UNIVERSIDAD DE CUENCA

FACULTD DE INGENIERIA ESCUELA DE ELECTRNICA Y TELECOMUNICCIONES

NOMBRE:
RONNIE LLANES

PROFESOR:
ING. SANTIAGO GONZLEZ

TEMA:
POLARIZACION EN DC DEL TRANSISTOR BJT

FECHA DE ENTREGA:
MIERCOLES, 1 DE DICIEMBRE DE 2010

Objetivo general: Analizar y comparar los diversos tipos de circuitos de polarizacin para un transistor BJT.

Objetivos especficos: Definir el concepto y utilidad de un circuito de polarizacin para un transistor BJT. Conocer los diferentes tipos de polarizacin. Analizar y calcular un circuito de polarizacin. Determinar mediante clculos y mediciones, el punto de operacin de un transistor BJT. Analizar y comparar la dependencia del factor Beta, en un circuito de polarizacin. Comparar y analizar el comportamiento de los distintos circuitos de polarizacin, en funcin de la estabilidad del punto de trabajo. Identificar, conectar y comprobar correctamente el funcionamiento de un transistor.

Sustento Terico: El transistor unipolar es un elemento cuya resistencia interna puede variar en funcin de la seal de entrada aplicada logrando regular la corriente que circula por el circuito en el que se encuentra conectado. A este dispositivo semiconductor lo podemos tener en dos formas: los transistores NPN o PNP. La pastilla central es la base y es la ms pequea de todas, y las de los extremos son el emisor y el colector.

En todo transistor se cumple, respecto a tensiones y corrientes, lo siguiente: Vcb + Vbe = Vce Ic + Ib = Ie

Adems, como un parmetro muy importante, tenemos que: B (beta o hfe) = Ic/Ib Y es la ganancia de corriente colector-base cuando la resistencia de carga es nula. La polarizacin consiste en conseguir las tensiones adecuadas en cada punto del circuito, las corrientes deseadas y el punto de trabajo Q; este punto siempre est colocado en la recta de carga y dentro de alguna curva, especificando una cierta corriente de colector Ic y una determinada tensin colector-emisor Vce.

Tambin encontramos diferentes zonas dependiendo de la posicin del punto de trabajo las cuales son: zona de corte, zona activa y zona de saturacin. En la zona de corte tenemos que el transistor se comporta como un circuito abierto, con las siguientes caractersticas: Ib = 0, Ic = 0, Vce = Vcc. En la zona activa es en donde el transistor suele trabajar, siendo la zona en donde el transistor amplifica, cumplindose Ic = B Ib. En la zona de saturacin el transistor se comporta aproximadamente como un cortocircuito. Podemos tener diferentes configuraciones como:
y y y

Emisor comn: La entrada es por la base y la salida por el colector. Base comn: Entrada por emisor y salida por colector. Colector comn: Entrada por base y salida por emisor.

Tipos de polarizaciones: Polarizacin Fija:

Si analizamos por malla de base en la Figura 1 tenemos:

(Recta de polarizacin)

Con lo cual podemos apreciar que iB depende exclusivamente de RB. Tambin podemos observar que una variacin en IB desplazara nuestro punto de trabajo. Si tomamos en cuenta que Ic = B Ib, tenemos lo siguiente: F En donde podemos notar que la variacin de icvariara a la variacin de B. La intensidad de saturacin est dada por la siguiente ecuacin considerando :

Polarizacin por Retroalimentacin de Emisor: Si tomamos en cuenta la Figura 2 y realizamos las mallas tenemos lo siguiente: Malla Base Emisor

Malla Colector Emisor

Con el voltaje

tenemos nuestra

que estara dada por la ecuacin:

Polarizacin por divisor de tensin en base El mecanismo elctrico de este circuito es muy eficaz y se desarrolla del siguiente modo: Si suponemos un aumento de Ic, la cada de tensin en Re aumenta y contrarresta el aumento de la corriente Ic porque se produce un descenso en la tensin de polarizacin de base Vbe. R1 y R2 son las resistencias que hacen variar el punto de trabajo Q y consecuentemente la zona de trabajo. Obtencin del punto Q:

Ecuacin de corrientes: Malla de colector:

Ie = Ic+Ib Vcc-Vce = IcRc+(Ic+Ib)Re Vbb = Vcc R2/(R1+R2) Rb = R1R2/(R1+R2)

Ecuacin de tensin en base:

Malla de base: Ecuacin del transistor:

Vbb-Vbe = IbRb+(Ic+Ib)Re Ic = BIb

Se pueden realizar circuitos de polarizacin en los que las posibles desviaciones de los parmetros de los transistores tengan menor importancia. Las resistencias R1 y R2 se conocen como resistencias de polarizacin, RE es la resistencia de emisor y la resistencia RL es la resistencia de carga. El circuito se analiza mejor si se substituye R1 y R2 por su equivalente Thevenin, como se refleja en la figura 4. Ahora RB = R1//R2 y VBB = VCC x R2/(R1+R2). Las ecuaciones de las mallas sern:

Habr de considerarse tambin que IE = IC + IB.

