Semiconductores

Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente, pero

tampoco es un aislante. En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas
negativas (electrones). En los semiconductores se producen corrientes producidas por el
movimiento de electrones como de las cargas positivas (huecos). Los semiconductores son
aquellos elementos perteneciente al grupo IV de la Tabla Periódica (Silicio, Germanio, etc).
Generalmente a estos se le introducen átomos de otros elementos, denominados impurezas, de
forma que la corriente se deba primordialmente a los electrones o a los huecos, dependiendo de la
impureza introducida. Otra característica que los diferencia se refiere a su resistividad, estando
ésta comprendida entre la de los metales y la de los aislantes.

Fig. 1. Disposición esquemática de los átomos de un semiconductor de silicio puro, no existen

electrones ni huecos libres

La disposición esquemática de los átomos para un semiconductor de silicio podemos observarla en

la figura 1, Las regiones sombreadas representan la carga positiva neta de los núcleos y los puntos
negros son los electrones, menos unidos a los mismos.

La fuerza que mantiene unidos a los átomos entre sí es el resultado del hecho de que los
electrones de conducción de cada uno de ellos, son compartidos por los cuatro átomos vecinos.

A temperaturas bajas la estructura normal es la que se muestra en la figura 1 en la cual no se

observa ningún electrón ni hueco libre y por tanto el semiconductor se comporta como un aislante.

1
 Fig 2. El aumento de temperatura rompe algunas uniones entre átomos liberándose un cierto
número de electrones.

En cambio, a la temperatura ambiente (20-25 grados C.) algunas de las fuertes uniones entre los
átomos se rompen debido al calentamiento del semiconductor y como consecuencia de ello
algunos de los electrones pasan a ser libres. En la figura siguiente se representa esta situación. La
ausencia del electrón que pertenecía a la unión de dos átomos de silicio se representa por un
círculo.

La forma en que los huecos contribuyen a la corriente, se detalla seguidamente Cuando un

electrón puede vencer la fuerza que le mantiene ligado al núcleo y por tanto abandona su posición,
aparece un hueco, y le resulta relativamente fácil al electrón del átomo vecino dejar su lugar para
llenar este hueco.

Este electrón que deja su sitio para llenar un hueco, deja a su vez otro hueco en su posición inicial,
De esta manera el hueco contribuye a la corriente lo mismo que el electrón, con una trayectoria de
sentido opuesto a la de éste.

Semiconductores Intrínsecos o puros, Impurezas dadoras o donadoras e Impurezas aceptadoras.

Se denomina semiconductor puro aquél en que los átomos que lo constituyen son todos del mismo
tipo (por ejemplo de germanio), es decir no tiene ninguna clase de impureza.

Si a un semiconductor puro como el silicio o el germanio, se le añade una pequeña cantidad de

átomos distintos (por ejemplo arsénico, fósforo, etc). se transforma en un semiconductor impuro.

A las impurezas se las clasifica en donadoras y aceptoras.

Si a la estructura del semiconductor de silicio se le añade alguna impureza, como puede ser el
arsénico (As), que tiene cinco electrones externos ligados al núcleo con carga positiva +5.

Cuatro de los cinco electrones del átomo de arsénico se unirán a los correspondientes electrones
de los cuatro átomos de silicio vecinos, y el quinto quedará inicialmente libre, sin una posible unión,
y por tanto se convertirá en un portador de corriente. A este tipo de impurezas que entregan
electrones portadores (negativos) se los denomina donadores o del tipo «n».

En un semiconductor con impurezas del tipo n, no sólo aumenta el número de electrones sino que
también la cantidad de huecos disminuye por debajo del que tenía el semiconductor puro.

2
La causa de esta disminución se debe a que una parte de los electrones libres llena algunos de los
huecos existentes.

Si al semiconductor puro de silicio se le añade algún tipo de impureza que tenga tres electrones
externos, solo podrá formar tres uniones completas con los átomos de silicio, y la unión incompleta
dará lugar a un hueco.

Este tipo de impurezas proporcionan entonces portadores positivos, ya que crean huecos que
pueden aceptar electrones; por consiguiente son conocidos con el nombre de aceptores, o
impurezas del tipo «p». Al contrario de lo que sucedía antes en el tipo n en un semiconductor con
impurezas de tipo p los portadores que disminuyen son los electrones en comparación, con los que
tenía el semiconductor puro.

A los semiconductores que contengan ya sea impurezas donadoras o aceptoras, se les llama
respectivamente de tipo n o p. En un semiconductor del tipo n, los electrones se denominan
portadores mayoritarios y los huecos portadores minoritarios.

En un material de tipo p, los huecos son portadores mayoritarios, y los electrones portadores
minoritarios.

3
 Diodos
INTRODUCCIÓN

El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulación de corriente entre sus
terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario.

En la Figura 1 se muestran el símbolo y la curva característica tensión-intensidad del

funcionamiento del diodo ideal. El sentido permitido para la corriente es de A a K.

Figura 1: Símbolo y curva característica tensión-corriente del diodo ideal.

El funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta resistencia nula al paso de
la corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el sentido opuesto. La punta de la
flecha del símbolo circuital, representada en la figura 1, indica el sentido permitido de la corriente.

• presenta resistencia nula.

• presenta resistencia infinita.

Mediante el siguiente ejemplo se pretende mostrar el funcionamiento ideal de un diodo en circuito

sencillo.

4
 Figura 2: Ejemplo de funcionamiento del diodo ideal.

Según está colocada la fuente, la corriente debe circular en sentido horario.

En el circuito de la izquierda, el diodo permite dicha circulación, ya que la corriente entra por el
ánodo, y éste se comporta como un interruptor cerrado. Debido a esto, se produce una caída de
tensión de 10V en la resistencia, y se obtiene una corriente de 5mA.

En el circuito de la derecha, el diodo impide el paso de corriente, comportándose como un

interruptor abierto, y la caída de tensión en la resistencia es nula: los 10V se aplican al diodo.

DIODO DE UNIÓN PN

Actualmente los diodos se fabrican a partir de la unión de dos materiales semiconductores de

características opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de tipo P. A esta estructura se le añaden
dos terminales metálicos para la conexión con el resto del circuito. En la Figura 3: se presenta el
esquema de los dos tipos de diodos que se fabrican actualmente, el diodo vertical y el plano.

Figura 3: Esquemas de diodos de unión PN

El hecho de que los diodos se fabriquen con estos materiales conlleva algunas desviaciones de
comportamiento con respecto al diodo ideal.

5
En este apartado se presenta en primer lugar el proceso de formación de los diodos de
semiconductores para pasar después a exponer el comportamiento eléctrico y las desviaciones con
respecto al comportamiento ideal.

Formación de la unión PN

Supongamos que se dispone de un monocristal de silicio puro, dividido en dos zonas con una
frontera nítida, definida por un plano. Una zona se dopa con impurezas de tipo P y la otra de tipo N
(Figura 4). La zona P tiene un exceso de huecos, y se obtiene introduciendo átomos del grupo III
en la red cristalina (por ejemplo, boro). La zona N dispone de electrones en exceso, procedentes
de átomos del grupo V (fósforo). En ambos casos se tienen también portadores de signo contrario,
aunque en una concentración varios órdenes de magnitud inferior (portadores minoritarios).

Figura 4: Impurificación del silicio para la obtención de diodos PN

En cada zona la carga total es neutra: por cada electrón hay un ion positivo, y por cada hueco un
ion negativo, es decir, no existen distribuciones de carga neta, ni campos eléctricos internos. En el
momento mismo de crear dos zonas de diferente concentración de portadores, entra en juego el
mecanismo de la difusión. Como se recordará, este fenómeno tiende a llevar partículas de donde
hay más a donde hay menos. El efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unión de
las dos zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria, es decir:

• Electrones de la zona N pasan a la zona P.

• Huecos de la zona P pasan a la zona N.

Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto. Centrémonos en la región de la

zona P cercana a la unión:

1. El electrón que pasa la unión se recombina con un hueco. Aparece una carga negativa, ya
que antes de que llegara el electrón la carga total era nula.
2. Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga positiva en la
zona P, con lo que también aparece una carga negativa.

El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para la zona N. En
consecuencia, a ambos lados de la unión se va creando una zona de carga, que es positiva en la
zona N y negativa en la zona P (Figura 5).

6
 Figura 5: Formación de la unión PN

En el ejemplo del capítulo 5, los gases difunden completamente hasta llenar las dos estancias de la
caja y formar una mezcla uniforme. Sin embargo, a diferencia de lo que ocurre con los gases de
aquel ejemplo, en este caso están difundiendo partículas cargadas. La distribución de cargas
formada en la región de la unión provoca un campo eléctrico desde la zona N a la zona P. Este
campo eléctrico se opone al movimiento de portadores según la difusión, y va creciendo conforme
pasan más cargas a la zona opuesta. Al final la fuerza de la difusión y la del campo eléctrico se
equilibran y cesa el trasiego de portadores. En ese momento está ya formado el diodo de unión
PN, y como resultado del proceso se ha obtenido:

• Zona P, semiconductora, con una resistencia RP.

• Zona N, semiconductora, con una resistencia .

• Zona de agotamiento (deplección): No es conductora, puesto que no posee portadores de
carga libres. En ella actúa un campo eléctrico, o bien entre los extremos actúa una barrera
de potencial.

Hay que tener en cuenta que este proceso sucede instantáneamente en el momento en el que se
ponen en contacto las zonas N y P, y no necesita de ningún aporte de energía, excepto el de la
agitación térmica.

Polarización directa

El bloque PN descrito en el apartado anterior (Figura 6) en principio no permite el establecimiento

de una corriente eléctrica entre sus terminales puesto que la zona de deplección no es conductora.

7
 Figura 6: Diodo PN durante la aplicación de una tensión inferior a la de barrera

Sin embargo, si se aplica una tensión positiva en el ánodo, se generará un campo eléctrico que
"empujará" los huecos hacia la unión, provocando un estrechamiento de la zona de deplección
(Figura 7). Sin embargo, mientras ésta exista no será posible la conducción.

Figura 7: Diodo PN bajo la acción de una tensión mayor que la de barrera

Si la tensión aplicada supera a la de barrera, desaparece la zona de deplección y el dispositivo

conduce. De forma simplificada e ideal, lo que sucede es lo siguiente (Figura 7):

1. Electrones y huecos se dirigen a la unión.

2. En la unión se recombinan.

En resumen, polarizar un diodo PNen directa es aplicar tensión positiva a la zona P y negativa a la
zona N. Un diodo PN conduce en directa porque se inunda de cargas móviles la zona de
deplección.

La tensión aplicada se emplea en:

• Vencer la barrera de potencial.

• Mover los portadores de carga.

Polarización inversa

Al contrario que en el apartado anterior, al aplicar una tensión positiva a la zona N y negativa a la
zona P, se retiran portadores mayoritarios próximos a la unión. Estos portadores son atraídos hacia
los contactos aumentando la anchura de la zona de deplección. Esto hace que la corriente debido
a los portadores mayoritarios sea nula (Figura 8).

Ahora bien, en ambas zonas hay portadores minoritarios. Un diodo polarizado en inversa lo está en
directa para los minoritarios, que son atraídos hacia la unión. El movimiento de estos portadores
minoritarios crea una corriente, aunque muy inferior que la obtenida en polarización directa para los
mismos niveles de tensión.

8
 Figura 8: Diodo PN polarizado en inversa

Al aumentar la tensión inversa, llega un momento en que se produce la ruptura de la zona de

deplección, al igual que sucede en un material aislante: el campo eléctrico puede ser tan elevado
que arranque electrones que forman los enlaces covalentes entre los átomos de silicio, originando
un proceso de rotura por avalancha. (Nota: Sin embargo, ello no conlleva necesariamente la
destrucción del diodo, mientras la potencia consumida por el diodo se mantenga en niveles
admisibles).

Característica tensión-corriente

La Figura 9 muestra la característica V-I (tensión-corriente) típica de un diodo real.

Figura 9: Característica V-I de un diodo de unión PN.

En la gráfica se aprecian claramente diferenciadas las diversas regiones de funcionamiento

explicadas en el apartado anterior:

• Región de conducción en polarización directa (PD).

o Región de corte en polarización inversa (PI).
o Región de conducción en polarización inversa.

9
Por encima de 0 Voltios, la corriente que circula es muy pequeña, hasta que no se alcanza la
tensión de barrera (VON). El paso de conducción a corte no es instantáneo: a partir de VON la
resistencia que ofrece el componente al paso de la corriente disminuye progresivamente, hasta
quedar limitada sólo por las resistencias internas de las zonas P y N. La intensidad que circula por
la unión aumenta rápidamente. En el caso de los diodos de silicio, VON se sitúa en torno a 0,7 V.

Cuando se polariza con tensiones menores de 0 Voltios, la corriente es mucho menor que la que
se obtiene para los mismos niveles de tensión que en directa, hasta llegar a la ruptura, en la que de
nuevo aumenta.

Diferencias entre el diodo de unión PN y el diodo ideal

Las principales diferencias entre el comportamiento real y ideal son:

1. La resistencia del diodo en polarización directa no es nula.

2. La tensión para la que comienza la conducción es VON.
3. En polarización inversa aparece una pequeña corriente.
4. A partir de una tensión en inversa el dispositivo entra en coducción por avalancha.

En la Figura 10 vemos representadas más claramente estas diferencias entre los comportamientos
del diodo de unión PN e ideal.

Figura 10: Diferencias entre el comportamiento del diodo de unión PN y del diodo ideal

Principales características comerciales

A la hora de elegir un diodo para una aplicación concreta se debe cuidar que presente unas
características apropiadas para dicha aplicación. Para ello, se debe examinar cuidadosamente la
hoja de especificaciones que el fabricante provee. Las características comerciales más importantes
de los diodos que aparecen en cualquier hoja de especificaciones son:

1. Corriente máxima en directa, IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente continua
máxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningún daño, puesto
que una alta corriente puede provocar un calentamiento por efecto Joule excesivo. Los
fabricantes suelen distinguir tres límites:

o Corriente máxima continua (IFM)

o Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current), en la que se especifica
también el tiempo que dura el pico

10
 o Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current), en la que se
especifica la frecuencia máxima del pico

1. Tensión de ruptura en polarización inversa (Breakdown Voltage, BV; Peak Inverse

Voltage, PIV): Es la tensión a la que se produce el fenómeno de ruptura por
avalancha.
2. Tensión máxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage): Es la
tensión que el fabricante recomienda no sobrepasar para una operación en inversa
segura.
3. Corriente en inversa, IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para
diferentes valores de la tensión inversa
4. Caída de tensión en PD, VF (Forward Voltage): Pese a que se ha señalado
anteriormente los 0.7V como valor típico, en muchas ocasiones los fabricantes
aportan datos detallados de esta caída de tensión, mediante la gráfica I-V del
dispositivo.

Además, es frecuente que los fabricantes suministren datos adicionales a cerca del
comportamiento del dispositivo para otras temperaturas diferentes a la nominal. En el Anejo A.1 de
este documento se incluyen unas hojas de datos de diodos a modo de ejemplo.

MODELOS DEL DIODO DE UNION PN

A continuación se van a explicar los diferentes tipos de modelos propuestos para el funcionamiento
de un diodo de unión PN.

Modelos para señales continuas

Bajo el término señales continuas se engloban en este apartado tanto las señales constantes en el
tiempo como aquellas que varían con una frecuencia muy baja.

Modelo DC del diodo real

El comportamiento del diodo real se corresponde con el indicado por la siguiente expresión:

en donde:

• n, es el factor de idealidad. El valor n se ubica dentro del rango entre 1 y 2. Depende de las
dimensiones del diodo, del material semiconductor, de la magnitud de la corriente directa y
del valor de IS.
• VT, es el potencial térmico del diodo y es función de la constante de Boltzmann (K), la
carga del electrón (q) y la temperatura absoluta del diodo T(K). La siguiente expresión
permite el cálculo de VT:

con y .

El potencial térmico a temperatura ambiente, T=25ºC, es VT=25.71mV.

11
 • R es la resistencia combinada de las zonas P y N, de manera que V-IR es la tensión que
se está aplicando en la unión PN, siendo I la intensidad que circula por el componente y V
la tensión entre terminales externos.
• IS, es la corriente inversa de saturación del diodo. Depende de la estructura, del material,
del dopado y fuertemente de la temperatura.

La representación gráfica de este modelo se muestra en la Figura 11:

Figura 11: Representación gráfica del modelo del diodo real.

Como puede apreciarse, este modelo no da cuenta de la tensión de ruptura en inversa.

El modelo puede completarse mediante la adición de nuevos parámetros que incluyan efectos no
contemplados en la teoría básica. Por ejemplo, algunos modelos empleados en los programas
simulación por ordenador constan de hasta quince parámetros. Sin embargo, a la hora de realizar
cálculos sobre el papel resulta poco práctico. Por ello es habitual realizar simplificaciones del
modelo para obtener soluciones de modo más simple.

Modelo ideal del diodo de unión PN

El modelo ideal del diodo de unión PN se obtiene asumiendo las siguientes simplificaciones:

• Se toma el factor de idealidad como la unidad, n=1.

• Se supone que la resistencia interna del diodo es muy pequeña y que, por lo tanto, la caída
de tensión en las zonas P y N es muy pequeña, frente a la caída de tensión en la unión
PN.

Para V<0, el término exponencial es muy pequeño, despreciable frente a la unidad. Entonces la
intensidad tiende al valor IS, que como ya se había indicado anteriormente, es la corriente inversa
del diodo. Para V>0, la exponencial crece rápidamente por encima de la unidad.

Modelo lineal por tramos

12
Al igual que el modelo real, el modelo ideal sigue siendo poco práctico, dado su carácter no lineal.
El modelo lineal por tramos se obtiene como una aproximación del modelo ideal del diodo de unión
PN, considerando las siguientes simplificaciones:

• En inversa, la corriente a través de la unión es nula.

• En directa, la caída de tensión en la unión PN (VON) es constante e independiente de la
intensidad que circule por el diodo.

Para calcular el valor de VON se considera un diodo de unión PN de silicio con una I S= 85 fA a
una temperatura ambiente de T=25 ºC. El potencial térmico a esa temperatura es VT=25.7 mV.
Tomando como variable independiente la intensidad I, la ecuación ideal del diodo queda:

A partir de esta expresión, se puede calcular la caída de tensión en el diodo para las magnitudes
de corriente habituales en los circuitos electrónicos. Por ejemplo, para un intervalo de corrientes 1
mA < I < 1 A se tienen tensiones 0.6 V <VDIODO< 0.77 V. Como se puede apreciar, mientras que
la corriente ha variado 3 órdenes de magnitud, la tensión apenas ha experimentado un cambio de
200 mV, por lo que es posible aproximar la caída de tensión en la unión PN a un valor constante de
0.7 V.

Con estas simplificaciones se consigue evitar las expresiones exponenciales que complican los
cálculos en la resolución del circuito. Sin embargo, se divide el modelo en dos tramos lineales
denominados inversa y directa (o corte y conducción), cada uno de los cuales obedece a
ecuaciones diferentes: el diodo queda convertido en un componente biestado.

El modelo lineal por tramos queda sintetizado en la siguiente tabla:

Estado Modelo Condición

Conducción

Corte

La Figura 12 muestra la curva característica V-I del modelo lineal

13
 Figura 12: Modelo lineal por tramos del diodo.

En la Figura 12, quedan reflejados los dos posibles estados del diodo el diodo:

• Conducción o Polarización Directa "On", donde la tensión es VON para cualquier valor de
la corriente.
• Corte o Polarización Inversa "Off", donde la corriente es nula para cualquier valor de
tensión menor que VON.

El uso de este modelo sólo está justificado en aquellas ocasiones en las que no se requiere una
gran exactitud en los cálculos.

Modelo para pequeñas señales de alterna

Hay aplicaciones en las que el diodo se polariza en un punto de tensión positiva, y sobre ese punto
se superpone una señal alterna de pequeña amplitud.

Figura 13: Diodo polarizado con una señal alterna superpuesta a una continua

El funcionamiento del diodo en esta situación queda representada gráficamente en la Figura 14:

14
 Figura 14: Tensión y corriente en un diodo polarizado con una señal alterna superpuesta a una
continua

Cuando al diodo se le aplica una tensión dada por la expresión:

la corriente que lo atraviesa puede calcularse aplicando cualquiera de los modelos explicados
anteriormente. Si se opta por el modelo exponencial ideal:

Supongamos que conocemos la amplitud de las oscilaciones de la tensión aplicada (VD) y

queremos conocer la amplitud de las oscilaciones de la corriente (ID). El método de cálculo sería:

Como puede apreciarse, el cálculo se complica. Si se considera además que el diodo está dentro
de un circuito es posible que ni siquiera pueda obtenerse una solución analítica.

Para obtener la solución al problema citado de una forma más simple se linealiza la curva del diodo
en el entorno del punto de operación, es decir, se sustituye dicha curva por la recta que tiene la
misma pendiente en el punto de operación, según se aprecia en la Figura 15

15
 Figura 15: Aproximación de la característica exponencial del diodo por la tangente en el punto de
operación

Teniendo en cuenta esta aproximación, la relación entre los incrementos de tensión y de corriente
pueden relacionarse tal y como se indica:

Obviamente, esta aproximación será tanto más cierta cuanto menores sean los valores de VD e ID.
A la derivada de la tensión con respecto a la corriente en el punto de operación se le llama
resistencia dinámica del diodo rD, y su expresión puede determinarse a partir del modelo
exponencial del diodo, teniendo en cuenta que si VDQ es mayor que VT puede despreciarse la
unidad frente al término exponencial:

16
Como VT 25 mV, la expresión válida para el cálculo de la resistencia dinámica de un diodo en
función de la corriente de polarización continua puede escribirse de la siguiente forma, llamada
aproximación de Shockley:

Esta aproximación sólo es válida en la región de conducción en polarización directa del diodo.

APLICACIÓN DE LOS MODELOS AL ANÁLISIS DE CIRCUITOS

En este apartado se detallan algunos métodos válidos para el análisis de circuitos con diodos,
basándose en los modelos expuestos en el apartado anterior.

Modelo exponencial

Suponiendo que se dispone de un circuito en el que se desconoce la polarización del diodo, los
pasos para resolver el problema serían:

1. Sustituir el diodo por una fuente de tensión VD con el signo positivo en el ánodo, y nombrar
como ID a la corriente que va de ánodo a cátodo del diodo

2. Resolver el circuito empleando las variables VD e ID como si fueran conocidas

1. Obtener la expresión que relaciona VD con ID

2. La ecuación del modelo del diodo proporciona otra relación entre VD e ID
3. Se resuelve el sistema de dos ecuaciones con dos incógnitas resultante

Modelo lineal por tramos

Los pasos para calcular las tensiones y corrientes en un circuito con un diodos empleando el
modelo lineal por tramos son:

1. Se asume la hipótesis de que el diodo está en uno de los dos estados posibles: corte o
conducción
2. Se sustituye el diodo por el modelo correspondiente y se calculan las tensiones y
corrientes del circuito
3. Una vez calculado el punto de polarización del diodo se comprueba la validez de la
hipótesis: los resultados obtenidos han de ser coherentes con la condición de existencia.
En el caso de que no lo sean, la hipótesis de partida no es correcta y es necesario rehacer
todos los cálculos desde el punto 1 con el modelo para el estado contrario.

Método gráfico

El procedimiento para el cálculo sería ahora:

1. Eliminar el diodo del circuito

2. Calcular el circuito equivalente Thevenin entre los puntos en los que se encontraba
conectado el diodo
3. Dibujar la recta de carga correspondiente al circuito Thevenin calculado
4. Dibujar en el mismo gráfico la curva característica del diodo

17
 5. Hallar el punto de intersección de ambas curvas

Pequeñas señales de alterna

Los circuitos en los cuales las excitaciones son suma de una componente continua y otra alterna
de pequeña amplitud se resuelven aplicando el principio de superposición (Figura 16)

Figura 16: Análisis de circuitos con componentes continuas y pequeñas señales de alterna

El método se resume en los siguientes puntos:

1. Análisis DC del circuito: Se cortocircuita la fuente de AC y se calcula por cualquiera de lo

métodos anteriores el punto de operación del diodo.
2. Cálculo de la resistencia dinámica del diodo, basándose en los resultados del punto
anterior
3. Análisis AC del circuito: Se cortocircuitan las fuentes DC y se sustituye el diodo por su
resistencia dinámica. De ese modo se obtiene el circuito equivalente AC, válido para el
cálculo de las amplitudes de las oscilaciones de las señales.

DIODOS ZENER

Algunos diodos se diseñan para aprovechar la tensión inversa de ruptura, con una curva
característica brusca o afilada. Esto se consigue básicamente a través del control de los dopados.
Con ello se logran tensiones de ruptura de 2V a 200V, y potencias máximas desde 0.5W a 50W.

La característica de un diodo zener se muestra en la Figura 17. Teóricamente no se diferencia

mucho del diodo ideal, aunque la filosofía de empleo es distinta: el diodo zener se utiliza para
trabajar en la zona de ruptura, ya que mantiene constante la tensión entre sus terminales (tensión
zener, VZ). Una aplicación muy usual es la estabilización de tensiones.

18
 Figura 17: Característica V-I de un diodo Zener.

Los parámetros comerciales del diodo zener son los mismos que los de un diodo normal, junto con
los siguientes:

• VZ: Tensión de zener

• IZM: Corriente máxima en inversa.

NOTA: Hay que tener en cuenta que el fabricante nos da los valores de VZ y IZM en valor absoluto.
Al resolver un problema, no hay que olvidar que los valores son negativos con el criterio de signos
establecido por el símbolo del componente (Figura 17).

El zener es un dispositivo de tres estados operativos:

• Conducción en polarización directa: Como en un diodo normal

• Corte en polarización inversa: Como en un diodo normal
• Conducción en polarización inversa: Mantiene constante la V=VZ, con una corriente entre
0 y IZM.

El modelo lineal por tramos para el diodo zener es el siguiente:

Estado Modelo Condición

Conducción P.D. V=VON I>0
Corte I=0 VZ<V<VON
Conducción P.I. V=VZ I<0

EJEMPLO DE APLICACIÓN DEL DIODO: RECTIFICACIÓN

La energía eléctrica generada en las centrales de potencia es de tipo alterna sinusoidal. Esta
energía se transmite hasta los centros de consumo mediante las redes de distribución. Sin
embargo, en muchas ocasiones, se requiere una tensión de alimentación continua. Un rectificador
es, básicamente, un dispositivo que transforma la tensión alterna en continua.

19
 Figura 18: Esquema general de la rectificación.

El rectificador es un aparato muy empleado en la vida diaria. Una gran parte de los
electrodomésticos utilizados en el hogar llevan incorporado un dispositivo de este tipo. En general,
estos aparatos necesitan menos tensión de alimentación que la suministrada por la red, por ello
llevan incorporado en primer lugar un transformador de tensión. El transformador reduce la tensión
de la red (220V eficaces es una tensión generalmente demasiado alta para pequeños
electrodomésticos) a la tensión deseada. Una vez reducida la tensión, el rectificador convierte la
tensión alterna en continua.

En este apartado se van a presentar los esquemas rectificadores más comúnmente empleados,
partiendo para ello de un circuito básico, e introduciendo en él los componentes necesarios para
mejorar su comportamiento.

Notaciones

Las notaciones empleadas en este apartado se detallan en la Figura 19.

Figura 19: Notaciones.

• vi: tensión de entrada, vi=VM·sen(wt).

• VO: tensión de salida.
• RL: resistencia asociada al aparato o "carga" que se conecta al rectificador.

En el caso más general, según la notación de la figura, la tensión vi sería la tensión de la red , la
VO sería la tensión deseada en continua y la RL simbolizaría al aparato musical, video,… que por
ser un elemento pasivo, puede reducirse a una simple resistencia de carga mediante su circuito
equivalente Thevenin.

Un rectificador funciona en vacío cuando no se le conecta ningún aparato, es decir, cuando la RL

no está unida al circuito. En caso de que sí esté conectada se dice que funciona en carga.

Esquema básico. Rizado de la onda de salida

20
El esquema de la Figura 20 es el más sencillo de los rectificadores: el diodo. A continuación se
estudia este circuito, para después discutir la validez del mismo.

Figura 20: Esquema de un sencillo rectificador.

Cuando el valor de la tensión de entrada es superior a la de conducción del diodo se crea una
corriente, y se cumple que: VO = vi -VON.

Si se desprecia VON frente a vi, cuando la tensión de entrada sea mayor que cero, VO = vi
(normalmente siempre se realizará esta simplificación). Si la tensión de entrada es negativa, vi<0,
el diodo D esta en corte, con lo que no existirá ninguna corriente. Por lo tanto, la caída de potencial
en RL será nula. Todo esto se puede apreciar en las gráficas de la Figura 21.

Como se puede apreciar, la tensión de salida VO se parece muy poco a lo que se entiende por
tensión continua, es decir, un valor constante en el tiempo. Sin embargo, esta onda no es tan mala
como parece. Aunque no es constante, siempre es mayor que cero. Además, su valor medio es
diferente de cero. Con los esquemas más complejos, se intenta que esta onda de salida se
parezca lo más posible a una línea horizontal, pero siempre tendremos una desviación de la ideal,
que se cuantifica por el rizado de la onda de salida:

En este caso, el rizado es del 100%. El problema con el que nos encontramos es que cuando el
diodo está en corte no se alimenta a la carga. Para disminuir el rizado, es preciso suministrar
energía a la carga durante los semiciclos en los que la fuente no actúa.

21
 Figura 21: Tensiones en el circuito de la Figura 20.

El condensador en los rectificadores

Como se recordará, el condensador es un componente que almacena energía. Cuando se somete

a una diferencia de potencial, esta obliga a las cargas a situarse entre sus placas. En el momento
en el que cesa el potencial, las cargas pueden retornar a un circuito y comportarse como un
generador de tensión.

En la Figura 22 se presenta el esquema eléctrico que aplica este principio a la rectificación. Lo que
se pretende es que sea el condensador el que alimente a la carga cuando no pueda hacerlo la
fuente de alimentación.

22
 Figura 22: Esquema de rectificador con condensador.

Funcionamiento en vacío:

Se estudiará en primer lugar el esquema en vacío, es decir, sin carga aplicada.

Figura 23: Funcionamiento en vacío.

Sea vI = VM·sen(wt), y la caída de tensión en el diodo en conducción despreciable. En el instante

inicial el condensador se encuentra descargado. En un punto entre , vi es mayor que
cero, por lo tanto, el diodo D está polarizado en directa. Por él circula una corriente que carga al
condensador.

Se considera que el condensador se carga instantáneamente (VC = vi). La carga del condensador
es posible porque hay un camino en el circuito que se lo permite.

