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EL TRANSISTOR
RESUMEN
Es el dispositivo semiconductor, en estado sólido más ampliamente utilizado en electrónica. Es el
responsable directo del repunte tecnológico que se experimento desde la segunda mitad del siglo
pasado. Su técnica de fabricación permitió la investigación y desarrollo de la microelectrónica,
lográndose con ello muy pronto, la aparición comercial de dispositivos con alto grado de integración y
de reducidas dimensiones.
EL TBJ
Es un dispositivo de tipo activo, ampliamente utilizado en control electrónico, amplificación, y en
prácticamente toda las aplicaciones de la electrónica. Son de naturaleza bipolar (e- y h+).
n p n
- E B C +
Vbe + - Vcb
El emisor y el colector son estructuras de un mismo tipo, pero que presentan características muy
diferentes(cantidad de portadores).
Funcionamiento:
La juntura base-emisor debe encontrarse polarizada en sentido directo; en cambio la juntura colector-base
debe polarizarce en forma inversa. Cuando se cumplen simultáneamente ambas condiciones, se dice que
el TBJ se encuentra en zona activa (región donde se manifiestan las propiedades de amplificación).
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
observaciones:
Simbología:
Colector Emisor
Base
Base
Emisor Colector
npn pnp
EL FET
Son dispositivos unipolares controlados por voltaje. La tensión entre compuerta y fuente hacen el
control.
En un FET canal N la corriente se debe a e-, en uno de canal P la corriente se debe a h+.
Ventajas
Desventajas
TIPOS DE FET
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
FET
Enriquecimiento Empobrecimiento
D D D D D D D
G
G G G G G G
S S S S S S S
JFET
Ecuación de Schottky
2
V gs
I d = I dss 1 -
V
p
Donde
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
- Cuando el canal es N, y Vgs < 0, entonces esta saca electrones del canal empobreciéndolo.
- Cuando Vgs=Vp entonces el canal se estrangula.
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
Dado que el transistor es un dispositivo de 3 terminales, existirán tres posibilidades diferentes para
referirse al común (referencia común de los potenciales) del circuito.
Emisor Común
Ic
Ib
vc e
v be
Características gráficas:
Base Común
ie ic
vbe vcb
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
Colector Común
ie
Ib
vce
vbc
Las relaciones de corriente se obtienen del modelo de EBERS - MOLL, lo cual nos permite escribir las
siguientes relaciones:
qVbe qVcb
I e = C11 e kT − 1 + C12 e kT − 1 (1)
qVkTbe qVkTcb
I c = C 21 e − 1 + C 22 e − 1 (2)
es posible escribir:
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
qVbe
I e C12 qVcb
e kT −1 =
C11 C11 e
− kT − 1
reemplazando en Ic, se logra:
C 21 C C qVcb
Ic = I e + − 12 21 + C 22 e kT − 1
C11 C11
Se define Corriente de Corte de Colector (Ico), a la IC cuando IE es nula; siendo Vcb negativamente elevada.
I co = c c −c c
21 12 11 22
c 11
V
c q cb
i c = 21 i e + I CO (1 − e KT )
c11
Factor α:
dic
α =−
die
Se observa:
C 21
α =−
C11
vcb
q
ic = −ie + I CO (1 − e kT
)
Además:
I c + I b + I e = 0, es decir I e = −( I c + I b )
I c = α (I + I b ) + I co 1 − e kT
qVcb
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
(1 − α )I c = α (I b ) + I co 1 − e kT
qVcb
α I co qVcb
Ic = I b + 1 − e kT
1−α 1−α
Factor β:
I co qVcb
I c = βI b + 1 − e kT
1−α
pero:
α
β=
1-α
β
α=
1+ β
1+ β β
1−α = −
1+ β 1+ β
1
=
1+ β
1
= 1+ β
1-α
luego:
qVcb
I c = β I b + (β + 1)I co 1 − e kT
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
qVcb
e kT →0
I c = β I b + (β + 1)I co
Siendo esta última relación la más satisfactoria para describir el comportamiento de las corrientes en
todo transistor de juntura.
Apoyándonos en las relaciones analíticas anteriores, podemos expresar ie, tal que:
ie = −( β + 1)( I c 0 + I b )
Finalmente debemos asegurar que en zona activa la corriente de corte de colector, es muy despreciable
respecto de βIb, entonces:
Ic = β Ib
lo cual, es bastante cómodo y útil de aplicar en la práctica de circuitos sobre la base del TBJ.
