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VDD
• La soluzione preferita nei circuiti
L
integrati a microonde (almeno fino a
30 GHz circa) è quella concentrata Æ
C
ingombro e larghezza di banda
• Limitazione: difficile realizzare
induttori concentrati di valore elevato
e larga banda e condensatori MIM
oltre 100 pF
C • Spesso è necessario utilizzare
condensatori in chip esterni e
induttori esterni Æ elevati valori
richiesti a L e C.
Soluzione sfavorevole se il
progetto è ad anello aperto
Le resistenze sono
componenti rumorosi:
non inserirle in ingresso
nei circuiti a basso rumore
R2 stabilizza anche
il dispositivo in banda
( )
si puo’ aumentare riscalando, ma
R2 = R0 1 + S 21 f (0) anche la RDS diminuisce….
⎡ − j 1⎤
⎢ 0 0 ⎥
2 2
⎢ ⎥
⎢ 1 − j⎥
ZL ⎢ 0 0 ⎥
2 2
S = ⎢ ⎥
⎢ − j
0 ⎥⎥
1
⎢ 0
2 2
⎢ ⎥
⎢ − j
0 ⎥
1
0
⎢⎣ 2 2 ⎥⎦
ZL
ZL − j 1 Γ Γ
b1 = a3 + a 4 = − j L b3 + L b 4 = 0
2 2 2 2
− j
b3 = a1 ( a 2 = 0 )
La porta 1 è adattata se 2
i due dispositivi sono identici b4 =
1
a1 ( a 2 = 0 )
in tutta la banda dell’accoppiatore 2
Laurea Specialistica in Elettronica – Indirizzo Wireless – Elettronica delle Microonde 27
Ampilificatore bilanciato: adattamento
Il dispositivo è descritto
mediante i parametri scattering
- - - -
Amplificazione |S21|
• L’amplificatore
bilanciato funziona
correttamente solo
– se i due dispositivi
sono identici
– a banda non
larghissima
• Ulteriori reti di
adattamento posso-
no bilanciare le non
idealità
•PHEMT InGaAs/GaAs
Fujitsu
•40 Gbps, 6 Vpp
Laurea Specialistica in Elettronica – Indirizzo Wireless – Elettronica delle Microonde 42
Esempio di DAMP cascode - II
adattamento energetico
in ingresso
• ove:
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