En el instante , la tensión de entrada es máxima, vi = VM, así como la tensión del

condensador. Cuando la tensión de entrada empieza a decrecer el condensador, cargado con una
diferencia de potencial VC = VM, intenta seguir el ritmo que le marque la fuente de tensión,
disminuyendo VC. Evidentemente, para que el valor de VC disminuya, es necesario que el

condensador pierda parte de su carga ( ). Para ello, la corriente de descarga ha de

seguir un camino contrario al de la corriente que lo cargó, ya que el circuito se encuentra
funcionando en vacío, sin ninguna carga RL conectada. La corriente no puede circular dado que el
diodo está en inversa para ese sentido de circulación, con lo que C no puede descargarse y
mantiene fija la tensión VM. La siguiente figura refleja la carga y descarga del condensador:

23
 Figura 24: Funcionamiento del condensador.

Se puede deducir fácilmente, aplicando la ley de las mallas que cuando el diodo está en corte

, o sea, VD siempre es menor o igual que cero, el diodo nunca

conducirá y el condensador nunca se descargará.

Figura 25: Tensiones en el circuito de la Figura 22.

Por lo tanto el condensador mantiene la diferencia de potencial entre sus terminales. La Figura 25
resume todo lo visto en este subapartado.

24
La onda de salida es perfecta para nuestros propósitos, ya que salvo entre 0 y es totalmente
horizontal; pero vamos a ver qué pasa cuando el dispositivo funciona en carga.

Funcionamiento en carga:

Según se ha definido previamente, el funcionamiento en carga es el que se obtiene al conectar una

carga RL al dispositivo objeto de estudio.

Figura 26: Dispositivo en carga.

Dado un valor de vi entre 0<wt<p/2. Al ser un valor positivo, el diodo está en conducción. Hay dos
caminos posibles para la intensidad que salga del generador. Por un lado, hay una corriente que
carga el condensador, y por otro, una corriente que circule por RL. Si suponemos que estamos en
bajas frecuencias, el valor de la intensidad que absorbe el condensador es despreciable frente a la
que circula por RL, y se puede determinar el valor de la corriente que atraviesa la carga como:

Cuando wt>p/2 como en el caso anterior el diodo entra en corte al intentar descargarse el
condensador por él. Sin embargo, ahora el condensador tiene un camino para descargarse a
través de RL. Mientras el diodo esté en corte, la parte derecha del circuito se comporta
independientemente con respecto al generador.

Figura 27: Descarga de C a través de RL.

25
El condensador va perdiendo su carga al poder cerrarse una corriente a través de RL. De este
modo, se cumple el objetivo de este diseño: C alimenta a la carga.

Volviendo al circuito original. D estará en corte mientras VB sea menor que VA. Por lo tanto hay un
punto en el que D vuelve a conducir (VB=VA), repitiéndose a partir de aquí toda la secuencia.
Dicho funcionamiento se muestra en la Figura 28.

Figura 28: Tensiones en el circuito de la Figura 26.

Tal como se aprecia en la figura Figura 28, el rizado obtenido es menor que el del esquema
anterior. Su valor depende de la rapidez con que se descargue C a través de la resistencia. Como
se recordará, cuanto mayor sea el valor de C, mayor será el tiempo que necesita para descargarse,
y menor el rizado. Como contrapartida, si C es muy grande es posible que no tenga tiempo
suficiente para cargarse durante el tiempo de conducción de D.

Selección de los componentes

Una vez finalizado el análisis del esquema eléctrico de la Figura 22, se aborda seguidamente la
tarea de la selección de los componentes adecuados para una aplicación concreta.

Diodo

A la vista de las gráficas de la Figura 28, se pueden calcular las características comerciales
exigibles al diodo del esquema.

26
 • Corriente máxima en polarización directa, IFmax: Mientras esté en conducción y,
despreciando su caída de tensión (V(ON)):

También se desprecia la corriente que absorbe C para cargarse.

• Tensión máxima en inversa, PIV: Cuando esté en corte, VD=vi-VC. VC es siempre mayor
que cero, tal y como se aprecia en la figura, y su valor máximo es VM. En este aspecto es

más exigente el funcionamiento en vacío que en carga, ya que cuando llega a ser -VM,
VC sigue siendo VM, y se tiene VD=vi-VC=-VM-VM=-2VM.

Los parámetros comerciales del diodo serán, por lo tanto:

PIV=2VM

Condensador

El valor de la capacidad del condensador se ha de calcular teniendo en cuenta el rizado máximo

exigido al aparato. Para la frecuencia de la red eléctrica doméstica, es posible emplear la siguiente
expresión:

en la que:

• I0: cociente entre la tensión máxima, VM, y la resistencia de carga, RL.

• tc: tiempo de descarga del condensador.
• VRIZADO: Diferencia entre la tensión máxima y mínima admisible.

La deducción de esta fórmula ha sido discutida ya en el capítulo segundo de estos apuntes.

Rectificador de onda completa

el esquema anterior produce una onda de salida bastante aceptable, cuando el condensador es lo
suficientemente grande como para alimentar la carga durante un semiciclo aproximadamente. Sin
embargo, se desaprovecha medio ciclo de la red, con lo que la potencia transmitida a la carga se
limita. En el siguiente circuito, el puente de diodos consigue que durante el semiciclo negativo
también alimente la red a la carga.

27
 Figura 29: Rectificador de onda completa.

Dado un valor positivo de la tensión de entrada, vi=V>0. El punto A está sometido al mayor
potencial del circuito, V, mientras que D se encuentra a potencial nulo, el menor en ese instante.
Por lo tanto, los puntos B y C se encontrarán a un potencial intermedio entre 0 y V voltios. Un
circuito que está alimentado entre 0 y 10V, por ejemplo, no tiene sentido que haya un punto del
mismo que tenga un potencial mayor que 10V con respecto a la referencia, ya que la tensión sólo
puede disminuir entre los nodos de los componentes del circuito (esto es válido sólo para el
régimen permanente).

Suponiendo que hay una corriente intentando circular. Como VA es mayor que VC el diodo D2 esta
en condiciones de conducir, mientras que D1 está en corte. La corriente circular de a C. D4 está
en corte, puesto que VDC=VD-VC<0, por lo tanto la intensidad atraviesa RL de arriba a abajo. El
retorno de corriente será por D3, puesto que VB<VA y VB>VD.

Así pues, D1 y D4 no conducen en el semiciclo positivo de vi. El esquema equivalente sería:

Figura 30: Rectificador de onda completa durante los semiciclos positivos.

Mediante un razonamiento análogo se consigue determinar el esquema equivalente mostrado en la

Figura 31.

28
 Figura 31: Rectificador de onda completa durante los semiciclos negativos.

Figura 32: Tensiones en el rectificador de onda completa.

En ambos casos, la corriente que circula por RL circula en el mismo sentido, luego la caída de
tensión en RL siempre es del mismo signo:

29
Si ahora se filtrase esta señal mediante un condensador, mejoraría su rizado. El condensador
necesario es de menor capacidad que en el esquema anterior, puesto que debe alimentar durante
menos tiempo a la carga.

Ejercicios

1 Si se aplican 18 V al siguiente circuito, ¿qué tensión medirá el voltímetro si D1 es de silicio?

2 Si el diodo D del circuito del problema 3 puede soportar una corriente máxima de 500 mA, ¿cuál
es el mínimo valor de la resistencia R con el que se puede utilizar el circuito si se aplican 20 V?

3 Si la resistencia R de la figura es de 100 y se aplican 10 V al circuito, ¿cuánto valdrá la potencia

disipada en el diodo D?

4 Si el diodo D de la figura del problema 5 tiene un pico inverso de voltaje (PIV) de 100 V, ¿cuánto
es la tensión máxima que se puede aplicar al circuito?, ¿y si se conecta una resistencia en paralelo
con el diodo R2=2.7 kW?

5 ¿Cuál será la potencia disipada el en diodo D de la figura si se aplican 60 V al circuito?, ¿y si se

conecta una resistencia de 2.7 kW en paralelo con el diodo?

6 Calcular la corriente que atraviesa el diodo en el circuito de la figura, empleando el modelo lineal
por tramos.

30
7 En el problema de la figura anterior, calcular la corriente que circula por el diodo mediante el
método gráfico, tomando como característica V-I del diodo la curva que se presenta a continuación.

8 El generador del el circuito de la figura puede aportar una tensión comprendida entre -20 y +20 V.
Se pide determinar las expresiones que permitan calcular VOUT en función de VIN dentro del
rango indicado.

9 Calcular el punto de operación del diodo (corriente y tensión en el mismo) para ECC=10V, R1=
R2= R3=1k.

• Aplicando el modelo lineal por tramos del diodo.

• Mediante un método gráfico.

10 En el circuito de la figura adjunta se pide:

• Potencia suministrada por la fuente.

• Potencia disipada por cada una de las resistencias.
• Potencia disipada por el diodo.

31
11 En el circuito de la figura representar las ondas de tensión y corriente de salida (vo(t), io(t)) del
circuito de la figura, siendo e(t) la tensión de red doméstica europea.

12 Si el generador de señal "e" de la figura produce una onda senoidal de 10 V entre pico y pico, y
la resistencia R tiene un valor de 500 ohmios, ¿qué características debemos exigir a un diodo de
silicio para utilizarlo como se indica en la figura?

13 Se quiere fabricar un circuito como el de la figura adjunta. ¿Qué características deberíamos

exigir al diodo? (e = 10 sen t)

14 Calcular la tensión y la corriente en la resistencia RL (VM = 10 V; RL = 2,2 k).

32
15 Deducir la expresión de la resistencia dinámica de un diodo partiendo del modelo exponencial
del mismo. Si VT = 25 mV para T = 25 ºC, comparar el resultado obtenido con la aproximación de
Shockley.

16 Calcular la resistencia estática del diodo, cuya curva característica se incluye a continuación, en
los puntos A, B, C y D de la curva. (Nota: Las escalas de los ejes x positivo y negativo son
diferentes)

17 Calcular la resistencia dinámica del diodo del problema anterior en los cuatro puntos indicados.
Comparar el método gráfico de cálculo con la aproximación de Shockley.

18 Hallar la resistencia estática y dinámica en el punto A de la figura.

19 Sea el circuito de la figura con VZC=10 V e IZM=0,05 A. ¿Entre qué valores puede variar RL
manteniéndose alimentada a 10 V?

20 Para una tensión de entrada de 28 V (DC), calcular la corriente en TP1 para el circuito de la
figura. R1=1 K, RL=1 K, Vz=9.6 V.

33
21 ¿Cuánta potencia será disipada por un diodo Zener de 9 V cuando le atraviesa una corriente de
100 mA en polarización directa?

¿Y si a ese mismo diodo le atraviesa la misma corriente en inversa?

22 En el siguiente circuito:

• Determinar la máxima corriente que se puede aplicar a la carga antes de que el Zener deje
de regular la tensión.
• Si RL es 1 k, hallar la corriente y la potencia disipada en el Zener, la corriente en la carga y
V0.
• Idem si RL toma el valor 10 k.

23 Mediante la recta de carga hallar el punto de operación del zener del problema 20 para R2=400,
si se cambia el zener por otro que tenga IZM=0.1A.

24 En el circuito de la figura,

• Determinar la máxima corriente que se puede aplicar a la carga Rc antes de que el Zener
falle.
• Si Rc fuera 2 k, hallar la corriente del Zener y la corriente en la carga.
• Hallar la potencia que disipa el Zener en los casos en que Rc tome como valor 2 k.

25 Para el circuito de la figura:

34
 • Representar gráficamente la tensión de salida vo si en la entrada se aplica una señal
alterna vi = V sen t. (Para el diodo despreciar la caída de tensión en directa).
• Si V = 200 voltios, R1 = R2 = 1 k , determinar las características comerciales del diodo
apropiado para esta aplicación.
• Si nos interesara disminuir el rizado de la onda vo: ¿Qué esquema adicional podría
añadírsele a este?.

26 Dado el circuito siguiente:

• Hallar la tensión de salida del dispositivo, funcionando en vacío (sin carga en la salida).
Despreciar la caída de tensión en el diodo.
• ¿Qué misión tiene la resistencia R?. ¿Se podría quitar?.
• Calcular las características comerciales del diodo D.
• Discutir la posibilidad de sustituir la rama AB por un diodo Zener. ¿Qué comportamiento
tendrá entonces el dispositivo?. ¿Qué características debería tener este diodo para que no
se deteriore?.

DATOS: e = 500 sen t ; E = 100 V ; R = 1 K

27 En el dispositivo de la figura:

¿Cuál es la situación más desfavorable para el diodo, el funcionamiento en vacío o con una carga
resistiva colocada entre A y B?. (El valor de E es menor que eMAX).

28 El circuito de la figura adjunta está preparado para rectificar ondas sinusoidales de 220 V de
valor eficaz ( V de valor de pico). Debido a un error de manipulación, se conecta el

35
dispositivo en carga a una tensión continua de 500 V. A los pocos segundos de dicha conexión se
impregna el ambiente de un olor a plástico quemado, y el dispositivo deja de funcionar (no se
reciben señales en la carga). ¿Sabrías decir qué componente/s se ha/n quemado y por qué?.

Datos adicionales: Potencia disipable máxima en las resistencias = 100 W.

29 Dado el circuito de la figura:

• Dibujar aproximadamente las formas de onda de las tensiones V0 y V0' para dos ciclos
completos de la onda de entrada Vi.
• Características comerciales del diodo D2.
• ¿Podría ser C un condensador electrolítico?. Justificar la respuesta.

DATOS: e = 200 sen(100t) V. R = 1 k

VZ = 50 V.

RL = 1 k

Despreciar las caídas de tensión en los diodos en conducción.

Considerar que la velocidad de descarga de C sobre RL es pequeña comparada con la frecuencia

de la red.

30 Diseñar un puente rectificador de onda completa que entregue 10V en tensión continua con un
rizado menor de 0.1 V de pico a pico a una carga que requiere 10 mA. Elegir una adecuada tensión
de entrada al circuito.

36
31 Se quiere proteger un circuito conectado a la salida Vout del circuito de la figura frente a
posibles sobretensiones producidas por una señal de entrada Vin excesivamente fuerte.

Si se desea que Vout sea menor que 5V, cual debe ser la tensión a la que se conecta el diodo.

32 Diseñar con un diodo Zener una fuente de tensión regulada de 12V para corrientes entre 0 y
100mA. La tensión de entrada puede variar entre +20V y +25V. La corriente mínima que debe
atravesar el Zener debe de ser de 10mA en las condiciones más desfavorables de trabajo.

¿Cual es la potencia disipada por el zener?

37
 Tipos de diodos
En el mercado podemos encontrar muchos tipos de diodos que nos sirven para distintas
aplicaciones. Ahora vamos a ver las características principales de algunos de ellos.

Diodos PIN

El diodo PIN es un diodo que presenta una región P fuertemente dopada y otra región N también
fuertemente dopada, separadas por una región de material que es casi intrínseco. Este tipo de
diodos se utiliza en frecuencias de microondas, es decir, frecuencias que exceden de 1 GHz,
puesto que incluso en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia muy alta cuando está
inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en sentido directo. Además, las
tensiones de ruptura están comprendidas en el margen de 100 a 1000 V.

En virtud de las características del diodo PIN se le puede utilizar como interruptor o como
modulador de amplitud en frecuencias de microondas ya que para todos los propósitos se le puede
presentar como un cortocircuito en sentido directo y como un circuito abierto en sentido inverso.
También se le puede utilizar para conmutar corrientes muy intensas y/o tensiones muy grandes.

El diodo se forma partiendo de silicio tipo P de alta resistividad. La capa P de baja resistividad
representada, está esta formada por difusión de átomos de boro en un bloque de silicio tipo P y la
capa N muy delgada está formada difundiendo grandes cantidades de fósforo. La región intrínseca
i es realmente una región P de alta resistividad y se suele denominar región p. Cuando el circuito
está abierto, los electrones fluyen desde la región i(p) hasta la región P para recombinarse con los
huecos en exceso, y los huecos fluyen desde la región i para recombinarse con los electrones de la
región N. Si el material i(p) fuese verdaderamente intrínseco, la caída de tensión en la región i sería
nula, puesto que la emigración de huecos sería igual a la emigración de electrones. Si embargo,
como el material es en verdad p (P de alta resistividad), hay mas huecos disponibles que
electrones.

Cuando se aplica una polarización inversa al diodo los electrones y los huecos del material p son
barridos (swept free). Un posterior aumento de la tensión inversa simplemente incrementa las
distribuciones de tensiones P-I e I-N. En el diodo PIN la longitud de la región de transición L es
aproximadamente igual a la región i y aproximadamente independiente de la tensión inversa. Por lo
tanto, a diferencia de los diodos PN o Schottky, el diodo PIN tiene una capacidad inversa que es
aproximadamente constante, independiente de la polarización. Una variación típica de la capacidad
podría ser desde 0,15 hasta 0,14 pF en una variación de la polarización inversa de, por ejemplo,
100 V. En virtud de que es igual a la longitud de la región i, la longitud de la región de transición es
aproximadamente constante y considerablemente mayor que la de otros diodos y, por lo tanto, la
capacidad CR, que es proporcional a 1/L es significativamente menor que la de otros diodos, por lo
que el diodo PIN es apropiado para aplicaciones de microondas. Los valores normales de CR
varían desde 0,1 pF hasta 4 pF en los diodos PIN, comercialmente asequibles.

Cuando el diodo está polarizado en sentido directo, los huecos del material P se difunden el la
región p, creando una capa P de baja resistividad. La corriente es debida al flujo de los electrones y
de los huecos cuyas concentraciones son aproximadamente iguales en la región i. En la condición
de polarización directa la caída de tensión en la región i es muy pequeña. Además, al igual que el
diodo PN, cuando aumenta la corriente, también disminuye la resistencia. En consecuencia el
diodo PIN es un dispositivo con su resistencia o conductancia modulada. En una primera
aproximación, la resistencia rd en pequeña señal es inversamente proporcional a la corriente IDQ
con polarización directa, lo mismo que en el diodo PN.

38
En frecuencias de microondas se representa de maneras mas sencillas por una capacidad CR en
serie con la resistencia directa rd. Con tensiones directas, CR es aproximadamente infinita,
mientras que en polarización inversa, rd es aproximadamente nula. La capacidad CS es la
capacidad parásita paralelo que se produce soldando el diodo a la cápsula y LS es la inductancia
serie debida a los hilos de conexión desde el diodo hasta la cápsula.

Diodos Varactores (Varicap)

Los diodos varactores [llamados también varicap (diodo con capacitancia-voltaje variable) o
sintonizadores] son semiconductores dependientes del voltaje, capacitores variables. Su modo de
operación depende de la capacitancia que existe en la unión P-N cuando el elemento está
polarizado inversamente. En condiciones de polarización inversa, se estableció que hay una región
sin carga en cualquiera de los lados de la unión que en conjunto forman la región de agotamiento y
definen su ancho Wd. La capacitancia de transición (CT) establecida por la región sin carga se
determina mediante:

CT = E (A/Wd)

donde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores, A es el área de la unión P-N y Wd

el ancho de la región de agotamiento.

Conforme aumenta el potencial de polarización inversa, se incrementa el ancho de la región de

agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de transición. El pico inicial declina en CT con
el aumento de la polarización inversa. El intervalo normal de VR para diodos varicap se limita
aproximadamente 20V. En términos de la polarización inversa aplicada, la capacitancia de
transición se determina en forma aproximada mediante:

CT = K / (VT + VR)n

donde:

K = constante determinada por el material semiconductor y la técnica de construcción.

VT = potencial en la curva según se definió en la sección

VR = magnitud del potencial de polarización inversa aplicado

n = 1/2 para uniones de aleación y 1/3 para uniones de difusión

El diodo túnel

En 1958, el físico japonés Esaki, descubrió que los diodos semiconductores obtenidos con un
grado de contaminación del material básico mucho mas elevado que lo habitual exhiben una
característica tensión-corriente muy particular. La corriente comienza por aumentar de modo casi
proporcional a la tensión aplicada hasta alcanzar un valor máximo, denominado corriente de cresta.
A partir de este punto, si se sigue aumentando la tensión aplicada, la corriente comienza a
disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar un mínimo, llamado corriente de valle, desde el cual de
nuevo aumenta. El nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento, pero luego se hace cada
vez mas rápido hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna manera. Este
comportamiento particular de los diodos muy contaminados se debe a lo que los físicos denominan
efecto túnel, del que no nos ocuparemos aquí debido a su complejidad. Para las aplicaciones
prácticas del diodo túnel, la parte mas interesante de su curva característica es la comprendida
entre la cresta y el valle. En esta parte de la curva a un aumento de la tensión aplicada

39
corresponde una disminución de la corriente; en otros términos, la relación entre un incremento de
la tensión y el incremento resultante de la corriente es negativa y se dice entonces que esta parte
de la curva representa una "resistencia incremental negativa". Una resistencia negativa puede
compensar total o parcialmente una resistencia positiva. Así, por ejemplo, las pérdidas que se
producen en un circuito resonante a causa de la presencia siempre inevitable de cierta resistencia
en el, se compensa asociando al circuito una resistencia negativa de valor numérico conveniente y
realizada por ejemplo, mediante un diodo túnel. En tal caso el circuito oscilante se transforma en un
oscilador. Los ejemplo de circuito que se describen a continuación muestra como puede
aprovecharse este fenómeno en la práctica.

Diodo de contacto puntual

El rectificador de contacto puntual consiste en un semiconductor sobre el que descansa la punta de

un alambre delgado.

La curva de corriente versus voltaje es cualitativamente similar a la del diodo de unión. Sin
embargo, para un voltaje positivo dado, el diodo de contacto puntual conduce algo mas de
corriente. Más aún, conforme el voltaje negativo aumenta, la corriente inversa tiende a aumentar
mas bien que permanecer aproximadamente constante. La marca inflexión en la curva del diodo de
unión en -V» no ocurre en los diodos de contacto puntual, dado que el calentamiento de tal punto
ocurre a voltajes mucho mas bajos y produce un aumento gradual de la conductancia en la
dirección negativa.

40
 Diodos de potencia
Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque tienen,
entre otras, las siguientes limitaciones: son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la
corriente en sentido contrario al de conducción. El único procedimiento de control es invertir el
voltaje entre ánodo y cátodo.

Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben ser capaces de
soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. En sentido inverso, deben ser
capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas.

El diodo responde a la ecuación:

La curva característica será la que se puede ver en la parte superior, donde:

VRRM: tensión inversa máxima

VD: tensión de codo.

A continuación vamos a ir viendo las características más importantes del diodo, las cuales
podemos agrupar de la siguiente forma:

• Características estáticas:
o Parámetros en bloqueo (polarización inversa).
o Parámetros en conducción.
o Modelo estático.
• Características dinámicas:
o Tiempo de recuperación inverso (trr).
o Influencia del trr en la conmutación.
o Tiempo de recuperación directo.
• Potencias:
o Potencia máxima disipable.
o Potencia media disipada.
o Potencia inversa de pico repetitivo.
o Potencia inversa de pico no repetitivo.

41
 • Características térmicas.
• Protección contra sobreintensidades.

Características estáticas

Parámetros en bloqueo

• Tensión inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el
dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.
• Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1
ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada.
• Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una
sola vez durante 10ms cada 10 minutos o más.
• Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo
puede destruirse o degradar las características del mismo.
• Tensión inversa contínua (VR): es la tensión continua que soporta el diodo en estado de
bloqueo.

Parámetros en conducción

• Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la máxima intensidad de impulsos

sinusoidales de 180º que el diodo puede soportar.
• Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquélla que puede ser soportada cada 20 ms , con
una duración de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cápsula (normalmente
25º).
• Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el máximo pico de intensidad aplicable,
una vez cada 10 minutos, con una duración de 10 ms.
• Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el
estado de conducción.

42
Modelos estáticos del diodo

Los distintos modelos del diodo en su región directa (modelos estáticos) se representan en la figura
superior. Estos modelos facilitan los cálculos a realizar, para lo cual debemos escoger el modelo
adecuado según el nivel de precisión que necesitemos.

Estos modelos se suelen emplear para cálculos a mano, reservando modelos más complejos para
programas de simulación como PSPICE. Dichos modelos suelen ser proporcionados por el
fabricante, e incluso pueden venir ya en las librerías del programa.

Características dinámicas

Tiempo de recuperación inverso

El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no se efectúa instantáneamente. Si un

diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unión P-N está saturada
de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de éstos cuanto mayor sea IF. Si mediante la
aplicación de una tensión inversa forzamos la anulación de la corriente con cierta velocidad di/dt,
resultará que después del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que
cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante
un instante. La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se establece hasta después del tiempo ta

43
llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la
unión la zona de carga espacial. La intensidad todavía tarda un tiempo tb (llamado tiempo de
caída) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van
desapareciendo el exceso de portadores.

• ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la

intensidad hasta llegar al pico negativo.
• tb (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta
que ésta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unión polarizada en
inverso. En la práctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad
hasta el 10 % de éste.
• trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb.

• Qrr: se define como la carga eléctrica desplazada, y representa el área negativa de la

característica de recuperación inversa del diodo.
• di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
• Irr: es el pico negativo de la intensidad.

La relación entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".

Si observamos la gráfica podemos considerar Qrr por el área de un triángulo :

De donde :

Para el cálculo de los parámetros IRRM y Qrr podemos suponer uno de los dos siguientes casos:

• Para ta = tb trr = 2ta

• Para ta = trr tb = 0

En el primer caso obtenemos:

Y en el segundo caso:

44
Influencia del trr en la conmutación

Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable:

• Se limita la frecuencia de funcionamiento.

• Existe una disipación de potencia durante el tiempo de recuperación inversa.

Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperación rápida.

Factores de los que depende trr:

• A mayor IRRM menor trr.

• Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor será la capacidad
almacenada, y por tanto mayor será trr.

Tiempo de recuperación directo

tfr (tiempo de recuperación directo): es el tiempo que transcurre entre el instante en que la tensión
ánodo-cátodo se hace positiva y el instante en que dicha tensión se estabiliza en el valor VF.

Este tiempo es bastante menor que el de recuperación inversa y no suele producir pérdidas de
potencia apreciables.

Disipación de potencia

Potencia máxima disipable (Pmáx)

45
Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos confundirlo con la
potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada ésta potencia de trabajo.

Potencia media disipada (PAV)

Es la disipación de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado de

conducción, si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas.

Se define la potencia media (PAV) que puede disipar el dispositivo, como :

Si incluimos en esta expresión el modelo estático, resulta :

y como :

es la intensidad media nominal

es la intensidad eficaz al cuadrado

Nos queda finalmente:

Generalmente el fabricante integra en las hojas de características tablas que indican la potencia
disipada por el elemento para una intensidad conocida.

Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que relacionen la potencia media con la intensidad
media y el factor de forma (ya que el factor de forma es la intensidad eficaz dividida entre la
intensidad media).

Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM)

Es la máxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo.

Potencia inversa de pico no repetitiva (PRSM)

Similar a la anterior, pero dada para un pulso único.

Características térmicas

46
Temperatura de la unión (Tjmáx)

Es el límite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unión del
dispositivo si queremos evitar su inmediata destrucción.

En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unión se nos da la "operating temperature range"

(margen de temperatura de funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha fabricado para
funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores, uno mínimo y otro
máximo.

Temperatura de almacenamiento (Tstg)

Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. El

fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura.

Resistencia térmica unión-contenedor (Rjc)

Es la resistencia entre la unión del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En caso de no

dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la fórmula:

Rjc = (Tjmáx - Tc) / Pmáx

siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmáx la potencia máxima disipable.

Resistencia térmica contenedor-disipador (Rcd)

Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta refrigeradora). Se

supone que la propagación se efectúa directamente sin pasar por otro medio (como mica aislante,
etc).

Protección contra sobreintensidades

Principales causas de sobreintensidades

La causa principal de sobreintensidad es, naturalmente, la presencia de un cortocircuito en la

carga, debido a cualquier causa. De todos modos, pueden aparecer picos de corriente en el caso
de alimentación de motores, carga de condensadores, utilización en régimen de soldadura, etc.

Estas sobrecargas se traducen en una elevación de temperatura enorme en la unión, que es

incapaz de evacuar las calorías generadas, pasando de forma casi instantánea al estado de
cortocircuito (avalancha térmica).

Órganos de protección

Los dispositivos de protección que aseguran una eficacia elevada o total son poco numerosos y por
eso los más empleados actualmente siguen siendo los fusibles, del tipo "ultrarrápidos" en la
mayoría de los casos.

Los fusibles, como su nombre indica, actúan por la fusión del metal de que están compuestos y
tienen sus características indicadas en función de la potencia que pueden manejar; por esto el
calibre de un fusible no se da sólo con su valor eficaz de corriente, sino incluso con su I2t y su
tensión.

47
Parámetro I2t

La I2t de un fusible es la característica de fusión del cartucho; el intervalo de tiempo t se indica en

segundos y la corriente I en amperios.

Debemos escoger un fusible de valor I2t inferior al del diodo, ya que así será el fusible el que se
destruya y no el diodo.

48
 Transistores
TRANSISTOR BJT

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, así como el
esquema de identificación de los terminales. También tendremos que conocer una serie de valores
máximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el
dispositivo. El parámetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crítico con la
temperatura, de modo que esta potencia disminuye a medida que crece el valor de la temperatura,
siendo a veces necesario la instalación de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores
críticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de características de los distintos dispositivos.
Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un polímetro: Este dispone de dos
orificios para insertar el transistor, uno para un NPN y otro para el PNP. Para obtener la medida de
la ganancia es necesario insertarlo en su orificio apropiado, con lo que queda determinado si es un
NPN o un PNP.

Zonas de funcionamiento del transistor bipolar

ACTIVA DIRECTA:

El transistor sólo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de corriente constante
controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente).Este parámetro lo suele proporcionar
el fabricante dándonos un máximo y un mínimo para una corriente de colector dada (Ic); además
de esto, suele presentar una variación acusada con la temperatura y con la corriente de colector,
por lo que en principio no podemos conocer su valor. Algunos polímetros son capaces de medir
este parámetro pero esta medida hay que tomarla solamente como una indicación, ya que el
polímetro mide este parámetro para un valor de corriente de colector distinta a la que circulará por
el BJT una vez en el circuito.

SATURACIÓN:

En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutación (potencia, circuitos

digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor.

CORTE:

El transistor es utilizado para aplicaciones de conmutación (potencia, circuitos digitales, etc.), y

podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prácticamente nulas (y en especial Ic).

ACTIVA INVERSA:

Esta zona se puede considerar como carente de interés.

49
El transistor PNP es complemento del NPN de forma que todos los voltajes y corrientes son
opuestos a los del transistor NPN.

Para encontrar el circuito PNP complementario:

1. Se sustituye el transistor NPN por un PNP.

2. Se invierten todos los voltajes y corrientes.

TRANSISTOR FET (JFET)

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, así como el
esquema de identificación de los terminales. También tendremos que conocer una serie de valores
máximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el
dispositivo. El parámetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crítico con la
temperatura, de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la
temperatura, siendo a veces necesario la instalación de un radiador o aleta refrigeradora. Todos
estos valores críticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de características de los
distintos dispositivos.

Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET)

ZONA ÓHMICA o LINEAL:

En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del valor de
VGS.Un parámetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para
VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS.

ZONA DE SATURACIÓN:

En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente
gobernada por VGS

ZONA DE CORTE:

50
La intensidad de drenador es nula (ID=0).

A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden intercambiar sus
papeles sin que se altere apreciablemente la característica V-I (se trata de un dispositivo simétrico).

