Método de Elementos Finitos - Teoría de Campos

Versión 14/09/04
127$662%5((/0(72'2'((/(0(1726),1,726)(0

Este método constituye un método numérico destinado a resolver mediante

ecuaciones matriciales las ecuaciones diferenciales que se plantean en
sistemas discretos (estructuras) o continuos (campos).

Actualmente, se considera al método de las Diferencias Finitas como una

subclase del método de los Elementos Finitos y de hecho se puede demostrar
[Silvester-Chari] que el método FEM se reduce al método DF cuando las mallas
son regulares.

Las aplicaciones actuales del método son muy extensas e incluyen sistemas
lineales y no lineales, estáticos, dinámicos tales como Mecánica de Sólidos,
Teoría de la Elasticidad, Mecánica de Fluidos, Transmisión de Calor y
Electromagnetismo.

En el caso de sistemas contínuos, el método consiste en discretizar el dominio

de interés en Elementos Finitos y resolver, mediante una función de prueba o
de aproximación, la ecuación que rige el sistema en cada EF para luego sumar
todas las soluciones.

ELEMENTOS
FINTOS
Diferencias
Finitas

Figura N°1

Dado un recinto cerrado los pasos para la resolución son:

1) Dividir el recinto en Elementos Finitos: Triángulos (3 nodos), Tetraedros (4

nodos), etc.
2) Deducir la ecuación que describe el potencial f dentro de un EF.
3) Plantear las ecuaciones que dan las condiciones de ajuste de las soluciones
en las fronteras de los EF.
4) Calcular los potenciales en los nodos de cada EF mediante algunos de los
métodos que luego de mencionarán.
5) Resolver las ecuaciones algebraicas planteadas.

*HQHUDFLyQGHORV(OHPHQWRV)LQLWRV

- Los contornos pueden ser irregulares

- Los EF serán tan chicos como lo considere el programador. Cuanto más
varía el potencial, los EF deberán ser más chicos.

Supongamos una simetría plano-paralela: dentro de cada EF se admite una

tipo de variación del potencial, por ejemplo, lineal:

1
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k(xk,yk)
fe(x,y)

i(xi,yi) j(xj,yj)

Figura N°2

Llamando “e” al elemento finito, el potencial dentro de él será f ( [, \ ) ,

entonces, para todo el recinto, se cumplirá:

Êf


f ( [, \ ) =

 ( [, \ ) [1]


1

Aclaremos que la variación supuesta del potencial dentro del EF podría haber
sido No Lineal.

Tomemos un única elemento finito triangular plano y analicemos como describir

el potencial dentro de él:

y f3(x3,y3)

Superficie
“Am”

f1(x1,y1) em
y1

f2(x2,y2)

x
x1
Figura N°3

Entonces:

( [, \ ) = b 1  + b 2  [ + b 3  \
   
f  (x, y en em) [2]

donde
b1 , b 2 , b 3
  

son constantes diferentes para cada elemento

2
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Esta sería una aproximación de primer orden. Existen otras aproximaciones de

orden superior. Los b son coeficientes a determinar luego.

Notemos que el campo eléctrico dentro del cada EF es cte (para la variación
lineal del potencial propuesta):

( [, \ ) = -¶f ( [, \ ) = - b 2 [ + b 3 \
 
( [3]
( (

Ahora tenemos que seguir 2 caminos diferentes para resolver el problema:

1° Calcular los potenciales de los nodos de los EF dentro del recinto, a partir de
las condiciones de borde. Esto se efectúa mediante cálculos variacionales (ver
más adelante) u otros métodos como el Método de los Residuos ponderados
de Gaerlekin.

2° Calcular los factores b, una vez calculados los potenciales.

Para un EF solo, esto significa primero calcular los potenciales de los nodos
f1, f2, f3 y luego calcular los factores b1, b2, b3.

&DOFXORGHORVIDFWRUHVGHIRUPD

Mostremos primero el segundo punto. Para eso, supongamos conocidos (por

ahora) los potenciales f1, f2, f3 del elemento.

