1 Modélisation analytique des transistors en HF

Introduction
La conception de circuits hyperfréquences, et notamment des amplificateurs de puissance présents au cœur
de tous les systèmes, représente encore un challenge significatif. En effet ceux-ci ont la particularité d'avoir un
comportement non linéaire en fonction de la puissance du signal d'excitation.

La modélisation de composants à semi-conducteurs est devenue une étape indispensable pour le

développement de circuits en électronique de puissance. En effet, la simulation à partir de modèles qui
décrivent le comportement réel de composants permet une réduction significative du temps, des efforts et du
coût demandés pour la conception et le test de circuits.

La modélisation analytique est considérée comme une méthode plus attrayante pour établir un modèle qui
peut être utilisé dans les circuits de simulation. Les modèles analytiques utilisent des équations qui décrivent
les caractéristiques de composants, ces équations peuvent être dérivées des conditions physiques ou des
observations sur le comportement de composants.

1. Analyse non linéaire

Cette analyse non linéaire peut être effectuée pour deux niveaux d'intégration différents, à savoir sur les
composants élémentaires (par exemple les transistors), ou directement au niveau système tel que les
amplificateurs de puissance.
1.1 Analyse au niveau du composant
Différentes méthodes peuvent être utilisées pour l'analyse de circuits radiofréquences et hyperfréquences.
Pour des études effectuées dans le domaine temporel, le logiciel SPICE développé à Berkeley dans les
années 1970 est sans doute le plus populaire. Celui-ci est relativement bon marché et de nombreuses start-up
ont contribué à développer les extensions disponibles pour l'amélioration des interfaces utilisateurs. Ce logiciel
est approprié pour la conception de circuits radiofréquences mais ses capacités restent limitées pour les circuits
micro-ondes.
En régime établi, l'étude de circuits non linéaires micro-ondes se fait donc plus souvent en utilisant les
techniques de simulation par équilibrage harmonique. Cette technique consiste à scinder le circuit étudié en
deux : une partie de la simulation est alors effectuée dans le domaine fréquentiel, sur le sous- circuit
uniquement constitué d'éléments linéaires, et une analyse temporelle est effectuée sur le sous-circuit
uniquement constitué d'éléments non linéaires. L'équilibrage harmonique consiste à trouver les solutions qui
satisfont simultanément les lois de Kirchhoff obtenues à l'interface de ces deux sous-parties en passant d'un
domaine à l'autre par les transformations de Fourier. Cette solution est trouvée par l'usage d'un algorithme
itératif qui converge progressivement vers la solution. Pour ce type de simulations, les logiciels les plus connus
sont ceux des sociétés Applied Wave Research, Ansoft et Agilent.
La nature des simulations effectuées suivant le type d'algorithme choisi impose certaines contraintes quant
au type de modèle utilisé, et donc certaines contraintes vis-à-vis des mesures réalisées pour bâtir ce modèle.
La méthode classique au moyen de l'algorithme itératif de Newton est celle permettant d'utiliser les éléments
non linéaires les plus simplement définis, et donc de mettre également en œuvre les techniques de mesures les
plus simples.

Par exemple pour une analyse temporelle d'un transistor à effet de champ (TEC), entre la grille et le canal, la
capacité est couramment définie en fonction d'une simple charge de déplétion Qq. Le courant au travers de
cette charge est le courant de grille Ig où :

(1)

avec Vgs tension entre la grille et la source, Vgd tension entre la grille et le drain.

Cette approche est efficace pour une analyse faite dans Je domaine temporel où les dérivées des tensions
sont d'ores et déjà disponibles. En revanche, elle n'est pas pertinente pour une analyse en équilibrage
harmonique où la dérivée dans le domaine fréquentiel s'obtient par une multiplication par le nombre
complexe\w avec w défini comme pulsation du signal.
Par conséquent, l'expression des capacités du TEC pour une utilisation en équilibrage harmonique est faite
suivant deux charges distinctes, une charge définie entre la grille et la source, et une autre entre le drain et la
source.