La operación de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FET de CANAL N, lo que

significa que todos los voltajes y corrientes son de sentido contrario.

Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar:

APLICACIÓN PRINCIPAL VENTAJA USOS

Aislador o separador Impedancia de entrada alta y
(buffer) de salida baja
Amplificador de RF Bajo ruido
Baja distorsión de
Mezclador
intermodulación
Facilidad para controlar
Amplificador con CAG
ganancia
Amplificador cascodo Baja capacidad de entrada
Troceador Ausencia de deriva
Resistor variable por
Se controla por voltaje
voltaje
Amplificador de baja Capacidad pequeña de
frecuencia acoplamiento
Mínima variación de
Oscilador
frecuencia
Circuito MOS digital Pequeño tamaño
Uso general, equipo de medida, receptores
Sintonizadores de FM, equipo para
comunicaciones
Receptores de FM y TV, equipos para
comunicaciones
Receptores, generadores de señales
Instrumentos de medición, equipos de prueba
Amplificadores de cc, sistemas de control de
dirección
Amplificadores operacionales, órganos
electrónicos, controlas de tono
Audífonos para sordera, transductores
inductivos
Generadores de frecuencia patrón,
receptores
Integración en gran escala, computadores,
memorias

51
 AMPLIFICACIÓN: CONSIDERACIONES GENERALES

La necesidad de amplificar las señales es casi una necesidad constante en la

mayoría de los sistemas electrónicos. En este proceso, los transistores
desarrollan un papel fundamental, pues bajo ciertas condiciones, pueden entregar a una
determinada carga una potencia de señal mayor que la que absorben.
El análisis de un amplificador mediante su asimilación a un cuadripolo (red de dos puertas), resulta
interesante ya que permite caracterizarlo mediante una serie de parámetros relativamente simples
que nos proporcionan información sobre su comportamiento.

De esta forma podemos definir los siguientes parámetros:

1. Ganancia de tensión (normalmente en decibelios): Av = Vo / Vi

2. Impedancia de entrada (ohmios): Zi = Vi / Ii
3. Impedancia de salida (ohmios): Zo = Vo / Io (para Vg = 0)
4. Ganancia de corriente (normalmente en decibelios): Ai = Io / Ii
5. Ganancia de potencia (normalmente en decibelios): Ap = Po / Pi

Un amplificador será tanto mejor cuanto mayor sea su ganancia de tensión y menor sea su
impedancia de entrada y salida.

En cuanto a la frecuencia, los amplificadores dependen de esta, de forma que lo que es válido para
un margen de frecuencias no tiene porqué serlo necesariamente para otro. De todas formas, en
todo amplificador existe un margen de frecuencias en el que la ganancia permanece prácticamente
constante (banda de paso del amplificador).
El margen dinámico de un amplificador es la mayor variación simétrica de la señal que es capaz de
presentar sin distorsión a la salida; normalmente expresado en voltios de pico (Vp) o voltios pico-
pico (Vpp).

52
FET: Transistores de efecto campo
Hay dos familias de transistores de efecto de campo: los JFET y los MOSFET. Pese a que el
concepto básico de los FET se conocía ya en 1930, estos dispositivos sólo empezaron a fabricarse
comercialmente a partir de la década de los 60. Y a partir de los 80 los transistores de tipo
MOSFET han alcanzado una enorme popularidad. Comparados con los BJT, los transistores MOS
ocupan menos espacio, es decir, dentro de un circuito integrado puede incorporase un numero
mayor. Además su proceso de fabricación es también más simple. Además, existe un gran número
de funciones lógicas que pueden ser implementadas únicamente con transistores MOS (sin
resistencias ni diodos). Esto ha hecho del transistor MOS el componente estrella de la electrónica
digital.

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (JFET)

Un JFET de canal N se fabrica difundiendo una región de tipo P en un canal de tipo N, tal y como
se muestra en la Figura 1. A ambos lados del canal se conectan los terminales de fuente (S,
Source) y drenaje (D, Drain). El tercer terminal se denomina puerta (G, Gate).

Figura 1: Esquema del transistor JFET de canal N

Los símbolos de este tipo de dispositivos son:

53
 Figura 2: Símbolos de los transistores JFET

Las explicaciones incluidas en este capítulo se refieren fundamentalmente al transistor NJFET,

teniendo en cuenta que el principio de operación del PJFET es análogo.

PRINCIPIO DE OPERACION DEL NJFET

A continuación se explica cómo se controla la corriente en un JFET. Al igual que sucede con los
transistores BJT el JFET tiene tres regiones de operación:

• Región de corte
• Región lineal
• Región de saturación

Es preciso hacer notar que en este caso, la saturación alude a un fenómeno completamente
distinto al de los transistores BJT.

Región de corte

Centremos nuestra atención en la Figura 1. La zona de tipo P conectada a la puerta forma un diodo
con el canal, que es de tipo N. Como se recordará, cuando se forma una unión PN aparecen en los
bordes de la misma una zona de deplección en la que no hay portadores de carga libres. La
anchura de dicha zona depende de la polarización aplicada. Si esta es inversa, la zona se hace
más ancha, proporcionalmente a la tensión aplicada. Aplicando una tensión VGS negativa
aumentamos la anchura de la zona de deplección, con lo que disminuye la anchura del canal N de
conducción.

Si el valor de VGS se hace lo suficientemente negativo, la región de agotamiento se extenderá

completamente a través del canal, con lo que la resistencia del mismo se hará infinita y se impedirá
el paso de ID (Figura 3). El potencial al que sucede este fenómeno se denomina potencial de
bloqueo (Pinch Voltage, VP).

Figura 3: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con la tensión de bloqueo

Por lo tanto, para valores más negativos que VP el transistor NJFET se encuentra polarizado en la
región de corte, y la corriente de drenaje resulta ser nula.

54
Región lineal

Si en la estructura de la Figura 1 se aplica una tensión VDS mayor que cero, aparecerá una
corriente circulando en el sentido del drenaje a la fuente, corriente que llamaremos ID. El valor de
dicha corriente estará limitado por la resistencia del canal N de conducción. En este caso pueden
distinguirse dos situaciones según sea VDS grande o pequeña en comparación con VGS.

Valores pequeños del voltaje drenaje-fuente

La Figura 4 presenta la situación que se obtiene cuando se polariza la unión GS con una tensión
negativa, mientras que se aplica una tensión entre D y S menor.

Figura 4: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con VGS < 0

Por el terminal de puerta (G) no circula más que la corriente de fuga del diodo GS, que en una
primera aproximación podemos considerar despreciable. La corriente ID presenta una doble
dependencia:

• La corriente ID es directamente proporcional al valor de VDS

• La anchura del canal es proporcional a la diferencia entre VGS y VP. Como ID está
limitada por la resistencia del canal, cuanto mayor sea VGS - VP, mayor será la anchura
del canal, y mayor la corriente obtenida.

Los dos puntos anteriores se recogen en la siguiente expresión:

Por lo tanto, en la región lineal obtenemos una corriente directamente proporcional a VGS y a VDS.

Valores altos del voltaje drenaje-fuente

Para valores de VDS comparables y superiores a VGS la situación cambia con respecto al caso
anterior: la resistencia del canal se convierte en no lineal, y el JFET pierde su comportamiento
óhmico. Veamos por qué sucede esto.

55
Cuando se aplica un voltaje VDS al canal de 5 voltios, por ejemplo, este se distribuye a lo largo del
canal, es decir, en las proximidades del terminal D la tensión será de 5 V, pero a medio camino la
corriente circulante habrá reducido su potencial a la mitad (2,5 V), y en el terminal S el potencial
será nulo. Por otra parte, si VGS es negativa (- 2 V, por ejemplo), la tensión se distribuirá
uniformemente a lo largo de la zona P, al no existir ninguna corriente (Figura 5). (NOTA: se
desprecia la caída de tensión en las zonas situadas por debajo de los contactos).

Figura 5: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con VGS = -2 V y VDS = 5 V

Sigamos adelante. En las proximidades del terminal S la tensión inversa aplicada es de 2 V, que se
corresponde con la VGS = -2 V. Sin embargo, conforme nos acercamos a D esta tensión aumenta:
en la mitad del canal es de 4,5 V, y en D alcanza 7 V. La polarización inversa aplicada al canal no
es constante, con lo que la anchura de la zona de deplección tampoco lo será (Figura 6). Cuando
VDS es pequeña, esta diferencia de anchuras no afecta a la conducción en el canal, pero cuando
aumenta, la variación de la sección de conducción hace que la corriente de drenaje sea una
función no lineal de VDS, y que disminuya con respecto a la obtenida sin tener en cuenta este
efecto.

Figura 6: Esquema del transistor JFET de canal N en la región de conducción no lineal

56
Región de saturación

Si VDS se incrementa más, se llegará a un punto donde el espesor del canal en el extremo del
drenaje se acerque a cero. A partir de ese momento, la corriente se mantiene independiente de
VDS, puesto que los incrementos de tensión provocan un mayor estrechamiento del canal, con lo
que la resistencia global aumenta (Figura 7).

Figura 7: Esquema del transistor JFET de canal N en la región de corriente constante

La región de saturación se da cuando se estrangula el canal en el drenaje, lo que sucede cuando la

tensión puerta-drenaje es más negativa que VP, es decir:

VGD < VP => VGS - VDS < VP => VDS > VGS - VP

Antes de seguir adelante, comparemos las figuras Figura 3 y Figura 7. En el caso del bloqueo, todo
el canal resulta afectado por la zona de deplección, que es constante porque la tensión VGS se
aplica uniformemente a lo largo de la unión. En cambio, en la región de corriente constante sólo
parte del canal ha llegado al bloqueo (provocado por VDS, que varía a lo largo del mismo), y es lo
que permite la circulación de la corriente.

CURVAS CARACTERISTICAS

Son dos las curvas que se manejan habitualmente para caracterizar los transistores JFET. En
primer lugar, en la representación de ID frente a VGS, para una VDS dada, se aprecia claramente
el paso de la región de corte a la de saturación (Figura 8). En la práctica sólo se opera en el
segundo cuadrante de la gráfica, puesto que el primero la VGS positiva hace crecer rápidamente
IG.

57
 Figura 8: Característica VGS - ID del transistor NJFET

En la característica VDS - ID del transistor NJFET se observa la diferencia entre las regiones lineal
y de saturación (Figura 9). En la región lineal, para una determinada VGS, la corriente crece
proporcionalmente a la tensión VDS. Sin embargo, este crecimiento se atenúa hasta llegar a ser
nulo: se alcanza el valor de saturación, en donde ID sólo depende de VGS.

Figura 9: Característica VDS - ID del transistor NJFET

Nótese que, según esta gráfica, la región de saturación del JFET se identifica con la región activa
normal de los transistores bipolares. Mientras que en RAN la corriente de colector sólo depende de
la de base, aquí la magnitud de control es la tensión VGS. Por el contrario, si la resistencia del
JFET en la región lineal es muy pequeña puede encontrarse un cierto paralelismo entre las
regiones lineal de JFET y de saturación del BJT.

PARÁMETROS COMERCIALES

Se presenta a continuación algunas de las características de los transistores JFET que ofrecen los
fabricantes en las hojas de datos:

58
 • IDSS: Es la corriente de drenaje cuando el transistor JFET se encuentra en configuración
de fuente común y se cortocircuita la puerta y la fuente (VGS=0). En la práctica marca la
máxima intensidad que puede circular por el transistor. Conviene tener en cuenta que los
transistores JFET presentan amplias dispersiones en este valor.
• VP (Pinch-Off Voltage): es la tensión de estrangulamiento del canal. Al igual que IDSS,
presenta fuertes dispersiones en su valor.
• RDS(ON): Es el inverso de la pendiente de la curva ID/VDS en la zona lineal. Este valor se
mantiene constante hasta valores de VGD cercanos a la tensión de estrangulamiento.
• BVDS (Drain-Source Breakdown Voltage): es la tensión de ruptura entre fuente y drenaje.
Tensiones más altas que BVDS provocan un fuerte incremento de ID.
• BVGS (Gate-Source Breakdown Voltage): es la tensión de ruptura de la unión entre la
puerta y la fuente, que se encuentra polarizada en inversa. Valores mayores de BVGS
provocan una conducción por avalancha de la unión.

MODELOS DEL TRANSISTOR NJFET

Análogamente a lo efectuado con el transistor bipolar se van a presentar dos modelos para el
JFET: uno para analizar el funcionamiento del transistor JFET con señales continuas y otro para
las señales alternas aplicadas sobre un punto de operación de la región de saturación.

En primer lugar se presentan los modelos para las diferentes regiones de operación, a saber, corte,
saturación y zona lineal. A partir de las ecuaciones dictadas por este modelo, se deducen
posteriormente las expresiones necesarias para el análisis de señales de alterna de pequeña
amplitud.

Modelo estático ideal

Para el transistor NJFET, el modelo viene representado en la Figura 10. El valor de ID depende de
la región de funcionamiento del transistor.

Figura 10: Esquema circuital del modelo del transistor JFET

1. Región de corte: la condición de la región de corte es que el canal esté completamente

estrangulado en las proximidades de la fuente, lo que sucede cuando la tensión puerta-
fuente alcance la tensión de estrangulamiento (VGS<VP). En este caso ID=0.
2. Región lineal: es la región en que se produce un incremento de la intensidad ID al
aumentar VDS. Este incremento es lineal para bajos valores de VDS aunque la linealidad
se pierde cuando VDS se acerca a -VP. Para trabajar en la región lineal se deben dar dos
condiciones:

59
 o VGS > VP
o VGD > VP VGS > VP + VDS

Estas condiciones equivalen a admitir que el canal de conducción no se estrangula por la zona de
deplección en inversa tanto en el extremo de drenaje como en la fuente. El valor que toma la
corriente ID es

1. Región de saturación: la región de saturación tiene lugar cuando la tensión entre drenador
y puerta alcanza la tensión de estrangulamiento. Para que ello ocurra, el canal N, tiene que
estar estrangulado en el extremo cercano al drenaje, pero no en el extremo del canal
cercano a la fuente. Entonces, al igual que en el caso anterior, deben ocurrir dos
condiciones:

o VGS > VP
o VGD < VP VGS < VP + VDS

En este caso la intensidad ID ya no depende de VDS, siendo su expresión

Por lo general, en los transistores NJFET tanto VP como VGS toman valores negativos, mientras
que VDS e IDSS son positivos, tomando la dirección ID tal y como aparece en el modelo.

Modelo para señales alternas

Para la deducción del mismo se consideran las siguientes hipótesis:

• Transistor polarizado en la región de saturación

• Oscilaciones alternas de baja amplitud y baja frecuencia

Expresiones generales

De entre las diversas opciones posibles, para la deducción del modelo se escogen como variables
independientes las tensiones VGS y VDS, mientras que las dependientes son las corrientes IG e
ID. De este modo, las ecuaciones características del transistor vendrán dadas por dos funciones f1
y f2 tales que:

Las tensiones y corrientes de un punto de polarización concreto vendrán dadas por las expresiones
anteriores:

60
Supongamos que sobre este punto de operación Q se añade una componente alterna,
caracterizada por un VGS y por un VDS. Las oscilaciones de las corrientes pueden calcularse
como:

A partir de este momento, para simplificar la notación se escribirán con letra minúscula los
incrementos de las variables. La expresión anterior admite una representación matricial:

en donde los coeficientes yij se llaman parámetros admitancia.

• yis : Admitancia de entrada (-1)

• yrs: Admitancia de transferencia inversa (-1)
• yfs : Transconductancia (-1). Se suele nombrar como gm
• yos : Admitancia de salida (-1)

Cálculo de los parámetros admitancia

Para el cálculo de los parámetros yij se van a emplear las expresiones resultantes del modelo
estático para la región de saturación.

• Función f1 =>

• Función f2 =>

La representación circuital de este modelo simplificado responde al mismo esquema presentado en

la Figura 10.

61
TRANSISTOR MOSFET

Las prestaciones del transistor MOSFET son similares a las del JFET, aunque su principio de
operación y su estructura interna son diferentes. Existen cuatro tipos de transistores MOS:

• Enriquecimiento de canal N
• Enriquecimiento de canal P
• Empobrecimiento de canal N
• Empobrecimiento de canal P

Los símbolos son:

Figura 11: Transistores MOSFET

La característica constructiva común a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal de
puerta (G) está formado por una estructura de tipo Metal/Óxido/Semiconductor. El óxido es
aislante, con lo que la corriente de puerta es prácticamente nula, mucho menor que en los JFET.
Por ello, los MOS se emplean para tratar señales de muy baja potencia.

PRINCIPIO DE OPERACION

62
De entre todos los tipos de transistores MOS existentes se va a analizar el principio de
funcionamiento de dos de ellos: los NMOS de enriquecimiento y empobrecimiento.

NMOS de enriquecimiento

En la Figura 12 se presenta el esquema de un MOS de canal N de enriquecimiento.

Figura 12: Esquema del transistor NMOS de enriquecimiento

Supongamos que se aplica una tensión VDS mayor que cero mientras que VGS se mantiene en
cero. Al aplicar una tensión positiva a la zona N del drenaje, el diodo que forma éste con el sustrato
P se polarizará en inversa, con lo que no se permitirá el paso de corriente: el MOS estará en corte.

Sigamos suponiendo, y pensemos ahora que aplicamos un potencial VGS positivo, mientras
mantenemos la VDS positiva también. La capa de aislante de la puerta es muy delgada, tanto que
permite al potencial positivo aplicado repeler a los huecos y atraer a los electrones del material P. A
mayor potencial aplicado, mayor número de electrones será atraído, y mayor número de huecos
repelido. La consecuencia de este movimiento de cargas es que debajo del terminal G se crea un
canal negativo, de tipo N, que pone en contacto el drenaje con la fuente. Por este canal puede
circular una corriente. Recapitulando, por encima de un valor positivo VGS = VTH se posibilita la
circulación de corriente ID (Figura 13). Nos encontramos ante una región de conducción lineal.

Figura 13: Esquema del transistor NMOS de enriquecimiento en conducción

63
Si el valor de VDS aumenta, la tensión efectiva sobre el canal en las proximidades del drenaje
(VGS - VDS) va disminuyendo, con lo que el canal se estrecha en dicha zona, y se pierde la
linealidad en la relación ID - VDS. Finalmente se llega a una situación de saturación similar a la que
se obtiene en el caso del JFET.

NMOS de empobrecimiento

En la Figura 14 se presenta el esquema de un MOS de canal N de empobrecimiento.

Figura 14: Esquema del transistor NMOS de empobrecimiento

En este caso el canal ya está creado. Por lo tanto, si con VGS = 0 aplicamos una tensión VDS
aparecerá una corriente de drenaje ID. Para que el transistor pase al estado de corte será
necesario aplicar una tensión VGS menor que cero, que expulse a los electrones del canal.

Figura 15: Esquema del transistor NMOS de empobrecimiento en corte

También en este caso, la aplicación de una VDS mucho mayor que VGS provoca una situación de
corriente independiente de VDS.

CURVAS CARACTERÍSTICAS

64
Con los transistores MOS se manejan dos tipos de gráficas: la característica VGS - ID, con VDS
constante, y la VDS - ID con VGS constante.

Transistor NMOS de enriquecimiento

Figura 16: Característica VGS - ID del transistor NMOS de enriquecimiento

En la Figura 16 se pone de manifiesto cómo la intensidad ID aumenta bruscamente cuando se

supera la tensión umbral VTH (Threshold Voltage) y se crea el canal. Es un componente idóneo
para conmutación, puesto que pasa de un estado de corte a uno de conducción a partir de un valor
de la señal de control. En los dispositivos con el terminal de puerta de aluminio y el aislante de
óxido de silicio, la tensión umbral está en torno a los cinco voltios.

Figura 17: Característica VDS - ID del transistor NMOS de enriquecimiento

La característica VDS - ID del transistor NMOS de enriquecimiento es muy similar a la del JFET,
pero los valores de VGS cambian: en este caso la conducción se da para voltajes positivos por
encima del umbral.

Transistor NMOS de empobrecimiento

65
 Figura 18: Característica VGS - ID del transistor NMOS de enriquecimiento

El NMOS de empobrecimiento puede funcionar también como transistor de enriquecimiento. Si la

tensión VGS se hace positiva se atraerán electrones al canal. Además, a diferencia de los JFET, la
impedancia de entrada continua siendo muy elevada.

Figura 19: Característica VDS - ID del transistor NMOS de empobrecimiento

PARÁMETROS COMERCIALES

Los parámetros comerciales más importantes del transistor MOS son análogos a los de los JFET
presentados en el apartado 1.3.

MODELOS CIRCUITALES

Tal y como se ha visto, las curvas de funcionamiento de los transistores MOS son similares a las
de los JFET. Por ello, todos admiten una representación circuital análoga.

Modelo estático de Schichman-Hodges

66
El modelo estático del transistor MOSFET se denomina modelo de Schichman-Hodges. Es un
modelo muy parecido al modelo de los transistores JFET, descrito anteriormente. El circuito
equivalente se compone de un interruptor abierto y una fuente de intensidad (Figura 20) cuyo valor
ID depende de la región de funcionamiento del transistor.

Figura 20: Modelo de Schichman-Hodges para el transistor FETMOS

Para el transistor NMOS de enriquecimiento las regiones de funcionamiento son:

1. Región de corte

o Condición VGS<VTH
o Intensidad ID=0

1. Región lineal.

o Condiciones: VGS>VTH

VGD < VTH VGS < VTH+VDS

• Intensidad:

Donde K es una constante que depende del material y de las dimensiones del transistor

• me es la movilidad de los electrones, que depende del material y la temperatura

• W, L son la anchura y la longitud del canal. Factores geométricos que dependen del diseño
del transistor.
• C'OX es la capacidad por unidad de superficie del condensador que forman el metal de la
puerta con el canal. Depende fuertemente del espesor del óxido de puerta.

1. Región de saturación

o Condiciones VGS > VTH

67
VGD > VTH VGS > VTH+VDS

• Intensidad:

Modelo para señales alternas

Para el caso en el que el transistor soporte señales alternas de pequeña amplitud y baja frecuencia
sobre un punto de polarización en región de saturación, puede demostrarse de forma análoga a
como se ha realizado para el transistor JFET que la transconductancia gm se calcula a través de la
siguiente expresión

APLICACIONES DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

Las aplicaciones generales de todos los FET son:

ELECTRONICA ANALOGICA

Para estas aplicaciones de emplean transistores preparados para conducir grandes corrientes y
soportar elevadas tensiones en estado de corte.

• Resistencias variables de valor gobernable por tensión (variando la anchura del canal).
• Amplificadores de tensión, especialmente en la amplificación inicial de señales de muy baja
potencia.
• Control de potencia eléctrica entregada a una carga.

En el caso de la amplificación los circuitos se diseñan para que el punto de operación DC del MOS
se encuentre en la región de saturación. De este modo se logra una corriente de drenaje
dependiente sólo de la tensión VGS.

ELECTRONICA DIGITAL

Los MOS se emplean a menudo en electrónica digital, debido a la capacidad de trabajar entre dos
estados diferenciados (corte y conducción) y a su bajo consumo de potencia de control. Para esta
aplicación se emplean dispositivos de muy baja resistencia, de modo que idealmente pueda
considerarse que:

• La caída de tensión en conducción es muy pequeña.

• La transición entre el estado de corte y el de conducción es instantánea.

EJERCICIOS

• En un transistor NJFET con IDSS=10mA y VP = - 5 V se mide una intensidad de drenaje ID

= 1mA. Hallar cuánto vale la tensión VGS si se admite que trabaja en la región de
saturación. Hallar la tensión de alimentación E mínima para que el transistor trabaje en
saturación.

68
 • En el circuito de la figura, se pide:

1.- La tensión VGS si se admite que el transistor está en saturación.

2.- Si VIN = 5V, calcular cuanto vale VDS.

Datos del transistor: IDSS = 5mA; VP= - 3V

• Sea el circuito de la figura formado por un transistor NJFET y una resistencia. Se pide:

1.- Indicar la región de funcionamiento del transistor.

2.- Calcular el punto de operación del transistor.

3.- Si se cambia la resistencia por otra de valor 1k, hallar el nuevo punto de operación del
transistor.

Datos del transistor: IDSS = 2mA; VP= - 3V

69
 • El transistor NJFET de la figura tiene una IDSS=12mA y VP=-4V. Determinar el valor
mínimo de E para que el transistor trabaje en la región de saturación.

• Calcular los valores de VDS y VGS del transistor de la figura si se admite que ID=5mA.

• Determinar el punto de operación del transistor FET de la figura suponiendo que se

encuentra en zona de saturación.

Datos: IDSS=5mA VP=-4V

70
• Hallar el punto de operación del transistor de la figura. Datos: IDSS=15mA; VP=-10V

• En el circuito de la figura, calcular la resistencia de entrada RIN y la tensión de salida

VOUT. Si se conecta una resistencia de 4.7k a la salida del circuito, calcular la tensión de
salida. Datos del transistor: IDSS=8mA, VP=-10V

• En el circuito de la figura se ha utilizado un transistor 2N5460. Calcular la ganancia de

tensión del circuito. Nota: Utilizar para ello los valores medios de los parámetros del
transistor.

71
 • Determinar la ganancia de tensión del circuito de la figura. Datos del transistor: gm=3.8
mmhos

• El sencillo circuito de la figura es una fuente de corriente que alimenta una carga RL.

a) Calcúlese el valor de la corriente I que circula por esa carga si el transistor se encuentra en la
región de saturación.

b) Hallar la resistencia RL máxima que se puede alimentar con la intensidad hallada mediante el
circuito anterior

Si el transistor JFET de la figura es un transistor comercial 2N5486, calcular entre qué valores se
puede esperar que varíe la intensidad I cuando el transistor trabaja en la región de saturación.
Datos: Idss=10mA; VP=-5V.

• Con el transistor 2N5457 y otros componentes que crea necesarios, diseñe una fuente de
corriente constante de 0.2mA. ¿Cuál será la carga máxima que puede alimentar la fuente
de corriente?

72
• En el circuito de la figura, calcular la tensión de salida si la tensión de entrada es 3V.
Considerar que el transistor trabaja en la región de saturación. Datos adicionales: R=100K;
E=15V

• La tensión de entrada Vin es una tensión que varía muy lentamente con el tiempo de
manera que, se puede resolver el circuito mediante un análisis en continua. Si E=10V e
ID=1mA, calcular la relación entre Vout y Vin. ¿Qué intensidad ID se debe establecer en la
fuente si se quiere que Vout=Vin? Datos del transistor: IDSS=3mA VP=-5V

• En el circuito de la figura, si ambos transistores son idénticos y se encuentran

térmicamente acoplados. Hallar la relación entre VOUT y VIN.

• Determinar el valor de las salidas V01 y V02 cuando VIN valga cero y diez voltios. Datos:
VTH = 5 V. ECC = 20 V.

73
 • Para el diseño de una puerta lógica inversora, se realiza un esquema como el que se
representa a continuación.

a) Calcular aproximadamente la potencia generada en la fuente de 8 Voltios en los estados lógicos

'1' y '0' de la entrada (10 V. y 0 V. Respectivamente).

b) ¿Qué misión tiene la resistencia de 15 k?.

• El siguiente circuito lógico está diseñado según la técnica CMOS (Complementary-MOS).

Se denomina así por que emplea en el mismo circuito transistores NMOS y PMOS.

a) Explicar su funcionamiento y determinar qué tipo de puerta lógica es.

74
b) Comparar este circuito con el del anterior. ¿Qué ventajas presenta en cuanto a consumo de
potencia?.

• Seleccionar el transistor más apropiado para el circuito lógico siguiente (0 < VIN < 10V)
(Calcular los parámetros comerciales del transistor):

• Determinar a qué tipo de puerta lógica corresponden los dispositivos de la figura (Entradas:
V1 y V2; Salida: VO)

¿Qué consumo de potencia hay en los estados lógico '1' y '0' de ambos circuitos?

• El circuito de la figura representa a un transistor actuando como un interruptor. Cuando se

polariza la puerta con una tensión de 15V, el transistor deja pasar una corriente para
alimentar la resistencia de carga. Al polarizar con 0V la puerta, el transistor permanece en
corte. Se pide:

a) Elegir un transistor MOS adecuado para realizar esta función.

b) Calcular aproximadamente la pérdida de potencia en el transistor si la señal de entrada está

comprendida entre 0 y 5V.

75
• Un transistor NMOS de deplección tiene un VP=-2V y K=2mA/V2. Calcular la VDS mínima
para operar en la región de saturación si VGS=1V.
• El transistor MOSFET de deplección de la figura tiene una K=4mA/V2 y VP=-2V. Calcular
la tensión de la fuente

• Calcular los parámetros que toman las resistencias RD y RS del circuito de la figura para
que el transistor opere con una ID=0.4mA y VD=1.Datos: VTH=2V; K=0.4mA/V2

• Se desea diseñar un circuito de alarma para un coche de manera que al salir del coche con
las luces encendidas, suene un zumbador. Para detectar la apertura de la puerta se
dispone de un sensor magnético entre la puerta y el coche que se cierra con la puerta y da
una señal de 0V. Al abrir la puerta, el sensor da una señal de 5V. Por otro lado, se tiene un
dispositivo que detecta el paso de corriente en el circuito de iluminación. Se obtiene una
señal de 5V con las luces encendidas y de 0V con las luces apagadas. El zumbador tiene
que estar alimentado entre 1 y 16V y recibir una corriente de 30mA. Diseñe el circuito con
los transistores MOSFET necesarios.

76
 Tiristores
Un tiristor es uno de los tipos más importantes de los dispositivos semiconductores de potencia.
Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrónicos de potencia. Se operan
como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor. Para
muchas aplicaciones se puede suponer que los Tiristores son interruptores o conmutadores
ideales, aunque los tiristores prácticos exhiben ciertas características y limitaciones.

CARACTERÍSTICAS DE LOS TIRISTORES

Un Tiristor es dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres uniones pn
tiene tres terminales: ánodo cátodo y compuerta. La fig. 1 muestra el símbolo del tiristor y una
sección recta de tres uniones pn. Los tiristores se fabrican por difusión.
Cuando el voltaje del ánodo se hace positivo con respecto al cátodo, las uniones J1 y J3 tienen
polarización directa o positiva. La unión J2 tiene polarización inversa, y solo fluirá una pequeña
corriente de fuga del ánodo al cátodo. Se dice entonces que el tiristor está en condición de bloqueo
directo o en estado desactivado llamándose a la corriente fuga corriente de estado inactivo ID. Si el
voltaje ánodo a cátodo VAK se incrementa a un valor lo suficientemente grande la unión J2
polarizada inversamente entrará en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalancha y el
voltaje correspondiente se llama voltaje de ruptura directa VBO. Dado que las uniones J1 y J3 ya
tienen polarización directa, habrá un movimiento libre de portadores a través de las tres uniones
que provocará una gran corriente directa del ánodo. Se dice entonces que el dispositivo está en
estado de conducción o activado.