De aquí en más no se escribirán los superíndices em para no recargar la

notación (salvo cuando sea necesario para evitar confusiones), pero el lector
no debe olvidarse que estos cálculos valen para cada elemento finito.

Evaluando la expresión [2] en los vértices del triángulo:

f  ( [1 , \1 ) = b1 + b 2 [  + b 3 \ 

f ( [ 2 , \ 2 ) = b1 + b 2 [ + b 3 \ [4]
f ( [ 3 , \ 3 ) = b1 + b 2 [ + b 3 \
  

Si i, j, k son 1, 2 ,3 tenemos:

f1 ( [1 , \1 ) = b1 + b 2 [1 + b 3 \1

f 2 ( [ 2 , \ 2 ) = b1 + b 2 [ 2 + b 3 \ 2 [5]
f 3 ( [3 , \ 3 ) = b1 + b 2 [3 + b 3 \ 3

de manera que, en forma matricial:

Î1 [1 \1 Þ Î b1 Þ
[f ] = ÏÏ1 [ 2 \ 2 ßß.ÏÏ b 2 ßß [6]
ÏÐ1 [3 \3 ßà ÏÐ b 3 ßà

3
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despejando b1, b2, b3:

Î b1 Þ Î1 [1 \1 Þ Îf1 Þ
 1

Ï b ß = Ï1 [ \ 2 ßß .ÏÏf 2 ßß
Ï 2ß Ï [7]
ÏÐ b 3 ßà ÏÐ1 [3 \3 ßà ÏÐf 3 ßà
2

Este despeje será posible (solución única) si el determinante:

Î1 [L \L Þ
2 $ = ÏÏ1 [ M \ M ßß ž 0 [8]
ÏÐ1 [N \ N ßà

donde A es el área del EF.

reemplazando en [2] tenemos:

b1 =
1
(
D L .f L + D M .f M + D N .f N )
( )
2$
b2 = EL .f L + E M .f M + EN .f N
1

( )
2$
[9]

b3 = FL .f L + F M .f M + FN .f N
1
2$

donde:

D  = [ \  - [  \ 
E = \  - \  [10]
F  = [  - [

Las constantes a, b y c se obtienen por permutación cíclica de los subíndices.

Recuérdese que también estas constantes tienen el superíndices em (porque se
deben calcular para cada EF) pero no se han escrito para no complicar la
notación.

Para i=1, j=2 y k=3 tendremos, en forma matricial:

Î [ 2 \ 3 - [3 \ 2 [3 \1 - [1 \3 [1 \ 2 - [ 2 \1 Þ Îf1 Þ
f ( [, \ ) = [1 [ \]
1 Ï
\ 2 - \3 \3 - \1 \1 - \ 2 ßß.ÏÏf 2 ßß
2$ Ï

[11]
ÏÐ [3 - [ 2 [1 - [3 [ 2 - [1 ßà ÏÐf 3 ßà

donde “Aem” es el área de cada elemento finito “em” ya que los EF pueden ser
de distintos tamaños (en un mismo recinto). El determinante 2A nunca será

4
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nulo ya que representa el área de un triángulo por lo que la solución del
sistema [4] existe y es única

Finalmente, vemos que para este caso podemos expresar el potencial dentro
de cualquier elemento “em” en función de los tres potenciales de nodos como:

( [, \ ) = 1 1 ( [, \ ).f1 + 1 2 ( [, \ ).f 2 + 1 3 ( [, \ ).f 3

 
f [12]

Ê1
3
f ( [, \ ) = ( [, \ ).f 
  

 [13]

1
En forma matricial tendremos, en general:

f ( [, \ ) = 1 # ( [, \ ).f # + 1 " ( [, \ ).f " + 1 ! ( [, \ ).f ! = [ 1 ].[f ]

$
[15]

donde

[ 1 ] = [ 1 ' ( [, \ ) 1 & ( [, \ ) 1 % ( [, \ )]
(
[16]

Îf L Þ
[f ] = ÏÏf M ßß
H

ÏÐf N ßà

Las funciones 1  ( [, \ ) se denominan “Factores de Forma”. Son distintos para

cada tipo de elemento. El potencial dentro de cada EF queda así interpolado
por una función de interpolación [13] entre los potenciales de cada nodo del
triángulo.
* )
f+ son los potenciales de cada nodo del triángulo. Estos potenciales los
calcularemos en el párrafo que sigue a través de consideraciones energéticas
(cálculo variacional).

