

- Región Lineal Activa: El transistor actúa como

un amplificador lineal. La unión BE está
conectada en directo y la unión CB está en
reversa.

- Región De Saturación: Ambas uniones están

conectadas en directo. Cuando un transistor
trabaja en esta región este funciona como
interruptor. Ilustración 3. Regiones del Transistor TBJ.

- Región De Ruptura: Determina el límite físico de operación del transistor

POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR TBJ

La polarización de un transistor no es más que inducir voltaje por el mismo mediante un

circuito que ayude a estabilizarlo. Algunos puntos a cumplir se muestran a continuación.
- El punto de trabajo de un transistor se realiza a través de diferentes circuitos de
polarización que fijen sus tensiones y corrientes.

- La polarización con una fuente sin resistencia de emisor es poco recomendable por
carecer de estabilidad; bajo ciertas condiciones se puede producir deriva térmica que
autodestruye el transistor.

- La polarización con una fuente es mucho más estable, aunque el que más se utiliza con
componentes discretos es el circuito de auto polarización.

- La polarización de colector-base asegura que el transistor nunca entra en saturación al

mantener su tensión colector-base positiva.

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2. Desarrollo
Mediante la utilización de equipos como:
✓ Circuitos implementados.
✓ Fuente DC Y AC
✓ Puntas de pruebas (cable BNC-lagartos rojo y negro).
✓ Multímetro.
✓ Protoboard
✓ Elementos electrónicos (resistencias, capacitores, diodos semiconductores, transistores)

Circuitos Implementados

Ilustración 4. Circuito 1. Ilustración 5. Circuito 2.

Ilustración 6. Circuito 3.

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3. Análisis de resultados

- Primer Circuito
VOLTAJES

𝑉𝐼𝑁, 𝑉𝑂𝑈𝑇 0,2 V; 0,86 V

𝑉𝐶 14,7 V

𝑉𝐵 1,18 V

𝑉𝐸 1,10 V

Tabla 1. Voltajes obtenidos Circuito 1.

CORRIENTES

𝐼𝐶 2,1 mA

𝐼𝐵 11,16 mA

𝐼𝐸 2,1 mA

Tabla 2. Corrientes obtenidos Circuito 1.

- Segundo Circuito

VOLTAJES

𝑉𝐼𝑁, 𝑉𝑂𝑈𝑇 0,1 V, 3,37 V

𝑉𝐶 10,4 V

𝑉𝐵 1,18 V

𝑉𝐸 1,10 V

Tabla 3. Voltajes obtenidos Circuito 2.

CORRIENTES

𝐼𝐶 4,6 mA

𝐼𝐵 2,71 mA

𝐼𝐸 4,6 mA

Tabla 4. Corrientes obtenidos Circuito 2.

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- Tercer Circuito

VOLTAJES

𝑉𝐼𝑁, 𝑉𝑂𝑈𝑇 0,8 V; 1,41 V

𝑉𝐶 16.87 V

𝑉𝐵 8,05 V

𝑉𝐸 7,98 V

Tabla 5. Voltajes obtenidos Circuito 3.

CORRIENTES

𝐼𝐶 2,31 mA

𝐼𝐵 11,30 mA

𝐼𝐸 2,31 mA

Tabla 6. Corrientes obtenidos Circuito 3.

4. Cuestionario
a. Presentar en un cuadro las mediciones realizadas en la práctica y los valores teóricos
calculados en el trabajo preparatorio. Obtener los porcentajes de error y justificarlos.

- Valores teóricos (Primer Circuito)

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- Valores teóricos (Segundo Circuito)

- Valores teóricos (Tercer Circuito)

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VALOR TEÓRICO VALOR ERROR

PRÁCTICO PORCENTUAL
PRIMER CIRCUITO 𝑉𝐶 = 15,58 V 𝑉𝐶 = 14,7 V 5,64 %

𝑉𝐵 = 1,81 V 𝑉𝐵 = 1,18 V 3,43 %

𝑉𝐸 = 1,11 V 𝑉𝐸 = 1,10 V 0,9 %

𝐼𝐶 = 2,51 mA 𝐼𝐶 = 2,1 mA 16,33 %

𝐼𝐵 = 0,60 mA 𝐼𝐵 = 11,16 mA 47,60 %

𝐼𝐸 = 2,51 mA 𝐼𝐸 = 2,1 mA 16,33 %

SEGUNDO CIRCUITO
𝑉𝐶 = 11,12 V 𝑉𝐶 = 10,4 V 6,47 %

𝑉𝐵 = 1,81 V 𝑉𝐵 = 1,18 V 3,48%

𝑉𝐸 = 1,11 V 𝑉𝐸 = 1,10 V 0,9 %

𝐼𝐶 = 4,88 mA 𝐼𝐶 = 4,6 mA 5,73 %

𝐼𝐵 = 0,60 mA 𝐼𝐵 = 2,71 mA 35,16 %

𝑰𝑬 = 4,88 mA 𝑰𝑬 = 4,6 mA 5,73 %

TERCER CIRCUITO
𝑉𝐶 = 18 V 𝑉𝐶 = 17,99 V 0,05 %

𝑉𝐵 = 9,9 V 𝑉𝐵 = 8,05 V 18,68 %

𝑉𝐸 = 9,2 V 𝑉𝐸 = 7,98 V 13,26 %

𝐼𝐶 = 2,36 mA 𝐼𝐶 = 2,31 mA 2,11 %

𝐼𝐵 = 0,66 mA 𝐼𝐵 = 11,30 mA 16,12 %

𝐼𝐸 = 2,36 mA 𝐼𝐸 = 2,31 mA 2,11 %

Tabla 7. Cálculo de error.