Fig. 1 Símbolo del tiristor y tres uniones pn

La caída de voltaje se deberá a la caída ohmica de las cuatro capas y será pequeña, por lo común
1V. En el estado activo, la corriente del ánodo está limitada por una impedancia o una resistencia
externa, RL, tal y como se muestra en la fig. 2.
La corriente del ánodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de enganche IL, a fin
de mantener la cantidad requerida de flujo de portadores a través de la unión; de lo contrario, al
reducirse el voltaje del ánodo al cátodo, el dispositivo regresará a la condición de bloqueo. La
corriente de enganche, IL, es la corriente del ánodo mínima requerida para mantener el tiristor en
estado de conducción inmediatamente después de que ha sido activado y se ha retirado la señal
de la compuerta. En la fig. 2b aparece una gráfica característica v-i común de un tiristor.

77
 Fig.2 Circuito Tiristor y característica v-i

Una vez que el tiristor es activado, se comporta como un diodo en conducción y ya no hay control
sobre el dispositivo. El tiristor seguirá conduciendo, porque en la unión J2 no existe una capa de
agotamiento de vida a movimientos libres de portadores. Sin embargo si se reduce la corriente
directa del ánodo por debajo de un nivel conocido como corriente de mantenimiento IH , se genera
una región de agotamiento alrededor de la unión J2 debida al número reducido de portadores; el
tiristor estará entonces en estado de bloqueo. La corriente de mantenimiento es del orden de los
miliamperios y es menor que la corriente de enganche, IL. Esto significa que IL>IH . La corriente
de mantenimiento IH es la corriente del ánodo mínima para mantener el tiristor en estado de
régimen permanente. La corriente de mantenimiento es menor que la corriente de enganche.
Cuando el voltaje del cátodo es positivo con respecto al del ánodo, la unión J2 tiene polarización
directa, pero las uniones J1 y J3 tienen polarización inversa. Esto es similar a dos diodos
conectados en serie con un voltaje inverso a través de ellos. El tiristor estará en estado de bloqueo
inverso y una corriente de fuga inversa, conocida como corriente de fuga inversa IR, fluirá a través
del dispositivo.

MODELO DE TIRISTOR DE DOS TRANSISTORES

La acción regenerativa o de enganche de vida a la retroalimentación directa se puede demostrar

mediante un modelo de tiristor de dos transistores. Un tiristor se puede considerar como dos
transistores complementarios, un transistor PNP, Q1, y un transistor NPN, Q2, tal y como se
demuestra en la figura 3.

La corriente del colector IC de un tiristor se relaciona, en general, con la corriente del emisor IE y la
corriente de fuga de la unión colector-base ICBO, como

Ic = IE + ICBO (1)

La ganancia de corriente de base común se define como =IC/IE. Para el transistor Q1 la corriente
del emisor es la corriente del ánodo IA, y la corriente del colector IC1 se puede determinar a partir
de la ecuación (1):

IC1 = 1 IA + ICBO1 (2)

78
 a) Estructura básica b) Circuito equivalente

Fig. 3 Modelo de tiristor de dos terminales.

Donde alfa1 es la ganancia de corriente y ICBO1 es la corriente de fuga para Q1. En forma similar
para el transistor Q2, la corriente del colector IC2 es:

IC2 = 2IK + ICBO2 (3)

Donde 2 es la ganancia de corriente y ICBO2 es la corriente de fuga correspondiente a Q2. Al

combinar IC1 e IC2, obtenemos:

IA = IC1 + IC2 = 1IA + ICBO1 + 2IK + ICBO2 (4)

Pero para una corriente d compuerta igual AIG, IK=IA+IG resolviendo la ecuación anterior en
función de IA obtenemos:

IA = 2 IG + ICBO1 + ICBO2 (5)

1 - ( 1 + 2)

ACTIVACIÓN DEL TIRISTOR

Un tiristor se activa incrementándola corriente del ánodo. Esto se puede llevar a cabo mediante
una de las siguientes formas.

TERMICA. Si la temperatura de un tiristor es alta habrá un aumento en el número de pares

electrón-hueco, lo que aumentará las corrientes de fuga. Este aumento en las corrientes hará
que 1 y 2 aumenten. Debido a la acción regenerativa ( 1+ 2) puede tender a la unidad y el
tiristor pudiera activarse. Este tipo de activación puede causar una fuga térmica que por lo general
se evita.

79
LUZ. Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentaran los pares electrón-
hueco pudiéndose activar el tiristor. La activación de tiristores por luz se logra permitiendo que
esta llegue a los discos de silicio.

ALTO VOLTAJE. Si el voltaje directo ánodo a cátodo es mayor que el voltaje de ruptura directo
VBO, fluirá una corriente de fuga suficiente para iniciar una activación regenerativa. Este tipo de
activación puede resultar destructiva por lo que se debe evitar.

dv/dt. Si la velocidad de elevación del voltaje ánodo-cátodo es alta, la corriente de carga de las
uniones capacitivas puede ser suficiente para activar el tiristor. Un valor alto de corriente de carga
puede dañar el tiristor por lo que el dispositivo debe protegerse contra dv/dt alto. Los fabricantes
especifican el dv/dt máximo permisible de los tiristores.

CORRIENTE DE COMPUERTA. Si un tiristor está polarizado en directa, la inyección de una

corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y las
terminales del cátodo activará al tiristor. Conforme aumenta la corriente de compuerta, se reduce el
voltaje de bloqueo directo, tal y como aparece en la fig.4

Fig.4 Efectos de la corriente de compuerta sobre el voltaje de bloqueo directo.

TIPOS DE TIRISTORES

Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusión. La corriente del ánodo requiere de un
tiempo finito para propagarse por toda el área de la unión, desde el punto cercano a la compuerta
cuando inicia la señal de la compuerta para activar el tiristor. Para controlar el di/dt, el tiempo de
activación y el tiempo de desactivación, los fabricantes utilizan varias estructuras de compuerta.

Dependiendo de la construcción física y del comportamiento de activación y desactivación, en

general los tiristores pueden clasificarse en nueve categorías:

1. Tiristores de control de fase (SCR).

2. Tiristores de conmutación rápida (SCR).
3. Tiristores de desactivación por compuerta (GTO).
4. Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).
5. Tiristores de conducción inversa (RTC).
6. Tiristores de inducción estática (SITH).
7. Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR)
8. Tiristores controlados por FET (FET-CTH)
9. Tiristores controlados por MOS (MCT)

80
En esta practica fue necesario además de utilizar tiristores, la utilización de un tipo especial de
estos como lo es un UJT además de un PUT por lo que se definen ambos a continuación:

TRANSISTOR MONOUNION (UJT)

El transistor monounión (UJT) se utiliza generalmente para generar señales de disparo en los SCR.
En la fig.5 se muestra un circuito básico de disparo UJT. Un UJT tiene tres terminales, conocidas
como emisor E, base1 B1 y base2 B2. Entre B1 y B2 la monounión tiene las características de una
resistencia ordinaria (la resistencia entre bases RBB teniendo valores en el rango de 4.7 y 9.1 K).
Cuando se aplica el voltaje de alimentación Vs en cd, se carga el capacitor C a través de la
resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT está en estado abierto. La constante de tiempo
del circuito de carga es T1=RC. Cuando el voltaje del emisor VE, el mismo que el voltaje del
capacitor llega a un valor pico Vp, se activa el UJT y el capacitor se descarga a través de RB1 a
una velocidad determinada por la constante de tiempo T2=RB1C. T2 es mucho menor que T1.
Cuando el voltaje del emisor VE se reduce al punto del valle Vv, el emisor deja de conducir, se
desactiva el UJT y se repite el ciclo de carga.
El voltaje de disparo VB1 debe diseñarse lo suficientemente grande como para activar el SCR. El
periodo de oscilación, T, es totalmente independiente del voltaje de alimentación Vs y está dado
por:

T = 1/f = RC ln 1/1-n

Fig.5 Circuito básico de disparo de un UJT

TRANSISTOR MONOUNIÓN PROGRAMABLE

El transistor monounión programable (PUT) es un pequeño tiristor que aparece en la fig.7. Un PUT
se puede utilizar como un oscilador de relajación, tal y como se muestra en la fig.7b. El voltaje de
compuerta VG se mantiene desde la alimentación mediante el divisor resistivo del voltaje R1 y R2,
y determina el voltaje de punto de pico Vp. En el caso del UJT, Vp está fijo para un dispositivo por
el voltaje de alimentación de cd, pero en un PUT puede variar al modificar al modificar el valor del
divisor resistivo R! y R2. Si el voltaje del ánodo VA es menor que el voltaje de compuerta VG, le
dispositivo se conservará en su estado inactivo, pero si el voltaje de ánodo excede al de compuerta
en una caída de voltaje de diodo VD, se alcanzará el punto de pico y el dispositivo se activará. La
corriente de pico Ip y la corriente del punto de valle Iv dependen de la impedancia equivalente en la
compuerta RG = R1R2/(R1+R2) y del voltaje de alimentación en cd Vs. N general Rk está limitado
a un valor por debajo de 100 Ohms.

81
R y C controlan la frecuencia junto con R1 y R2. El periodo de oscilación T está dado en forma
aproximada por:

T = 1/f = RC lnVs/Vs-Vp = RC ln (1+R2/R1)

Fig.7 Circuito de disparo para un PUT

TRIAC

El TRIAC (triode AC conductor) es un semiconductor capaz de bloquear tensión y conducir

corriente en ambos sentidos entre los terminales principales T1 y T2. Su estructura básica y
símbolo aparecen en la fig.8. Es un componente simétrico en cuanto a conducción y estado de
bloqueo se refiere, pues la característica en el cuadrante I de la curva UT2-T1 --- iT2 es igual a la
del cuadrante III. Tiene unas fugas en bloqueo y una caída de tensión en conducción
prácticamente iguales a las de un tiristor y el hecho de que entre en conducción, si se supera la
tensión de ruptura en cualquier sentido, lo hace inmune a destrucción por sobretensión.

82
 Fig.8 TRIAC: Estructura y símbolo.

CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN TRIAC

Se puede considerar a un TRIAC como si fueran dos SCR conectados en antiparalelo, con una
conexión de compuerta común, como se muestra en la fig.9
Dado que el TRIAC es un dispositivo bidireccional, no es posible identificar sus terminales como
ánodo y cátodo. Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1, se activará al aplicar
una señal negativa a la compuerta, entre la compuerta y la terminal MT1.
No es necesario que esten presentes ambas polaridades en las señales de la compuerta y un
TRIAC puede ser activado con una sola señal positiva o negativa de compuerta. En la práctica, la
sensibilidad varía de un cuadrante a otro, el TRIAC normalmente se opera en el cuadrante I
(voltaje y corriente de compuerta positivos) o en el cuadrante III (voltaje y corriente de compuerta
negativos).

Fig.9 Circuito equivalente de un TRIAC

MODOS DE FUNCIONAMIENTO DE UN TRIAC

El TRIAC puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicación
entre los terminales puerta y T1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una facilidad de
empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. A continuación se verán los fenómenos
internos que tienen lugar en los cuatro modos de disparo posibles.

Modo I + :

Terminal T2 positiva con respecto a T1.

Intensidad de puerta entrante.

Funcionan las capas P1N1P2N2 como tiristor con emisor en corto circuito, ya que la metalización
del terminal del cátodo cortocircuita parcialmente la capa emisora N2 con la P2.
La corriente de puerta circula internamente hasta T1 , en parte por la unión P2N2 y en parte a
través de la zona P2. Se produce la natural inyección de electrones de N2 a P2 que es favorecida
en el área próxima a la puerta por la caída de tensión que produce en P2 la circulación lateral de
corriente de puerta. Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusión la unión P2N1, que
bloquea el potencial exterior, y son acelerados por ella iniciándose la conducción.

83
Modo I - :

Terminal T2 positivo respecto a T1.

Intensidad de puerta saliente.

El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unión. Inicialmente conduce la estructura

auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2.
El disparo de la primera se produce como un tiristor normal actuado T1 de puerta y P de cátodo.
Toda la estructura auxiliar se pone a la tensión positiva de T2 y polariza fuertemente la unión P2N2
que inyecta electrones hacia el área de potencial positivo. La unión P2N1 de la estructura principal
que soporta la tensión exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la estructura auxiliar,
entrando en conducción.

Modo III + :

Terminal T2 negativo respecto a T1.

Intensidad de puerta entrante.

El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conducción la
estructura P2N1P1N4.
La inyección de electrones de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I +. Los que alcanzan por
difusión la unión P2N1 son absorbidos por su potencial de unión, haciéndose más conductora. El
potencial positivo de puerta polariza más positivamente el área de la unión P2N1 próxima a ella
que la próxima a T1, provocándose una inyección de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte
la unión N1P1 encargada de bloquear la tensión exterior y se produce la entrada en conducción.

Modo III - :

Terminal T2 negativo respecto a T1.

Intensidad de puerta saliente.

También se dispara por el procedimiento e puerta remota, conduciendo las capas P2N1P1N4.
La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen más conductora la unión P2N1. La tensión positiva
de T1 polariza el área próxima de la unión P2N1 más positivamente que la próxima a la puerta.
Esta polarización inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unión N1P1 y la hacen pasar
a conducción.

Los cuatro modos de disparo descritos tienen diferente sensibilidad. Siendo los modos I + y III - los
más sensibles, seguidos de cerca por el I -. El modo III + es el disparo más difícil y debe evitarse
su empleo en lo posible.
El fabricante facilita datos de características eléctricas el bloqueo, conducción y de dispar por
puerta de forma similar a lo explicado para el tiristor.

84
Fig.10 Características V-I de un TRIAC

85
Optoelectrónica
La optoelectrónica es el nexo de unión entre los sistemas ópticos y los sistemas electrónicos. Los
componentes optoelectrónicos son aquellos cuyo funcionamiento está relacionado directamente
con la luz.

Los sistemas optoelectrónicos están cada vez más de moda. Hoy en día parece imposible mirar
cualquier aparato eléctrico y no ver un panel lleno de luces o de dígitos más o menos
espectaculares. Por ejemplo, la mayoría de los walkman disponen de un piloto rojo que nos avisa,
siempre en el momento más inoportuno, que las pilas se han agotado y que deben cambiarse. Los
tubos de rayos catódicos con los que funcionan los osciloscopios analógicos y los televisores, las
pantallas de cristal líquido, los modernos sistemas de comunicaciones mediante fibra óptica,... son
algunos de los ejemplos de aplicación de las propiedades ópticas de los materiales que nos
disponemos a desglosar en este capítulo. Pero antes debemos recordar los conceptos elementales
acerca de la luz.

LA RADIACIÓN ELECTROMAGNÉTICA

No se pretende aquí realizar un estudio riguroso a cerca de la radiación electromagnética.

Simplemente se recordarán algunos conceptos básicos, imprescindibles para comprender el
capítulo.

• La radiación electromagnética está formada por fotones.

• Cada fotón lleva asociada una energía que se caracteriza por su longitud de onda según la
ecuación

E=hc/y

donde

• E = energía del fotón

• c = velocidad de la luz 3·108m/s
• h = constante de Planck
• y = longitud de onda del fotón.

El numerador de la expresión de la energía es una constante. Por eso, la energía de un fotón es

mayor cuanto menor sea la longitud de onda, que se encuentra en el denominador.

1. La luz, tal y como la entiende la persona de a pie, no es mas que una parte de la radiación
electromagnética que es capaz de excitar las células de la retina del ojo. La radiación
electromagnética abarca un concepto más general.

86
 Figura 1: El espectro electromagnético

La radiación electromagnética queda dividida según su longitud de onda (Figura 1). A continuación
se comentan algunos aspectos relativos a estas divisiones:

• Las ondas de radio son generadas por circuitos electrónicos, como osciladores LC, y son
utilizadas en comunicaciones.
• Las microondas abarcan la zona desde 1 mm hasta 30 cm. Resultan adecuadas para los
sistemas de radar, navegación aérea y para el estudio de las propiedades atómicas de la
materia.
• Las ondas infrarrojas son llamadas también ondas térmicas ya que estas ondas son
producidas principalmente por cuerpos calientes y son absorbidas fácilmente por la
mayoría de los materiales. La energía absorbida aparece como calor. Estas ondas
comprenden longitudes de onda desde 1 mm hasta 4x10-7 m.
o La luz visible es la parte del espectro que puede percibir el ojo humano. Incluye las
longitudes de onda desde 4x10-7 hasta 7x10-7 metros o lo que es lo mismo, desde
400nm hasta 700nm. Los diferentes colores corresponden a ondas de diferente
longitud de onda.
o La luz ultravioleta (6x10-8 - 3.8x10-7) es producida principalmente por el sol. Es la
causa de que la gente se ponga morena.

87
 o Los rayos X y los rayos gamma son ondas de gran energía que dañan la estructura
de los tejidos humanos.

La optoelectrónica se centra principalmente en la parte del espectro electromagnético

correspondiente a la luz visible y la parte del infrarrojo cercano a la luz visible.

DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS BÁSICOS

A nivel de componentes podemos distinguir tres tipos de dispositivos:

• Dispositivos emisores: emiten luz al ser activados por energía eléctrica. Son dispositivos
que transforman la energía eléctrica en energía luminosa. A este nivel corresponden los
diodos LED o los LÁSER.
• Dispositivos detectores: generan una pequeña señal eléctrica al ser iluminados.
Transforma, pues, la energía luminosa en energía eléctrica.
• Dispositivos fotoconductores: Conducen la radiación luminosa desde un emisor a un
receptor. No se producen transformaciones de energía.

Tras esta amena introducción, nos adentramos en el maravilloso mundo de la optoelectrónica.

DISPOSITIVOS EMISORES

Los dispositivos emisores son aquellos que varían sus propiedades ópticas con la aplicación de un
determinado potencial. Estas propiedades pueden ser la emisión de luz o simplemente la absorción
o reflexión de la luz

En este apartado se presentan los siguientes componentes:

• Diodos LED
• Diodos láser
• Tubo de rayos Catódicos
• Cristales líquidos

DIODOS EMISORES DE LUZ (LEDS)

Un diodo emisor de luz es un dispositivo de unión PN que cuando se polariza directamente emite
luz.

Al aplicarse una tensión directa a la unión, se inyectan huecos en la capa P y electrones en la capa
N. Como resultado de ello, ambas capas tienen una mayor concentración de portadores
(electrones y huecos) que la existente en equilibrio. Debido a esto, se produce una recombinación
de portadores, liberándose en dicha recombinación la energía que les ha sido comunicada
mediante la aplicación de la tensión directa.

Se pueden distinguir dos tipos de recombinación en función del tipo de energía que es liberada:

• Recombinación no radiante: la mayoría de la energía de recombinación se libera al cristal

como energía térmica.
• Recombinación radiante: la mayoría de la energía de recombinación se libera en forma de
radiación. La energía liberada cumple la ecuación:

88
Si se despeja la longitud de onda:

siendo E la diferencia de energía entre el electrón y el hueco que se recombinan expresada en

electrón-voltios. Esta energía depende del material que forma la unión PN.

Para caracterizar la eficacia en la generación de fotones se definen una serie de parámetros:

La eficacia cuántica interna (s) es la relación entre el número de fotones generados y el número de
portadores (electrones y huecos) que cruzan la unión PN y se recombinan. Este parámetro debe
hacerse tan grande como sea posible. Su valor depende de las probabilidades relativas de los
procesos de combinación radiante y combinación no radiante, que a su vez dependen de la
estructura de la unión el tipo de impurezas, y sobre todo, del material semiconductor.

Sin embargo, la obtención de una alta eficacia cuántica interna no garantiza que la emisión de
fotones del LED sea alta. La radiación generada en la unión es radiada en todas las direcciones.
Es esencial que esa radiación generada en el interior del material pueda salir de él. A la relación
entre el número de fotones emitidos y el número de portadores que cruzan la unión PN se le llama
eficacia cuántica externa (ext). Las causas de que ext sea menor que s son tres:

• Sólo la luz emitida en la dirección de la superficie entre el semiconductor y el aire es útil.

• En la superficie entre el semiconductor y el aire se pueden dar fenómenos de reflexión,
quedando los fotones atrapados en el interior del material.
• Los fotones pueden ser absorbidos por el material para volverse a formar un par electrón-
hueco.

Consideraciones prácticas

En la Figura 2 se muestra el símbolo circuital más extendido del diodo LED.

Figura 2: Símbolo circuital del diodo LED

89
En el análisis de un circuito, el diodo LED puede ser tratado de manera análoga a un diodo normal.
Sin embargo conviene tener en cuenta que los diodos LED no están fabricados de silicio
monocristalino, ya que el silicio monocristalino es incapaz de emitir fotones. Debido a ello, la
tensión de polarización directa VD depende del material con el que esté fabricado el diodo.

Cuando se utilizan LEDs con tensión alterna se suele utilizar el esquema de la Figura 3:

Figura 3: Diodo LED en alterna

Este esquema se utiliza para que el diodo LED no se encuentre nunca polarizado en inversa. Al
situar un diodo normal en antiparalelo, la tensión máxima en inversa entre las terminales del LED
es de 0,7 V. Esto se realiza así porque un diodo LED puede resultar dañado más fácilmente que un
diodo normal cuando se le aplica una polarización inversa.

Materiales utilizados

Tal y como se ha expuesto anteriormente, los diodos LED no están fabricados de silicio
monocristalino. El material que compone el diodo es importante ya que el color de la luz emitida por
el LED depende únicamente del material y del proceso de fabricación (principalmente de los
dopados).

En la tabla adjunta aparecen algunos ejemplos de materiales utilizados junto con los colores
conseguidos:

Material Longitud de onda Color VD típica

AsGa 904 nm IR 1V
InGaAsP 1300 nm IR 1V
AsGaAl 750-850 nm Rojo 1,5 V
AsGaP 590 nm Amarillo 1,6
InGaAlP 560 nm Verde 2,7 V
CSi 480 nm Azul 3V

Una aplicación de los LEDs: el display de 7 segmentos

Una de las aplicaciones más populares de los LEDs es la de señalización. Quizás la más utilizada
sea la de 7 LEDs colocados en forma de ocho tal y como se indica en la figura.

90
 Figura 4: Display de 7 segmentos. A la izquierda aparecen las dos posibles formas de construir el
circuito

Polarizando los diferentes diodos, se iluminarán los segmentos correspondientes. De esta manera
podemos señalizar todos los números en base 10. Por ejemplo, si queremos representar el número
1 en el display deberemos mandar señal a los diodos b y c, y los otros diodos deben de tener
tensión cero. Esto lo podemos escribir así: 0110000(0). El primer dígito representa al diodo a, el
segundo al b, el tercero al c,... y así sucesivamente. Un cero representa que no polarizamos el
diodo, es decir, no le aplicamos tensión. Un uno representa que el diodo está polarizado, y por lo
tanto, emite luz.

Muchas veces aparece un octavo segmento, entre paréntesis en el ejemplo anterior, que funciona
como punto decimal.

DIODOS LASER

LASER es un acrónimo de Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation. Las

aplicaciones de estos diodos son muy diversas y cubren desde el corte de materiales con haces de
gran energía hasta la transmisión de datos por fibra óptica.

Características: ventajas frente a los diodos LED

Los diodos láser son constructivamente diferentes a los diodos LED normales. Las características
de un diodo láser son

• La emisión de luz es dirigida en una sola dirección: Un diodo LED emite fotones en muchas
direcciones. Un diodo láser, en cambio, consigue realizar un guiado de la luz preferencial
una sola dirección.

91
 Figura 5: Corte esquemático de la emisión de luz en diodos LED y láser

• La emisión de luz láser es monocromática: Los fotones emitidos por un láser poseen
longitudes de onda muy cercanas entre sí. En cambio, en la luz emitida por diodos LED,
existen fotones con mayores dispersiones en cuanto a las longitudes de onda.

Figura 6 :Intensidad de luz en función de la longitud de onda para diodos LED y láser

Debido a estas dos propiedades, con el láser se pueden conseguir rayos de luz monocromática
dirigidos en una dirección determinada. Como además también puede controlarse la potencia
emitida, el láser resulta un dispositivo ideal para aquellas operaciones en las que sea necesario
entregar energía con precisión.

Materiales utilizados

Los materiales utilizados para la fabricación de diodos láser son prácticamente los mismos que en
diodos LED. En comunicaciones se utilizan predominantemente diodos láser que emiten en el
infrarrojo. También se utilizan de luz roja.

Ejemplo de aplicación: el lector de discos compactos

Una de las muchas aplicaciones de los diodos láser es la de lectura de información digital de
soportes de datos tipo CD-ROM o la reproducción de discos compactos musicales. El principio de
operación de uno y otro es idéntico.

92
 Figura 7: Esquema del funcionamiento del CD-ROM

Un haz láser es guiado mediante lentes hasta la superficie del CD. A efectos prácticos, se puede
suponer dicha superficie formada por zonas reflectantes y zonas absorbentes de luz. Al incidir el
haz láser en una zona reflectante, la luz será guiada hasta un detector de luz: el sistema ha
detectado un uno digital. Si el haz no es reflejado, al detector no le llega ninguna luz: el sistema ha
detectado un cero digital.

Un conjunto de unos y ceros es una información digital, que puede ser convertida en información
analógica en un convertidor digital-analógico. Pero esa es otra historia que debe de ser contada en
otra ocasión.

DISPLAY DE CRISTAL LIQUIDO (LCDS)

Los LCDs difieren de otros tipos de displays en que no generan luz sino que trabajan con la
reflexión de la luz. El principio de funcionamiento es sencillo. Estos cristales líquidos están
formados por unas moléculas alargadas con forma de puro, que se llaman moléculas nemáticas y
se alinean con una estructura simétrica. En este estado el material es transparente. Un campo
eléctrico provoca que las moléculas se desalinien de manera que se vuelven opacas a la luz. De
esta manera, aplicando o no aplicando un campo eléctrico (es decir, polarizando o no polarizando),
podemos jugar con oscuridad o transparencia respectivamente. Si aplicamos el campo localmente
en geometrías iguales al display de 7 segmentos, conseguiremos un display análogo al de los
LEDs pero con cristal líquido.

93
 Figura 8: Esquema constructivo de un LCD

En la construcción de un LCD se depositan electrodos transparentes en la cara interior de los

cristales, tal y como aparece en la figura superior. Estos electrodos tienen la geometría deseada,
por ejemplo, el display de 7 segmentos. El espesor del cristal líquido es muy pequeño, del orden de
0.01mm.

Ya tenemos nuestro invento preparado. Si no se polarizan los terminales, al incidir la luz sobre el
cristal frontal, pasa a través del cristal líquido y es reflejada por el espejo incidiendo en el ojo que
está mirando. El resultado: todo se ve de color claro.

Si polarizamos un electrodo, por ejemplo, el electrodo a, el cristal líquido pegado al electrodo se

vuelve opaco, negro, oscuro. La luz ya no es reflejada.

Características eléctricas del LCD

Desde el punto de vista eléctrico, se puede representar el LCD como una capacidad de valor muy
pequeño en paralelo con una resistencia muy grande.

94
 Figura 9: Circuito equivalente de un LCD.

Se necesita una señal pequeña en AC de 3 a 7 voltios para polarizar el LCD. Tensiones mayores
romperían la fina capa de cristal líquido. La frecuencia de la tensión puede variar entre 30 y 50 Hz.
Frecuencias más bajas producen un efecto de parpadeo, frecuencias más altas producen un
aumento del consumo.

FOTODETECTORES

Ya se ha explicado que los componentes fotodetectores son aquellos componentes que varían
algún parámetro eléctrico en función de la luz.

Todos los componentes fotodetectores están basados en el mismo principio. Si construimos un

componente con un material semiconductor de manera que la luz pueda incidir sobre dicho
material, la luz generará pares electrón - hueco. Esta generación se realiza de manera análoga a la
generación térmica de portadores ya estudiada.

En este capitulo se estudiarán principalmente el funcionamiento de tres componentes:

• Fotorresistencias
• Fotodiodos
• Fototransistores

FOTORRESISTENCIAS

Una fotorresistencia se compone de un material semiconductor cuya resistencia varia en función de

la iluminación. La fotorresistencia reduce su valor resistivo en presencia de rayos luminosos. Es por
ello por lo que también se le llama resistencias dependientes de luz (light dependent resistors),
fotoconductores o células fotoconductoras.

Cuando incide la luz en el material fotoconductor se generan pares electrón - hueco. Al haber un
mayor número de portadores, el valor de la resistencia disminuye. De este modo, la fotorresistencia
iluminada tiene un valor de resistencia bajo.

Figura 10: Fotogeneración de portadores

95
Si dejamos de iluminar, los portadores fotogenerados se recombinarán hasta volver hasta sus
valores iniciales. Por lo tanto el número de portadores disminuirá y el valor de la resistencia será
mayor.

Figura 11: Estado de conducción sin fotogeneración

Por supuesto, el material de la fotorresistencia responderá a unas longitudes de onda

determinadas. Es decir, la variación de resistencia será máxima para una longitud de onda
determinada. Esta longitud de onda depende del material y el dopado, y deberá ser suministrada
por el proveedor. En general, la variación de resistencia en función de la longitud de onda
presentan curvas como las de la figura siguiente.

Figura 12: Variación de resistencia en función de la longitud de onda de la radiación.

El material mas utilizado como sensor es el CdS, aunque también puede utilizarse Silicio, GaAsP y
GaP.

FOTODIODOS

Los fotodiodos son diodos de unión PN cuyas características eléctricas dependen de la cantidad de
luz que incide sobre la unión. En la figura siguiente se muestra su símbolo circuital.

96
 Figura 13: Símbolo circuital del fotodiodo

Características

Figura 14: Curvas características de un fotodiodo

El efecto fundamental bajo el cual opera un fotodiodo es la generación de pares electrón - hueco
debido a la energía luminosa. Este hecho es lo que le diferencia del diodo rectificador de silicio en
el que, solamente existe generación térmica de portadores de carga. La generación luminosa, tiene
una mayor incidencia en los portadores minoritarios, que son los responsables de que el diodo
conduzca ligeramente en inversa.

El comportamiento del fotodiodo en inversa se ve claramente influenciado por la incidencia de luz.

Conviene recordar que el diodo real presenta unas pequeñas corrientes de fugas de valor IS. Las
corrientes de fugas son debidas a los portadores minoritarios, electrones en la zona P y huecos en
la zona N. La generación de portadores debido a la luz provoca un aumento sustancial de
portadores minoritarios, lo que se traduce en un aumento de la corriente de fuga en inversa tal y
como se ve en la figura.

El comportamiento del fotodiodo en directa apenas se ve alterado por la generación luminosa de

portadores. Esto es debido a que los portadores provenientes del dopado (portadores mayoritarios)
son mucho más numerosos que los portadores de generación luminosa.

Para caracterizar el funcionamiento del fotodiodo se definen los siguientes parámetros:

• Se denomina corriente oscura (dark current), a la corriente en inversa del fotodiodo cuando
no existe luz incidente.

97
 • Se define la sensibilidad del fotodiodo al incremento de intensidad al polarizar el dispositivo
en inversa por unidad de intensidad de luz, expresada en luxes o en mW/cm2.

Esta relación es constante para un amplio intervalo de iluminaciones.

