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Capacidad
Localización
z Celda de Memoria:
– Circuito eléctrico usado para almacenar un bit. Ejemplo son
z Procesador (CPU) FF, anillos magnéticos, etc.
– Registros z Tamaño de palabra (Word size)
z Interna (Internal) – La unidad natural de la organización de la memoria.
– Largos comunes de palabras son 8,16, 32 hasta 64 bits. No
– Memoria Principal siempre el tamaño es igual al numero de líneas de dato.
z Externa (External) z Números de palabras (Number of words)
– Memoria Secundaria o Auxiliar – Bytes: esta formado de 8 bits.
– Nible: esta formado de 4 bits.
Capacidad
Capacidad
z Ejemplo 1: z Ejemplo 2:
– Un chip de memoria esta especificado 2K x 8. – Un chip de memoria esta especificado 256K x 8.
¿Cuántas líneas de entrada y salida tiene?
¿Cuántas palabras (words) se pueden almacenar ¿Cuántas líneas de dirección tiene? ¿Cuál es su
en el chip? ¿Cuánto es el total de bits que este capacidad en bytes?
chip puede almacenar? – Solución:
– Solución: z Tiene ocho de cada una, ya que el tamaño de la palabra
z En números reales 1k = 1024. Por lo tanto: es ocho.
– 2K = 2 x 1024 = 2048 words z La memoria almacena 256 x 1024 = 262.144 palabras.
Como 262.144 = 218 , este requiere un total de 18 bits de
z Cada palabra es de 8 bits (byte). Por lo tanto:
dirección.
– 2048 x 8 = 16, 384 bits
z Un byte es 8 bits. Por lo tanto la capacidad de la
memoria es de 262.144 bytes.
Características físicas
Tipos físicos (Physical Types) z Descenso (Decay)
– Se refiere a la perdida de poder eléctrico cuando el
interruptor es apagado.
z Semiconductor (Semiconductor) z Volátil (Volatility)
– RAM, ROM, Jump Drive, etc. – Es un termino relacionado al descenso y se refiere a si la
memoria puede perder su contenido por la falta de energía.
z Magnético (Magnetic) z No-volátil: no pierde su contenido
z Volátil: pierde su contenido
– Disco (Disk) & Cinta(Tape)
z Borrable (Erasable)
z Óptico (Optical) – Se refiere a si el contenido de una memoria puede ser
cambiada o eliminada deliberadamente.
– CD & DVD
z Consumo de poder (Power consumption)
– Energía que necesita para mantener su contenido.
Puntos relevantes
Organización z ¿Como de mucho?
– Capacidad (Capacity)
z Es la clave del diseño. z ¿Como de rápido?
z Debe entenderse como el arreglo físico de los – El tiempo es dinero
bits en una palabra (words) z ¿Como de caro?
z No siempre es obvia esta organización. – A mayor velocidad en el tiempo de acceso, mayor
costo por bit.
– A mayor capacidad, menor el costo por bit.
– A mayor capacidad, menor el tiempo de acceso.
Tipos de ROM
Memoria ROM z Escritos durante la manufactura
z Llamada memoria de solo lectura ya que los ROM – MROM (Mask Programmed ROM)
originales solo permitían que se les escribiera solo z Muy costosos para corridas pequeñas.
una vez. z Ejemplos de esta memoria es 74187 (256x4, 40ns tiempo de
acceso), 7488A (32x8, 45ns), TMS47257 (32Kx8, 200ns, 82.5
z Hoy día los diferentes tipos de esta memoria son mW) y el TMS47C256 (“CMOS”, 32Kx8, 150ns, 2.8 mW).
diseñadas para guardar datos de forma permanente
z Programable (Solo una vez)
o que no es cambiada frecuentemente.
– PROM (Programmable ROM)
z Microprogramado z Necesita equipo especial para ser programado
z Se utilizan para: z La estructura en igual a la del MROM pero utilizando unos
– Librerías para subrutinas fusibles para cambiar solo una ves el contenido de estas.
z Ejemplos de esta memoria es 74186 (64x8, 50ns), TBP28S166
– Programa del Sistema (BIOS) (2Kx8, 50ns), TMS27PC256 (“CMOS PROM”, 32Kx8, 120-250
– Tablas funcionales. ns, 1.4 nW).
Tipos de ROM Memoria RAM
z Mayor mente leído
– Erasable Programmable (EPROM) z RAM (Random Access Memory)
z Es borrado por Luz Ultra Violeta (UV). – Es llamada así pero todas las memorias semiconductoras
z Ejemplos Intel 2732 (4kx8, 45ns), Intel 27C512 (64Kx8, 100µs). son de acceso aleatorio (random access). Característica:
z El borrado tarda de 15 a 20 minutos y la escritura es de 50 ms.
z Lectura/Escritura (Read/Write)
– Electrically Erasable (EEPROM)
z Puede ser borrado eléctricamente y por bits individualmente. z Volátil (Volatile)
z El tiempo de escritura es de unos 5 ms. z Almacenamiento temporal (Temporary storage)
z Ejemplos Intel 2864 (8Kx8). z Estático o Dinámico (Static or dynamic)
– Flash memory – Los tamaños típicos son 1 a 64K y tamaño de palabras de 1,
z Borra toda la memoria eléctricamente 4 o 8 bits.
z Se pueden borrar eléctricamente como los EEPROM y tienen las
densidad de los EPROM. – Ejemplos de los RAM originales son el 2147H “NMOS”,
z Su tiempo de escritura son de unos 10 µs. MCM6206C “CMOS RAM”.
z Ejemplo es el Intel 28F256A (32Kx8).
z Nombres son Jump Drive, Dump Drive, Pen Drive, etc.
Organización en detalle
SDRAM
z Todas las celdas de memoria
semiconductoras comparten ciertas
propiedades:
– Pueden tener dos estados estables, las cuales se
pueden representar binariamente con 1 y 0.
– Son capaces de ser escritas por lo menos una
vez, para sincronizar el estado.
– Son capaces de ser leídos para sentir el estado.