Professional Documents
Culture Documents
Problema 1:
Determinar los puntos de funcionamiento de los dispositivos semiconductores de los siguientes circuitos:
+12V
+12V
+12V
2K
3K
1K
100
3K 6V
β=100 β=100
33K
β=100 15V β=100
3K 2K 6V 100
5V
Problema 2:
Determinar el punto de funcionamiento del transistor MOSFET del siguiente circuito:
+15V
10K 1K
ID(mA)
D
UGS(V)
30 15
G 20 10
S 10 5
10V
5 UDS(V)
Problema 3:
Se desea utilizar una salida de un sistema digital para gobernar un relé. Se ha dispuesto para ello del circuito
de adaptación que se muestra en la figura. Determinar los valores de R1 y R2 que aseguran que ambos
transistores trabajan siempre en corte o saturación sabiendo que Q1 y Q2 presentan una tensión de codo base-
emisor de 0,6V y que la salida digital puede tomar cualquier tensión entre 0 y 0,4V para el “0” lógico y entre
3,8 y 5V para el “1” lógico.
+15V
Q2
β2=100
R2
RELÉ
SMA. R1 50mA/15V
DIGITAL β1=100
Q1
Problema 4:
En el circuito de la figura el interruptor se encuentra inicialmente cerrado. Determinar de forma razonada la
evolución de la tensión en el condensador a partir del instante de apertura del interruptor S.
S
10k
100Ω 10V
1µF VZ=8V
β=100
Problema 5:
El circuito de la figura corresponde a un cargador de baterías, se pide:
- Determinar la evolución en el tiempo de la tensión y la corriente por la inductancia.
- Determinar la evolución de la corriente de carga y el valor medio de la misma.
- Calcular RB de forma que el transistor trabaje en conmutación.
Datos: el transistor trabaja en conmutación, la corriente inicial por la bobina es nula,
L=100µH, VCC=80V y VBAT=160V.
IL
BATERIA
VBAT VE
L
10V
VCC
RB
β=50
+
VE 10 20 30 40 t(µs)
Problema 6:
Para el circuito de la figura determinar:
1. Evolución de UC1 e ib.
2. Evolución de UC2 y UCE.
Nota: todos los dispositivos son ideales y C1 y C2 se encuentran inicialmente descargados.
+Ucc=15V
R=1K
Ig=100µA
UC2
C2=20µ
C1=200n
β=100
ib
UC1
Vz=5V
Problema 7:
Para el circuito de la figura y considerando todos los componentes ideales determinar de forma razonada la
evolución de la tensión en el condensador UC y en el MOSFET UDS. La bobina y el condensador se
encuentran inicialmente descargados.
UC 5µ F
ID
(mA) UG S
20Ω
200 10
β=200 10V
UD S 100 5
20k 2V UD S
10mH
Problema 1
a
+12V +12V +12V
2K 2K 2K//3K
3K 6V 3K 6V
b=100
Suponiendo que el
transistor se encuentra
en saturación: 6V 6V
3K 2K 3K 2K 2K//3K
2mA 3mA
6V
3K 2K
b
Unión B-E polarizada
3K en inversa. 3K
Transistor en corte
33K 33K
b=100 15V 15V
uCE = 15V
5V 5V
uBE = -5V
c
+12V +12V El transistor tiene tensión
uCE = 6V, está en zona activa.
6
1K Suponiendo que el 1K 6V iE = = 60mA
Zener se encuentra en 100
zona Zener: b=100 iE
b=100
iR1
uCE = 6V iB = = 594 mA
iZ iB
b +1
6V i Z = i R1 - i B = 5,4mA > 0
6V 100 100 6V
Hipótesis correcta
iE
iC = 59,4mA
d
+12V +12V El transistor tiene tensión
iE = 60 mA uCE = 6V, está en zona activa.