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
POLARIZACION Y ESTABILIDAD
¿ Cuales son los valores más adecuados de tensión y corriente para que nuestro transistor trabaje correctamente en zona
activa ?
Existe un punto único, presente en las características de entrada y salida, denominado Punto Q o punto de trabajo.
Para ubicarlo debemos tener en cuenta el comportamiento estático del transistor, es decir, sin la
presencia de señales de entrada.
El TBJ:
IC
IB ←
→ VCE
VBE
E N P N C
- +
+ -
B
D1 D2
E+ _C
+ B -
Análisis:
Recta de carga para malla de entrada: Recta de carga para malla de salida:
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
La desventaja es que mientras mayor VBB entonces mayor Iba, luego el transistor se satura.
En el FET:
RD
IG RG
VDS VDD
VGS
VGG ID
Malla de entrada:
VGG+RGIG+VGS=0
VGS=VGG
Malla de salida:
1 V
ID = - VDS + DD
RD RD
De la ecuación de Schottky
2
V gs
I d = I dss 1 − Del fabricante debemos conocer: Vp y Idss
V
p
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
id=f(vgs)
Circuitos de Autopolarización
En el TBJ:
IC IC
←
IB → VCE I
→
B
VCE
VBE
VBE
Malla de entrada
VCC − VBE − Rb I B = 0
1 V
I B = − VBE + CC
Rb Rb
V
⇒ I B ≈ CC = I BQ
Rb
VCC
β I BQ = I CQ = β
Rb
luego:
VCEQ = VCC − Rc I CQ
RV β Rc
VCEQ = VCC − β c CC = VCC 1 −
Rb Rb
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
En el FET:
RD
IG RG
VDS VDD
VGS
RS ID
Malla de entrada:
VGS
RG I G + VGS + RS I D = 0 ⇒ I D = -
RS
⇒ I D = f (VGS )
Malla de salida:
VDD=VDS+(RD+RS)ID
1 V DD
I D = − V DS + Recta de Salida
RS + R D (R D + RS )
De la recta de salida debemos obtener directamente VDS, pues conocemos IDQ y VGSQ, es decir:
VDSQ=VDD-(RS+RD)IDQ
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
En los dos circuitos anteriores Rb debía soportar toda la corriente que circula por ella, incluso
mientras mayor es la polarización mayor será, llegando posiblemente a salirse de la zona activa. Para
evitar tal situación se propone el siguiente circuito.
IC I
←C
IB
→ VCE
VCE
VBE VBE
IC
←
IB
→ VCE
VBE
R2
Vth = Vcc ; R th = R 1 // R2
R1 + R2
Malla de entrada:
dado que:
I E = -( I B + I C )
IC = β I B
entonces:
de donde:
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
Además:
Vth - VBEQ
I CQ = β
Rth + (β + 1)R E
Malla de salida:
− VCE − RC I C + VCC + R E I E = 0
VCC − RE (I B + I C ) − RC I C − VCE = 0
Vth − V BEQ
VCEQ = Vcc - [(β + 1)RE + β RC ]
Rth + (β + 1)R E
Observación:
β RC + (β + 1)RE
VCEQ ≈ VCC −
(β + 1)RE
β >> 1 ⇒
R + RE
VCEQ ≈ VCC − C (Vth − V BEQ )
RE
es decir:
R
VCEQ ≈ VCC − 1 + C Vth
RE
En los FET:
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
RD
IG RTH
VDS VDD
VGS
VTH RS ID
Malla de entrada:
VTH=VGS+RSID
1 v
ID = − v gs + GG
RS RS
R2
VTH = VDD
R1 + R 2
Malla de salida:
VDSQ=VDD-(RS+RD)ID
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
La idea general es mantener el punto Q fijo. Ya sea por sustitución del elemento activo o
por modificación en las condiciones ambientales. Debido a lo anterior, el punto Q es crítico,
principalmente en los TBJ, por: Variaciones de la corriente de corte de colector y la Tº. En los FET,
no sé realizar este análisis, debido a las notables características de estabilidad que exhiben.