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b. Mencione aplicaciones prácticas que se pueda utilizar amplificadores con TBJ’s.

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:

• Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)
• Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de
radiofrecuencia)
• Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de
alimentación conmutadas, control de lámparas, modulación por
anchura de impulsos PWM)
• Detección de radiación luminosa (fototransistores)

c. Realizar el análisis AC y DC del siguiente circuito. Obtener las corrientes y voltajes de

polarización, voltaje de salida y amplificación de voltaje, asumiendo un β= 150.

Ilustración 7. Circuito a calcular.

𝐴𝑛á𝑙𝑖𝑠𝑖𝑠 𝐷𝐶 − 𝐶 = 𝑂𝐹𝐹
𝛽𝑅𝐸 > 10𝑅𝐵2
150 68 + 510) > 10(3,3𝑘Ω)
(
86700 > 33000

𝑅𝐵2 𝑉𝑅𝐸
𝑉𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 ∗ (𝑅 ) 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐸 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 = 𝛽𝐼𝐵
𝐵2 +𝑅𝐵1 𝑅𝐸
3,3𝑘 1,11 𝑉 𝐼𝐸
𝑉𝐵 = 20 ∗ (33𝑘+3,3𝑘 ) 0,7 = 1,81 − 𝑉𝐸 𝐼𝐸 = (68+510) 𝐼𝐵 = 𝛽
1,92 𝑚𝐴
𝑉𝐵 = −1,81 𝑉 𝑉𝐸 = −1,11 𝑉 𝐼𝐸 = 1,92 𝑚𝐴 = 𝐼𝐶 𝐼𝐵 = 150
𝐼𝐵 = 12,8 µ𝐴
26𝑚𝐴
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝐶 𝑟𝐸 = 𝐼𝐸
26𝑚𝐴
𝑉𝐶 = 20 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 𝑟𝐸 = 1,92𝑚𝑉
𝑉𝐶 = 20 − (1,92 𝑚𝐴 ∗ 2𝑘Ω) 𝑟𝐸 = 13,54 Ω
𝑉𝐶 = −16,16 𝑉

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𝐴𝑛á𝑙𝑖𝑠𝑖𝑠 𝐴𝐶 − 𝐶 = 𝑂𝑁
𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿
𝐴𝑉 = −
𝑟𝐸 + 𝑅𝐸1
2𝑘 ∥ 2𝑘
𝐴𝑉 = −
13,54 + 68
𝐴𝑉 = −12,26

𝑍𝐼𝑁𝑄 = 𝛽(𝑟𝐸 ∥ 𝑅𝐸1 ) 𝑍𝐼𝑁 = (𝑅𝐵1 ∥ 𝑅𝐵2 ) ∥ 𝑍𝐼𝑁𝑄 𝑍𝑂 = 𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿

𝑍𝐼𝑁𝑄 = 150(13,54 ∥ 68) 𝑍𝐼𝑁 = (33𝑘 ∥ 3,3𝑘) ∥ 12231 Ω 𝑍𝑂 = 2𝑘 ∥ 2𝑘
𝑍𝐼𝑁𝑄 = 12231 Ω 𝑍𝐼𝑁 = 2409,1 Ω 𝑍𝑂 = 1000 Ω

𝑉𝑂
𝐴𝑉 =
𝑉𝐼𝑁
𝑉𝑂 = 𝐴𝑉 ∗ 𝑉𝐼𝑁
𝑉𝑂 = −12,26 ∗ 0,2
𝑉𝑂 = −2,45 𝑉

4. Conclusiones y recomendaciones
Conclusiones:
- En las 3 configuraciones de los transistores en la práctica pudimos observar la
variación de voltajes y corrientes medidas respecto a la parte teórica, además de que
especialmente las mediciones de las corrientes daban algún otro valor. (Soledispa
Víctor)
- Se pudo observar en teoría el funcionamiento de los transistores TBJ al final se pudo
ver en el osciloscopio observar la señal del voltaje de salida amplificada respecto a la
señal de voltaje de entrada esta sin distorsionarse. (Soledispa Víctor)
- Mediante la configuración en la que esté configurado el transistor podemos darnos
una idea de la ganancia que obtendremos con el voltaje de salida además lo podremos
corroborar con la gráfica de la señal. (Vega Josué)
- Se concluye que este tipo de circuitos ya sea de canal NPN o PNP amplifican el voltaje
de diferente manera ya que si utilizamos un PNP la gráfica de la salida del voltaje
saldría desfasada pero implicada ya la ganancia de voltaje. (Vega Josué)

Recomendaciones:
- Llevar armados los circuitos ya que eso nos ahorró tiempo en la medición de los
voltajes y corrientes y tomar en cuenta que este bien armado. (Soledispa Víctor)
- Usar la menor cantidad de cables al momento de armar el circuito en el protoboard
ya que al final puede interferir en la medición de las corrientes y voltajes ya que estos
por más mínima que sean poseen una resistividad. (Soledispa Víctor)
- No utilizar el cable para hacer puentes que suelen vender en las electrónicas porque
este puede afectar a la correcta medición del circuito es mejor utilizar cable de timbre
o parecido. (Vega Josué)

5. Bibliografía / Referencias
[1] «Patent US2524035: Three-electrode circuit element utilizing semiconductive materials» (en inglés).
United States Patent Office. Consultado el 13 de marzo de 2016
[2] https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar

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6. Anexos

Anexo 1. Hoja de datos.

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Anexo 2. Hoja de datos (reverso).

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