El modelo circuital del fotodiodo en inversa está formado por un generador de intensidad cuyo valor
depende de la cantidad de luz. En directa, el fotodiodo se comporta como un diodo normal. Si está
fabricado en silicio, la tensión que cae en el dispositivo será aproximadamente 0,7 V.

Los fotodiodos son más rápidos que las fotorresistencias, es decir, tienen un tiempo de respuesta
menor, sin embargo solo pueden conducir en una polarización directa corrientes relativamente
pequeñas.

Geometría

Un fotodiodo presenta una construcción análoga a la de un diodo LED, en el sentido que necesita
una ventana transparente a la luz por la que se introduzcan los rayos luminosas para incidir en la
unión PN. En la Figura 15, aparece una geometría típica. Por supuesto, el encapsulado es
transparente a la luz.

Figura 15: Corte transversal de un fotodiodo comercial

FOTOTRANSISTOR

Se trata de un transistor bipolar sensible a la luz.

Figura 16: Símbolo del fototransistor

La radiación luminosa se hace incidir sobre la unión colector base cuando éste opera en la RAN.
En esta unión se generan los pares electrón - hueco, que provocan la corriente eléctrica.

El funcionamiento de un fototransistor viene caracterizado por los siguientes puntos:

98
 1. Un fototransistor opera, generalmente sin terminal de base (Ib=0) aunque en algunos
casos hay fototransistores tienen disponible un terminal de base para trabajar como un
transistor normal.
2. La sensibilidad de un fototransistor es superior a la de un fotodiodo, ya que la pequeña
corriente fotogenerada es multiplicada por la ganacia del transistor.
3. Las curvas de funcionamiento de un fototransistor son las que aparecen en la Figura 17.
Como se puede apreciar, son curvas análogas a las del transistor BJT, sustituyendo la
intensidad de base por la potencia luminosa por unidad de área que incide en el
fototransistor.

Figura 17: Curvas características de un fototransistor típico

EL OPTOACOPLADOR

Un optoacoplador es un componente formado por la unión de un diodo LED y un fototransistor

acoplados a través de un medio conductor de luz y encapsulados en una cápsula cerrada y opaca
a la luz.

Figura 18: Esquema de un optoacoplador

Cuanta mayor intensidad atraviesa el fotodiodo, mayor será la cantidad de fotones emitidos y, por
tanto, mayor será la corriente que recorra el fototransistor. Se trata de una manera de transmitir
una señal de un circuito eléctrico a otro. Obsérvese que no existe comunicación eléctrica entre los
dos circuitos, es decir existe un trasiego de información pero no existe una conexión eléctrica: la
conexión es óptica.

Las implementaciones de un optoacoplador son variadas y dependen de la casa que los fabrique.
Una de las más populares se ve en la Figura 19. Se puede observar como el LED, en la parte
superior, emite fotones que, tras atravesar el vidrio, inciden sobre el fototransistor.

99
 Figura 19: Esquema constructivo de un optoacoplador

Obsérvese también el aislamiento eléctrico entre fototransistor y LED ya mencionado.

EJERCICIOS

• Calcular el valor mínimo de la resistencia R si se quiere que el LED CQX12 no sufra ningún
daño al conectar la fuente de tensión.

• En el siguiente circuito, D1 es un LED de color rojo, D2 naranja y D3 verde. Calcular los

valores de R1, R2 y R3 para que se iluminen los tres diodos con If = 20 mA al conectarse
la fuente de tensión.

DATOS: Caída de tensión (Voltios) en los diodos para If = 20 mA:

rojo naranja verde

1.8 2 2.2

100
• Calcular el mínimo valor de R para que se enciendan los diodos de la figura sin sufrir
ningún daño, sabiendo que D1 es rojo, D2 naranja y D3 verde (tomar los datos del
problema anterior).

• El montaje de la figura se utiliza cuando se quiere conectar un LED en AC. Como su

tensión de ruptura en inversa es muy pobre, se conecta en paralelo un diodo convencional,
para que conduzca en el semiciclo negativo y el LED no sufra daños. Se pide seleccionar
el LED si se quiere que sea rojo.

• Calcular el valor de R para que cuando se conecte la fuente de alimentación de 5 Voltios

se enciendan los tres LED a la vez, con una corriente de 20 mA.

• Se quiere que cuando se apliquen señales lógicas en la entrada, se encienda un LED de la

serie SOD-76. ¿Qué colores podemos escoger?. ¿Qué señal habría que aplicar en la
entrada para saturar Q? (Usar la guía rápida de selección).

101
• Para la pantalla de un termómetro digital se ha utilizado un dispositivo tipo CQ216X, que
incluye dos dígitos en el mismo soporte. Para que en el dígito de la derecha se lea el
número dos, ¿qué tensiones hay que aplicar en los terminales de dicho dispositivo?. ¿Qué
potencia se estará consumiendo en él si se alimentan con 10 mA?
• En el circuito de la figura:

• Calcular la corriente que atravesará al transistor cuando se ilumine con una luz de 10
W/m2.
• ¿Podría realizarse con este transistor el esquema de la figura 2?. ¿Por qué?.

• Un fotodiodo con sensibilidad S=25mA por mW/cm2 debe ser utilizado para vigilar la
intensidad de la luz solar que incide sobre una estación de energía solar. Diseñe un circuito
con dicho fotodiodo, que pueda proporcionar una señal en el rango de 0-5V que sea
indicativo de la luz incidente. La intensidad pico promedio de la luz solar a medio día es
aproximadamente 0.1mW/cm2 en la mayor parte de las regiones de la tierra.

• Un fotodiodo con sesnibilidad de 20mA por mW/cm2 de iluminación, se utiliza para

decodificar una señal digital enviada a través de un cable de fibra óptica utilizando el
arreglo que se muestra en la figura. En el extremo transmisor, un diodo LED de eficacia
E=50mW/mA y Vf=1.3V está alimentado por una fuente de tensión que conmuta entre los

102
 niveles lógicos de 0 y 5V. El circuito hace que el LED produzca una señal óptica digital en
el cable de fibra óptica. El arreglo físico es tal que el 20% de la luz emitida por el LED
queda acoplado al cable de fibra óptica. En el extremo receptor, el 80% de la luz del cable
se acopla al fotodiodo en un área de 1mm2. Si se desea reproducir los niveles lógicos de 0
y 5V, determinar los valores apropiados de VCC y RL.

• Se quiere transmitir una señal de pulsos (VIN) a través de un entorno con ruidos
electromagnéticos. Para ello, se piensa en utilizar fibra óptica, ya que no se ve afectada
por dichos ruidos (un cable convencional sí se vería afectado y falsearía la información).

Si los transistores Q1 y Q2 funcionan únicamente en corte y saturación:

1. Explicar el funcionamiento del circuito

2. Seleccionar D1 y D2

• Dado el dispositivo de la figura:

103
1.- Explicar qué tipo de circuito es y su funcionamiento.

2.- Comprobar que el diodo del optoacoplador no sufre ningún daño cuando VIN=0.

3.- Calcular la corriente absorbida de la fuente de 20 V cuando no se aplica ninguna señal de la

entrada

104
Diodos LED

Los LEDs son diodos que emiten luz cuando son conectados a un circuito.

Su uso es frecuente como luces “piloto” en aparatos electrónicos para indicar si el circuito está
cerrado.

Los elementos componentes son transparentes o coloreados, de un material resina-epoxi, con la

forma adecuada e incluye el corazón de un LED: el chip semiconductor.

Los terminales se extienden por debajo de la cápsula del LED o foco e indican cómo deben ser
conectados al circuito. El lado negativo está indicado de dos formas: 1) por la cara plana del foco
o, 2) por el de menor longitud. El terminal negativo debe ser conectado al terminal negativo de un
circuito.

Los LEDs operan con un voltaje relativamente bajo, entre 1 y 4 volts, y la corriente está en un
rango entre 10 y 40 miliamperes. Voltajes y corrientes superiores a los indicados pueden derretir el
chip del LED. La parte más importante del “light emitting diode” (LED) es el chip semiconductor
localizado en el centro del foco, como se ve en la figura.

El chip tiene dos regiones separadas por una juntura. La región p está dominada por las cargas
positivas, y la n por las negativas. La juntura actúa como una barrera al paso de los electrones
entre la región p y la n; sólo cuando se aplica el voltaje suficiente al chip puede pasar la corriente y
entonces los electrones pueden cruzar la juntura hacia la región p.

Si la diferencia de potencial entre los terminales del LED no es suficiente, la juntura presenta una
barrera eléctrica al flujo de electrones.

¿Qué causa la emisión de luz de un LED y qué determina el color de la luz?

Cuando se aplica una tensión al chip del LED los electrones pueden moverse fácilmente sólo en
una dirección a través la juntura entre p y n. En la región p hay muchas cargas positivas y pocas
negativas. En cambio en la región n hay más cargas negativas que positivas. Cuando se aplica

105
tensión y la corriente empieza a fluir, los electrones en la región n tienen suficiente energía para
cruzar la juntura hacia la región p. Una vez en ésta, los electrones son inmediatamente atraídos
hacia las cargas positivas, de acuerdo a la ley de Coulomb, que dice que fuerzas opuestas se
atraen. Cuando un electrón se mueve lo suficientemente cerca de una carga positiva en la región
p, las dos cargas se recombinan.

Cada vez que un electrón se recombina con una carga eléctrica positiva, energía eléctrica potencial
es convertida en energía electromagnética. Por cada una de estas recombinaciones un quantum
de energía electromagnética es emitido en forma de fotón de luz con una frecuencia que depende
del material semiconductor. Los fotones son emitidos en un rango de frecuencia muy estrecho que
depende del material del chip; el color de la luz difiere según los materiales semiconductores y
requieren diferentes tensión para encenderlos.

¿Cuánta energía libera un LED?

La energía eléctrica es proporcional a la tensión que se necesita para hacer que los electrones
fluyan a través de la juntura p-n. Son predominantemente de un solo color de luz. La energía (E)
de la luz emitida por un LED está relacionada con la carga eléctrica (q) de un electrón, y el voltaje
(v) requerido para encenderlo se obtiene mediante la expresión E= q x V . Esta expresión dice
simplemente que el voltaje es proporcional al la energía eléctrica y es una regla general que se
aplica a cualquier circuito, como el LED. La constante q es la carga eléctrica de un solo electrón: -
1,6 x 10 exp –19 Coulomb.

ENCONTRANDO LA ENERGÍA DESDE LA TENSIÓN

Supongamos que se ha medido el voltaje a través de los terminales del LED, y Ud. desea averiguar
la energía necesaria para prender al LED. Supongamos que tiene un LED rojo y que la tensión
entre los terminales es de 1,71 volts; la energía requerida para prender el LED es E= q x V ó

E= -1,6 x 10 exp –19. 1,71 Joule, dado que Coulomb / Volt es un Joule. La multiplicación de
estos números nos dan E= 2,74 x 10 exp –19 Joule.

ENCONTRANDO LA FRECUENCIA DESDE LA LONGITUD DE ONDA DE LA LUZ

La frecuencia de la luz está relacionada con la longitud de onda de luz de una manera muy simple.
El espectrómetro puede ser usado para examinar la luz de un LED, y para estimar el pico de la
longitud de onda emitido por el LED. Pero preferimos tener la frecuencia de la intensidad pico de la
luz emitida por el LED. La longitud de la onda está relacionada con la frecuencia de la luz por la
fórmula

F = c / v , donde c el la velocidad de la luz y v es la longitud de onda de la luz leída desde el

espectrómetro (en unidades de nanómetros, es decir, la millonésima parte de un milímetro).

Supongamos que observó un LED rojo con el espectrómetro y vio que el LED emite un rango en
colores con un máximo de intensidad de acuerdo con la longitud de onda leída en el
espectrómetro de = 660 nm.

106
La frecuencia correspondiente a la emisión del LED rojo es de 4,55 x 10 exp 14 Hertz. La unidad
de un ciclo de una onda en un segundo (ciclos por segundo) es un Hertz.

Información básica sobre los LED

La mayoría de las características de los LED s están especificada para una corriente de 20 mA, si
uno no está seguro de obtener 20 mA en la función de la conductividad del calor en la plaqueta
más el calor del LED, variaciones de calor y corriente, conviene diseñar todo para 15 mA.

- Cómo lograr 15 mA a través del LED:

Primero se necesita saber la caída de tensión en el LED. Se puede asumir con suficiente seguridad
1,7 V para rojo no muy brillante, 1,9 V para alto brillo, alta eficiencia y rojo de baja corriente, y 2V
para naranja y amarillo; 2,1 V para verde, 3,4 V para blanco brillante, verde brillante sin amarillo y
la mayoría de los azules, 4,6 V para azul brillante de 430 nm. En general se diseña para 12 mA
para los tipos de 3,4 V y 10 mA para el azul de 430 nm.

Se puede diseñar una fuente que entregue mayor corriente si se está seguro de una excelente
disipación de calor en el conjunto. En este caso asigne 25 mA a los LED de cerca de 2V, 18 mA
para los de 3,4 V y 15 mA para el azul de 430 nm.

En condiciones óptimas de disipación de calor se puede hacer circular una corriente mayor pero la
vida útil del LED se reducirá al 50% del normal: 20.000 a 100.000 horas. En cuanto al voltaje debe
estar algo por arriba de lo asignado para los LED s. Use por lo menos 3 V para los de bajo voltaje,
4,5 V para los de 3,4 V y 6 V para el azul de 430 nm.

El próximo paso es restar el voltaje de los LED s de la fuente; esto le da la caída de voltaje que se
logra mediante una resistencia. Ej.: 3, 4 V del LED con una fuente de 6 V. haciendo la resta da 2,6
V de caída que debe ser producida por la resistencia.

107
El próximo paso consiste en dividir la caída de voltaje por la corriente del LED, obteniéndose así el
valor de la resistencia; al dividir V / A se obtiene un valor de resistencia en ohms. Si se divide V /
mA la resistencia se obtiene en K ohms.

Otro paso a seguir es determinar la potencia de la resistencia. Multiplique la caída de voltaje por la
corriente del LED para obtener la potencia de la resistencia.

No ponga los LED s en paralelo entre sí; si bien ésto funciona no es confiable porque los LED s se
vuelven más conductores a medida que aumenta su temperatura, con lo que se vuelve inestable la
distribución de la corriente. Cada LED debe tener su propia resistencia.

RESUMIENDO: la tensión de arranque de un LED depende del color que deban emitir, teniendo en
cuenta los materiales de los que están hechos, que se eligen de acuerdo al color.

108
Optoacopladores

Un optoacoplador combina un dispositivo semiconductor formado por un fotoemisor, un

fotoreceptor y entre ambos hay un camino por donde se transmite la luz. Todos estos elementos se
encuentran dentro de un encapsulado que por lo general es del tipo DIP.

Funcionamiento del optoacoplador

La señal de entrada es aplicada al fotoemisor y la salida es tomada del fotoreceptor. Los

optoacopladores son capaces de convertir una señal eléctrica en una señal luminosa modulada y
volver a convertirla en una señal eléctrica. La gran ventaja de un optoacoplador reside en el
aislamiento eléctrico que puede establecerse entre los circuitos de entrada y salida.

Los fotoemisores que se emplean en los optoacopladores de potencia son diodos que emiten rayos
infrarrojos (IRED) y los fotoreceptores pueden ser tiristores o transistores.

Cuando aparece una tensión sobre los terminales del diodo IRED, este emite un haz de rayos
infrarrojo que transmite a través de una pequeña guia-ondas de plástico o cristal hacia el
fotorreceptor. La energía luminosa que incide sobre el fotorreceptor hace que este genere una
tensión eléctrica a su salida. Este responde a las señales de entrada, que podrían ser pulsos de
tensión.

Diferentes tipos de optoacopladores

Fototransistor: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un transistor
BJT.

Fototriac: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un triac

109
Fototriac de paso por cero: optoacoplador en cuya etapa de salida se encuentra un triac de cruce
por cero. El circuito interno de cruce por cero conmuta al triac sólo en los cruce por cero de la
corriente alterna.

110
 El Laser
¿Qué es un LASER?

Los aspectos básicos que caracterizan a un láser son los siguientes:

La luz láser es intensa. No obstante, sólo ciertos láseres son potentes. Aunque lo parezca, no se
trata de una contradicción. La intensidad es una medida de la potencia por unidad de superficie, e
incluso los láseres que emiten sólo algunos milivatios son capaces de producir una elevada
intensidad en un rayo de un milímetro de diámetro. En realidad, su intensidad puede ser igual a la
de la luz del sol. Cualquier lámpara ordinaria emite una cantidad de luz muy superior a la de un
pequeño láser, pero esparcida por toda la sala. Algunos láseres pueden producir muchos miles de
vatios continuamente; otros son capaces de producir billones de vatios en un impulso cuya
duración es tan sólo la mil millonésima parte de un segundo.

Los haces láser son estrechos y no se dispersan como los demás haces de luz. Esta cualidad se
denomina direccionalidad. Se sabe que ni la luz de un potente foco logra desplazarse muy lejos: si
se enfoca hacia el firmamento, su rayo parece desvanecerse de inmediato. El haz de luz comienza
a esparcirse en el memento en que sale del foco, hasta alcanzar tal grado de dispersión que llega a
perder su utilidad. Sin embargo, se han logrado reflejar haces láser de pocos vatios de potencia
sobre la luna y su luz era todavía lo suficientemente brillante para verla desde la tierra. Uno de los
primeros haces láser que se disparó contra la luna en 1962 sólo llegó a dispersarse cuatro
kilómetros sobre la superficie lunar. ¡No está mal si se considera que se había desplazado
cuatrocientos mil kilómetros!.

La luz láser es coherente. Esto significa que todas las ondas luminosas procedentes de un láser se
acoplan ordenadamente entre sí. Una luz corriente, como la procedente de una bombilla, genera
ondas luminosas que comienzan en diferentes mementos y se desplazan en direcciones diversas.
Algo parecido a lo que ocurre cuando se arroja un puñado de piedrecitas en un lago. Lo único que
se crean son pequeñas salpicaduras y algunas ondulaciones. Ahora bien, si se arrojan las mismas
piedrecitas una a una con una frecuencia exactamente regular y justo en el mismo sitio, puede
generarse una ola en el agua de mayor magnitud. Así actúa un láser, y esta propiedad especial
puede tener diversas utilidades.

Los láseres producen luz de un solo color, o para decirlo técnicamente, su luz es monocromática.
La luz común contiene todos los colores de la luz visible (es decir, el espectro), que combinados se
convierten en blanco. Los haces de luz láser han sido producidos en todos los colores del arco iris
(si bien el más común es el rojo), y también en muchos tipos de luz invisible; pero un láser
determinado sólo puede emitir única y exclusivamente un solo color. Existen láseres sintonizables
que pueden ser ajustados para producir diversos colores, pero incluso éstos no pueden emitir más
que un color único en un memento dado. Determinados láseres, pueden emitir varias frecuencias
monocromáticas al mismo tiempo, pero no un espectro continuo que contenga todos los colores de
la luz visible como pueda hacerlo una bombilla. Además, existen numerosos láseres que proyectan
luz invisible, como la infrarroja y la ultravioleta.

¿Para qué sirven los LASER?

La gama de usos de los láseres es sorprendente, hasta el punto de que alcanza una extensión
mucho más amplia que la concebida originariamente por los científicos que diseñaron los primeros
modelos. También resulta sorprendente la gran variedad de láseres existentes.

111
En un extremo de la gama se encuentran los láseres fabricados con minúsculas pastillas
semiconductoras, similares a las utilizadas en circuitos electrónicos, con un tamaño no superior al
de un grano de sal. Gordon Gould uno de los pioneros en este campo, confesó que le
impresionaron cuando fueron presentados. En el extremo opuesto se encuentran los láseres
bélicos del tamaño de un edificio, con los que experimenta actualmente el ejército.

En este apunte no sólo nos hemos propuesto hablar de los láseres, sino también explicar sus
actuales aplicaciones -así como las de un futuro próximo- y la forma en que afectarán, por
consiguiente, nuestras vidas.

Charles H. Townes, uno de los inventores del láser y ganador del Premio Nobel, ha dicho que, en
su opinión, el láser abarcará una gama muy amplia de campos y logrará hacerlo prácticamente
todo.

La historia del rayo LASER

El maestro colocó la primera piedra

La historia comenzó en 1916, cuando Albert Einstein estudiaba el comportamiento de los

electrones en el interior del átomo. Por regla general, los electrones son capaces de absorber o
emitir luz. En realidad, los electrones emiten luz espontáneamente sin ninguna intervención
externa. Sin embargo, Einstein previó la posibilidad de estimular los electrones para que emitiesen
luz de una longitud de onda determinada. El estímulo se lo proporcionaría una luz adicional de la
misma longitud de onda. A pesar de que R. Ladenberg verificó el pronóstico de Einstein en 1928,
nadie pensó seriamente en construir un dispositivo basado en el fenómeno en cuestión hasta
principios de los años cincuenta.

Recordemos que láser significa amplificación de la luz por emisión estimulada de radiación.
Einstein descubrió la emisión estimulada, pero para fabricar un láser se precisa también
amplificación de dicha emisión estimulada.

La primera propuesta conocida para la amplificación de la emisión estimulada apareció en una

solicitud de patente soviética en el año 1951, presentada por V.A. Fabrikant y dos de sus alumnos.
Sin embargo, dicha patente no se publicó hasta 1959, y por consiguiente no afectó a los demás
investigadores. Fabrikant sigue siendo un misterio en la actualidad, uno de los olvidados en la ruta
de investigación del láser. En 1953, Joseph Weber, de la universidad de Maryland, propuso
también la amplificación de la emisión estimulada y, al año siguiente, los rusos mencionados
anteriormente, Basov y Prokhorov, escribieron un artículo explorando mucho mas a fondo el
concepto. Desde entonces, a Weber se le ha pasado a conocer mejor por sus investigaciones en
otro campo, el de la detección de ondas de gravedad basándose también en otra antigua idea de
Albert Einstein.

Éstas son las fechas oficiales correspondientes a la primera parte de la carrera del láser. Pero
acaso el hecho más significativo tuviese lugar en el banco de un parque de Washington DC
durante la mañana del 26 de abril de 1951. Charles H. Townes se encontraba en Washington para
asistir a una reunión de físicos y compartía la habitación de su hotel con Arthur Schawlow. En
realidad, Townes asistía a una conferencia en la que se hablaba de ondas milimétricas y Schawlow
tomaba parte en otra reunión. Uno de los grandes intereses de Townes consistía en generar ondas
cortas para sus investigaciones, que era algo que no había logrado todavía. Townes, casado y con
hijos menores, estaba acostumbrado a levantarse temprano, mientras que Schawlow, soltero, solía
levantarse tarde. Cuando Townes se despertó per la mañana temprano, con el fin de no molestar a
Schawlow, decidió ir a dar un paseo. Y fue precisamente en un banco del parque de Franklin, de
Washington, donde se le ocurrió la gran idea. Se dio repentinamente cuenta de las condiciones
necesarias papa amplificar la emisión estimulada de microondas. Como hemos visto con

112
anterioridad, las microondas son ondas electromagnéticas muy cortas, como por ejemplo, las que
se utilizan en ciertos tipos de hornos. No se trata de ondas luminosas, y sin embargo la revelación
de Townes tuvo una importancia sumamente trascendental para el láser.

La idea de Townes, según sus propias palabras en aquella época, "solo parecía factible en parte"
Siguiendo el método tradicional de los catedráticos de física, formuló el problema en forma de tema
para una tesis y se lo ofreció a James P. Gordon, alumno licenciado de la universidad de Columbia.
Tres años mas tarde, Gordon, Townes y Herbert Zeiger habían logrado construir en Columbia el
primer máser (amplificación de microondas por emisión estimulada de radiación).

Durante los años siguientes proliferaron los máseres. Debido a que la física de éstos era
fascinante, el nuevo campo atrajo a numerosos investigadores, pero por desgracia se encontraron
pocas aplicaciones para los aparatos en cuestión. Una de sus utilidades consiste en amplificar las
señales que los radioastrónomos reciben del espacio lejano, y en las comunicaciones por medio de
satélite, y se usan además come medida de frecuencias en los relojes atómicos de ultraprecisión.
Sin embargo, la gama de frecuencias que amplifica es excesivamente limitada para la mayoría de
las aplicaciones electrónicas. Los físicos deseaban ir más allá, y no tardaron en comenzar a
investigar otras zonas del espectro electromagnético, en especial las longitudes de onda de la luz
infrarroja y visible. Y así comenzó la gran carrera.

La carrera en pos del primer LASER

Entonces fue cuando comenzó a ganar interés... y empezaron las querellas. En septiembre de
1957, Townes esbozó un proyecto para la construcción de un "máser óptico" que emitiría luz
visible. Y se puso en contacto con su viejo amigo Arthur Schawlow, que entretanto había
abandonado la universidad de Columbia para trabajar en los laboratorios Bell y había dejado de ser
soltero al contraer matrimonio con la hermana de Townes. Entre ambos desarrollaron un plan
detallado para la construcción de un láser.

Gordon Gould entra en escena, Gould era estudiante licenciado de la facultad de física en la
universidad de Columbia, donde Townes ejercía de catedrático. En realidad, el laboratorio que
utilizaba se encontraba a pocos metros del despacho de Townes, y generalmente se le ha descrito
como alumno suyo, pero eso equivale a tergiversar los hechos. Townes ha aclarado que en cierta
ocasión le dio algunas clases, pero que no era su alumno, dado que no dirigía su investigación.
Puesto que Gould y Townes llegarían eventualmente a disputarse los derechos de cierta patente,
la naturaleza de la relación que existía entre ambos es trascendental. En realidad, Gould era
alumno de Polykarp Kusch, ganador del premio Nobel.

Gould admite que se inspiró en el máser y en las ideas de Townes. Estaba obsesionado por la idea
de construir un artefacto que emitiese luz en lugar de microondas, pero, puesto que no logró que
Kusch aceptase el proyecto para su doctorado, decidió emprenderlo por cuenta propia. En
noviembre de 1957, transcurridos apenas dos meses desde que Townes hubiera esbozado su
máser óptico, Gould comenzó a describir su propia idea para la construcción de un aparato
semejante utilizando -al parecer por primera vez- el término láser. Prosiguió con la exposición de
sus planes para la construcción de un láser y aprovechó la oportunidad para hacer proféticas
declaraciones. Gould asegura que admitió, antes de que lo hicieran otros pioneros del láser, que
seria posible conseguir densidades de energía hasta entonces inalcanzables. Puntualizó que la
segunda ley de termodinámica no limita el brillo del láser. Dicha ley afirma que la temperatura de
una superficie calentada per un haz procedente de una fuente radicación térmica no puede exceder
la temperatura de la fuente. Gould comprendió que el láser sería una fuente de luz no térmica y,
por consiguiente, capaz de generar temperaturas muy superiores a la suya. En la práctica, esto
significa que un láser que opere a temperatura ambiente es capaz de producir un haz que llegue a
fundir el acero. Un haz de luz láser debidamente focalizado podría ser utilizado para generar una
fusión termonuclear, según pronosticó Gould en sus notas, además de afirmar que el láser podría
emplearse para establecer comunicaciones con la luna.

113
Tras completar sus notas, Gould se dirigió al propietario de una confitería de Nueva York llamado
Jack Gould, con el que no tenía parentesco alguno, para que las certificase en calidad de testigo.
Una reproducción de la primera página certificada del cuaderno de Gordon Gould se exhibe hoy en
la Smithsonian Institution.

Aproximadamente durante aquellos días, Townes llamó per teléfono a Gould para pedirle
información relacionada con la lámpara de talio, sobre cuyo estudio preparaba su tesis doctoral. La
excitación del talio está relacionada con la excitación de electrones que tiene lugar en el láser, o de
lo que en aquella época era el propuesto láser. Sería importante conocer el momento justo en que
tuvo lugar dicha conversación, punto sobre el que Townes y Gould no están de acuerdo. Gould
afirma que había completado ya sus notas, pero Townes asegura que, según sus fichas, la llamada
tuvo lugar unas tres semanas antes de que Gould escribiese sus primeras notas sobre el láser.
Gould dice que dedujo de la conversación que Townes trabajaba sin duda en el mismo proyecto
que él. Townes asegura que explicó a Gould lo que estaba haciendo, pero afirma que Gould no le
dijo en aquellos mementos sobre sus planes.

En todo caso, Gould se apresuró a visitar a un abogado especializado patentes, que no supo
comprender la importancia del láser y le dio la errónea impresión de que tenia que resumir sus
ideas a un nivel más práctico para poder patentarlas. Dadas las circunstancias, optó per no solicitar
ninguna patente en aquellos momentos y esperó hasta abril de 1959. Sin embargo, Townes y
Schawlow si lo hicieron. Transcurridos unos 7 meses, durante el verano de 1958 solicitaron las
patentes y mandaron detallado informe a la prestigiosa revista Physical Review, la cual lo publicó
en diciembre de 1958. Gould, además de no solicitar inmediatamente la patente correspondiente,
cometió el error de no publicar sus planes para la construcción de un láser en alguna revista
científica, que es lo que suelen hacer los científicos con el fin de que sus colegas reconozcan sus
ideas originales.

Gould abandonó la universidad de Columbia sin doctorarse y se fue con sus ideas a una pequeña
empresa de Syosset, Nueva York, Ilamada TRG Inc. La TRG utilizó las ideas de Gould en una
propuesta a la Agencia de proyectos de investigación avanzados del departamento de Defensa
(ARPA), que más adelante se denominaría Agencia de Proyectos de Investigación Avanzados de
Defensa (DARPA). Lo que más le interesba al ejército fue el potencial calorífico del láser, y los
planes de Gould para adaptar el láser a funciones bélicas causaron tal impacto en el Pentágono
que en 1959 decidieron otorgar un millón de dólares a la TRG en lugar de los 300.000 que la
empresa había solicitado.

El secreto y la caza de rojos

El Pentágono estaba también lo bastante impresionado con las ideas de Gould como para proteger
la investigación de la TRC con un minucioso cerco de seguridad, y los militares de Estados Unidos
no tardaron en identificar un importante riesgo constituido per el propio Gordon Gould. A principios
de los años cuarenta, Gould había coqueteado superficialmente con el marxismo o, según sus
propias palabras, en aquella época "había contraído matrimonio con una mujer que se hizo
comunista" y que en la actualidad ya no es su esposa. Esto ocurrió cuando trabajaba en el
proyecto Manhattan, es decir, el que desarrolló la bomba atómica. Él y su esposa formaban parte
de un grupo de estudio marxista dirigido por un delator del FBI. Según Gould, el individuo en
cuestión era un provocador a sueldo a quien el FBI había obligado por medio del chantaje a
convertirse en delator para la Agencia y a persuadir a cierta gente a que se uniesen al grupo. El
interés de Gould hacia el socialismo acabó en desilusión cuando, en 1948, la Unión Soviética se
apoderó de Checoslovaquia. Su esposa no compartía sus sentimientos y optaron per separarse.