1.2 Analyse au niveau du système

Contrairement à l'analyse précédente où une description de chaque élément non linéaire représentant le
composant est effectuée, l'analyse au niveau système tend actuellement à utiliser des modèles de type « boîte
noire ».
Cette technique de modélisation s'applique à un circuit fermé de conception inconnue, d'où le nom de boîte
noire. La modélisation s'applique directement au circuit et non pas à chaque élément le constituant.
Ces techniques de modélisation sont encore en cours de développement [3]. L'un des objectifs visés par
l'utilisation de tels modèles est de pouvoir conduire une analyse non linéaire d'un système complet en utilisant
directement un ensemble de mesures couramment disponibles effectuées en large signal sur les circuits
constituant ce système.
2 Modélisation analytique des transistors en HF

Les séries de Volterra introduites au début du siècle dernier par V. Volterra [4] est l'un des formalismes les
plus élégants et rigoureux pour la description des phénomènes dynamiques non linéaires. Malheureusement,
sous sa forme classique, ses propriétés de convergence restent faibles, ce qui limite leur portée à des systèmes
faiblement non linéaires.
De récents travaux montrent en effet les limites de cette technique, notamment pour modéliser les
constantes de temps disparates (de la nano à la milliseconde) présentes au sein du circuit. En effet, lorsqu'un
signal modulé excite le circuit, des phénomènes de mémoires lentes et rapides doivent être pris en compte, car
un signal modulé est simultanément constitué de fréquences basses (fréquences d'enveloppe), et de
fréquences hautes (fréquences porteuses du signal).
Par conséquent, en plus de la réponse du circuit aux hyperfréquences, les mesures dédiées à la modélisation
doivent exciter les constantes de temps thermiques et, s'il y a lieu, les fréquences de résonance des circuits de
polarisation et des circuits d'adaptation. L'extraction de modèles boîte noire de Volterra modifiés dits à «
noyaux dynamiques » permet désormais d'appréhender avec plus d'exactitude ces phénomènes.
Au final, le challenge de la modélisation boîte noire est, compte tenu des spécifications du concepteur de
système, de parvenir à adapter un compromis temps de calcul/finesse de description des phénomènes,
permettant d'effectuer la simulation de l'ensemble du système ou sous-système dans des délais réalistes.
Ce type de modèle est aujourd'hui intégré dans le logiciel de simulation circuit GoldenGate développé par la
société Xpedion en partenariat avec l'Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes
(Limoges, France). Celui-ci est intégré dans l'environnement Cadence.

2. Principes de modélisation
La modélisation à un niveau d'intégration moindre, à savoir au niveau du composant, est une des phases les
plus critiques. En effet, celle-ci repose sur trois points clefs, à savoir le choix de la typologie du modèle,
l'extraction des paramètres du modèle par la mesure, et la validation de ce modèle.
Bien que des modèles du type boîte noire puissent être proposés au niveau du composant, la quasi-inté-
gralité de ces modèles sont basés sur des architectures de circuits équivalents, dérivés des lois physiques ou
bien de manière empirique.

2.1 Modélisation suivant les lois physiques

Tout composant peut théoriquement être modélisé suivant la physique des semi-conducteurs pour
représenter les équations de transport des porteurs de charges à travers le dispositif. À partir de ces équations,
les tensions et courants, ainsi que leurs dérivées peuvent être déterminés. Cette méthode de modélisation
présente l'inconvénient d'être très lourde et peut engendrer des temps de simulation très longs, voire
rédhibitoires pour le concepteur.
Certaines approches tendent donc à simplifier ces modèles tout en restant proche des équations physiques
de base, soit en fractionnant la représentation du composant en plusieurs parties plus facilement modélisables
individuellement, soit en simplifiant ces modèles par des méthodes de réduction de modèle, notamment pour
les simulations électrothermiques.
Il est couramment convenu que la lourdeur engendrée par la nature de ces modèles est le prix à payer pour
produire une approche rigoureuse de la modélisation. Ce constat n'est pas si simple car, dans la pratique, des
approximations restent nécessaires pour pouvoir rendre effective l'utilisation de cette méthode.