Cada Nj constituye la fracción con que el potencial de cada nodo del EF

contribuye al potencial en cualquier punto dentro del mismo EF. Se observa la
facilidad de programación.

Observen que estamos interpolando linealmente el potencial en todo el EF al

contrario que en el método de Diferencias Finitas, en donde sólo podíamos
saber los potenciales en los nodos de la malla (y luego interpolar, pero esto ya
no sería parte del método, como en EF). El método DF nos dá correctamente el
potencial en cada nodo de una malla regular pero el método FEM nos dá el
potencial “correcto” en todos los puntos del recinto, dentro de los errores de
aproximación, de interpolación, de elección de tamaño y tipo de EF, etc.

Escribamos explícitamente los factores de forma de manera general, para este

caso:

5
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D . + E . [ + F . \ . D - + E- [ + F - \ - D , + E, [ + F , \ ,
( [, \ ) = f + f +
/ 0
f f [14]
2$ 2$ 2$

&DOFXORGHORV3RWHQFLDOHVGHORVQRGRVSRUHO0pWRGR9DULDFLRQDO

Para calcular los fj de los nodos del triángulo vamos a pedir que la energía
dentro del EF sea mínima, es decir, vamos a elegir la solución de potenciales
f1, f2, f3 que haga mínima la energía dentro del EF y luego, dentro de todo el
recinto de cálculo. Esto se conoce como PpWRGRYDULDFLRQDO

Cuando buscamos el/los extremo/s de una función debemos derivar e igualar a

cero. Cuando aplicamos el método variacional lo que queremos encontrar es
toda una función que hace mínima una integral. Si tomáramos la integral que
nos da la distancia entre 2 puntos en el plano euclidiano ¿cuál sería la función
que se obtendría? Claramente, la función que hace mínimo ese integral es una
recta, la función lineal.

Tomemos el caso electroestático. La energía electroestática total en un

volumen “v” será la suma de la energía almacenada volumétrica (debida a
cargas volumétricas y a campos exteriores) más la energía almacenada debida
a la carga superficial:

8= × e( 2 GY + × rf GY + × sf GV
1
[17]
2

por otro lado, sabemos que, en simetrías plano-paralelas:

Ë ›f Û Ë ›f Û
2
( = -¶f à ( = Ì Ü + ÌÌ ÜÜ
2

Í ›[ Ý Í ›\ Ý
2
[18]

›f
s = '1 = e
›Q
[19]

reemplazando [18] y [19] en [17] nos queda:

8 = I (f ( [, \ )) [20]

en donde U es la “funcional” y f(x,y) es el “argumento de la funcional”.

Necesitamos encontrar los fj tal que U sea mínimo en cada EF y luego en todo
el recinto.

6
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Antes de ver cómo se lleva a cabo esto, recordemos las condiciones de borde
a utilizar:

Recinto

S2
S1

Figura N°4

S1, Condición de Dirichlet

f ( 6 2 ) = FWH. [21]

S2, Condición de Neumann

›f
= KÃs = K
›Q
[22]
2
2

es decir, un conductor con densidad superficial s=h.

Si h=0, tendremos la condición de Neumann homogénea (es la condición de

perpendicularidad con las equipotenciales de una línea de campo o de una
línea de simetría).

