NCN

www.nanohub.org

ECE606: Solid State Devices
ECE606: Solid State Devices
Lecture 10: Additional Information
Muhammad Ashraful Alam
alam@purdue.edu

Alam  ECE‐606 S09 1
Outline

1) Potential, field, and charge
2) E‐k diagram vs. band‐diagram
3) Basic concepts of donors and acceptors
4)) Conclusion

Reference: Vol. 6, Ch. 4 (pages 101-111)

Alam  ECE‐606 S09 2
E‐k diagram vs. band‐diagram

Kinetic energy
Potential Ec
Energy
Eυ

P.E. = Ec − Eref = − qV
Alam  ECE‐606 S09 3
Position Resolved E‐k Diagram

Ec Ec Ec
Eυ Eυ Eυ

Alam  ECE‐606 S09 4
 E‐k Diagram vs. Band‐diagram

V=0 V=V1

Eref
P E = Ec − Eref = − qV ( x )
P.E.
Alam  ECE‐606 S09 5
Potential, Field and Charge

P.E. = Ec − Eref

Ereff

−qV = Ec − Eref

dV 1 dEc
E=− =
d
dx q dx
d

dE d 2V
ρ= = 2
dx dx
Alam  ECE‐606 S09 6
Outline

1) Potential, field, and charge
2) E‐k diagram vs. band‐diagram
3) Basic concepts of donors and acceptors
4)) Conclusion

Alam  ECE‐606 S09 7
 Carrier Distribution 

DOS F‐D concentration

E 1− f (E) g c ( E ) f ( E ) dE
Etop
E n=∫
t

Ec

Ec gc ( E ) gc ( E ) f ( E )
EF
gυ ( E ) gυ ( E ) ⎡⎣1 − f ( E ) ⎤⎦
Eυ
f (E) 1
gυ ( E ) ⎡⎣1 − f ( E ) ⎤⎦ dE
Eυ
p=∫
Ebot

8
Effective Density of States

2
F1 2 (ηc ) → N C e β ( Ec − EF ) > 3
− β ( Ec − EF )
n = NC if
π

NC
gc ( E ) f ( E )
EF EF
gυ ( E ) ⎡⎣1 − f ( E ) ⎤⎦ NV

As if all states are at a single level EC

Alam  ECE‐606 S09 9
 E‐k Diagram vs. Band‐diagram

V=0
V 0 V=V1

EC
EV

Alam  ECE‐606 S09 10
Potential, Field and Charge

P E = Ec − Eref
P.E.
Eref

−qV = Ec − Eref

dV 1 dEc
E=− =
dx q dx

dE d 2V
ρ= = 2
dx dx
Alam  ECE‐606 S09 11
Outline

1) Potential, field, and charge
2) E‐k diagram vs. band‐diagram
3) Basic concepts of donors and acceptors
4)) Conclusion

Intrinsic concentration so small that it is no good …

Alam  ECE‐606 S09 12
Simplified Planar View of Atoms

Alam  ECE‐606 S09 13
Donor Atoms

Even with donors, material 
is charge neutral
Alam  ECE‐606 S09 14
Donor Atoms in H2‐analogy

r0
= +

r0
=

Alam  ECE‐606 S09 15
Donor Atoms in Real and Energy Space

m*host q 4
E1 = −
2 ( 4πε 0 K s ,host = )
2

r0 m0 q 4 m*host 1
=−
2 ( 4πε 0 = )
2
m0 K s ,host 2
m*host 1
= −13.6 ×
m0 K s ,host 2
~10s meV
ET=E1

Alam  ECE‐606 S09 16
Assumption of Large Radius …

4πε 0 K s ,host = 2
r1,P = *
host
2
r0
mhost q
4πε 0 = m0 K s ,host
2
=
m0 q 2 m*host
K s ,host
= r1,H *
mhost / m0
12.9
r1,P = 0.53 A × = 12.9 A
0.53
(see tables 1.6 and 4.1)
Alam  ECE‐606 S09 17
 Characteristics of Donor Atoms
The number of donor atoms is much smaller 
compared to host atoms. Therefore, the 
electrons from one donor atom can go to the
electrons from one donor atom can go to the 
other donor atoms only via the  conduction 
/valence bands of the host crystal.

Just like a Hydrogen atom, it is possible to 
have multiple localized level for a given atom 
(see the blue levels).   (D)

Good donors live close to the conduction 
band, so that they can offer electrons easily. 
However, if they are below the midgap, the 
f h b l h d h
donor levels are marked with (D) to 
differentiate them from acceptor atoms 
(which live close to the valence band)
(which live close to the valence band). 

Alam  ECE‐606 S09 18
Acceptor Atoms

Even with acceptor, material 
is charge neutral
Alam  ECE‐606 S09 19
Characteristics of Acceptor Atoms

r0

ET

Alam  ECE‐606 S09 20
Amphoteric Dopants

Donor-type acceptor-type

Alam  ECE‐606 S09 21
How to Read the Table …

Alam  ECE‐606 S09 22
Conclusion

Bulk electron density in a semiconductor can be calculated by 
multiplying bulk DOS and F‐D function. 

Position resolved electron density can be calculated by first 
Position resolved electron density can be calculated by first
converting the bulk E‐k diagram to band‐diagram. 

IIntrinsic carrier concentration is so small that semiconductor 
ti i i t ti i ll th t i d t
must be doped to make it useful. 

A doping atom behaves like a H‐atom, except that the 
dielectric constant and effective masses are given by by those 
of the host atom
of the host atom. 

Alam  ECE‐606 S09 23