Polarizacin por Retroalimentacin de Voltaje: 

Malla Base Emisor:

Malla Colector Emisor

Materiales: Fuente CC 12V Multmetro 2 transistores 2N3904 Resistencias Protoboard Cables de conexin Cautn

Desarrollo de la Prctica: y Calculo de circuitos de polarizacin:

1. Completar la siguiente tabla, en relacin a los circuitos de polarizacin.

POLARIZACION

Ecuacin para la IB

Ecuacin para el VCE

IC

Punto de saturacin

Punto de corto

Circuito de Polarizacin Fija

Circuito de Polarizacin Estabilizado en Emisor

Circuito de Polarizacin por Divisor de Voltaje Circuito de Polarizacin DC por Retroalimentacin de Voltaje

CIRCUITO DE POLARIZACIN FIJA

2. Empleando la opcin hFE, del multmetro, determine la ganancia del transistor 2N3904. Complete la Tabla I. Tabla I: Medicin de hFE, transistor 2N3904 Transistor Q1 Q2 hFE(BETA) 169 168

3. Para el circuito de polarizacin fija del Grfico 1.

GRAFICO 1: CIRCUITO DE POLARIZACION FIJA

a) Calcular: ICQ, VCEQ. Completar la Tabla II. Tabla II: Determinacin del punto de trabajo Circuito de polarizacin Fija. Circuito de Polarizacin Fija Valores Valores Punto de Corte Calculados Medidos 2,9mA 12V 7,61V

Parmetro ICQ VCEQ

Punto de Saturacin

5.45mA

b) Realizar las siguientes mediciones:ICQ, VCEQ. Completar la Tabla II. c) Calcular los puntos de corte y saturacin para el circuito de polarizacin fija delgrfico 1. Incluir resultado de la Tabla II. Punto de saturacin:

Punto de corte:

12V

d) Realizar un grfico de la recta de carga del transistor, acotar los puntos: Saturacin, Corte, Trabajo (Medido y Calculado)

e) Conectar y acercar el cautn al transistor. Medir el VCEQ; de acuerdo al incremento de temperatura. Con el valor de VCEQ obtenido, calcular el valor correspondiente a ICQ. Completar la Tabla III. Indicar los porcentajes de variacin con respecto a los valores medidos de la Tabla II. Acotar la nueva ubicacin del punto de trabajo, en el grafico del punto anterior.

Tabla III: Variacin del Punto de Trabajo en Funcin Beta Parmetro ICQ VCEQ Valores Medidos 4.35 mA 4.6V % de Variacin 33% 40%

*En cada punto, presentar los clculos realizados. f) Realice un anlisis del comportamiento de un circuito de polarizacin fija.

Como se puede apreciar, esta polarizacin posee un circuito sencillo cuyos valores antes de acercar con el cautn son aproximados pero al momento de acercarlos con el cautn se puede apreciar una variacin muy grande por lo que su estabilidad no es muy buena ya que el porcentaje de variacin es muy elevado.

CIRCUITO DE POLARIZACIN ESTABILIZADO EN EMISOR

4. Para el circuito de polarizacin estabilizado en emisor del Grafico 2. Desarrollar el mismo procedimiento especificado en los puntos a) al f), del circuito de polarizacin fija. Completar IV y V.

Grafico 2: CIRCUITO DE POLARIZACION ESTABILIZADO EN EMISOR

Tabla IV: Determinacin del Punto de Trabajo Circuito de Polarizacin Estabilizado en Emisor Circuito de Polarizacin Estabilizado en Emisor Valores Valores Punto de Corte Calculados Medidos 2.08mA 12V 7.27V

Parmetro ICQ VCEQ

Punto de Saturacin

3.75mA

Tabla V: Variacin del punto de trabajo en funcin de Beta Parmetro ICQ VCEQ Valores Medidos 2.9mA 4.68V % de Variacin 39% 64%

*En cada punto, presentar los clculos realizados.