Al aumentar la Tº, las variaciones de la corriente Ico y β aumentan, en cambio las variaciones de Be
disminuyen. Además, se puede comprobar que:
Si T º 〉 ⇒ R >
⇒ I's 〈
∆I ∆I C
β = C =
∆I B ∆ (∆I B )
∴ β〉
I C - βI B 〈
I CO =
β +1 〈〈
Factores de estabilidad
Para medir la variabilidad del punto de reposo se definen los siguientes factores:
El análisis se basa en representar la Ic en el punto Q como una función de las variables I co , Vbe y β
Analíticamente:
dI CQ ∆I CQ
SI = =
dI CO ∆I CO
dI CQ ∆I CQ
SV = =
dV BE ∆VBE
dI CQ ∆I CQ
Sβ = =
dβ ∆β
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
Un circuito será estable cuando su factor de estabilidad sea menores, por lo cual, el punto de trabajo no
debería sufrir variaciones.
+VCC
RC
R1
β
D
R2 RE
RC
R1
β
D VCC
VCC
R2 RE
Vγ
Se debe obtener un equivalente Thevenin visto desde el terminal base, tal que:
VTh − V BE
I BQ =
RTh + ( β + 1) RE
Vcc R2 + Vγ R1
VTh ≡
R1 + R2
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
d I CQ 1 dVγ dV BE
≅ β( − )
dT RTh + ( β + 1) R E dT dT
Es decir, deben ubicarse un diodo y un transistor que cumplan lo mas fielmente dicha situación, por
ejemplo:
Transistor Diodo
Vbe V
γ
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
+ VCC
RC
β
VBE
VBB
VBE VCE
VCEQ
VBEQ
t t
IB IC
IBQ
ICQ
t t
+ VCC
RC
β
VBE
VBB
Vi(t)
Si las variaciones de entrada son tales que Vbe aumenta, entonces Iba también aumenta, por lo tanto, Ic
también aumenta, igualmente la tensión RcIc aumenta, pero: Vce disminuye.
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
Si la variación de entrada hace disminuir el VBE, entonces ocurrirá lo contrario. Las variaciones
(de las gráficas) anteriores pueden asumirse como:
Vi(t) VCE
VCE
t
VBE IC
VBEQ
ICQ
t t
Se puede apreciar que c/u de las variables posee una componente continua y otra alterna.
Dada la existencia de diferentes componentes de señal (continua y alterna), se hace necesario definir el
circuito de carga ante variaciones de señal alterna. El elemento idóneo para actuar como separador de
tales variaciones, resulta ser el condensador electrolitico.
+ VCC
RC
Cc
β RL
VBE
La misión del condensador es transmitir la señal amplificada, a la carga. Para tal efecto deberá ocurrir
que su reactancia a la frecuencia de señal, resulte ser pequeña respecto de la carga RL. Por lo anterior se
les denomina Condensadores de Paso. Además, el condensador deberá bloquear en todo momento a las
componentes de corriente continua (CC), debido a que en este caso su reactancia Æ +∞
1
Xc =
wC c
Si w → 0
⇒ XC → ∞
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
De lo anterior se deduce que las componentes alternas y continuas circularan por distintos elementos
del circuito, observar la red de salida de nuestro amplificador:
En CC En AC
+VCC
RC RC
C
β β RL
En CC:
VCC=VCEQ+RCCICQ
En AC:
Dada las variaciones en torno al punto Q; y si consideramos las variaciones de amplitud tanto de ic
como de vce, entonces:
Ic
←
Vce Rac V0
Observe la gráfica:
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
ic
Recta a.c
icmax
Recta c.c
ICQ Q
Observación:
Para garantizar una amplificación lineal y de máxima excursión simétrica, debe cumplirse que:
VCEQ=RacICQ
VCC
I CQ =
Rac + Rcc
La que resulta ser muy útil para analizar circuitos con máxima excursión simétrica de salida.
Condensador en Emisor:
Al existir una resistencia en el terminal de emisor, no podríamos decir que dicha configuración es en
emisor común (note el caso de la red de polarización universal y otras configuraciones).
Para permitir que el emisor sea un punto del potencial nulo, se incluye un condensador electrolitico Ce,
el cual, presenta una reactancia baja frente al valor de la resistencia vista en emisor, es decir, Ce debe ser
tal que la resistencia vista desde el emisor sea nula (corto circuito), y debe ser facilitado a la frecuencia
de señal.
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
Al amplificar pequeñas señales, las variaciones (tensiones y corrientes involucradas) fluctuaran dentro de
un reducido rango en torno al punto Q. Con ello, nos aseguramos de trabajar en zona lineal (no
distorsionando las salidas).