Importante: La condición de Dirichlet la tendremos que insertar como dato

dentro de nuestro procedimiento, pero la condición de Neumann homogenea
(llamada también en los libros Condición Natural) se satisface automáticamente
debido al procedimiento variacional (sin demostración, consultar las referencias
al final).

Tenemos que armar el “funcional” para este problema. Será:

e ÎË ›f Û Ë ›f Û r Þ
, (f ) = 3× ÏÌ Ü + ÌÌ ÜÜ + f ß GW - × K.f .GV
2 2

2 ÏÍ ›[ Ý Í ›\ Ý e ß
[23]
Ð à
4
2

Si los fj son los correctos, para pequeños df se cumplirá:

G, = 0

pero

7
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›,
G, = Gf
›f

entonces:

›,
= 0 , y esta es la ecuación que se debe resolver.
›f
[24]

En la ecuación [23] debemos introducir los potenciales en función de los

factores de forma que habíamos sacado antes, es decir:

Ê1
3
( [, \ ) = en , (f ) y luego derivar e igualar a cero.
6 6
Introducir f 5 8
7 ( [, \ ).f 7 5
7
1

Nos quedará un “funcional” , (f ) por cada EF y derivando:

9

›,
;=<

=0 [25]
›f :

más rigurosamente, las ecuaciones [23] y [24] se cumplen para cada uno de los
elementos en que se ha subdividido el recinto, entonces llamando fe al término
de fuente (J o r) y ke al término que tiene en cuenta el material (e, m)
tendremos:

ÎË › 3 > > Þ
ÏÌÌ Ê ÜÜ + ÌÌ Ê ÜÜ + I ? .Ê ß.GW ? - ×A K.Ê
Û Ë › 3 > > Û
×
N?
2 2

,? =
3 3
1? f? 1? f? 1 ? f? 1 ? f ? G6 [26]
> > > >

ÏÍ ›[ 1 Ý Í ›\ 1 Ý ß
A > > > >

Ð à
B B B B
C 2 1 @ 1
2

pero

Ê Ê
› 3 F F ›1 E F
F

=
3
1 f f E , ya que los f H G son constantes.
›[ E 1 E 1 ›[
D E E D

Derivando respecto del parámetro incógnita:

ÎË 3 ›1 L I I Û ›1 J Ë 3 ›1 L I I Û ›1 J Þ
ÏÌÌ Ê + ÌÌ Ê
›,
= ×N ß.GW + × I .1 J GW - × K .1 J G6 [27]
I I

f L ÜÜ f L ÜÜ
I
I I I I I I I I

›f J N M ÏÐÍ L O 1 ›[ Ý ›[ Í O 1 ›\
L
Ý ›\ ßà N M K M
2

Teniendo en cuenta que sólo los N dependen de x e y, y teniendo cuidado con

los subíndices al reagrupar, nos queda un sistema de ecuaciones en donde las
incógnitas son los potenciales fj (en este caso 3 ecuaciones con 3 incógnitas):

Î ›, Þ
[ ][ ] [ ]
) = [{0]
Q

Ï ß={
. .{ f +{
Q Q Q

Ð ›f à 3P 3 3P 1
[28]
3P 1 3P 1

8
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en donde:

Ñ EW = \ U - \ V
ES .ER + FS .F R Ô
. RS = N y ÒD W = [ U .[ V - [ V .[ U
T T
[29]
4$ Ô F W = [V - [U
Ó

para las ctes. a, b, c con subíndices j y k se permuta cíclicamente.

$ $
)Y X = I X [30] ó )[ Z = 0 , según el EF finito esté en una zona de fuente o no.
3 3

En general, el potencial, ke y fe asumen los siguientes magnitudes según el

caso de estudio:

Campo Potencial k f
Electroestático f e r/e
Magnetoestático A 1/m mJ
f s
Corrientes
0
Estacionarias

Lo anterior valía para un EF. Si queremos extenderlo para todo el recinto

tendremos:

[. ][. f ] + [) ] = 0 [31]

de la cual despejamos todos los potenciales incógnita de todos los EF del

recinto. La matriz [K] se llama “matriz de ensamblaje” o “matriz de rigidez”.