Sin embargo, Gould no lograría evitar la persecución que su breve asociación con el marxismo
había desencadenado. En 1954 fue expulsado del colegio de la ciudad de Nueva York, donde
trabajaba como profesor, y asegura que fue objeto de persecuciones per parte de "individuos como
McCarthy". Y cuando en 1959, en plena guerra fría, la ARPA otorgó su contrato a la TRG, el

114
historial de Gould bastó para que se le negase el permiso necesario desde el punto de vista de
seguridad. No se le permitió que trabajase en su propio proyecto.

Gould no abandonó la TRG, pero se vio obligado a trabajar separado de sus colegas, que
disponían del permiso necesario. Había dos edificios: para quienes tenían permiso y otro para
quienes no lo tenían. Gould bajaba en el segundo. Los investigadores del primero podían formular
preguntas, pero no estaban autorizados a hablarle de lo que hacían. Sin embargo, Gould asegura
que no le resultaba difícil estar al corriente de sus actividades a juzgar por las preguntas que le
formulaban. Pero de lo que no cabe duda agrega, "es de que causaba retrasos considerables"
Gould también se queja de las dificultades que supone atraer prestigiosos científicos cuando no se
les puede explicar en que consiste el trabajo que se realiza.

Townes y Schawlow no contaron con tal ayuda, por parte del Gobierno, y por consiguiente
pudieron dedicarse a trabajar tranquilamente en el desarrollo del láser en la universidad de
Columbia y en los laboratorios Bell, respectivamente. Había también otros equipos que se
esforzaban en construir un láser lo antes posible. Recordemos que, a pesar de que Townes,
Schawlow y Gould habían solicitado patentes y elaborado varias detalladas propuestas, y de que
algunos rusos habían hecho otro tanto, hacia fines de los años cincuenta nadie había construido en
realidad ningún láser. En aquella época se suponía que los gases constituirían los mejores
elementos para la acción del láser; sin embargo, a todos les aguardaba una gran sorpresa.

La sorpresa de Malibú

Entre quienes observaban el ajetreo reinante, se encontraba un físico de los laboratorios de

investigación de la compañía aérea Hughes, en Malibu, California, llamado Theodore H. Maiman.
Éste había estado utilizando un rubí sintético como cristal para un máser y lo había estudiado con
suma atención. Otros investigadores habían Ilegado, en general, a la conclusión de que el rubí no
constituía el material adecuado para el láser debido a las características de los átomos en el
interior del cristal, pero los cálculos de Maiman le convencieron de que seria apropiado.

Trabajando solo y sin ayuda alguna por parte del Gobierno, Maiman construyó un pequeño
artefacto que consistía en un cristal cilíndrico de rubí de un centímetro aproximado de diámetro,
rodeado de una lámpara espiral intermitente. Los extremes de la barra de rubí habían sido
cubiertos con el fin de que actuasen como espejos, condición necesaria para la oscilación del láser.
Cuando el cristal recibía ráfagas de luz de unas millonésimas de segundo de duración, producía
breves pulsaciones de luz Láser. El 7 de julio de 1960, Maiman comunicó a la prensa que había
hecho funcionar el primer láser. Tan pequeño era el aparato, de unos escasos centímetros de
longitud, que el encargado de relaciones públicas de la empresa Hughes no permitió que los
periodistas lo fotografiasen y les ofreció en su lugar la fotografía de otro artefacto que todavía no
había funcionado, pero que le parecía más impresionante debido a su mayor tamaño. En la era de
las microcomputadoras y de los circuitos integrados, su actitud parece curiosa, pero en los años
sesenta la mayor parte de los equipos electrónicos se construían todavía con voluminosas válvulas
y de algún modo, lo mayor parecía mejor.

El láser de Maiman producía unos 10.000 vatios de luz, pero duraba escasamente unas
millonésimas de segundo en un momento dado y correspondía a un extremo tan rojo del espectro
luminoso que era casi invisible. Se precisaban delicados instrumentos para comprobar que las
pulsaciones no eran simplemente fluorescentes, sino que correspondían a un tipo de luz que nadie
había visto hasta entonces: la luz láser. La era del láser acababa de comenzar. Lamentablemente,
las implicaciones del descubrimiento de Maiman no fueron evidentes en aquellos momentos para
los redactores de una de las más prestigiosas publicaciones en su campo, la Physical Review
Letters. Tras haber decidido en 1959 que los progresos en la física de los máseres ya no merecían
ser publicados con urgencia (función primordial de la Physical Review Letters), optaron por
rechazar el informe de Maiman.

115
La segunda publicación de su elección era la prestigiosa, aunque menos especializada, revista
británica Nature, donde en 1960 se apresuraron a publicar el artículo de Maiman que constaba
escasamente de 300 palabras y constituía, por consiguiente, el más sucinto informe jamás
divulgado sobre un importante descubrimiento científico. A pesar de su brevedad, el artículo
permitió que se repitiese la hazaña de Maiman en varios laboratorios.

Comienza el gran auge

Después de estudiar el trabajo de Maiman, los demás investigadores dirigieron rápidamente su

atención a la construcción de otros modelos de láseres. Al principio, el progreso era lento. Durante
el año 1960 se construyó el primer láser de gas y dos nuevos modelos de cristal, uno de los cuales
era de Schawlow. En 1961 se descubrieron dos nuevos tipos de láser, uno de ellos debido al
equipo de Gould de la TRG Inc. Al igual que el de Maiman, funcionaba por bombeo óptico, pero el
material activo era vapor de cesio (un metal).

El verdadero auge comenzó en 1962, y en 1965 la actividad del láser había sido observada en mil
longitudes de onda diferentes, y ello sólo en los gases. Fueron muchos los que comenzaron a
estudiar las posibles aplicaciones de los láseres a partir del momento en que se descubrieron. Una
de ellas consistía en calcular la distancia a la que se encontraban ciertos objetos, y los militares no
tardaron en aprovecharla para determinar la posición de los blancos. Los investigadores de los
laboratorios Bell, entre otros, empezaron a estudiar su aplicación en el campo de las
comunicaciones, como habían previsto en todo momento Townes y Schawlow.

La fabricación comercial de los láseres tampoco se hizo esperar. Una de las primeras empresas en
el nuevo campo fue la Korad Inc., fundada por Maiman en Santa Mónica, California, en 1962. No
tardaron en aparecer otras. Muchas fracasaron y algunas son todavía pequeñas empresas con un
puñado de empleados. Entre las que han logrado un gran éxito se encuentra Spectra-Physics Inc.,
radicada en Mountain View, California, cuyas ventas exceden los 100 millones de dólares anuales
y sus acciones se cotizan en la Bolsa de Nueva York.

Pronto comenzaron los pioneros del láser a cubrirse de honores. En 1964, Townes, Basov y
Prokhorov compartieron el premio Nobel de física. A Townes se le otorgó la patente del máser,
que, puesto que cubría toda amplificación por emisión estimulada fuere cual fuese la longitud de
onda, afectaba también al láser. Townes y Schawlow compartieron una patente básica sobre el
láser (es decir, un artefacto que opere especialmente en longitudes de onda ópticas e infrarrojas).
A Maiman se le otorgó una patente por su láser de rubí y al fin consiguió hacerse con una suma
considerable de dinero al vender su participación en Korad Inc. a la Union Carbide Corporation.

El retorno de Gordon Gould

Entretanto, Gordon Gould parecía haberse esfumado. Townes y Schawlow estaban en posesión de
la patente que él esperaba conseguir, habiéndosele anticipado en casi nueve meses. Cuando
intentó que se reconociesen sus derechos a la solicitud de 1959 se vio involucrado en cinco
costosas y prolongadas acciones judiciales, propias del procedimiento utilizado por la oficina de
patentes de Estados Unidos para determinar a quién corresponden los derechos de un invento
determinado. En la primera de sus acciones, Gould se estrelló contra la patente de Townes y
Schawlow. Esencialmente quedó desacreditado, y además se ganó la antipatía de numerosos
miembros de la comunidad científica, debido al prestigio de los hombres a quienes se enfrentaba.
A continuación Gould perdió otras dos batallas parecidas, pero ganó otras dos que, más adelante,
constituirían las bases de las demás patentes que le iban a otorgar. A fin de cuentas su compañía
había pagado 300.000 dólares en gastos judiciales y la mayor parte de las solicitudes habían caído
en el olvido. En 1977 recuperó de su compañía el derecho de sus patentes y comenzó a insistir en
las solicitudes personalmente. Incapaz de seguir financiando sucesivas batallas legales, Gould
cedió parte de sus derechos de patente a una agencia de licencias y patentes de Nueva York

116
llamada Refac Technology Development Corporation, a cambio de que la agencia se
comprometiese a seguir tramitando las solicitudes.

Los esfuerzos de Refac se vieron coronados al fin por el éxito. El 11 de octubre de 1977 le fue
otorgada una patente a Gould relacionada con la técnica del bombeo óptico, que según hemos
aclarado en el capítulo 3 es necesaria para el funcionamiento de muchos láseres. En 1979, Gould
recibió una segunda patente que, al igual que la del bombeo óptico, hundía sus raíces en la
solicitud de 1959 y cubría una amplia gama de aplicaciones del láser.

Cuando Gould recibió su patente relacionada con el sistema de bombeo óptico, el asombro fue
enorme en la industria del láser. Las patentes de Townes y Schawlow acababan de caducar y los
fabricantes de láseres creían que ya no se verían obligados a seguir pagando derechos por la
utilización de conceptos básicos sobre el láser. Entre aquellos a quienes afectaban las nuevas
patentes se encontraban numerosos fabricantes de láseres industriales, así como otros de
aplicaciones bélicas basados en el sistema de bombeo óptico, y cuando Refac les exigió el 5 por
ciento manifestaron que no estaban dispuestos a aceptar la validez de las patentes en cuestión.
Apenas acababa de ser otorgada la primera patente, cuando se presentó una denuncia por uso
indebido del sistema de bombeo óptico contra la empresa denominada Control Laser Corporation,
de Orlando, Florida, pero a los cuatro años no había llegado todavía el caso a los tribunales.

Lo más probable es que el caso acabe ante el Tribunal Supremo, puesto que se trata de uno de los
más complejos de la historia jurídica de Estados Unidos. Junto a las 18 densas páginas donde se
describe la propia patente se encuentra un tomo de 500 páginas detallando la historia legal de
dicha patente, que debe ser cuidadosamente estudiado con el fin de determinar la validez.

Las complejidades del caso incluyen al mismo tiempo enmarañadas cuestiones técnicas y
minuciosos puntos jurídicos. Para que una patente resulte válida, la información contenida en ella
debe ser lo suficientemente detallada como para que alguien que disponga de los conocimientos y
los recursos necesarios en el momento de presentar la solicitud sea capaz de construir el artefacto
descrito en ella. Sin embargo, Maiman ha puntualizado que Schawlow, Townes o Gould no habían
construido ningún láser cuando solicitaron sus respectivas patentes, ni lo hicieron tampoco en un
futuro inmediato. Por otra parte, transcurridos más de veinte años (a principios de 1981), Gould y
un colega suyo construyeron un láser sirviéndose -según Gould- de la información que aparecía en
la solicitud de su patente y demás información e instrumentos de dominio público en el momento
en que dicha patente fue solicitada en 1959. Apenas había acabado Gould de construir su láser y
se disponía a mostrar ante los tribunales cuando surgió una nueva complicación. En el ejemplar de
Science correspondiente al 3 de abril de 1981 apareció un informe de un grupo de científicos del
Godard Space Flight Center de la NASA, encabezado por Michael Mumma, según el cual habían
detectado amplificación láser por bombeo óptico en la atmósfera de Marte. El equipo de Mumma
descubrió que la luz del sol produce una inversión de población el dióxido de carbono entre 75 y 90
km. sobre la superficie de Marte, provocando emisión estimulada amplificada -es decir, lo que
nosotros denominamos amplificación láser- en la gama infrarroja. La Control Laser Corporation
recibió la noticia con verdadero deleite, afirmando que el destello demostraba que la amplificación
láser por bombeo óptico era fenómeno natural y por consiguiente no patentable.

Las solicitudes de patente más recientes de Gould están también plagadas de complejidades. El
caso comenzó cuando Refac decidió entablar un juicio con una pequeña empresa canadiense
denominada Lumonics Inc., que se dedica a la fabricación de sistemas láser para grabar objetos.
Entonces, la General Motors decidió intervenir en defensa Lumonics, y ahora parece haberse
hecho cargo de la defensa del cargo. La GM alega que la patente no es válida, puesto que no se
trata más de una extensión de un arte ya existente, que se remonta al año 212 A.C., cuando
Arquímedes incendió la armada romana que sitiaba Sisa sirviéndose de una lupa. En esta situación
se dan finalmente dos paradojas. Townes forma parte consejo de administración de la General
Motors, si bien la empresa no tomó parte en la decisión de intervenir en el pleito. Además fue

117
Townes el primero en observar en 1973, las emanaciones infrarrojas de la atmósfera de Marte, que
en 1980, el equipo de Mumma demostraría que procedían de amplificación

Temas delicados

Uno de los factores que ha contribuido al difícil reconocimiento de las retribuciones de Gould al
desarrollo del láser, es el hecho de que no se ajustase a los procedimientos tradicionales de la
comunidad científica. Se espera que los científicos se ocupen de patentar sus descubrimientos,
pero también que describan sus investigaciones sin pérdida de tiempo en alguna publicación
científica, con el doble propósito de informar a los demás científicos y establecer la prioridad de su
trabajo. Para justificar el hecho de no haberse ajustado a dichas normas, Gould habla de presiones
cronológicas, el conflicto potencial entre publicar y obtener patentes extranjeras, y el hecho de que,
a causa de los militares, gran parte de su información constituía un secrete de Estado. Lo ocurrido
ha contribuido (y sigue haciéndolo) a que el papel de Gould en la historia del láser cayese
parcialmente en el olvido.

Existe también otro aspecto sumamente delicado que hace referencia al trato de los estudiantes
licenciados dedicados a la investigación. Muchos estudiantes se inspiran en ideas brindadas por
sus catedráticos, pero también se da el caso de ciertos miembros de la facultad que están
dispuestos a apropiarse las ideas de sus alumnos. Townes asegura que la mayoría de las ideas
plasmadas en el cuaderno de Gould, así como en las solicitudes de sus patentes, son meras
ampliaciones de las descripciones que Townes le ofreció en su día. Gould, por su parte, alega que
sus ideas son originales. Es posible que los tribunales saquen sus propias conclusiones, pero es
improbable que jamás resuelvan el asunto de una forma definitiva.

A nivel personal todavía existe un evidente rencor entre ambos científicos. Townes nos dijo en
fechas recientes que, en su opinión, son muchos los que han contribuido enormemente al
desarrollo del láser, pero agregó que Gould no era uno de ellos. Gould afirma que Schawlow es
«un individuo muy agradable» pero, aparte del comentario críptico «supongo que tiene sus
necesidades», se niega a hablar de Townes. Cuando le preguntamos a Schawlow qué opinión le
merecía Gould, el físico, por lo general repleto de jovialidad, se incomodó visiblemente y admitió
que las solicitudes de patentes de Gould habían logrado disgustarle.

La concesión de las patentes le ha proporcionado a Gould satisfacción emocional y financiera. Al

vender finalmente la parte que le correspondía de las patentes, ha conseguido 300.000 dólares al
contado y dos millones de dólares en obligaciones. Los compradores son también personajes
curiosos en el juego de las patentes; se trata de una empresa de Ardmore, Pennsylvania, que se
denominaba Panelrama Corporation, y que con el fin de realizar la compra liquidó una cadena de
tiendas al por menor que trabajaba con pérdidas. Entonces Panelrama cambió de nombre y pasó a
llamarse Patlex Corporation, puesto que esencialmente sus intereses en las patentes de Gould
constituyen su único negocio. En el caso de que dichas patentes entren en vigor, Patlex, Gould,
Refac y los abogados de Nueva Jersey que se ocupan del caso compartirán los derechos reales,
que podrían llegar a representar decenas o incluso centenares de millones de dólares durante el
período en que se hallen en vigor las patentes. El propio Gould estima que dichas patentes podrían
reportar unos 10 millones de dólares anuales, y su validez se extiende a lo largo de diecisiete años.
Sin embargo, numerosos observadores en el mundo del láser creen que las solicitudes son
excesivamente abstractas para tener validez y que incluso la patente relacionada con el bombeo
óptico puede desmoronarse ante un concertado ataque jurídico.

Al igual que la mayoría de los pioneros del láser, Gould se ha dedicado a otros campos. En la
actualidad, con sus sesenta años ya cumplidos, es vicepresidente de una pequeña empresa de
Gaithersburg, Maryland, que se dedica a la fabricación de equipos destinados a comunicaciones
por fibra óptica y que se denomina Optelecom Inc. Su cliente más importante es el ejército, pero
Gould espera que llegue el día en que el beneficio de sus patentes le permita decidir el campo en
el que desee investigar, sin tener que preocuparse de los deseos de los militares. Ahora que ha

118
logrado la concesión de sus patentes, Gould ha comenzado a recibir premios tales como el de
inventor del año, otorgado por la Asociación en pro del progreso de la invención y la innovación.
Sin embargo, a Gould ya poco le importa. «Nada tienen que ver esas patentes con mi orgullo»,
asegura, aunque «me gustaría sacarles algún dinero».

Tanto Townes como Schawlow han seguido brillantes carreras en el mundo académico y ambos
han recibido innumerables premios. Townes es catedrático de física en la universidad de California,
en Berkeley, y desde hace algún tiempo se ocupa primordialmente de radioastronomía y
radiaciones infrarrojas, utilizando máseres y láseres para ciertos aspectos de su trabajo. Schawlow
es catedrático de física en la universidad de Stanford, y utiliza láseres como herramientas para el
estudio de las propiedades de la materia, sin ocuparse de los propios láseres. Gracias a su trabajo,
Schawlow compartió con Nicolaas Bloembergen -físico de la universidad de Harvard que también
participó activamente en el desarrollo inicial del láser- el premio Nobel de física de 1981. Schawlow
estaba de un humor excelente cuando hablamos con él el día en que se dio a conocer la noticia,
puesto que ya no se vería obligado a aclarar que no había recibido ningún premio Nobel, como
comúnmente, se suponía debido a su estrecha cooperación con Townes en el desarrollo del láser.

Después de muchos años en Korad Inc., Maiman acabó también distanciándose de los láseres.
Intentó abrirse camino en varios campos y durante varios años trabajó como asesor independiente
antes de unirse a la TRW Inc. en calidad de vicepresidente encargado de tecnología y nuevas
empresas. Muchos otros pioneros del láser, tales como Gordon, Zieger y Weber, han abandonado
a su vez la investigación activa en dicho campo.

Entre los primeros investigadores, los que siguen mas estrechamente vinculados con la
investigación del láser son Basov y Prokhorov. Basov es director del instituto de física Lebedev, de
Moscú, y miembro del Parlamento soviético. Prokhorov es subdirector del instituto Lebedpv. Ambos
científicos dirigen grandes equipos dedicados a la investigación relacionada con el láser y sus
nombres aparecen con regularidad en los artículos sobre dicho campo.

Aplicaciones del láser

Los posibles usos del láser son casi ilimitados. El láser se ha convertido en una herramienta
valiosa en la industria, la investigación científica, la tecnología militar o el arte.

Industria

Es posible enfocar sobre un punto pequeño un haz de láser potente, con lo que se logra una
enorme densidad de energía. Los haces enfocados pueden calentar, fundir o vaporizar materiales
de forma precisa. Por ejemplo, los láseres se usan para taladrar diamantes, modelar máquinas
herramientas, recortar componentes microelectrónicos, calentar chips semiconductores, cortar
patrones de moda, sintetizar nuevos materiales o intentar inducir la fusión nuclear controlada. El
potente y breve pulso producido por un láser también hace posibles fotografías de alta velocidad
con un tiempo de exposición de algunas billonésimas de segundo. En la construcción de carreteras
y edificios se utilizan láseres para alinear las estructuras.

Investigación científica

Los láseres se emplean para detectar los movimientos de la corteza terrestre y para efectuar
medidas geodésicas. También son los detectores más eficaces de ciertos tipos de contaminación
atmosférica. Los láseres se han empleado igualmente para determinar con precisión la distancia
entre la Tierra y la Luna y en experimentos de relatividad. Actualmente se desarrollan
conmutadores muy rápidos activados por láser para su uso en aceleradores de partículas, y se han
diseñado técnicas que emplean haces de láser para atrapar un número reducido de átomos en un
vacío con el fin de estudiar sus espectros con una precisión muy elevada. Como la luz del láser es

119
muy direccional y monocromática, resulta fácil detectar cantidades muy pequeñas de luz dispersa o
modificaciones en la frecuencia provocadas por materia. Midiendo estos cambios, los científicos
han conseguido estudiar las estructuras moleculares. Los láseres han hecho que se pueda
determinar la velocidad de la luz con una precisión sin precedentes; también permiten inducir
reacciones químicas de forma selectiva y detectar la existencia de trazas de sustancias en una
muestra.

Comunicaciones

La luz de un láser puede viajar largas distancias por el espacio exterior con una pequeña reducción
de la intensidad de la señal. Debido a su alta frecuencia, la luz láser puede transportar, por
ejemplo, 1.000 veces más canales de televisión de lo que transportan las microondas. Por ello, los
láseres resultan ideales para las comunicaciones espaciales. Se han desarrollado fibras ópticas de
baja pérdida que transmiten luz láser para la comunicación terrestre, en sistemas telefónicos y
redes de computadoras. También se han empleado técnicas láser para registrar información con
una densidad muy alta. Por ejemplo, la luz láser simplifica el registro de un holograma, a partir del
cual puede reconstruirse una imagen tridimensional mediante un rayo láser.

Medicina

Con haces intensos y estrechos de luz láser es posible cortar y cauterizar ciertos tejidos en una
fracción de segundo sin dañar al tejido sano circundante. El láser se ha empleado para ‘soldar’ la
retina, perforar el cráneo, reparar lesiones y cauterizar vasos sanguíneos. También se han
desarrollado técnicas láser para realizar pruebas de laboratorio en muestras biológicas pequeñas.

Tecnología militar

Los sistemas de guiado por láser para misiles, aviones y satélites son muy comunes. La capacidad
de los láseres de colorante sintonizables para excitar de forma selectiva un átomo o molécula
puede llevar a métodos más eficientes para la separación de isótopos en la fabricación de armas
nucleares.

Láser atómico

En enero de 1997, un equipo de físicos estadounidenses anunció la creación del primer láser
compuesto de materia en vez de luz. Del mismo modo que en un láser de luz cada fotón viaja en la
misma dirección y con la misma longitud de onda que cualquier otro fotón, en un láser atómico
cada átomo se comporta de la misma manera que cualquier otro átomo, formando una "onda de
materia" coherente.

Los científicos confían en las numerosas e importantes aplicaciones potenciales de los láseres
atómicos, aunque presenten algunas desventajas prácticas frente a los láseres de luz debido a que
los átomos están sujetos a fuerzas gravitatorias e interaccionan unos con otros de forma distinta a
como lo hacen los fotones.

120
Displays de 7 segmentos
En muchos lugares públicos habréis visto unos indicadores luminosos que nos indican el turno.
Normalmente son de dos dígitos, lo que les permite contar hasta 99.

El funcionamiento de estos visualizadores consiste en el apagado o encendido de una serie de

luces que forman cada uno de los siete segmentos utilizados para formar los números. Lo
realmente complicado es el circuito que se encarga de encender unos segmentos y apagar otros
para formar el número que interese.

Nosotros vamos a investigar y tratar de entender estos visualizadores, que nos permitirá contar de
0 a 9.

Este es un sistema muy importante, por que la humanidad esta dependiendo mas de la tecnología,
se adapta cada vez mejor a un modelo de vida electrónico, lo que se ve en todas partes.

COMPONENTES ELECTRÓNICOS SEMICONDUCTORES

EL DIODO

Es un dispositivo semiconductor que permite el paso de la corriente eléctrica en una dirección y la

bloquea en la opuesta. Esta Formado por dos cristales Semiconductores, uno con escasez de
electrones denominado tipo P, y el segundo con exceso de electrones, o tipo N. Esta unión
semiconductora se encapsula bajo formas distintas que dependen del fabricante y a la función a la
que se destinan, y que disponen de unos terminales conductores para su conexión con otros
componentes. El terminal conectado al semiconductor de tipo P recibe el nombre de ánodo,
mientras que el conectado de tipo N recibe el nombre de cátodo, un diodo se comportara como un
circuito de baja resistencia siempre que el ánodo este polarizado a superior tensión que el cátodo.
En caso contrario, presentara una elevada resistencia entre sus terminales y se comportara como
un circuito abierto. Esta descripción corresponde a un diodo de propósito general. Existen diodos
construidos para aprovechar alguna característica especial, entre los que destacan el diodo emisor
de luz (LED) y el diodo Zener.

Diodo Emisor de Luz (LED)

Cuando un diodo es polarizado directamente, se convierte en conductor. El cambio energético que

experimentan los electrones en estas circunstancia se manifiesta en algunos compuestos, como el
arseniuro de galio (1), con la presencia de una radiación de luz visible o infrarroja.

• Galio, de símbolo Ga, es un elemento metálico que se mantiene en estado líquido en un

rango de temperatura más amplio que cualquier otro elemento.
• El galio se encuentra en el grupo 13 (o IIIA) del sistema periódico. Su número atómico es
3.

Los diodos emisores de luz están especialmente diseñados para aprovechar la emisión de luz, y se
construyen de forma que la unión queda en la zona mas exterior posible del dispositivo, protegidos
por un material transparente. Según el material semiconductor empleado, se obtienen diodos
luminiscentes de color rojo, verde o amarillo.

Existen también versiones con dos colores, provistos con una estructura de tres patillas, común la
del centro y especifica para color la de cada extremo.

121
DISPLAYS DE 7 SEGMENTOS

Muchos equipos electrónicos proporcionan información al usuario mediante la utilización de

señales luminosas, como la emisora sintonizada en un equipo de radio o la lectura de tensión en
un voltímetro digital.

Para representar las cifras numéricas se agrupan siete diodos en de segmentos. Estos diodos
tienen conectados entre si todos los ánodos.

Un Display de este tipo está compuesto por siete u ocho leds de diferentes formas especiales y
dispuestos sobre una base de manera que puedan representarse todos los símbolos numéricos y
algunas letras. Los primeros siete segmentos son los encargados de formar el símbolo y con el
octavo podemos encender y apagar el punto decimal.

Denominación de los segmentos de Display:

Esta es la denominación de los 7 segmentos en los modelos comerciales.

Esquema eléctrico del visualizador:

122
Se ha realizado el esquema de tres segmentos de los 7 que lo componen ya que el resto es
idéntico.

Se ha optado por una configuración de ánodo común. La decisión ha sido totalmente aleatoria, por
lo que serviría exactamente igual una configuración de cátodo común.

Como se puede deducir del esquema, el número de cables entre la placa controladora y el
visualizador digital es de 8. (7 para los segmentos y 1 para el negativo la alimentación.

Esquema

Anteriormente se ha comentado que el display que se va a estudiar es de cátodo común, esto

significa que todos los cátodos de los leds están conectados, alimentaremos cada led por separado
por su correspondiente ánodo.

También existen displays de ánodo común, éstos son similares a los que vamos a utilizar en
nuestro montaje con la salvedad de que las conexiones a alimentación y masa serían al revés.

La correspondencia de los pines y cada uno de los leds del display puede verse en la siguiente
figura:

123
Los pines 3 y 8 corresponden con el cátodo de los leds (son los situados en el centro de las dos
filas de pines), para el resto se sigue el criterio mostrado en la tabla.

Por ejemplo, si alimentamos el Display por el pin 2 (utilizando una de las resistencias comentadas)
y unimos el pin 3 o el 8 a masa, se encenderá el segmento inferior (marcado como d en la figura).

Si alimentamos por el pin 5 lo que encenderemos será el punto decimal indicado como en la figura
DP (del inglés Dot Point).

MONTAJE DE UN DISPLAY:

El montaje, de la siguiente forma:

Pin del Puerto B Pin del Display Segmento

0 ($01) 9 f, superior izquierda
1 ($02) 10 g, central
2 ($04) 6 b, superior derecha
3 ($08) 7 a, superior
4 ($10) 5 DP, punto decimal
5 ($20) 4 c, inferior derecha
6 ($40) 2 d, inferior
7 ($80) 1 e, inferior izquierda

Al tratarse de un Display de cátodo común, cada vez que activemos, es decir, pongamos a '1'
lógico, uno de los bits de salida del puerto B, encenderemos el led correspondiente en el Display.

Nótese que si hubiésemos utilizado un Display de ánodo común, el conexionado y la forma de

operación serían diferentes. Eî nuestro caso, la correspondencia entre pines del puerto B y el led
del Display queda como la de la figura.

124
PROPIEDADES GENERALES DE UN DISPLAY DE 7 SEGMENTOS.

Patillaje

La G corresponde a masa. Cada patilla se corresponde con un segmento, al cual debemos aplicar
una tensión positiva.

Características

Solidez: excelente
Angulo de visibilidad: 150 grados
Consumo por dígito: 150 mW
Vida media en horas: 100000
Luminosidad: buena
Facilidad de montaje: excelente
Vcc (general): 1'5 V

La Vcc depende del color del LED. Para un color rojo:

Vcc: 1'7 V
Vcc (máx): 2 V

Dependiendo de la tensión aplicada obtendremos una intensidad. Es aconsejable no sobrepasar la

Vcc recomendada. Si se alcanza la Vcc máxima se puede destruir el segmento.

Protección

Cada segmento (y el punto) es un led como cualquier otro. Debido a esto la corriente media que se
debe aplicar es de 15 mA. Dependiendo de la lógica que estemos empleando debemos utilizar una
resistencia por cada entrada y así no forzar el dispositivo:

125
Lógica TTL (5V): 220 ohmios
Lógica CMOS (12V): 680 ohmios. Esta resistencia debe ser situada en cada patilla, haciendo de
puente entre la señal lógica de excitación y el Display.

COMPONENTES DE UN DISPLAY.

Los displays de 7 segmentos son por demás conocidos. Son muy usados en los equipos
electrónicos desde hace años, y no ofrecen ningún tipo de dificultad. Se los utiliza, en general, en
forma directa o multiplexada.
En forma directa, es usado normalmente en chips que tienen incluidos los drivers para ello; como
ser el ICL7107.

En forma multiplexada, son utilizados por ejemplo con un microcontrolador, el cual genera las
señales para manejar los puntos comunes (ánodo o cátodo) por un lado y los segmentos, por el
otro. En general, la corriente para encender cada segmento es del orden de 20 a 50mA
dependiendo del Display, la frecuencia de multiplexado, etc. Para lograr esto, se utiliza algún
transistor PNP para manejar el ánodo común, o NPN para el cátodo común. Para los segmentos;
un clásico ULN2003 (o ULN2004, ULN2803, etc.), o en forma directa para los microcontroladores
que tienen la capacidad de manejar 20mA por línea de entrada-salida. Por supuesto, hay que
limitar la corriente con el uso de una resistencia en cada segmento.
Tomemos como ejemplo un equipo con 4 dígitos. El conjunto para manejarlo queda formado por:

4 transistores PNP

un chip de 18 pines (ULN2803)

12 resistencias (8 para segmentos, y 4 para las bases de los transistores)

Desde ya que el costo de este material no es elevado, pero si tenemos en cuenta el tamaño del
PCB, la provisión de cada ítem, el armado y la puesta en marcha, vemos que comienza a tener
cierta importancia.
Si agregamos, el consumo de corriente total exclusivamente de los displays (25mA x 8) es de
aproximadamente 200mA. Esto condiciona al transformador o al disipador en el caso de alimentar
el equipo con 12VDC.
También puede exigir el uso de un microcontrolador capaz de manejar dicha corriente en sus
líneas de entrada- salida para ahorrarnos el ULN. Otro punto de importancia, es la emisión de ruido
al conmutar cada dígito.