2.2 Modélisation empirique

Pour toutes ces raisons, la modélisation non linéaire de composants hyperfréquences repose le plus souvent
sur des techniques empiriques, plus simples à mettre en œuvre tant au niveau des mesures qu'à celui de
l'activité de modélisation elle- même. Le composant est alors représenté par un circuit équivalent composé
d'éléments linéaires et non linéaires localisés pouvant être contrôlés par des variables indépendantes telles
que des tensions ou courants de commande. La température calculée en fonction de la puissance consommée
par le composant peut également être une variable influant sur les performances simulées.

Ces circuits équivalents peuvent être très simples ou au contraire d'une complexité importante, leur
conception devant dépendre de l'application visée.
Par exemple, un modèle destiné à simuler de manière réaliste les phénomènes d'intermodulation d'ordre n
doit reproduire fidèlement les n premières dérivées des caractéristiques I(V) (tension-courant), Q ( V ) (charge-
tension) e t F ( I ) (flux-courant).
Une analyse en équilibrage harmonique utilisant un tel modèle petit signal peut reproduire fidèle-
ment ce genre de phénomène, mais sera en revanche inappropriée pour représenter de manière réaliste les
performances obtenues sous l'excitation d'un signal de puissance.

Le choix de représenter tel ou tel élément par une fonction linéaire ou non linéaire est donc crucial en
fonction des performances attendues.
Par exemple, sur un transistor à effet de champ, la capacité Cds peut être généralement représentée par une
valeur moyenne obtenue sur toute la dynamique du signal d'excitation.
Par ailleurs, il est important de noter qu'un élément faiblement non linéaire peut avoir un effet prépondérant
sur le résultat de l'analyse en fonction de sa place au sein du circuit équivalent.
3 Modélisation analytique des transistors en HF

3. Techniques de modélisation

3.1 Modélisation linéaire de transistor en petit signa

l
L'extraction d'un modèle non linéaire d'un composant hyperfréquence se fait en plusieurs étapes qui
peuvent être résumées sur la figure 1.
Comme représenté sur la figure 2, le modèle non linéaire petit signal d'un transistor à effet de champ se fait en
plusieurs étapes. Une des premières étapes consiste à définir la topologie du modèle électrique du transistor
sous la forme d'un circuit électrique équivalent constitué d'éléments localisés.
Prenons par exemple le cas d'un transistor à haute mobilité d'électrons (HEMT). Son modèle électrique
petit signal équivalent peut être représenté comme dans la figure 2 b.
Plusieurs méthodes peuvent être employées pour l'extraction de ce modèle petit signal, à savoir une méthode
numérique dite « brutale », une méthode analytique et une méthode mixte.

3.1.1 Méthode brutale

La méthode « brutale » consiste à effectuer une optimisation numérique. Celle-ci vise à minimiser une fonction
d'erreur comparant les résultats de simulations et les résultats de mesures en jouant de manière aveugle sur
tous les paramètres du circuit équivalent. Le caractère brutal de cette technique vise à annuler toutes les
conditions pouvant cadrer la simulation. La conséquence est que les itérations effectuées pendant l'optimisation
peuvent ne pas converger vers un résultat lorsque la fonction d'erreur est « piégée » dans un minimum dit
local. Par ailleurs, même si cette simulation aboutit, le résultat obtenu peut être dénué de signification
physique.

3.1.2 Méthode analytique

Cette méthode permet de fixer des contraintes sur les valeurs des éléments localisés constituant le circuit
équivalent avant de procéder à une optimisation. Elle se décompose en deux étapes, à savoir la détermination
des éléments extrinsèques du transistor puis des éléments intrinsèques.