(MHPSOR

Sea el siguiente recinto de calculo sencillo en una simetría planos paralela,

dividido en 2 elementos finitos triangulares. Se quiere calcular las corrientes

y
y=1
4 3

1 x
X=2 2
Figura N°5

9
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estacionarias dentro del recinto de conductividad s (equipotenciales y líneas de
corriente).

Los datos son los potenciales f3, f4 y las incógnitas serán los potenciales f1, f2.

Desarrollamos linealmente el potencial de cada EF:

f 1 ( [, \ ) = 11 ( [, \ ).f1 + 1 2 ( [, \ ).f 2 + 1 3 ( [, \ ).f 3 [32]

f 2 ( [, \ ) = 11 ( [, \ ).f1 + 1 3 ( [, \ ).f 3 + 1 4 ( [, \ ).f 4 [33]

Debemos generar la “matriz de ensamblaje” o “matriz de rigidez” total, para

todos los EF. Cada EF tendrá su matriz de ensamblaje. En este caso
tendremos un matriz de 4x4 (4 potenciales en total, ver figura). Para no tener
que escribir 2 matrices (una para cada EF) vamos a escribir una matriz sola en
donde en cada elemento de la misma, escribiremos el valor de Kij del EF N°2
debajo de una barra inclinada y del EF N°1, arriba:

f1 f2 f3 f4
f1 _ 11 b
a b b b ^
12 13 b b \

f2 __ 21
_ 11 13 14 \

1/ 2 = _ b
b b b
\

.LM
22 23
\

f3 _ 31 b 31
b b \
32 33 b b \
_ 33 34 \

f4 _` b 41 b
43
b
44
]\

¿Como se genera esta matriz?: Tomemos como ejemplo el K31 en donde

tenemos:

K31=31/31. Esto significa “El potencial f3 se influencia con el potencial f1 a

través de los EF N° 2 y N°1”. Por eso ponemos 31/31

Si tomamos el K42, vemos que esta vacío: …/… lo que significa “El potencial f2
no se influencia con el potencial f4 a través de ningún EF”

Por último tomemos el K23: 23/… que significa “El potencial f2 se influencia con
el potencial f3 sólo a través del EF N° 1”.

Por supuesto debemos calcular cada Kij por separado. Si tuviéramos n

elementos finitos en el recinto, deberemos generar n matrices Kij en donde los
casilleros de la matriz total KijT estarán formados por la suma de los Kij de cada
EF:

. RSed = . 1RS + . RS 2 + ... + . RS

c
[34]

Si se trata de un caso de corrientes estacionarias, del cuadro anterior tenemos:

N f = s \ I f = 0 , de manera que:

10
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[. ][. f ] + [{
)]= 0 [35]
0

De este sistema de ecuaciones tendremos que sacar los potenciales fj. Pero
primero calcularemos los coeficientes a, b, c con las fórmulas [11]

Elemento Finito N°1:

E1 = \ 2 - \ 3 = 0 - 1 = -1
E2 = \3 - \1 = 1 - 0 = 1
E3 = \1 - \ 2 = 0

F1 = [3 - [ 2 = 2 - 2 = 0
F2 = [1 - [3 = 0 - 2 = -2
F3 = [ 2 - [1 = 2 - 0 = 2

de la misma manera:

D1 = 2
D2 = 0
D3 = 0

Ahora podemos calcular los Kij de cada elemento, por ejemplo

= [(-1)(-1) + 0.0] =
E1 .E1 + F1 .F1 s s
.11
1
=s
4$ 4 4

de la misma manera podemos calcular el resto de los kij. La matriz nos queda:

Î 1 -1 Þ
Ï 4 - 4ß
0
Ï -1 ß Î 5 - 1 0 - 4Þ
0
-4 Ï ß
s Ï ß s -1 5 - 4
5
. = Ï ß Ã .g = Ï ß
1/ 2
4Ï 0 -4 ß 4 Ï 0 - 4 5 - 1ß
- 1ß Ï ß
4
Ï 0
Ð- 4 -4 5 à
1
Ï ß
ÐÏ - 4 -4 5 àß