Suponiendo que iE
100
el Zener conduce:
100
6V iB = = 594 mA
6V 6V b +1
Se tiene entonces:
b=100 6V iB = iZ =594mA
b=100 iC = 59,4mA
iE = 60 mA iE = 60mA
Problema 2
+15V
10K 1K ID(mA)
UGS(V)
D 30 15
20 10
G 10 5
S
10V 5 UDS(V)
Teniendo en cuenta que la impedancia de entrada del MOSFET es idealmente infinita la corriente iG es nula y el
Zener se encuentra en conducción:
+15V
Conociendo la tensión uGS se determina la curva
de la característica uDS - iD del MOSFET sobre la
10K 1K que se encuentra el punto de funcionamiento:
5V
D ID(mA)
UGS(V)
G 30 15
S 20 10
10V uGS=10 10 5
5 UDS(V)
Suponiendo funcionamiento en zona de fuente de corriente se tiene:
+15V
uDS = 15 - 20 × 10 -3 × 10 3 = -5 < 5 V
10K 1K
No trabaja en zona de fuente de corriente.
20mA
S
10V uGS=10
10K 1K
La tensión uDS se calcula mediante:
250
D uDS = 15 = 3 < 5V
-3 250 + 1000
rDS=5/20·10 = 250W
S
10V uGS=10
Problema 3
+15V
Con el transistor Q1 en corte, Q2 no tiene corriente de base por lo que también se encuentra en corte.
+15V
uBE=0,6 Para que Q2 esté saturado se debe cumplir:
b2=100 15 - uBE
iB2 iC < b × i B iB =
R2
iC2=50mA
R2 15 - uBE
R2 < b 2 × = 28,8k
iC 2
uCE1=0
Tomamos: R2 = 27k
Por otra parte, al ser la tensión colector emisor mayor que cero, el transistor se encuentra inicialmente en zona
activa, por lo que el circuito equivalente inicial visto por el condensador es:
100W 100W
b·iB 8V -2V
uC 1 mF uC 1 mF
100mA
Thevenin
Con este circuito equivalente la evolución de la tensión en el condensador se obtiene mediante la expresión:
-t uC
uC (t ) = uC (t ® ¥ )+ [uC (t = 0 )- uC (t ® ¥ )]× e R ×C 10
-t
uC (t ) = -2 + 12 × e 100×10
-6
-2
Para que este circuito equivalente sea válido es necesario que se cumplan las siguientes condiciones:
- La tensión colector-emisor debe ser mayor que cero para que el transistor se mantenga en zona activa.
- Debe circular corriente inversa por el Zener. Para que esto se cumpla la tensión uC debe ser mayor de 8V.
Obviamente, es esta segunda condición la que se dejará de cumplir en primer lugar:
10
t a = -100 × 10 -6 × Ln = 18,2ms
12
Para t > 18,2ms el Zener deja de conducir y el circuito equivalente de descarga del condensador pasa a ser:
t’=0
Cuando la tensión en el condensador se anula, el transistor sale de zona activa y entra en zona de saturación.
El tiempo que tarda se calcula:
8
t 'b = = 80 ms
100 × 10 3
uC
Equivalente final
10
uC 1 mF
8
IL
BATERIA
El transistor va a trabajar en conmutación, es decir
VBAT alternando entre corte y saturación.
L
La tensión VE toma dos valores: 0 y 10V.
VCC
Durante los intervalos en que VE es de 0V el
RB
transistor permanecerá en corte. Cuando VE sea de
b=50
+ 10V el valor de RB deberá ser tal que asegure el
VE funcionamiento en saturación.
Durante los 10 primeros microsegundos VE es de 10V, por lo que el transistor estará saturado:
iL
La carga de la bobina se produce a tensión fija:
VBAT
VCC
uL=VCC L
di L (t ) 1
t
i L (t ) = i L (t = 0 )+
L ò0
VCC+VBAT 80V VCC = L VCC × dt = 800 × 10 3 × t
dt
uCE = 0 0
Representando gráficamente esta evolución:
iL
8A Pasados 10ms la corriente de base desaparece y el transistor pasa a
zona de corte, por lo que el circuito equivalente se convierte en:
10ms
iL En el instante en que se produce el corte del transistor la corriente
VBAT por la bobina es de 8A. Esta corriente no puede interrumpirse de
VCC forma brusca, por lo que hace entrar al diodo en conducción.