■ Par éléments extrinsèques au transistor, il est entendu tous les éléments parasites dus aux accès et à la
géométrie du composant. Ceux-ci sont représentés sur la figure 2 b par les résistances Rs et /?d qui traduisent
les effets résistifs entre les plots d'accès du composant et la zone active du canal. La résistance Rg traduit
l'effet résistif distribué le long de l'électrode de grille, les capacités Cpg et Cp(j représentent les capacités de
plots induites par les accès de grille et de drain, et les inductances Lg, Zd, Ls représentent respectivement les
inductances induites par les accès de grille, de drain et de source vis-à-vis du substrat.

■ Par éléments intrinsèques, il est entendu tous les éléments constituant le cœur du composant.
L'effet fondamental du transistor à effet de champ est représenté par un générateur de courant de drain
commandé par une tension qui n'est pas à ses bornes. Ce courant s'exprime sous la forme suivante :

(2)
La transconductance du transistor est sa caractéristique fondamentale, elle représente la variation du courant
dans le canal en fonction de la variation de la tension entre la grille et la source.
De même, la conductance gd= l/Rds représente la variation du courant dans ce même canal par rapport à la
variation de la tension entre le drain et la source, cette valeur traduit la résistance du canal.

Cette transconductance et cette conductance s'expriment respectivement sous la forme :

(3)

La capacité Cgs représente la variation de la charge Qg accumulée sous la grille dans la zone dépeuplée en
fonction de la variation de la tension entre la grille et source, la capacité Cgd représente la variation de cette
même charge en fonction de la variation de la tension comprise entre la grille et le drain :

(4)
;

La capacité Cds décrit le couplage entre les contacts de drain et de source, la résistance Rj représente la
résistance d'entrée du transistor alors que la résistance Rgd permet éventuellement de modéliser la rétroaction
de sortie vers l'entrée du transistor.
4 Modélisation analytique des transistors en HF

Définition de la topologie du Détermination des paramètres large signal

modèle petit et large signal
Par exemple, représentation des capacités :

Mesures des paramètres courant-tension et de

la réponse du composant à une excitation RF
petit signal (Paramètres S).
pour établir un modèle de la charge de grille.

Représentation des charges non linéaires :

Détermination des paramètres petit signal

Par exemple, représentation des résultats

de mesures petit signal pour établir : comme fonctions de Vgs et Vgd

Utilisation de Qgs et Qgd pour le modèle non

linéaire large signal.

Figure 1 - Diagramme des différentes étapes menant à la modélisation non linéaire d'un transistor à effet
de champ hyperfréquence

Figure 2 - Schéma électrique pour un modèle petit signal de transistor à effet de champ
5 Modélisation analytique des transistors en HF