Punto de saturacin:

Punto de corte:

12V

Realizar un grfico de la recta de carga del transistor, acotar los puntos: Saturacin, Corte, Trabajo (Medido y Calculado)

Realice un anlisis del comportamiento de un circuito de polarizacin estabilizado en emisor. Como se puede apreciar, esta polarizacin posee una estabilidad antes de acercar al cautn ya que al aumentar su temperatura la variacin del porcentaje es elevado provocando que la estabilidad de este sea tan buena.

CIRCUITO DE POLARIZACIN POR DIVISOR DE VOLTAJE

5. Para el circuito de polarizacin por divisor de voltaje del Grafico 3. Desarrollar el mismo procedimiento especificado en los puntos a) al f), del circuito de polarizacin fija. Completar VI y VII.

Grafico 3: CIRCUITO DE POLARIZACIN POR DIVISOR DE VOLTAJE

Tabla VI: Determinacin del Punto de Trabajo Circuito de Polarizacin Estabilizado en Emisor Circuito de Polarizacin Estabilizado en Emisor Valores Valores Punto de Corte Calculados Medidos 1.51mA 12V 5.85V 5.02V

Parmetro ICQ VCEQ

Punto de Saturacin

2.79mA

Tabla VII: Variacin del punto de trabajo en funcin de Beta Parmetro Valores Medidos ICQ 1.49mA VCEQ 4.89V *En cada punto, presentar los clculos realizados. % de Variacin 1% 3%

Punto de saturacin:

Punto de corte:

12V

Realizar un grfico de la recta de carga del transistor, acotar los puntos: Saturacin, Corte, Trabajo (Medido y Calculado)

Realice un anlisis del comportamiento de un circuito de polarizacin por divisor de voltaje. Como se puede apreciar, esta polarizacin posee una estabilidad a comparacin de las otras ya que al acercar al cautn para aumentar su temperatura la variacin del porcentaje es muy poco por lo que hasta ahora podemos decir que es unos de los circuitos ms estables debido a que no depende tanto de la beta sino ms bien de las resistencias 1 y 2 del circuito. y CIRCUITO DE POLARIZACIN DC POR RETROALIMENTACIN DE VOLTAJE 6. Para el circuito de polarizacin DC por retroalimentacin de voltaje de la Figura 4. Desarrollar el mismo procedimiento especificado en los puntos a) al f), del circuito de polarizacin fija. Completar VIII y IX.

Grafico 4: CIRCUITO DE POLARIZACIN DC POR RETROALIMENTACIN DE VOLTAJE

Tabla VIII: Determinacin del Punto de Trabajo Circuito de Polarizacin Estabilizado en Emisor y Circuito de Polarizacin DC Por Retroalimentacin de Voltaje Parmetro Valores Valores Punto de Corte Calculados Medidos ICQ 2.16mA 12V VCEQ 6.19V 7.14V

Punto de Saturacin

2.79mA

Tabla IX: Variacin del punto de trabajo en funcin de Beta Parmetro ICQ VCEQ Valores Medidos 2.12mA 6.88V % de Variacin 2% 4%

*En cada punto, presentar los clculos realizados.

Punto de saturacin:

Punto de corte:

12V

Realizar un grfico de la recta de carga del transistor, acotar los puntos: Saturacin, Corte, Trabajo (Medido y Calculado)

Realice un anlisis del comportamiento de un circuito de polarizacin DC por retroalimentacin de voltaje. Como se puede apreciar, esta polarizacin posee una estabilidad al igual que la anterior ya que al acercar al cautn para aumentar su temperatura la variacin del porcentaje es muy poco por lo que podemos decir que es unos de los circuitos ms estables debido a que no depende tanto de la beta.

Conclusiones: Al terminar la prctica se puede apreciar que la polarizacin depende de algunas caractersticas para poder realizar las polarizaciones deseadas, adems de observar que al momento de variar la temperatura las polarizaciones fija y estabilizado por emisor varan de una manera muy grande al momento de acercar el cautn en cambio que en las dos

ltimas polarizaciones esto no es tan evidente ya que dependen ms de las resistencias del circuito para variar ya que la temperatura no afecta considerablemente. Podemos acotar que las grficas de los puntos de corte, saturacin y de trabajo nos dan una gran ayuda al observar que los valores medidos y calculados estn con una aproximacin considerable.

Bibliografa: Libro: Electrnica: Teora de Circuitos http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema4/Paginas/Pagina5.htm Apuntes de la materia de electrnica y telecomunicaciones.