Pequeña Señal
Desde el punto de vista de los terminales el transistor equivale a una red bipuerta.
Ii
→ Transistor ← Io
Vi Vo
Toda red bipuerta se puede caracterizar por un conjunto de parámetros. Estos dependen del tipo de
variable independiente que seleccionemos, entonces:
Parámetros Z:
Vi Z 11 Z 12 I i
=
VO Z 21 Z 22 I O
Los parámetros ( elementos de la matriz ), se miden individualmente realizando corto circuito o circuito
abierto a los terminales de la puerta de interés.
Vi = Z 11 I i + Z 12 I O
VO = Z 21 I i + Z 22 I O
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
Vi
Z 11 = I =a Impedancia de entrada : Z i
Ii o
Vi
Z 12 = I =o Impedancia de transmisión inversa : Z r
IO i
VO
Z 21 = I =a Impedancia de transmisión directa : Z f
Ii o
VO
Z 22 = I =0 Impedancia de salida : Z O
IO i
resulta:
Ii Zi Z0 I0
Vi ZrI0 ZfIi v0
Parámetros H:
Se definen:
Vi = hi I i + hrVO
I O = h f I i + hOVO
Vi
hi = Impedancia de entrada
I i Vo=0
V
hr = i I =o Ganancia de tensión inversa
VO i
I
h f = O V =0 Ganancia de corriente directa
Ii o
I
hO = O I =0 Admitancia de salida
VO i
1 1
→ Impedancia de salida → Impedancia de salida
h0 h0
resulta:
Ii hi i0
Parámetros Y:
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
I i Y11 Y12 vi
=
I 0 Y21 Y22 v0
I i Y11vi + Y12 v0
=
I 0 Y21vi + Y22 v0
Ii
Y11 = V =0 Admitancia de entrada = Yi
Vi o
Ii
Y12 = V =o Transconductancia inversa = Yr
VO i
I0
Y21 = V =0 Transconductancia directa = Y f
Vi o
IO
Y22 = V =0 Admitancia de salida = Y0
VO i
1
Admitancia de entrada
Yi
1
→ Admitancia de salida
Y0
Resultando la red:
Ii i0
Debido a que el TBJ es un dispositivo controlado por corriente, resulta altamente conveniente utilizar
los parámetros h (permite describir con más detalle sus cualidades dinámicas). En cambio, en los FET y
debido a que el control es por tensión, utilizaremos los parámetros Y.
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
Ib h ie ic
Donde: ib
Vbe ∆Vbe
hie = = =
V
I b ce 0 ∆I b Vce =Cte
m=1/hie
Equivale a la resistencia dinámica del Diodo JE
vbe
26 mV
hie = Válido solamente para Tº ambiente. Por lo general hie esta comprendida en el orden de
I BQ
los KΩ.
V ∆V
h = be I =0 = be
I =Cte
re V ∆V Valor de pequeña magnitud.
ce b ce b
I ∆I
h = c V =0 = c V =Cte Equivalente dinámico de β.
fe I ∆I
b ce b ce
I ∆I
h = c I =0 = c
oe V ∆V
ce b ce Es la pendiente de la curva característica de salida.
1
∴ →∞
h
oe
Ib h ie ic
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
Aplicación
Para el siguiente circuito, determinar la ganancia de tensión (AV), la ganancia de corriente(AI), y las
impedancias de entrada y de salida (Zin, Zout).
