Diseño de un transistor de unión

BJT
Proyecto de Semiconductores 1
Proyecto No. 1

José Bustamante
22 de marzo de 2016

1. Instrucciones 3. Entregar al instructor

Diseñar un BJT desde cero. En particular pre-
sentar lo siguiente:
Dopajes
Dimensiones fı́sicas del transistor
Proceso de fabricación del transistor
Diagrama del transistor a escala
Todos los parámetros de amplificación del
transistor (γ, αF , αR , etc)
El diseño deberá ser hecho a mano inicialmen-
te. ( A mano implica que tiene que diseñarse usan-
do lápiz, borrador, papel, ninguna herramienta tec-
nológica más avanzada). Presentar el diseño en pa-
pel. El proceso de fabricación deberá estar debida-
mente explicado.
Diseño en papel escrito con lápiz.
Informe impreso sobre el diseño. EL informe es
un ejercicio de comunicación, debe ser posible
leerlo, debe relatar el diseño de una manera
cientı́fica.
Entregar en un CD todos los archivos de si-
mulaciones y archivos de programas que haya
usado.
El código de honor será estrictamente aplicado:
cualquier cosa (imagen, gráfico, texto) que no
haya sido hecha por el estudiante, y no esté de-
bidamente citada es un ejemplo de plágio.
La fecha de entrega del proyecto es el viernes
22 de abril de 2016.

2. Verificación
Para verificar el diseño hacer lo siguiente:

Usando los parámetros descritos en las instruc-

ciones junto con el Modelo de Ebers-Moll, gra-
fique las curvas de volgaje y corriente del tran-
sistor. Tome en cuenta la modulación de la lon-
gitud de la base.
Use un simulador para hacer un modelo con
elementos finitos de su transistor. Compare la
simulación con las curvas obtenidas en el literal
2.