Existen en forma standard, displays de 7 segmentos de bajo consumo. Lamentablemente por

ahora, de tamaño 0.3”. Cuando las limitaciones de costo, tamaño o corriente consumida son
importantes, estos ofrecen una gran solución.
El costo es exactamente el mismo que uno normal. La corriente por segmento, es de 2mA,
multiplexado con un microcontrolador puede manejarse desde 3mA. Además, la mayoría de los
microcontroladores que tienen Isink=10mA, admiten de carga, un led a 5VDC sin aumentar la
corriente de 10mA; lo que nos posibilita eliminar las resistencias limitadoras de corriente de cada
segmento. Por consiguiente el driver de dichos displays está formado únicamente por 4
transistores PNP, y 4 resistencias para las bases de los mismos (que en los microcontroladores
que tienen algunas líneas de 10mA el resto de las líneas es generalmente de 1.5mA, por
consiguiente, podemos también eliminarlas). La corriente total consumida, puede variar desde
(3mA x 8) 24mA, hasta (10mA x 8) 80mA. Por ende, se redujo de una forma muy importante el
tamaño del PCB, el costo de material, armado, puesta en marcha, y la corriente consumida.
Para referencia, el costo es el mismo que el común, y aproximadamente de $0.70.

CLASES DE DISPLAYS.

126
 4 digits, 1 colon, 3 decimal points
FEO202
0,5 inch (12.7 mm) character height

3 1/2 digits, 1 colon, 3 decimal points. A plus/minus sign, and LOW BAT
FEO203
INDICATOR 0,5 inch (12.7 mm) character height

4 1/2 digits, 2 colons, 4 decimal points. A plus/minus sign, and LOW BAT
FEO206
INDICATOR 0,4 inch (10,2 mm) character height

Encapsulado: DIL-40 (40 pines, 0.1" de separación)

Dimensiones: 50.80 x 30.48 x 3.05 (mm)
Aplicaciones: voltímetros y contadores digitales, termómetros digitales, relojes.

CARACTERISTICAS

• Bajo consumo
• Alto contraste
• Conector con pines
• Angulo de visión ancho
• Rápida respuesta

Una aplicación de los LEDS: el Display de 7 segmentos

Una de las aplicaciones más populares de los LEDS es la de señalización. Quizás la más utilizada
sea la de 7 LEDS colocados en forma de ocho tal y como se indica en la figura.

127
 Células fotovoltaicas
En la naturaleza, la energía luminosa se transforma en eléctrica en el proceso de fotosíntesis. Los
humanos conseguimos este mismo resultado utilizando semiconductores.

Las células fotovoltaicas, están formadas por muchos diodos semiconductores juntos y son
fabricadas usando diferentes materiales y procesos, ya que todavía se continúa perfeccionando el
producto buscando la manera de abaratar el costo e incrementar su eficiencia.

Cuando la luz solar pega sobre estos paneles, tiene la energía y el espectro luminoso necesario
para alterar el estado de equilibrio de la juntura N-P en estos diodos y se genera un exceso de
cargas libres, las que pueden sostener una corriente, si se cierra el circuito externo.

Conductores y aislantes

Dado que el fenómeno fotovoltaico toma lugar dentro de un semiconductor, se hace necesario
entender que hace que un material sea un buen conductor, un buen aislante (no-conductor) y, por
último, un semiconductor.

La corriente eléctrica es la cantidad de cargas que circulan por unidad de tiempo. Cuando se aplica
un voltaje entre los extremos de un material, se crea un campo eléctrico dentro del mismo. Los
electrones ubicados en la órbita exterior del átomo de este material, la más lejana del núcleo,
estarán sometidos a una fuerza cuyo valor está dado por la expresión:

F=qxE

Donde "q" es el valor de la carga (en Coulombs) y "E" es el valor del campo eléctrico en "V/m". La
conducción o no-conducción eléctrica de un material está determinada por su estructura atómica.

En materiales conductores, como el cobre, el aluminio o el grafito, los electrones de la banda

externa tienen mucha movilidad, ya que están saltando de átomo a átomo, aún a la temperatura
ambiente.

Bajo la acción de un campo eléctrico (voltaje entre los extremos) la fuerza dada por la expresión “F
= q x E” los pone en movimiento. El valor de la conductividad (inversa de la resistividad) es elevado
en estos materiales.

En materiales aislantes, como el vidrio, el diamante o la porcelana, aún con elevados valores del
campo eléctrico (altos voltajes) la fuerza que se ejerce sobre los electrones de la órbita externa no
es suficiente para desplazarlos y establecer una corriente, ya que su movilidad es prácticamente
nula.

Observe el lector que en los ejemplos he usado, a propósito, dos formas cristalinas distintas para el
carbón: el grafito (conductor) y el diamante (aislante) para mostrar cómo la estructura interna de la
sustancia determina la movilidad de las cargas en la misma.

Cuando el átomo de una sustancia pierde un electrón, se transforma en una carga positiva. La
pérdida de un electrón crea, en efecto, dos cargas dentro del material: una negativa (electrón libre)
y otra positiva (resto del átomo).

Estructuras cristalinas

128
En substancias como el germanio (Ge) y el silicio (Si) los electrones de la capa exterior de un
átomo son compartidos por átomos adyacentes (Figura 1) formando una estructura fija rígida
(cristalina) en donde los electrones carecen de movilidad. Por eso el germanio y el silicio puro son
substancias aislantes.

Figura 1 - Estructura cristalina

Semiconductores

Si en un cristal de este tipo logramos incorporar átomos de otras substancias, aún en proporciones
muy pequeñas, la conductividad de estos materiales varía drásticamente, convirtiéndolos en
semiconductores. Estos materiales tienen un valor de conductividad que los sitúan entre los
aisladores y los conductores de corriente.

Si la sustancia que se introduce tiene la capacidad de ceder electrones, éstos se convierten en la

carga mayoritaria en esa zona (semiconductor tipo N).

Si, por el contrario, los átomos de la sustancia que se introduce son ávidos de electrones, la
mayoría de los átomos en esta zona tendrán cargas positivas libres (tipo P). A estas cargas se las
denominan “hoyos” ya que el electrón tomado deja un vacío (hoyo) en el átomo que lo cedió. A las
substancias que se usan para alterar la conductividad del cristal puro se las conocen como
dopantes o contaminantes.

El proceso de introducción de átomos que ceden o toman electrones, difusión, se ha convertido en

un proceso robotizado, en donde los átomos de las substancias dopantes se introducen usando
cañones electrónicos que bombardean los cristales (proceso de implantación).

La industria usa el cristal de silicio (Si) porque su comportamiento a altas temperaturas es superior
al del germanio (Ge).

Quizá en el futuro haya células fotovoltaicas hechas con diamantes, ya que se han descubierto
varios procesos para fabricarlos en cantidad y a bajo precio, pero no se ha investigado como llevar
adelante el proceso de difusión. Este material, carbón, es superior al sicilio cuando la temperatura
ambiente es elevada.

Juntura N-P

El proceso de difusión es repetitivo, de manera que pueden crearse zonas cuasi-conductoras,

aisladoras o semiconductoras con diferentes cargas mayoritarias. Esto permite crear dos zonas
cuasi-conductoras en los extremos del diodo, las que sirven para anclar los conectores externos,
así como dos zonas adyacentes, una del tipo N; la otra del tipo P. La zona entre estas dos regiones
se denomina juntura.

129
Nótese que la letra N se correlaciona con negativo y la letra P con positivo, indicando cual es la
carga mayoritaria en cada zona.

La teoría muestra que las cargas mayoritarias (electrones de un lado y hoyos del otro) no
permanecen inmóviles, desplazándose hacia la zona adyacente, donde la concentración es baja.
Este desplazamiento de cargas (corrientes de desplazamiento) acumula cargas positivas en la
zona N y negativas en la zona P, creando una diferencia de potencial en la juntura, la que
establece un campo eléctrico (E).

El proceso migratorio continúa hasta que se vé interrumpido cuando el valor del potencial alcanza
lo que se denomina el nivel de Fermi para esa sustancia.

El campo eléctrico E (V/distancia) en esta zona tendrá un valor elevado, ya que la juntura tiene
muy pequeño espesor.

Figura 2 - El estado de equilibrio para una juntura N-P

En la expresión “F = q x E” la dirección de la fuerza depende del signo de la carga, de manera que

los electrones y los hoyos se desplazan en sentidos opuestos.

Célula fotovoltaica

Cuando la luz solar que incide sobre la zona adyacente a la juntura tiene el espectro y nivel de
energía requerido por el material (Si) el bombardeo de los fotones crea pares de cargas libres
(Figura 3), los que se mueven libremente. Algunos de estos pares se recombinan (neutralizan)
antes de migrar a la zona de juntura, pero un elevado porcentaje de electrones del lado P y de
hoyos del lado N serán impulsados a través de la juntura. La dirección del campo eléctrico E
(Figura 2) hace que estas cargas no puedan volver, alterándose el estado de equilibrio. Las cargas
libres están listas para sostener una corriente cuando se conecten el lado N y P a una carga
eléctrica externa.

130
 Figuras 3 - Corte y capas de una célula fotovoltaica

La eficiencia de conversión (energía luminosa en eléctrica) está dada, en forma porcentual, por la
expresión:

e/n= (Energía eléctrica de salida / Energía luminosa de entrada) x 100

Donde n (nu) es el valor porcentual de la eficiencia.

Tipos de células fotovoltaicas

El mercado ofrece numerosos tipos de células FVs. Algunas gozan de más difusión que otras
debido a que fueron introducidas hace largo tiempo atrás. Todas las células pertenecen a uno de
los grupos mencionados a continuación:

• Mono-cristalinas.
• Poli-cristalinas.
• Amorfas.

El orden dado es el mismo cuando se considera el costo o la eficiencia de conversión.

Las células de estructura mono-cristalina fueron las primeras en ser manufacturadas, ya que se
podían emplear las mismas técnicas usadas previamente en la fabricación de diodos y transistores.

131
A este tipo de células, conocidas simplemente como cristalinas, se le asigna la abreviatura (cSi). El
proceso de fabricación del cristal de silicio requiere un alto consumo de energía eléctrica, lo que
eleva el costo de estas células, las que proporcionan los más altos valores de eficiencia.

Recientemente, la compañía Sun-Power ha anunciado la introducción de una célula de cSi, sin

rejilla de contacto frontal, la que tendría una eficiencia del 20% (máximo teórico: aprox. 25%).

La versión poli-cristalina (pSi) se obtiene fundiendo silicio de grado industrial, el que se vierte en
moldes rectangulares, de sección cuadrada. Como el costo del material y el procesado se
simplifican, las células amorfas alcanzan un valor intermedio entre las cristalinas y las amorfas. La
eficiencia ha ido creciendo, llegando a ofrecerse (Kyocera) células de pSi con eficiencia de
conversión del 15%, un valor reservado pocos años atrás para las células de cSi.

Identificación visual

Las células de cSi se reconocen a simple vista, ya que su superficie es uniforme. Expuestas a la
luz actúan como un espejo grisáceo.

Las células policristalinas reflejan la luz en forma no uniforme, pudiéndose observar las
imperfecciones en el cristal. Tienen, asimismo, una coloración azulada.

Células policristalinas (izq) y monocristalinas (der)

El otro tipo corresponde a las células amorfas. Como su nombre lo indica estas células no poseen
una estructura cristalina. Precisamente esa simplificación en la estructura conduce a un
abaratamiento drástico de las mismas.

Es un hecho que cuando más se aleja la técnica de fabricación de una célula fotovoltaica de la
estructura cristalina pura, más defectos estructurales aparecerán en la sustancia semiconductora,
los que aumentan el aprovechamiento de las cargas libres, disminuyendo la eficiencia de
conversión.

Para reducir este efecto, el espesor del material activo en estas células es diez (10) veces menor
que el de una célula de cSi. Esto, a su vez, contribuye a bajar el costo.

Para compensar el bajo nivel de conversión los fabricantes adicionan junturas, las que responden a
diferentes frecuencias del espectro luminoso. La compañía UNISOLAR apila tres junturas. La
primera responde a la zona del azul, la segunda al verde y la tercera al rojo, la de menor energía
en el espectro. Los depósitos activos se hacen sobre una lámina continua de acero inoxidable de
bajo espesor que permite que las células sean flexibles. Si se requiere una estructura rígida se les
agrega un marco metálico. La compañía British Petroleum (BP) ofrece un modelo similar que usa
dos capas conversoras.

Pérdidas de energía luminosa

132
Estas pérdidas ocurren fuera del material semiconductor. Su mención y análisis ayudarán al lector
a entender algunos detalles auxiliares contenidos en las hojas de especificaciones.

Consideraremos:

• La reflectancia de la superficie colectora.

• El “sombreado” de los contactos.

La superficie colectora de una célula de cSi actúa como un espejo, reflejando hasta el 30% de la
luz incidente. Para disminuír la reflectancia, la superficie de colección recibe una capa antireflectiva
de monóxido de silicio (SiO), la que disminuye la reflectancia a un 10%. Una segunda capa baja la
reflectancia a un 4%, pero incrementa el costo. La necesidad de una capa antireflectiva se extiende
a todo tipo de células, si bien el tratamiento es diferente.

El contacto ubicado sobre la superficie colectora utiliza una rejilla metálica, de trazos finos, la que
contribuye a disminuir el área activa de la célula. A este problema se lo conoce como el
“sombreado” de los contactos y no debe confundirse con el sombreado externo sobre el área
colectora. Esta reducción, en células modernas, varía entre un 3 y un 5% de la superficie activa. Un
fabricante ha anunciado la producción de células sin rejillas frontales (Sun Power).

Tensión, corriente y potencia

El voltaje de juntura depende exclusivamente del material usado (nivel de Fermi para el cristal
usado). Para las células de silicio este valor es de alrededor de 0,5 V. Como las cargas son
impulsadas por un campo eléctrico fijo, el voltaje de una celda FV es de corriente continua (CC).
Por lo tanto, hay un lado positivo (lado P) y otro negativo (lado N), asumiendo que la corriente
circula en sentido opuesto al de los electrones.

El valor de la corriente dependerá del valor de la carga, la irradiación solar, la superficie de la celda
y el valor de su resistencia interna.

En un instante determinado, la potencia eléctrica proporcionada por la célula FV está dada por el
producto de los valores instantáneos del voltaje y la corriente de salida.

Forma geométrica

El método de fabricación determina, en gran parte, la forma geométrica de la célula FV.

Las primeras versiones de cSi eran redondas, pues el cristal puro tenía una sección circular.
Versiones más recientes tienen forma cuadrada, o casi-cuadrada, donde las esquinas tienen
vértices a 45°.

Las células de pSi son cuadradas porque el molde donde se vierte el semiconductor fundido tiene
esta forma.

La forma cuadrada permite un mayor compactado de las mismas dentro del panel fotovoltaico,
disminuyendo la superficie que se necesita para colocar un determinado número de células (Figura
4).

133
Figura 4 – Eficiencia de empaque

134
 Amplificadores operacionales
El concepto original del AO (amplificador operacional) procede del campo de los computadores
analógicos, en los que comenzaron a usarse técnicas operacionales en una época tan temprana
como en los años 40. El nombre de amplificador operacional deriva del concepto de un
amplificador dc (amplificador acoplado en continua) con una entrada diferencial y ganancia
extremadamente alta, cuyas características de operación estaban determinadas por los elementos
de realimentación utilizados. Cambiando los tipos y disposición de los elementos de
realimentación, podían implementarse diferentes operaciones analógicas; en gran medida, las
características globales del circuito estaban determinadas sólo por estos elementos de
realimentación. De esta forma, el mismo amplificador era capaz de realizar diversas operaciones, y
el desarrollo gradual de los amplificadores operacionales dio lugar al nacimiento de una nueva era
en los conceptos de diseño de circuitos.

Los primeros amplificadores operacionales usaban el componente básico de su tiempo: la válvula

de vacío. El uso generalizado de los AOs no comenzó realmente hasta los años 60, cuando
empezaron a aplicarse las técnicas de estado sólido al diseño de circuitos amplificadores
operacionales, fabricándose módulos que realizaban la circuitería interna del amplificador
operacional mediante diseño discreto de estado sólido. Entonces, a mediados de los 60, se
introdujeron los primeros amplificadores operacionales de circuito integrado. En unos pocos años
los amplificadores operacionales integrados se convirtieron en una herramienta estándar de
diseño, abarcando aplicaciones mucho más allá del ámbito original de los computadores
analógicos.

Con la posibilidad de producción en masa que las técnicas de fabricación de circuitos integrados
proporcionan, los amplificadores operacionales integrados estuvieron disponibles en grandes
cantidades, lo que, a su vez contribuyó a rebajar su coste. Hoy en día el precio de un amplificador
operacional integrado de propósito general, con una ganancia de 100 dB, una tensión offset de
entrada de 1 mV, una corriente de entrada de 100 nA. Y un ancho de banda de 1 MHz. es inferior a
1 euro. El amplificador, que era un sistema formado antiguamente por muchos componentes
discretos, ha evolucionado para convertirse en un componente discreto él mismo, una realidad que
ha cambiado por completo el panorama del diseño de circuitos lineales.

Con componentes de ganancia altamente sofisticados disponibles al precio de los componentes

pasivos, el diseño mediante componentes activos discretos se ha convertido en una pérdida de
tiempo y de dinero para la mayoría de las aplicaciones dc y de baja frecuencia. Claramente, el
amplificador operacional integrado ha redefinido las "reglas básicas" de los circuitos electrónicos
acercando el diseño de circuitos al de sistemas. Lo que ahora debemos de hacer es a conocer bien
los AOs, cómo funciona, cuáles son sus principios básicos y estudiar sus aplicaciones

PRINCIPIOS BÁSICOS DE LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES

El amplificador operacional ideal

Los fundamentos básicos del amplificador operacional ideal son relativamente fáciles. Quizás, lo
mejor para entender el amplificador operacional ideal es olvidar todos los pensamientos
convencionales sobre los componentes de los amplificadores, transistores, tubos u otros
cualesquiera. En lugar de pensar en ellos, piensa en términos generales y considere el amplificador
como una caja con sus terminales de entrada y salida. Trataremos, entonces, el amplificador en
ese sentido ideal, e ignoraremos qué hay dentro de la caja.

135
V0 = a Vd
a = infinito
Ri = infinito
Ro = 0
BW (ancho de banda) = infinito
V0 = 0 sí Vd = 0

En la figura se muestra un amplificador idealizado. Es un dispositivo de acoplo directo con entrada

diferencial, y un único terminal de salida. El amplificador sólo responde a la diferencia de tensión
entre los dos terminales de entrada, no a su potencial común. Una señal positiva en la entrada
inversora (-), produce una señal negativa a la salida, mientras que la misma señal en la entrada no
inversora (+) produce una señal positiva en la salida. Con una tensión de entrada diferencial, Vd, la
tensión de salida, Vo, será a Vd, donde a es la ganancia del amplificador. Ambos terminales de
entrada del amplificador se utilizarán siempre independientemente de la aplicación. La señal de
salida es de un sólo terminal y está referida a masa, por consiguiente, se utilizan tensiones de
alimentación bipolares ( ± )

Teniendo en mente estas funciones de la entrada y salida, podemos definir ahora las propiedades
del amplificador ideal. Son las siguientes:

1. La ganancia de tensión es infinita:

2. La resistencia de entrada es infinita:

3. La resistencia de salida es cero:

136
Ro = 0

4. El ancho de banda es infinito:

5. La tensión offset de entrada es cero:

V0 = 0 sí Vd = 0

A partir de estas características del AO, podemos deducir otras dos importantes propiedades
adicionales. Puesto que, la ganancia en tensión es infinita, cualquier señal de salida que se
desarrolle será el resultado de una señal de entrada infinitesimalmente pequeña.
Luego, en resumen:

A partir de estas características del AO, podemos deducir otras dos importantes propiedades
adicionales. Puesto que, la ganancia en tensión es infinita, cualquier señal de salida que se
desarrolle será el resultado de una señal de entrada infinitesimalmente pequeña. Luego, en
resumen:

La tensión de entrada diferencial es nula.

También, si la resistencia de entrada es infinita. No existe flujo de corriente en ninguno de los

terminales de entrada

Estas dos propiedades pueden considerarse como axiomas, y se emplearán repetidamente en el

análisis y diseño del circuito del AO. Una vez entendidas estas propiedades, se pude, lógicamente,
deducir el funcionamiento de casi todos los circuitos amplificadores operacionales.

Configuraciones básicas del amplificador operacional

Los amplificadores operacionales se pueden conectar según dos circuitos amplificadores básicos:
las configuraciones (1) inversora y (2) no inversora. Casi todos los demás circuitos con
amplificadores operacionales están basados, de alguna forma, en estas dos configuraciones
básicas. Además, existen variaciones estrechamente relacionadas de estos dos circuitos, más otro
circuito básico que es una combinación de los dos primeros: el amplificador diferencial.

El amplificador inversor

La figura 2 ilustra la primera configuración básica del AO. El amplificador inversor. En este circuito,
la entrada (+) está a masa, y la señal se aplica a la entrada (-) a través de R1, con realimentación
desde la salida a través de R2.

137
 Fig. 2

Aplicando las propiedades anteriormente establecidas del AO ideal, las características distintivas
de este circuito se pueden analizar como sigue.

Puesto que el amplificador tiene ganancia infinita, desarrollará su tensión de salida, V0, con tensión
de entrada nula. Ya que, la entrada diferencial de A es:

Vd = Vp - Vn, ==> Vd = 0.- Y si Vd = 0,

entonces toda la tensión de entrada Vi, deberá aparecer en R1, obteniendo una corriente en R1

Vn está a un potencial cero, es un punto de tierra virtual

Toda la corriente I que circula por R1 pasará por R2, puesto que no se derivará ninguna corriente
hacia la entrada del operacional (Impedancia infinita), así pues el producto de I por R2 será igual a
- V0

por lo que:

luego la ganancia del amplificador inversor:

138
Deben observarse otras propiedades adicionales del amplificador inversor ideal. La ganancia se
puede variar ajustando bien R1, o bien R2. Si R2 varía desde cero hasta infinito, la ganancia
variará también desde cero hasta infinito, puesto que es directamente proporcional a R2. La
impedancia de entrada es igual a R1, y Vi y R1 únicamente determinan la corriente I, por lo que la
corriente que circula por R2 es siempre I, para cualquier valor de dicha R2.

La entra del amplificador, o el punto de conexión de la entrada y las señales de realimentación, es

un nudo de tensión nula, independientemente de la corriente I. Luego, esta conexión es un punto
de tierra virtual, un punto en el que siempre habrá el mismo potencial que en la entrada (+). Por
tanto, este punto en el que se suman las señales de salida y entrada, se conoce también como
nudo suma. Esta última característica conduce al tercer axioma básico de los amplificadores
operacionales, el cual se aplica a la operación en bucle cerrado:

En bucle cerrado, la entrada (-) será regulada al potencial de entrada (+) o de referencia.

Esta propiedad puede aún ser o no ser obvia, a partir de la teoría de tensión de entrada de
diferencial nula. Es, sin embargo, muy útil para entender el circuito del AO, ver la entrada (+) como
un terminal de referencia, el cual controlará el nivel que ambas entradas asumen. Luego esta
tensión puede ser masa (como en la figura 2), o cualquier potencial que se desee.

El amplificador no inversor

La segunda configuración básica del AO ideal es el amplificador no inversor, mostrado en la figura

3. Este circuito ilustra claramente la validez del axioma 3.

Fig. 3

En este circuito, la tensión Vi se aplica a la entrada (+), y una fracción de la señal de salida, Vo, se
aplica a la entrada (-) a través del divisor de tensión R1 - R2. Puesto que, no fluye corriente de
entrada en ningún terminal de entrada, y ya que Vd = 0, la tensión en R1 será igual a Vi.

139
Así pues

y como

tendremos pues que:

que si lo expresamos en términos de ganancia:

que es la ecuación característica de ganancia para el amplificador no inversor ideal.

También se pueden deducir propiedades adicionales para esta configuración. El límite inferior de
ganancia se produce cuando R2 = 0, lo que da lugar a una ganancia unidad.

En el amplificador inversor, la corriente a través de R1 siempre determina la corriente a través de

R2, independientemente del valor de R2, esto también es cierto en el amplificador no inversor.
Luego R2 puede utilizarse como un control de ganancia lineal, capaz de incrementar la ganancia
desde el mínimo unidad hasta un máximo de infinito. La impedancia de entrada es infinita, puesto
que se trata de un amplificador ideal.

Configuraciones basadas en los circuitos inversor y no inversor.

El amplificador diferencial

Una tercera configuración del AO conocida como el amplificador diferencial, es una combinación de
las dos configuraciones anteriores. Aunque está basado en los otros dos circuitos, el amplificador
diferencial tiene características únicas. Este circuito, mostrado en la figura 4, tiene aplicadas
señales en ambos terminales de entrada, y utiliza la amplificación diferencial natural del
amplificador operacional.

140
 Fig. 4

Para comprender el circuito, primero se estudiarán las dos señales de entrada por separado, y
después combinadas. Como siempre Vd = 0 y la corriente de entrada en los terminales es cero.

Recordar que Vd = V(+) - V(-) ==> V(-) = V(+)

La tensión a la salida debida a V1 la llamaremos V01

y como V(-) = V(+)

La tensión de salida debida a V1 (suponiendo V2 = 0) valdrá:

Y la salida debida a V2 (suponiendo V1 = 0) será, usando la ecuación de la ganancia para el

circuito inversor, V02

Y dado que, aplicando el teorema de la superposición la tensión de salida V0 = V01 + V02 y

haciendo que R3 sea igual a R1 y R4 igual a R2 tendremos que:

por lo que concluiremos

141
que expresando en términos de ganancia:

que es la ganancia de la etapa para señales en modo diferencial

Esta configuración es única porque puede rechazar una señal común a ambas entradas. Esto se
debe a la propiedad de tensión de entrada diferencial nula, que se explica a continuación.

En el caso de que las señales V1 y V2 sean idénticas, el análisis es sencillo. V1 se dividirá entre
R1 y R2, apareciendo una menor tensión V(+) en R2. Debido a la ganancia infinita del amplificador,
y a la tensión de entrada diferencial cero, una tensión igual V(-) debe aparecer en el nudo suma (-).
Puesto que la red de resistencias R3 y R4 es igual a la red R1 y R2, y se aplica la misma tensión a
ambos terminales de entrada, se concluye que Vo debe estar a potencial nulo para que V(-) se
mantenga igual a V(+); Vo estará al mismo potencial que R2, el cual, de hecho está a masa. Esta
muy útil propiedad del amplificador diferencial, puede utilizarse para discriminar componentes de
ruido en modo común no deseables, mientras que se amplifican las señales que aparecen de
forma diferencial. Si se cumple la relación

La ganancia para señales en modo común es cero, puesto que, por definición, el amplificador no
tiene ganancia cuando se aplican señales iguales a ambas entradas.

Las dos impedancias de entrada de la etapa son distintas. Para la entrada (+), la impedancia de
entrada es R1 + R2. La impedancia para la entrada (-) es R3. La impedancia de entrada diferencial
(para una fuente flotante) es la impedancia entre las entradas, es decir, R1+R3.

El sumador inversor

Utilizando la característica de tierra virtual en el nudo suma (-) del amplificador inversor, se obtiene
una útil modificación, el sumador inversor, figura 5.

142
 Fig. 5

En este circuito, como en el amplificador inversor, la tensión V(+) está conectada a masa, por lo
que la tensión V(-) estará a una masa virtual, y como la impedancia de entrada es infinita toda la
corriente I1 circulará a través de RF y la llamaremos I2. Lo que ocurre en este caso es que la
corriente I1 es la suma algebraica de las corrientes proporcionadas por V1, V2 y V3, es decir:

y también

Como I1 = I2 concluiremos que:

que establece que la tensión de salida es la suma algebraica invertida de las tensiones de entrada
multiplicadas por un factor corrector, que el alumno puede observar que en el caso en que RF =
RG1 = R G2 = R G3 ==> VOUT = - (V1 + V2 + V3)

La ganancia global del circuito la establece RF, la cual, en este sentido, se comporta como en el
amplificador inversor básico. A las ganancias de los canales individuales se les aplica
independientemente los factores de escala RG1, R G2, R G3,... étc. Del mismo modo, R G1, R G2
y R G3 son las impedancias de entrada de los respectivos canales.

Otra característica interesante de esta configuración es el hecho de que la mezcla de señales

lineales, en el nodo suma, no produce interacción entre las entradas, puesto que todas las fuentes
de señal alimentan el punto de tierra virtual. El circuito puede acomodar cualquier número de
entradas añadiendo resistencias de entrada adicionales en el nodo suma.

Aunque los circuitos precedentes se han descrito en términos de entrada y de resistencias de

realimentación, las resistencias se pueden reemplazar por elementos complejos, y los axiomas de
los amplificadores operacionales se mantendrán como verdaderos. Dos circuitos que demuestran
esto, son dos nuevas modificaciones del amplificador inversor.

El integrador

Se ha visto que ambas configuraciones básicas del AO actúan para mantener constantemente la
corriente de realimentación, IF igual a IIN.

143
 Fig. 6

Una modificación del amplificador inversor, el integrador, mostrado en la figura 6, se aprovecha de

esta característica. Se aplica una tensión de entrada VIN, a RG, lo que da lugar a una corriente IIN.

Como ocurría en el amplificador inversor, V(-) = 0, puesto que V(+) = 0, y por tener impedancia
infinita toda la corriente de entrada Iin pasa hacia el condensador CF, llamaremos a esta corriente
IF.

El elemento realimentador en el integrador es el condensador CF. Por consiguiente, la corriente

constante IF, en CF da lugar a una rampa lineal de tensión. La tensión de salida es, por tanto, la
integral de la corriente de entrada, que es forzada a cargar CF por el lazo de realimentación.

La variación de tensión en CF es

lo que hace que la salida varíe por unidad de tiempo según:

Como en otras configuraciones del amplificador inversor, la impedancia de entrada es simplemente

RG

Obsérvese el siguiente diagrama de señales para este circuito

144
Por supuesto la rampa dependerá de los valores de la señal de entrada, de la resistencia y del
condensador.

El diferenciador

Una segunda modificación del amplificador inversor, que también aprovecha la corriente en un
condensador es el diferenciador mostrado en la figura 7.