+VCC
R1 RC
Cc
β
RL V0
Vi(t) VBE
R2 RE CE
El equivalente en AC será:
Vbe RL//Rc v0
vi(t) R1//R2
Vo = - h fe I b (RC //R L )
Vi
pero, I b =
hie
Vo h fe
Av = =− (Rc // RL )
Vi hie
para la corriente:
Rc
I O = - h fe I b
R
c + R L
Vi Rc
= − h fe
hie RL + Rc
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
Vi
= (R1 R2 )h fe
Ii
Rc
I O = −h fe [R1 R2 ] hie I i
R
c + R L
IO hie R 1 R2
Rc
= − h fe I b
Ii hie Rc + RL
R1 R2 Rc
Ai = −h fe
h
ie + R1 R 2 Rc + R L
Ii Ib h ie
Vi R1//R2
Zin
Vi
Zi = Î Z in = hie // R1 // R2
I1
Z out = Rc
RC RL
Zo ut ZTotal
id
ig vds
vgs
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
Y11=0
Y12=0
id ∆i
Y21 = |
v gs ds
v = 0
= d |
∆v gs vds =ctte
la cual equivale a la pendiente de la curva id=f(vgs), y se denomina transconductancia directa del FET: gm. Su
rango típico de valores va de 0.1 - 10 [mA/S]
Notar que gm no permanece constante es una entidad puntual. Su valor lo podemos determinar
directamente de la ley de Shottkley, según:
∂i d
gm =
∂v gs
Entonces:
2
V gs
I d = I dss 1 −
V
p
∂ Id V gs − 1 V gs
= I dss 21 − , es decir : gm = 2 I dss 1 −
∂ V gs V V Vp V
p p p
V gs
g m = g mo 1 −
V
p
g mo = g m Vgs = 0
Id ∆I d
Y22 = Vgs = 0 = Vgs = cte
Vds ∆Vds
corresponde a la pendiente de la curva de característica de salida. Su valor reciproco corresponde a la
resistencia dinámica de dicha curva característica. En síntesis:
1
Y22 =
rd
⇒ rd → ∞
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
El parámetro rd resulta ser siempre de una resistencia elevada, típicamente: 500[KΩ], por lo cual, el
modelo simplificado resulta ser:
Aplicación:
+VDD
RD
R1 C
C
vds RL V0
vgs
Vi R2
En AC, tenemos:
Ii
+
Vi R1//R2 vgs g mvgs RD RL V0
- I0
Vo = − g mV gs RD //R L ,V gs = Vi
Vo = − g mVi RD // RL
V
Av = o = − g m RD // RL
Vi
R1\\R2 RL Vo
Vi Vgs gmVgs rd//R
Vo = − ( rd // R D // R L ) g mV gs
= − ( rd // R D // R L ) g mVi
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
Vo
Av = = − g m (rd // R D // RL )
Vi
C β RC
+ VCC V0
RE RL
Vi R1
R2 C
En AC, tendremos:
RE RC RL V0
Vi
Ie hib ic
Primeramente tendremos que caracterizar c/u de los parámetros de esta nueva interconexión. Lo cual,
por experiencia, puede resultar altamente confuso debido a la gran cantidad de configuraciones posible.
Para evitarlo utilizaremos como denominador común en los TBJ a la configuración EC, y en los FET,
será la configuración fuente común.
hie Ib Ic
hfe Ib
Ahora bien, aplicando esta metodología, el circuito amplificador en base común, será:
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
h feib
RE h ie RC RL V0
Vi
ib i0
VO = -h fe I b (Rc RL )
− Vi
pero, I b =
hie
VO h fe
Av = = (Rc RL )
Vi hie
Rc
I O = − h fe I b
Rc + R L
I i = i1 − (1 + h fe )I b
I i = i − (1 + h fe )I b
V
Re
− hie I b
⇒ Ii = − (1 + h fe )I b
Re
h fe + Re (1 + h fe )
⇒ I i = −I b
Re
IO Ib
Ai =
Ib Ii
Rc Re
Ai = −h fe
h + R (1 + h )
Rc + R L ie e fe
C S D RD
+ VDD V0
RS G RL
Vi R1
R2 C
En AC:
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
S D
RS G RD RL V0
Vi
RS vgs RD RL V0
Vi +
i0
v0 = − g m v gs RL // RD
v gs = −vi
Av = g m R L // RD
Z out = RD
Z in :
vi
ii + g m v gs =
RS
v
ii − g m v i = i
RS
ii 1
− gm =
vi RS
1
Z in = // RS
gm
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
+VCC
R1 RC
Cc
β
C
Vi(t) VBE
R2 RE V0
RL
En AC:
ii
vi(t) R1//R2
RE RL V0
io
h feib
i b h ie
V0
vi(t) R 1//R 2 RE RL
io
Av:
v0 = R L // R E (1 + h fe )ib
