INSTITUTO TÉCNICO LUIS BOGRAN

Laboratorio de Electrónica

FET y MOSFET

Nombre: Habny Isai Aguilera

Profesor: Danilo Espinal

Curso: III BTI

Grupo: 6 (Martes)

Fecha: 12/04/2011
 MOSFET

Funcionamiento

El transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas
de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer
una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor. Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos
fundamentales dependiendo de cómo se haya realizado el dopaje:

 Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n.

 Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.

Las áreas de difusión se denominan fuente (source), drenador (drain), y el conductor entre ellos es la puerta
(gate).

El transistor MOSFET tiene tres estados de funcionamiento:

Estado de corte

Cuando la tensión de la puerta es idéntica a la del sustrato, el MOSFET está en estado de no conducción:
ninguna corriente fluye entre fuente y drenador. También se llama mosfet a los aislados por juntura de dos
componentes.

Conducción lineal

Al polarizarse la puerta con una tensión negativa (pMOS) o positiva (nMOS), se crea una región de deplexión en
la región que separa la fuente y el drenador. Si esta tensión crece lo suficiente, aparecerán portadores
minoritarios (electrones en pMOS, huecos en nMOS) en la región de deplexión que darán lugar a un canal de
conducción. El transistor pasa entonces a estado de conducción, de modo que una diferencia de potencial
entre fuente y drenador dará lugar a una corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada
por la tensión de puerta.

Saturación

Cuando la tensión entre drenador y fuente supera cierto límite, el canal de conducción bajo la puerta sufre un
estrangulamiento en las cercanías del drenador y desaparece. La corriente entre fuente y drenador no se
interrumpe, ya que es debido al campo eléctrico entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de
potencial entre ambos terminales.
 Aplicaciones

La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS, consistentes en el uso de
transistores pMOS y nMOS complementarios. Véase Tecnología CMOS

Las aplicaciones de MOSFET discretos más comunes son:

 Resistencia controlada por tensión.

 Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc.).
 Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

Ventajas

La principal aplicación de los MOSFET está en los circuitos integrados, p-mos, n-mos y c-mos, debido a varias
ventajas sobre los transistores bipolares:

 Consumo en modo estático muy bajo.

 Tamaño muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra).
 Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.
 Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedancia de entrada
muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de los nanos amperios.
 Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva.
 La velocidad de conmutación es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos.
 Cada vez se encuentran más en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja poten

Símbolo del MOSFET

Tipo N Tipo P
 FET
Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así porque la conducción tiene lugar
gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran
utilidad en gran número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de
entrada bastante baja. 

Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los
que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.

Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó n, llamada canal, rodeada en
parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unión p-n.

En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-
source), más una conexión llamada puerta (g-gate) en el collar.

 
 Símbolos gráficos para un FET

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Funcionamiento 

El funcionamiento del FET se basa en la capacidad de control de la conductancia del canal por parte de la tensión de
puerta y, como la unión puerta-canal se encuentra siempre polarizada inversamente, el FET es por esencia un elemento
de alta impedancia de entrada.
El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente
en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequeña en comparación con la que
circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, además, presentan un comportamiento
capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el análisis y diseño de circuitos.

Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son también de dos tipos: canal
n y canal p, dependiendo de si la aplicación de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de
conducción o no conducción, respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados extensísimamente
en electrónica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.

Con los transistores bipolares observábamos como una pequeña corriente en la base de los mismos se controlaba una
corriente de colector mayor. Los Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en los que la corriente se controla
mediante tensión. Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la
tensión aplicada a la entrada. Características generales:

*Por el terminal de control no se absorbe corriente.

*Una señal muy débil puede controlar el componente

*La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico.

Este fue el primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de
tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo
tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre
sí, se producirá una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensión positiva
entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos
corriente de drenador con polarización cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de
estrangulamiento, cesa la conducción en el canal.
El  FET controla la corriente en función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.