Fig. 7

En este circuito, la posición de R y C están al revés que en el integrador, estando el elemento

capacitivo en la red de entrada. Luego la corriente de entrada obtenida es proporcional a la tasa de
variación de la tensión de entrada:

De nuevo diremos que la corriente de entrada IIN, circulará por RF, por lo que IF = IIN

Y puesto que VOUT= - IF RF Sustituyendo obtenemos

145
Obsérvese el siguiente diagrama de señales para este circuito

El seguidor de tensión

Una modificación especial del amplificador no inversor es la etapa de ganancia unidad mostrada en
la figura 8

En este circuito, la resistencia de entrada se ha incrementado hasta infinito, y RF es cero, y la

realimentación es del 100%. V0 es entonces exactamente igual a Vi, dado que Es = 0. El circuito
se conoce como "seguidor de emisor" puesto que la salida es una réplica en fase con ganancia
unidad de la tensión de entrada. La impedancia de entrada de esta etapa es también infinita.

Resumen de las configuraciones básicas del amplificador y sus características.

Todas las características de los circuitos que se han descrito son importantes, puesto que, son las
bases para la completa fundamentación de la tecnología de los circuitos amplificadores
operacionales. Los cinco criterios básicos que describen al amplificador ideal son fundamentales, y
a partir de estos se desarrollan los tres principales axiomas de la teoría de los amplificadores
operacionales, los cuales repetimos aquí:

146
1.- La tensión de entrada diferencial es nula

2.- No existe flujo de corriente en ninguno de los terminales de entrada

3.- En bucle cerrado, la entrada (-) será regulada al potencial de entrada (+) o de referencia.

Estos tres axiomas se han ilustrado en todos los circuitos básicos y sus variaciones. En la
configuración inversora, los conceptos de corriente de entrada nula, y tensión de entrada
diferencial cero, dan origen a los conceptos de nudo suma y tierra virtual, donde la entrada
inversora se mantiene por realimentación al mismo potencial que la entrada no inversora a masa.
Usando el concepto de la entrada no inversora como terminal de referencia, el amplificador no
inversor y el seguidor de emisor ilustran como una tensión de entrada es indirectamente
multiplicada a través de una realimentación negativa en la entrada inversora, la cual es forzada a
seguir con un potencial idéntico. La configuración diferencial combina estos conceptos, ilustrando
el ideal de la simultaneidad de la amplificación diferencial y del rechazo de la señal en modo
común. Las variaciones del inversor ponen de nuevo de manifiesto los principios básicos. En todos
estos circuitos, hemos visto también cómo el funcionamiento está solamente determinado por los
componentes conectados externamente al amplificador.

Hasta este momento, hemos definido el AO en sentido ideal y hemos examinado sus
configuraciones básicas. Con una definición adicional, la simbología del dispositivo, llegaremos al
mundo real de los dispositivos prácticos, examinaremos sus desviaciones respecto al ideal, y
veremos cómo superarlas.

SIMBOLO ESQUEMATICO DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL ESTÁNDAR Y SU USO

Una herramienta adicional básica del AO es su símbolo esquemático. Este es fundamental, dado
que un esquema correctamente dibujado nos dice mucho sobre las funciones de un circuito. El
símbolo más usado se muestra en la figura 9 con algunas aclaraciones anotadas.

El símbolo básico es un triángulo, el cual generalmente presupone amplificación. Las entradas

están en la base del triángulo, y la salida en el ápice. De acuerdo con el convenio normal del flujo

147
de señal, el símbolo se dibuja con el ápice (salida) a la derecha, pero puede alterarse si es
necesario para clarificar otros detalles del circuito.

Usualmente, las dos entradas se dibujan como se indica en la figura; la entrada no inversora (+) es
la inferior de las dos. Excepciones a esta regla se producen en circunstancias especiales, en las
que podría ser difícil mantener el convenio estándar. Además, las dos entradas están claramente
identificadas por los símbolos (+) y (-), los cuales se sitúan adyacentes a sus respectivos
terminales dentro del cuerpo del triángulo.

Como se ve, los terminales de las tensiones de alimentación se dibujan, preferiblemente, por
encima y debajo del triángulo. Estos pueden no ser mostrados en todos los casos (en favor de la
simplicidad) pero siempre están implícitos. Generalmente, en croquis, basta con usar el símbolo de
tres terminales para dar a entender el significado, sobreentendiendo las conexiones de
alimentación.

Finalmente, el tipo o número del dispositivo utilizado se sitúa centrado en el interior del triángulo. Si
el circuito es uno general, indicativo de un amplificador operacional cualquiera, se usa el símbolo A
( o A1, A2, étc.)

148
 El dispositivo 555

Introducción y características

El dispositivo 555 es un circuito integrado muy estable cuya función primordial es la de producir
pulsos de temporización con una gran precisión y que, además, puede funcionar como oscilador.

Sus características más destacables son:

• Temporización desde microsegundos hasta horas.

• Modos de funcionamiento:
o Monoestable.
o Astable.
• Aplicaciones:
o Temporizador.
o Oscilador.
o Divisor de frecuencia.
o Modulador de frecuencia.
o Generador de señales triangulares.

Pasemos ahora a mostrar las especificaciones generales del 555 (Vc = disparo):

Especificaciones generales del 555

Vcc 5-Voltios 10-Voltios 15-Voltios Notas
Frecuencia máxima (Astable) 500-kHz a 2-MHz Varia con el Mfg y el diseño
Nivel de tensión Vc (medio) 3.3-V 6.6-V 10.0-V Nominal
Error de frecuencia (Astable) ~ 5% ~ 5% ~ 5% Temperatura 25° C
Error de temporización (Monoestable) ~ 1% ~ 1% ~ 1% Temperatura 25° C
Máximo valor de Ra + Rb 3.4-Meg 6.2-Meg 10-Meg
Valor mínimo de Ra 5-K 5-K 5-K
Valor mínimo de Rb 3-K 3-K 3-K
Reset VH/VL (pin-4) 0.4/<0.3 0.4/<0.3 0.4/<0.3
Corriente de salida (pin-3) ~200ma ~200ma ~200ma

A continuación se mostrarán los modos de funcionamiento que posee este circuito integrado. En
los esquemas se hace referencia al patillaje del elemento, al igual que a las entradas y salidas de
cada montaje.

Funcionamiento monoestable

149
Cuando la señal de disparo está a nivel alto (ej. 5V con Vcc 5V) la salida se mantiene a nivel bajo
(0V), que es el estado de reposo.

Una vez se produce el flanco descendente de la señal de disparo y se pasa por el valor de disparo,
la salida se mantiene a nivel alto (Vcc) hasta transcurrido el tiempo determinado por la ecuación:

T = 1.1*Ra*C

Es recomendable, para no tener problemas de sincronización que el flanco de bajada de la señal

de disparo sea de una pendiente elevada, pasando lo más rápidamente posible a un nivel bajo
(idealmente 0V).

NOTA: en el modo monoestable, el disparo debería ser puesto nuevamente a nivel alto antes que
termine la temporización.

Funcionamiento astable

En este modo se genera una señal cuadrada oscilante de frecuencia:

F = 1/T = 1.44 / [C*(Ra+2*Rb)]

150
La señal cuadrada tendrá como valor alto Vcc (aproximadamente) y como valor bajo 0V.

Si se desea ajustar el tiempo que está a nivel alto y bajo se deben aplicar las fórmulas:

Salida a nivel alto: T1 = 0.693*(Ra+Rb)*C

Salida a nivel bajo: T2 = 0.693*Rb*C

151
 Disipadores de calor
El estudio térmico de los dispositivos de potencia es fundamental para un rendimiento óptimo de
los mismos. Esto es debido a que en todo semiconductor, el flujo de la corriente eléctrica produce
una pérdida de energía que se transforma en calor.

El calor produce un incremento de la temperatura del dispositivo. Si este incremento es excesivo e

incontrolado, inicialmente provocará una reducción de la vida útil del elemento y en el peor de los
casos lo destruirá.

En Electrónica de Potencia la REFRIGERACIÓN juega un papel muy importante en la optimización

del funcionamiento y vida útil del semiconductor de potencia.

Propagación del calor

En todo semiconductor el flujo de la corriente eléctrica produce una pérdida de energía que se
transforma en calor. Esto es debido al movimiento desordenado en la estructura interna de la
unión. El calor elevará la energía cinética de las moléculas dando lugar a un aumento de
temperatura en el dispositivo; si este aumento es excesivo e incontrolado provocará una reducción
de la vida útil del dispositivo y en el peor de los casos su destrucción.

Es por ello que la evacuación del calor generado en el semiconductor es una cuestión de gran
importancia para asegurar el correcto funcionamiento y duración del dispositivo.

La capacidad de evacuación del calor al medio ambiente podrá variar según el tipo de cápsula pero
en cualquier caso será demasiado pequeña, por lo que necesita una ayuda adicional para transferir
el calor disipado mediante un dispositivo de mayor volumen y superficie conocido como disipador
de calor, el cual hace de puente para evacuar el calor de la cápsula al medio ambiente.

Formas de transmisión del calor

La experiencia demuestra que el calor producido por un foco calorífico se propaga por todo el
espacio que lo rodea. Esta transmisión del calor puede producirse de tres formas:

1.- CONDUCCIÓN:

Es el principal medio de transferencia de calor. Se realiza por la transferencia de energía cinética

entre moléculas, es decir, se transmite por el interior del cuerpo estableciéndose una circulación de
calor. La máxima cantidad de calor que atravesará dicho cuerpo será aquella para la cual se
consigue una temperatura estable en todos los puntos del cuerpo.

En este tipo de transmisión se debe tener en cuenta la conductividad térmica de las sustancias
(cantidad de calor transmitido por unidad de tiempo, superficie, gradiente de temperatura).

2.- CONVECCIÓN:

El calor de un sólido se transmite mediante la circulación de un fluido que le rodea y este lo

transporta a otro lugar, a este proceso se le llama convección natural. Si la circulación del fluido
está provocada por un medio externo se denomina convección forzada.

3.- RADIACIÓN:

152
 El calor se transfiere mediante emisiones electromagnéticas que son irradiadas por
cualquier cuerpo cuya temperatura sea mayor a cero grados Kelvin. El estado de la
superficie influye en gran medida en la cantidad de calor radiado. Las superficies
mates son más favorables que las pulidas y los cuerpos negros son los de mayor
poder de radiación, por este motivo se efectúa un ennegrecimiento de la superficie
radiante. La transferencia de calor por radiación no se tiene en cuenta puesto que a
las temperaturas a que se trabaja ésta es despreciable.

Parámetros que intervienen en el cálculo

Para que un semiconductor disipe la potencia adecuada, hay que mantener la temperatura de la
unión por debajo del máximo indicado por el fabricante.

El paso de la corriente eléctrica produce un aumento de la temperatura de la unión (Tj). Si ésta se

quiere mantener a un nivel seguro, debemos evacuar al exterior la energía calorífica generada por
la unión. Para que se produzca un flujo de energía calorífica de un punto a otro, debe existir una
diferencia de temperatura. El calor pasará del punto más caliente al más frío, pero aparecen
factores que dificultan este paso. A estos factores se les denomina resistencias térmicas.

Por lo tanto, aprovechando la ley de ohm realizamos la siguiente comparación eléctrica mostrada
en la figura adjunta. Asemejaremos las temperaturas a tensiones, las resistencias térmicas a las
resistencias óhmicas y el flujo de calor a una corriente eléctrica.

Al igual que en un circuito eléctrico, se puede decir que:

De la figura se obtiene la expresión:

Resistencias térmicas

En la siguiente figura se muestra la igualdad entre el circuito equivalente de resistencias térmicas y

los elementos en un montaje real:

153
Rjc = Resistencia unión - contenedor
Rcd = Resistencia contenedor - disipador
Rd = Resistencia del disipador
Tj = Temperatura de la unión
Tc = Temperatura del contenedor
Td = Temperatura del disipador
Ta = Temperatura ambiente

Resistencia Unión - Contenedor (Rjc)

En este caso el foco calorífico se genera en la unión del propio cristal semiconductor, de tal forma
que el calor debe pasar desde este punto al exterior del encapsulado.

Generalmente este dato lo suministra el fabricante, y dependerá del tipo de cápsula del dispositivo.
Aparecerá bien directamente o indirectamente en forma de curva de reducción de potencia. En la
figura siguiente se muestra este tipo de curva.

Esta muestra la potencia en función de la temperatura del contenedor. En ella la pendiente de la

recta dada es la resistencia unión contenedor. La fórmula que se utiliza para el cálculo de esta
resistencia es:

Donde estos datos se obtienen de la curva de reducción de potencia, que será propia de cada
dispositivo. Deberemos de tener en cuenta que Pd es la dada por el fabricante y no la que disipará
el dispositivo en el circuito. Normalmente Tc vale 25 ºC.

Si tomamos de un manual los datos correspondientes a un 2N3055 serán:

Pdmáx =115 W
Tjmáx =200 ºC

Sustituyendo estos valores en la siguiente ecuación, se obtiene el valor de la Rjc:

154
y ésta es, precisamente, la Rjc indicada en los manuales para el 2N3055.

Resistencia Contenedor - Disipador (Rcd)

Es la resistencia térmica entre el semiconductor y el disipador.

Este valor depende del sistema de fijación del disipador y el componente, y del estado de planitud y
paralelismo de las superficies de contacto, puesto que a nivel microscópico, solo contactan por
unos puntos, quedando huecos de aire que entorpecen la transmisión del calor.

También depende del tipo de material que se interponga entre ambas superficies de contacto. Los
elementos que se sitúan entre la cápsula y el disipador pueden ser de dos tipos:

a. Pastas conductoras de calor, que pueden ser o no ser conductoras de la electricidad.

b. Láminas aislantes eléctricas que se pueden emplear conjuntamente con siliconas conductoras
de calor como mica, kelafilm, etc. También las hay conductoras de calor que no precisan pasta de
silicona.

El tipo de contacto entre cápsula y disipador podrá ser:

• Directo.
• Directo más pasta de silicona.
• Directo más mica aislante.
• Directo más mica aislante más pasta de silicona.

El valor de esta resistencia térmica influye notablemente en el cálculo de la superficie y longitud

que debe disponer la aleta que aplicaremos al dispositivo a refrigerar. Cuanto más baja es Rcd
menor será la longitud y superficie de la aleta requerida.

Por ejemplo, para una cápsula TO.3 se tiene que con contacto directo más pasta de silicona la Rcd
= 0,12 ºC/W, que con contacto directo Rcd = 0,25 ºC/W, que con contacto directo más mica y más
pasta de silicona Rcd = 0,4 ºC/W, y que con contacto directo más mica Rcd = 0,8 ºC/W.

Por lo tanto podemos decir que cuando no sea necesario aislar el dispositivo, el tipo de contacto
que más interesa es el directo más pasta de silicona, ya que da el menor valor de Rcd y si hubiese
que aislar con mica interesa montar mica más pasta de silicona ya que la Rcd es menor que si se
monta solo con mica. Por ello podemos obtener la siguiente conclusión: La mica aumenta la Rcd
mientras que la pasta de silicona la disminuye y como se ha dicho cuanto más pequeña sea la Rcd
menor superficie de aleta refrigeradora.

Resistencia del disipador (Rd)

Representa el paso por convección al aire del flujo calorífico a través del elemento disipador. Este
dato será, en la práctica, la incógnita principal de nuestro problema, puesto que según el valor que
nos de el cálculo, así será el tipo de aleta a emplear. Depende de muchos factores: potencia a
disipar, condiciones de la superficie, posición de montaje y en el caso de disipadores planos
factores como el grosor del material y el tipo de encapsulado. Para el cálculo de la resistencia se
pueden utilizar las siguientes fórmulas:

155
 Este valor de Rja no es el que da el fabricante ya que éste la suministra sin disipador, y la
que hay que utilizar es con disipador. El fabricante la facilita como suma de Rjc y Rca
puesto que ignora el tipo de disipador que utilizaremos.

Una vez calculada la Rd se pasa a elegir la aleta refrigeradora. Para la elección de la

aleta, habrá que tener en cuenta que el tipo de encapsulado del dispositivo a refrigerar sea el
adecuado para su montaje en la aleta disipadora que se haya elegido.

Después de cumplir la condición anterior hay que calcular la longitud o la superficie del disipador
elegido. Para ello es necesario disponer de uno de los dos tipos de gráficas que ofrecen los
fabricantes de disipadores, la Rd - longitud y la Rd - superficie.

Según la gráfica de que se disponga se obtendrá un valor de longitud o un valor de superficie de

disipador que hay que montar para refrigerar adecuadamente el dispositivo semiconductor.

Resistencia Unión - Ambiente (Rja)

Como su nombre indica es la resistencia que existe entre la unión del semiconductor y el ambiente.
Con esta resistencia deberemos de distinguir dos casos, el de resistencia unión ambiente con
disipador y sin disipador. Cuando se habla de resistencia unión ambiente sin disipador, nos
referimos a la resistencia unión contenedor junto con la contenedor ambiente:

(fig. b)

Este valor lo suministra el fabricante en función del tipo de contenedor.

Cuando se habla de la resistencia unión ambiente con disipador nos referimos a la suma de la
resistencia unión contenedor (Rjc), la resistencia contenedor disipador (Rcd) y la resistencia
disipador ambiente (Rd):

(fig. a)

Este valor no es conocido ya que varía según el tipo de disipador que se utilice. El valor de Rja
dependerá de los valores de Rd y de Rcd. Como no es un valor fijo, no existe una tabla de valores
típicos.

Temperaturas

Temperatura de la unión (Tj)

La temperatura máxima de la unión es el límite superior de temperatura a la que no se debe llegar

y menos sobrepasar si queremos evitar la destrucción de la unión. Este dato es un valor que se
suele suministrar, normalmente, en los manuales de los fabricantes de semiconductores.

156
Si este valor no se refleja en dichos manuales o, simplemente, no se encuentra, podremos adoptar
unos valores típicos en función del dispositivo a refrigerar como los mostrados en la tabla que se
expone a continuación:

DISPOSITIVO RANGO DE Tjmáx

de unión de Germanio Entre 100 y 125 ºC
de unión de Silicio Entre 150 y 200 ºC
JFET Entre 150 y 175 ºC
MOSFET Entre 175 y 200 ºC
Tiristores Entre 100 y 125 ºC
Transistores Uniunión Entre 100 y 125 ºC
Diodos de Silicio Entre 150 y 200 ºC
Diodos Zener Entre 150 y 175 ºC

Se debe distinguir entre la temperatura máxima de la unión permitida para un dispositivo y la

temperatura real de la unión a la que se pretende que trabaje dicho elemento o dispositivo que,
lógicamente, siempre será menor que la máxima permitida. El objetivo del que diseña será
mantener la temperatura de la unión por debajo de la máxima. Para ello se utiliza un coeficiente ( K
) de seguridad cuyo valor dará una temperatura de la unión comprendida entre el 50% y el 70% de
la máxima. Por lo tanto k estará comprendido entre 0,5 y 0,7. Le asignamos el valor según el
margen de seguridad que queremos que tenga el dispositivo. La temperatura de la unión que se
utilizará en los cálculos será:

Tj = Tjmáx x k

Las condiciones de funcionamiento en función de k serán:

• Para valores de k=0,5. Dispositivo poco caliente. Máximo margen de seguridad, pero el
tamaño de la aleta refrigeradora será mayor.
• Para valores de k=0,6. Dimensión menor de la aleta refrigeradora sin que el dispositivo se
caliente demasiado.
• Para valores de k=0,7. Máximo riesgo para el dispositivo, máxima economía en el tamaño
de la aleta refrigeradora. Este coeficiente de seguridad exige que la aleta se sitúe en el
exterior.

Temperatura de la Cápsula (Tc)

Este dato no se suministra en los manuales ya que depende del valor de la potencia que disipa el
dispositivo, de la resistencia del disipador y de la temperatura ambiente. Por lo tanto solo podemos
calcularla cuando conozcamos todos los datos reflejados en alguna de las siguientes expresiones:

Temperatura del disipador (Td)

Este valor se obtiene a partir de la potencia disipada Pd, de la resistencia térmica de la aleta Rd y
finalmente de la temperatura ambiente Ta. Se calculará con cualquiera de estas expresiones:

157
La temperatura obtenida será siempre inferior a la temperatura de la cápsula aunque será lo
suficientemente alta en la mayoría de los casos como para no poder tocar el disipador con las
manos.

Esto no es motivo de preocupación ya que se han tomado las medidas necesarias como para que
la temperatura de la unión disponga de un margen de seguridad dentro de los márgenes ya
explicados.

Puede suceder que la temperatura de la aleta es bastante elevada, tanto que si se toca con un
dedo notaríamos que quema. Pero en todo momento la temperatura de la unión entrará con amplio
margen dentro de los límites permitidos. No obstante, si se quiere disminuir esta temperatura, solo
hay que calcular de nuevo la resistencia térmica Rd de la aleta, poniendo esta vez 0,5 como factor
( k ) necesario para determinar Tj. Ello llevará a adoptar una aleta más grande, pero tanto la Tc,
como la Td disminuirán como se desea.

Temperatura ambiente (Ta)

En la interpretación de este dato puede haber alguna confusión ya que se puede tomar su valor
como la temperatura del medio ambiente cuando en realidad es la temperatura existente en el
entorno donde está ubicado el disipador.

Potencia disipada

La potencia máxima es un dato que nos dará el fabricante. Este dato es para las mejores
condiciones de funcionamiento del dispositivo, es decir, para una temperatura del contenedor de 25
ºC y un disipador adecuado. Por ejemplo, si de un determinado transistor nos dice el fabricante que
puede disipar un máximo de 116 Watios, a primera vista se puede pensar que disipando 90 Watios
no se corre ningún riesgo puesto que hay un margen con respecto al máximo y no se necesita
disipador. Si conocemos la temperatura de la unión es de 200 ºC y Rja de 35 ªC/W se tiene:

Esta es la máxima potencia disipable sin disipador. Se puede ver que este valor se queda muy por
debajo del indicado por el fabricante. Si consideramos una aleta con una buena resistencia térmica
como puede ser una de 0,6 ºC/W y unas resistencias térmicas contenedor - disipador Rcd y unión -
contenedor Rjc de 0,12 ºC/W y de 1,5 ºC/W respectivamente, ambos valores también bastante
adecuados, se tendrá:

Si hiciéramos disipar 90 W como pretendíamos se destruiría la unión. Como se puede observar la

potencia obtenida es superior a la disipable sin disipador e inferior a la que nos suministra el
fabricante. Ello es debido a que el fabricante ha calculado la Pdmáx manteniendo la temperatura
del contenedor a 25 ºC, cosa que en la práctica es imposible:

158
Como se ha dicho este dato de 116 W es para las mejores condiciones de funcionamiento y el
fabricante debe indicar en cuales se realizó esa medida.

Resumiendo, es importante saber interpretar adecuadamente los datos suministrados por el

fabricante, de lo contrario pueden aparecer sorpresas desagradables.

Sabemos que la máxima potencia que se puede hacer disipar a un semiconductor sin disipador
viene dada por el cociente entre el incremento de la temperatura y la resistencia térmica unión
ambiente:

Donde Rja es la que nos suministra el fabricante que no incluye Rd. Cuando se utiliza un disipador,
la resistencia térmica se divide en tres parámetros: la resistencia entre la unión y el contenedor
(Rjc), entre el contenedor y el disipador (Rcd) y entre el disipador y el ambiente (Rd):

159
 Códigos normalizados de semiconductores
Los códigos normalizados de designación pretenden identificar de una manera unificada, todos y
cada uno de los componentes usados en la electrónica que existen en el mercado.

Los principales códigos normalizados son:

PROELECTRON
JEDEC
JIS

El sistema Proelectrón se utiliza principalmente en Europa, mientras que el JEDEC es usado por
los fabricantes norteamericanos y el JIS por los japoneses. También existen algunas normas
antiguas que veremos muy superficialmente.

JEDEC

Este sistema es usado principalmente por los fabricantes americanos. Está definido por el estándar
EIA RS-236-B, Junio de 1963. El código de designación se presenta básicamente como:

Una cifra + N + Secuencia alfanumérica de serie

La cifra indica el número de uniones del componente (1 para el diodo, 2 para el transistor,...). La
letra N indica que el material usado es el silicio.

Para designar los diodos también se tiene un sistema de designación por colores. En este caso la
primera cifra seguida de la letra N no se corresponden con información visual alguna. La secuencia
alfanumérica que sigue a la N se codifica por un sistema de bandas de colores con arreglo a las
normas siguientes:

Secuencia de dos cifras: una banda negra seguida de dos bandas representando una cifra cada
una según la tabla 1. Si existe una letra como sufijo, se codifica con una cuarta banda según la
tabla 1.

Cifra Color Letra

0 NEGRO -
1 MARRÓN A
2 ROJO B
3 NARANJA C
4 AMARILLO D
5 VERDE E
6 AZUL F
7 VIOLETA G
8 GRIS H
9 BLANCO J

Tabla 1

160
Secuencia de tres cifras: tres bandas representando una cifra cada una según la tabla 1. Si existe
una letra como sufijo, se codifica con una cuarta banda según la tabla 1.

Secuencia de cuatro cifras: cuatro bandas representando una cifra según la tabla 1. Si existe una
letra como sufijo, se codifica con una quinta banda según la tabla 1.

Para la identificación del cátodo se utiliza en la mayoría de los casos una banda de anchura doble
como primera cifra más próxima a este terminal. En otros casos, el grupo de bandas se agrupa
claramente hacia el cátodo, debiendo ser leídas desde el cátodo al ánodo.

Ejemplo

2N5965
2: Dos uniones, es decir, un transistor
N: Silicio
5965: Secuencia alfanumérica de serie

PROELECTRON

Este sistema se utiliza principalmente en Europa. El componente se designa de dos formas, según
el tipo de aplicación al que eté destinado (comercial o profesional):

Dos letras + secuencia alfanumérica de serie (aplicaciones comerciales)

Tres letras + secuencia alfanumérica de serie (aplicaciones profesionales)

La primera letra indica el tipo de material:

A: Material con anchura de banda prohibida de 0.6 a 1.0 eV, como el Ge.
B: Material con anchura de banda prohibida de 1.0 a 1.3 eV, como el Si.
C: Material con anchura de banda prohibida mayor que 1.3 eV, como el NaAs.
D: Material con anchura de banda prohibida menor que 0.6 eV, como el InSb.
E: Material compuesto como el empleado en generadores Hall y fotoconductores.

La segunda letra indica la aplicación principal y construcción si se hace necesaria una

diferenciación mayor:

A: Diodo de detección, de conmutación, mezclador.

B: Diodo de sintonía (capacidad variable).
C: Transistor para aplicaciones de audio (Rthj-a > 15 K/W).
D: Transistor de potencia para aplicaciones de audio (Rthj-a≤ 15 K/W).
E: Diodo Túnel.
F: Transistor para aplicaciones de alta frecuencia (Rthj-a > 15 K/W).
G: Multichips, etc...
H: Sonda campo de efecto Hall.
K: Generador Hall en circuito magnético abierto.
L: Transistor de potencia para aplicaciones de alta frecuencia (Rthj-a≤ 15 K/W).
M: Modulador o multiplicador Hall.
N: Optoacoplador.
P: Componente sensible a la radiación (p. ej. fotodiodo).
Q: Componente emisor de radiación (p. ej: LED).
R: Componente de control o de conmutación con disparo eléctrico poseyendo una característica de
ruptura (Rthj-a > 15 K/W), p. ej. tiristor.
S: Transistor para aplicaciones de conmutación (Rthj-a > 15 K/W).
T: Componente de control o de conmutación con disparo eléctrico o por incidencia de la luz

161
poseyendo una característica de ruptura (Rthj-a≤ 15 K/W), p. ej. tiristor.
U: Transistor de potencia para aplicaciones de conmutación (Rthj-a≤ 15 K/W).
X: Diodos múltiples: varactor, diodo "step recovery".
Y: Diodo rectificador, diodo de potencia, diodo "booster".
Z: Diodo estabilizador de tensión (Zener).

La tercera letra empleada para determinar el tipo es Z, Y, o X.

La secuencia alfanumérica que sucede a las letras sirve para identificar a los componentes.

Algunos componentes incorporan otro código alfanumérico a modo de sufijo que nos da cierta
información adicional. Podemos destacar los siguientes:

Diodo Zener:

Una letra seguida de la tensión de disrupción o de trabajo típica de este diodo (en la cual la letra V
actúa como coma decimal si la tensión que estabiliza no es un número entero) y donde sea
apropiado, la letra R (polaridad inversa). La primera letra indica la tolerancia nominal respecto de la
tensión de trabajo en %.

A: 1%
B: 2%
C: 5%
D: 10%
E: 15%

Diodo rectificador:

Un número y donde sea apropiado, la letra R (polaridad inversa). El número indica generalmente el
voltaje de pico repetitivo máximo.

Para la designación de diodos de pequeña señal profesionales también se utiliza el código de

colores. La combinación de letras inicial se designa por el color del cuerpo del diodo, mientras que
las cifras de la secuencia alfanumérica que siguen a las letras se deducen de bandas de color
impresas sobre el diodo. El cátodo se indica por la banda más ancha, correspondiendo dicha
banda a la primera cifra. A continuación se muestra la correspondencia de letras y cifras con
colores.

Letras iniciales y color correspondiente:

BAV : VERDE
BAW : AZUL
BAX : NEGRO

Cifra y color de la banda:

0 : NEGRO
1 : MARRON
2 : ROJO
3 : NARANJA
4 : AMARILLO
5 : VERDE
6 : AZUL

162
7 : VIOLETA
8 : GRIS
9 : BLANCO

Ejemplos

BC107B
B: Silicio
C: Transistor para aplicaciones de audio (Rthj-a > 15 K/W).
107 B: Secuencia alfanumérica de serie.

AAZ15
A: Germanio
A: Diodo de conmutación
Z: Uso profesional
15: Secuencia alfanumérica de serie

BZY96C3V9R
B: Silicio
Z: Diodo Zener
Y: Uso profesional
96: Secuencia alfanumérica de serie.
C: Tolerancia de un 5% sobre la tensión nominal que estabiliza.
3V9: Tensión nominal 3.9 V.
R: Polaridad inversa

JIS

Este sistema es el usado por los fabricantes de Japón (JIS - Japanese Industrial Standards).

Posee un código de designación de tipo para transistores el cual consta básicamente de dos
partes:

2S + Secuencia alfanumérica de serie

NORMAS ANTIGUAS

Existen una serie de normas obsoletas en la actualidad, pero que sin embargo están aún presentes
en el mercado, como el sistema CV británico o la norma europea antigua. Esta última es la más
importante. Su código de designación de tipo consiste en:

Dos o tres letras + Secuencia numérica de serie

La primera letras es la O (dispositivo semiconductor). La segunda y la tercera letras hacen

referencia a qué clase pertenece:

A: Diodo semiconductor
AP: Fotodiodo
AZ: Diodo Zener
OC, OD: Transistor

Ejemplo

163
OA90
O: Dispositivo semiconductor
A: Diodo semiconductor
90: Secuencia numérica de serie

164