Para determinar ib, conviene obtener un R equivalente tal como se aprecia en la figura:
h feib
i b h ie
V0
vi(t) R 1//R 2 RE RL
Usamos una tensión y corriente de prueba que nos permita determinar la R equivalente, tal que:
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
VP
Req =
IP
h feib
IP
VP RE RL
i = i1 + i2 + i3
V V
i1 = P ; i2 = −hfe i; i3 = P
RE RL
entonces:
VP V
i= − hfe i + P
RE RL
1 1 V
i (1 + hfe ) = E + ⇒ Req = P (1 + hfe )RE R L
RE R L I
ib h ie
finalmente, ib es:
Vi
Ib =
hie + (1 + h fe )RE RL
también sirve:
(R 1 R2)
I b = ii
(R 1 R 2 ) + h ie + (1 + h fe )(R E R L )
Vo (RE RL )(1 + h fe )
Av = =
Vi hie + (1 + h fe )(R E R L )
Determinación de Ai:
RE
I o = −(1 + h fe )I b
RE + RL
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
io RE (R 1 R 2 )
Ai = = −(1 + h fe )
ii R E + RL h ie + (R 1 R 2 ) + (1 + h fe )(R E R L )
Determinación de Zin:
h ie
Determinación de Zout:
h fei
i h ie
V0
R 1//R 2 RE RL
Zo ut
h fei
i h ie IP
R 1//R 2 RE VP
Zo ut
I P = i1 + i2 + i3
VP h fe V
i1 = ; i2 = -h fe i3 = ; i3 = P
RE hie hie
V h feVP VP
IP = P + +
RE hie hie
VP 1 + h fe
IP = + VP
RE h
ie
IP 1 (1 + h fe )
= +
V P RE hie
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
Por lo tanto:
(1 + h )fe
Z out = RE
hie
+ VDD
C
C D
G
C
Vi S
RG RS V0
En AC:
D
G
Vi S
RG RS V0
V0
RS
ordenando:
+Vgs -
g mvgs rd RS V0
Vi RG
Vo = (Rs rd )g mV gs
Vi = V gs + Vo
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
Vo = (Rs rd )g m (Vi − Vo )
V0 = (1 + Rs rd g m ) = Rs rd g mVi
tal que:
Vo Rs rd g m
= Av =
Vi 1 + Rs rd g m
Rs g m Rs
Av rd →∞ = =
1 + Rs g m 1
+ RS
gm
Determinación de Zin:
Z in = R g
Determinación de Zout:
- g mvgs rd RS V0
Vgs
+
Zout
- g mvgs rd //RS
Vgs VP
+
I P = I1 + I 2
VP
I 1 = − g mV gs I2 =
Rs rd
V gs = −V P
VP 1
⇒ I P = g m VP + = VP g m +
R s rd R s rd
IP 1 1 1
= = +
VP Z out R s // rd 1
gm
1
Z out = R s // rd //
gm
64
CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
Notar que:
1
Z out r →∞ = Rs //
d gm
Vds
Vgs
Vi Rg RS RL
1
Vo
RS 2
La Autopolarización se efectúa por medio de una parte de RS=RS1+RS2, ésta acción permite reflejar una
mayor impedancia de entrada, permitiendo por lo tanto, aprovechar mejor las características de alta
impedancia que exhibe todo FET y sin utilizar un valor elevado para Rg.
En A.C.
gmVgs
Vgs
Vi Rg i Rs 1 R Vo
i1
Rs 2
Vo = (Rs R L )g mV gs
− Vi + R g i + Rs2 (i1 + i ) = 0
RL
( )
Vi = R g + Rs2 i + Rs2 gmV gs = 0
Rs + R L
- Vi + Vgs + R s1 i1 + R s 2 (i1 + i ) = 0
- Vi + Vgs + R s i1 + Rs2 i
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
RL
Vi = Vgs + R s g mV gs + Rs2 i
R L + Rs
RL RL
V gs + Rs g mV gs ( )
+ Rs2 i = R g + Rs2 i + Rs2 g mV gs
RL + Rs RL + Rs
RL RL
V gs + Rs g mV gs + R g i + Rs2 g mV gs
RL + Rs R L + Rs
Rs2 R L
V gs + g mV gs (Rs R L ) = R g i + g mV gs
R L + Rs
− Rs2 R L
Rg i = g mV gs + (Rs R L )g mV gs + V gs
R L + Rs
Se obtiene:
g mV gs R R
i= R s R L − s2 L + 1
R g RL + Rs g m
luego:
Vi
Z in =
i
1
R g + (R L // Rs )
Z in = gm + Rs
1 R R
L s2
2
R L // Rs + −
g m Rs + R L
(R s + R L )
Rs1 RL +
(
R g = Z in − Rs2 ) gm
R + R + (R L + R s )
L s
gm
66
CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
TRANSISTORES DE POTENCIA
En todo amplificador multietapa transistorizado, las ultimas etapas son de potencia. Dichos transistores
deben tener una mayor capacidad para las corrientes es decir, no serán transistores para pequeña señal.