■ Modélisation des éléments extrinsèques

La modélisation portant sur les éléments extrinsèques du transistor, à savoir les éléments passifs
représentant les lignes d'accès, la qualité des contacts ohmiques, etc., peut s'effectuer en traitant les mesures
petit signal effectuées lorsque le composant est polarisé à froid (l/ds0 = 0 V). En effet, cette £on- dition permet
de représenter le composant comme un quadripôle passif réciproque, la transconductance gm est négligée, et
les paramètres de dispersion dans le sens entrée-sortie et dans le sens sortie-entrée sont égaux. Ceci permet
de simplifier le schéma équivalent représenté sur la figure 2.
L'extraction de ces éléments extrinsèques, se fait alors en deux étapes.
• La première consiste à polariser la grille en direct, c'est-à-dire appliquer une tension de grille telle que la
résistance de la diode Schottky vue par le signal RF soit nulle. Ceci a pour effet de court-circuit ter les éléments
parallèles de la figure 2 ; les capacités de plot peuvent être négligées, seuls les éléments série sont pris en
compte, comme indiqué sur la figure 3 a.
Les parties réelles et imaginaires des éléments de la matrice Z extraite des mesures permettent alors, par
identification, de déterminer les éléments résistifs et les réactances de ce quadripôle, à savoir les résistances et
inductances extrinsèques du transistor.
• La deuxième étape consiste au contraire à polariser la grille fortement en inverse, le canal du composant
est alors pincé, et la transconductance du composant est nulle. Le schéma équivalent du transistor est alors
équivalent à celui de la figure 3 b.
Pour des signaux de faible fréquence, l'effet des inductances est négligeable par rapport à celui des
capacités.
Comme précédemment, la réponse basse fréquence petit signal du composant permet de procéder à
l'extraction des valeurs des éléments capacitifs extrinsèques du composant.
■ Modélisation des éléments intrinsèques
Connaissant la valeur des éléments extrinsèques du modèle, la détermination des éléments intrinsèques se
fait à partir de mesures de paramètres S effectués sur le composant pour plusieurs conditions de
fonctionnement.
Cette démarche repose à nouveau sur une procédure d'identification à partir des matrices K extraites des
mesures.
De manière générale, il est important de noter que la validité du modèle est intimement liée à la précision
des caractérisations effectuées. Plus ces mesures sont riches en informations, plus les modèles sont réalistes.
Idéalement, le composant est testé suivant toutes les conditions de fonctionnement n'entraînant pas sa
destruction. Les systèmes de modélisation les plus avancés en ce domaine testent de manière non destructive
les composants en conditions extrêmes par l'usage de signaux puisés. Cela permet notamment de contrôler la
température et de prendre ce paramètre dans la constitution des modèles.

3.1.3 Méthode mixte

Contrairement à la méthode analytique où la détermination des éléments extrinsèques et intrinsèques se fait
de manière séquentielle, la méthode mixte consiste à optimiser simultanément ces valeurs.
Cette optimisation consiste à minimiser la différence entre les résultats de paramètres 5obtenus en
simulation et en mesures. Ceci est fait en tenant compte du fait que les paramètres extrinsèques sont
indépendants du point de polarisation et que les paramètres intrinsèques sont indépendants de la fréquence
du signal.

3.2 Modélisation non linéaire

Les paramètres intrinsèques du modèle dépendent principalement des tensions appliquées aux bornes du
composant, à savoir Vgs et Vs pour un transistor à effet de champ.
Les éléments du transistor dépendant fortement de ces tensions, et ceci de manière non linéaire, sont la
transconductance et les capacités de grille Cgs et Cgd. Une représentation fiable de leurs comportements en
fonction de ces paramètres doit donc être mise en place. Nous aborderons ici deux techniques utilisées à cet
effet, la modélisation par équations phénoménologiques et la modélisation par table
.
3.2.1 Modélisation par équations phénoménologiques
Le schéma électrique d'un modèle non linéaire de transistor à effet de champ peut être représenté comme
celui indiqué sur la figure 4.

Les éléments non linéaires figurant sur ce schéma sont représentés par des équations dites phénomé-
nologiques.

À titre d'exemple, suivant le modèle développé par Angelov, la source de courant de drain Id peut être
décrite par une fonction non linéaire dépendante des tensions Vds et Vgs comme indiqué ci-après :
(5)

avec

où Ipk, , α, Pn et Vpk sont des paramètres à définir suivant les techniques décrites par Angelov
6 Modélisation analytique des transistors en HF

Figure 3 - Schémas électriques équivalents pour la détermination des paramètres extrinsèques

Figure 4 - Schéma électrique équivalent pour un modèle non linéaire de TEC

4. Conclusion
La conception de circuits hyperfréquences représente encore de nos jours un challenge significatif pour les
chercheurs. Dans ce contexte, l'utilisation d'outils de simulation performants représente un avantage significatif
en termes de compétitivité puisqu'elle permet de réduire le temps et donc les coûts de développement. Les
algorithmes avancés de simulation et l'évolution des interfaces logiciels ont contribué à l'amélioration de
méthodologies utilisées pour la conception des circuits. Cependant, les bibliothèques utilisées par ces logiciels
sont souvent perfectibles, notamment pour la conception de circuits de puissance où des phénomènes
complexes doivent être pris en compte.