Teníamos que resolver la ecuación [35], es decir:

[. ][. f ] + [{
)]= 0
0

en general, esta ecuación se puede separar en submatrices de valores Dato

(D) y valores Incógnita (I):

11
Método de Elementos Finitos - Teoría de Campos
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Î .i i . i Þ Î f i Þ Î )i Þ Î0Þ
h

Ï. h i . h + h =
. ßà ÏÐf ßà ÏÐ ) ßà ÏÐ0ßà
[36]
Ð
hjh

La submatríz dato contiene la información de las fronteras con la condición de

Dirichlet.

de la primera ecuación sale:

. k k .f k + . k l .f l + )k = 0 [37]

de la cual se puede despejar fI con los potenciales incógnita f1 y f2.

Para nuestro ejemplo nos queda:

Ñs s s
Ô 4 .5.f1 + 4 .(-1).f 2 + 4 .(-4).(-100) = 0 Ñ 5.f - f 2 + 400 = 0
Òs ÃÒ 1
s s
Ô .(-1).f1 + .(5).f 2 + .(-4).(100) = 0 Ó- f1 + 5.f 2 - 400 = 0
Ó4 4 4

(¡independiente de s!)

cuya solución es:

f1 = - f2 =
200 200
y
3 3

ahora podemos calcular los IDFWRUHVGHIRUPD:

Elemento N°1:

1 1m 1 ( [, \ ) =
1
[2 + (-1) [ + 0. \ ] = 1 (2 - [)
2 .1 2

1 1 1 ( [, \ ) = ( [ - 2 \)
H 1
2
1 1 1 ( [, \ ) = ( 2 \ )
H 1
2

de la misma manera se hará para calcular los Nie2 para el EF N°2, entonces,
reescribiendo el potencial de cada EF:

f 1 ( [, \ ) =
1
[(2 - [)f1 + ( [ - 2 \)f 2 + 2 \f 3 ]
2
f 2 ( [, \ ) = [(2 - 2 \ )f1 + [f 3 + (2 \ - [ )f 4 ]
1
2

Finalmente después de desarrollar:

12
Método de Elementos Finitos - Teoría de Campos
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f 1 ( [, \ ) = - + [+
200 200 100
3 3 3
f 2 ( [, \ ) = - + 100 [ -
200 100
\
3 3

Figura N°6

Estas notas han sido redactadas por el Ing. Ernesto Kisielewsky y revisadas
por el Ing. Ariel Lichtig en base en la siguiente bibliografía:

- Apunte de cátedra de Teoría de CamposN°XVI-1997 “Elementos Finitos”

Lópina -Rodriguez Tarrio. Departamento de Electrotecnia. Facultad de
Ingeniería – UBA.
- “El método de EF aplicado al estudio de Campos Eléctricos y Magnéticos en
Máquinas Eléctricas”, Hector Laiz, 1986, Beca de Investigación N°8.
Departamento de Electrotecnia. Facultad de Ingeniería – UBA.
- “El método de Elementos Finitos en el cálculo de Campos Magnéticos en
Máquinas Eléctricas”. Balbiano J.L. Trabajo Especial. Departamento de
Electrotecnia. Facultad de Ingeniería – UBA.
- “Elementos Finitos para Ingeniería Eléctrica”. Silvester- Ferrari Ed. Limusa
1989.
- “Finite Elements in Electric and Magnetic Field Problems”, Silvester-Chari
(Ed.), Wiley, 1980.
- “An Introduction to Finite Element Analysis”. Norrie- De Vries. Ed. Academic
Press. 1978

Para un estudio más profundo se recomienda:

- “Finite Element Method”, Zienkiewicz.

- “The Finite Element Method Procedures”, K. Bathe

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