Por lo anterior, existirá una mayor variación respecto del punto Q ( sobre todo Icq ), lo que implica:
26 mV
En pequeña señal hie, puede presentarse en torno a:
I bq
Ahora:
∆v be v be 2 − vbe1
hie = vce = ctte =
∆i b ib2 − Ib1
la práctica en potencia es trabajar con el menor valor posible dentro del rango de operación.
1
3. El parámetro hoe ya no se puede despreciar, ≈ 1k Ω
hoe
CLASES DE OPERACIÓN
Los transistores de potencia se clasifican dé acuerdo con la parte del ciclo de señal senoidal de entrada y
durante el cual circula corriente por la carga.
Clase A:
El transistor trabaja los 360º, estará en zona activa. Los circuitos para este tipo de amplificador serán los
mismos que utilizamos en pequeña señal con las diferencias obvias, que habrá señales grandes y
potencias elevadas ( mayor de 1 Watt ).
Clase AB:
La corriente circula durante más de medio ciclo, sin llegar al ciclo completo.
67
CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
Clase B:
Generalmente para una mayor eficiencia se utilizan 2 amplificadores trabajando en clase B, uno para
cada ciclo (positivo y negativo).
Clase C:
POTENCIA Y EFICIENCIA
V I
P o o
η =
P
AC =
P
Po
= rms
P
rms
DC DC DC
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
V peak
V RMS =
2
I o peak
I oRMS =
2
PDC = Vcc I cq
V I
peak o
η= peak
V I
1
2 cc cq
I o peak = I cq
VCC
V peak =
2
V
CC
η=
2I
cq 1
2 V I
cc cq
1
=
4
η = 25%
Observación:
⇒ η disminuye
Vcc
Sí, Vceq ≠
2
Considerando dos transistores, uno trabajando para cada ciclo (positivo y negativo):
69
CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
+ VCC1
Vi V0
-VCC2
imax
VCC
Distorciones
P =V I , pues I ≈ 0
DC cc DC cq
Ic
∴ I DC = máx
π
2Vcc I c
PDC ( total )= máx
π
I peak V peak Ic V
Po = = máx cc
2 2
luego:
70
CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
Ic V
máx cc
η= 2
2Vcc I c
máx
π
π
= ( 78%)
4
Es decir clase B con doble circuito, es mucho mejor. Equivale a un clase A, pero con un rendimiento
superior al 75%.
Con el fin de aumentar la potencia máxima disipada, se dispone de un mecanismo tipo aleta, lo cual,
permita conducir el calor en dicho mecanismo, la idea es irradiar lo más rápidamente el calor disipado
a una superficie lo más grande posible.
Los transistores para potencias muy elevadas, presentan el colector directamente conectado al chasis,
por lo tanto, el escape del calor es más rápido aún y fácil de conducir.
+VCC
R1 L
Cc
β
RL V0
Vi(t) VBE
R2 RE CE
En continua:
71
CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
Rth
VBE VCC
Vth RE
Por ser transistor de potencia Ic es grande y Iba por lo menos 50 veces menor, luego también es posible
aproximar : IE≈ -IC
V =V −R I
cc ceq E E
=V + R I
ce E c
1 V
I = − V + cc ; Recta de salida
c R ce R
E E
Notar que debemos lograr una alta Ic, es decir, deberá ocurrir que RE sea pequeño, lográndose con
ello: Vce → VCC
ic
Vcc v ce
En AC:
∆ Vce RL
∆ iL
∆V = R ∆I
ce L L
∆Vce = − R L ∆I c
(
Vce −Vceq = − R L I c − I cq )
Para mss de salida:
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CAPITULO II ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
si : vce = 0 ⇒ ic = 2 I cq
es decir,Vceq = RL I cq
reemplazando :
vce - Vceq = -RL (I c - I cq )
vce = 2Vceq - R L Ic
1 2Vceq
Ic = − vce +
RL RL
pero:
Vceq ≈ VCC
1 2V
Ic = − vce + cc ; Recta de Carga Alterna
RL RL
Graficando:
iC
2Vcc/RL
Vcc/RL Q
El rendimiento será:
V I
η =
2V I
p p
cc cq
V I
cc cq
=
2V I
cc cq
1
=
2
∴η = 50%
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