uL=-VBAT L 160V
iL 80V
VCC+VBAT
di (t ')
t'
1
- VBAT =L L i L (t ') = i L (t ' = 0 )+ ò - VBAT × dt ' = 8 - 1,6 × 10 6 × t '
dt ' L0
Representando la evolución de iL obtenida hasta el momento:
VCC
iL
8A
10 15 20 t (ms)
uL
80
15
10 20 t (ms)
-160
La corriente por la batería es la misma que atraviesa el diodo:
iBAT
El valor medio de esta señal se calcula:
8A
T
1 1 5 × 10 -6 × 8
iBAT = ò i BAT (t )× dt = × = 1A
T 0 20 × 10 -6 2
0 10 15 20 t (ms)
El cálculo de la resistencia de base necesaria para que el transistor trabaje en conmutación se hace sabiendo
que la corriente máxima de colector es de 8A.
iC
b·iB
8A VE VE × b 10 × 50
iC< b·iB iB = RB < = = 62,5W
RB iC 8
uCE
Problema 6
UCC =15V
1k
Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo con uBE =0.
100mA
Por otra parte, al estar el condensador de 200n inicialmente descargado el
20mF
Zener no conduce para t = 0.
200n
b=100
5V
El equivalente de carga inicial del condensador C1 corresponde por tanto al siguiente circuito:
100mA
200n i =0 Al entrar el Zener en conducción la tensión uC1 queda fijada en 5V por lo que la
b
corriente ib se anula:
100mA duC1
uC1 i b = C1× =0
5V dt
ib uC1
100mA 5V
10ms t 10ms t
Una vez conocida la forma de onda de la corriente de base se puede determinar la evolución de la tensión del
condensador C2.
UCC =15V
En el instante inicial la corriente de base es de 100mA. El transistor puede
por tanto encontrarse en saturación o en zona activa.
uCE (t ) = 15 - 10 - uC (t ) = 5 - 500 × t
uCE 10mA
Este circuito equivalente dejará de ser válido si el transistor alcanza la zona de
saturación o si la corriente de base cambia. Verificamos cuál de estos dos cambios
sucede primero.
0 = 5 - 500 × t a t a = 10 ms
Que coincide exactamente con el tiempo en el que la corriente de base se anula, por lo que ambos cambios se
producen de forma simultánea y el equivalente para t>10 ms resulta:
UCC =15V
uC2
20mF uC2
5V
uCE
uCE 10ms t
10V
5V
10ms t
Problema 7
Por la puerta del transistor MOSFET no circula corriente, por lo que el funcionamiento del transistor bipolar se
puede analizar de forma independiente del resto del circuito.
Este circuito equivalente deja de ser válido cuando el transistor sale de saturación:.
uGS
10V
100ms t
Partiendo de este dato se determina la evolución del estado del transistor MOSFET. El circuito equivalente visto
por el condensador es el siguiente:
uC 5 mF
Para t < 100ms la tensión UGS es de 10V. Durante este intervalo, la
relación entre iD y UDS está marcada por la curva siguiente:
20W
10V
iD
iD
200mA
uGS
2V uDS
Suponiendo, por ejemplo, que el MOSFET se encuentra inicialmente en zona de fuente de corriente se tiene:
uC 5 mF U DS = 10 - UC - 20 × i D
U DS (t = 0 ) = 10 - 20 × 200 × 10 -3 = 4V
20W
10V Inicialmente la tensión UDS es mayor que 2 por lo que la suposición de
iD funcionamiento como fuente de corriente para t=0 es válida.:
200mA uDS
2 = 6 - 40000 × t a t a = 100 ms
Ambos cambios se producen simultáneamente. El circuito equivalente final es por tanto:
uC 5 mF
Al tomar uGS el valor 0 la corriente de carga del condensador se anula y
éste mantiene su tensión.
20W
10V
iD
uDS
uC uDS
6V
4V
2V
100ms t 100ms t