Semiconductores Tipo n y p

Los materiales semiconductores en estado intrínseco por si solos, no son buenos

conductores de la corriente eléctrica, esto es debido a los pocos electrones libres que
poseen en la banda de conducción, y de la misma forma, al escaso número de huecos
presentes en la banda de valencia.

Cabe recordar que aunque se trate de semiconductores intrínsecos (completamente

puros), poseen electrones libres y huecos en mínimas cantidades, debido a que en algún
momento, los electrones de valencia pueden absorber energía proveniente de una fuente
de calor o una fuente luminosa, propiciando que uno o varios electrones salten de la
banda de valencia a la banda de conducción.

Debido a esta ineficiencia en la conducción eléctrica, se alteran las características de los

semiconductores mediante la adición de ciertos átomos generando impurezas.

A esta adición controlada de impurezas en semiconductores intrínsecos (Germanio y

Silicio), con la finalidad de aumentar su conductividad eléctrica se le denomina “dopado”,
y produce como consecuencia un semiconductor extrínseco (impuro).

Existen 2 materiales extrínsecos de vital importancia en la fabricación de dispositivos

semiconductores, los cuales se abordan a continuación:

Semiconductor Tipo n

El semiconductor tipo n se forma con la incorporación de elementos pentavalentes (5

electrones de valencia) a una base de germanio o silicio, dichos elementos pueden ser
antimonio, arsénico o fósforo.

Tal como se muestra en la figura 1, se encuentran los

cuatro enlaces covalentes característicos en un
semiconductor, sin embargo existe un quinto
electrón sin enlazar proveniente del átomo de
antimonio, este electrón al no participar en el
enlace se encuentra libre para moverse dentro del
material n recién formado. A los átomos
pentavalentes que ceden un electrón se les conoce
como átomos donadores.

Es importante distinguir que aunque el material n

posee un gran número de electrones libres,
conserva su carga neutra, debido a que el numero
de protones

Figura 1

internos en el núcleo, son iguales al número de electrones libres en todo el material, el

efecto en este proceso radica en que los electrones que se han agregado, requieren una
menor cantidad de energía para pasar a la banda de conducción, por lo que la
conductividad del material se incrementa considerablemente.

Semiconductor tipo p

El semiconductor tipo p se forma con un dopado de un semiconductor intrínseco

(germanio o silicio), con átomos trivalentes (3 electrones de valencia) tales como boro,
indio y galio. En la figura 1.2 se muestra la configuración de un material p.

Como es apreciable, nuevamente se presentan enlaces

covalentes, característicos en un semiconductor, con la
excepción de que existe una vacante de un electrón
en uno de ellos. A esta vacante se le conoce como
“hueco” y se representa mediante un círculo pequeño
o un signo positivo.

A los átomos de impureza trivalentes adicionados se

les conoce como átomos aceptores, ya que son
susceptibles a captar un electrón.

El semiconductor tipo p es neutro al igual que el tipo

n, debido a las razones ya explicadas anteriormente.

Figura 1.2

Portadores Mayoritarios y Portadores Minoritarios

A las partículas que se encargan del transporte de la corriente eléctrica y que además se
encuentran en exceso dentro del material se les conoce como “portadores mayoritarios”.

A su vez a las partículas encargadas del transporte de la corriente eléctrica en el mismo

material, pero que se encuentran en menor proporción, se les conoce como “portadores
minoritarios”.

Entonces; en un semiconductor tipo n los portadores mayoritarios son los electrones y los
portadores minoritarios son los huecos. Y en un semiconductor tipo p por el contrario, los
portadores mayoritarios son los huecos y los portadores minoritarios los electrones.

Conclusiones:

Debido a que los semiconductores puros son ineficientes para propósitos de conducción
eléctrica, es necesario realizar cambios en su estructura interna, el presente trabajo
permitió familiarizarse con los 2 semiconductores extrínsecos o impuros: n y p, así como
comprender sus características y su elaboración a grandes rasgos. Además se
comprendió el término de portador mayoritario y minoritario.

Referencias
[1] BOYLESTAD L. Robert, Libro “Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos”,
Editorial Prentice Hall, Octava edición
[2] FLOYD L. Thomas Libro “Dispositivos Electrónicos”, Editorial Prentice Hall, Octava edición.
[3] MALVINO Paul, Libro “Principio de Electrónica”, Editorial Mc Graw Hill, Sexta edición, Impreso
en España.