DIEGO ALEJANDRO RINCON JUAN CAMILO FORERO JEFFERSSON CAVANZO JULIAN TRUJILLO ELECTRONICA II PROFESOR: PABLO EMILIO ROZO

FUNDACIN UNIVERSITARIA LOS LIBERTADORES

AMPLIFICADOR MULTIETAPAS
Abstract Presently article is described as
designing an amplifier with several stages, it finishes it of them an amplifier of power for audio. These concepts are applied in the design and construction of an amplifier for audio. To use components basic and not to make use of any integrated circuit it can be considered as a good amplifier didactic where the foundations are visualized basic of the amplification of audi,

II.

OBJETIVOS

Objetivo general y Aplicar toda la teora vista en el semestre para lograr hacer un amplificador con ciertas caractersticas como lo son la ganancia en voltaje, en potencia etc.

INTRODUCCION Se quiere disear un circuito multietapa para amplificar sonido, para esto tenemos que hacer varias etapas una de ellas ser la etapa de potencia, q se ara con un amplificador clase AB cuasicomplementario y otras dos etapas una con un BJT en emisor comn y otra mas con un JFET en Source comn

Objetivos especficos

III.

MARCO TEORICO

Amplificadores con BJT y JFET Tenemos que tener en cuenta como se polarizan y como es la configuracin de los amplificadores con BJT y JFET los cuales ya hemos visto en anteriores laboratorios. Amplificadores de potencia clase AB: Este tipo de amplificadores funcionan bsicamente como los amplificadores en clase B, excepto en el que se inyecta una pequea corriente de polarizacin para que ya estn conduciendo previamente a la llegada de la seal. No se disean en

I.

PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA

Se debe disear un Amplificador con varias etapas que tenga una potencia de salida de 10W y trabaje con una RL=4.

clase A. Se disean casi en corte, pero sin llegar a estar en ese estado. De esta forma se consigue eliminar la distorsin de cruce. La principal dificultad es conseguir la estabilidad del punto de funcionamiento. Se debe garantizar que los transistores no entrarn en corte. La mejor solucin es recurrir al espejo de corriente. El espejo de corriente se basa en la conexin en paralelo de dos diodos iguales. Si son iguales y tienen la misma curva caracterstica, por los dos diodos circula la misma corriente puesto que los puntos de funcionamiento son idnticos. Para una misma tensin nodo-ctodo en los dos diodos se tiene una misma corriente en cada uno de ellos. Si el diodo y el transistor son de silicio se pueden considerar iguales la tensin en extremos del diodo y la tensin entre base y emisor. En el siguiente esquema, la corriente que circula por el diodo es la misma que circula por la unin base emisor. Es decir: Si la corriente Io que circula por la resistencia R permite despreciar la que se deriva por la base, la corriente que circule por el diodo ser prcticamente Io. Esto se puede considerar si se cumple: Io>10Ib La corriente de colector es: IC=

Para evitar problemas trmicos se coloca en serie con el emisor una resistencia de potencia de 0.47 W Estos conceptos se emplean en el diseo del siguiente amplificador de potencia en clase AB:

El transistor Q1 polarizado por R1 y R2 se comporta como una fuente de corriente:

La corriente Ic en rgimen esttico es constante. La corriente por los diodos D1 y D2 tambin lo es. La polarizacin de los transistores queda garantizada al estar los diodos en paralelo con las uniones base emisor. Para alterna, los diodos se comportan como una resistencia dinmica por estar polarizados en el primer cuadrante. Las bases para alterna estn unidas. Para

minimizar las diferencias puede conectarse entre ambas un condensador. IV. DISEO

Con la etapa de potencia podemos disear las otras etapas. Diseo etapa BJT. Para esta etapa tenemos que contar con una RL que es la misma Zinde la etapa de potencia. Zin=RL=300 VBE=0.7V VCC=20V Av=20 VCE=10V Por parametros de diseo definimos que RC=RL re= ICQ=


La etapa que primero vamos a disear es la de potencia con un amplificador clase AB. Las caractersticas de estta etapa son las siguientes: y y y y Impedancia de carga 4 Potencia sobre la carga 10W Parmetros Tip31 Tip32 VCC=20V

Con los datos suministrados podemos hacer los siguientes clculos: Vp(max)=Vcc VCE(SAT) VCE(SAT)=1.2 Vp(max) =18.8V Ip(max) = Ip(max) = 4.7A

= 7.5

= 3,46mA = IEQ

ICQ= RDC=RC+RE RAC=(RC//RL)=150 Despejamos RE

Ps= RE= IQ=1A PS= 79W PL(max)= PL(max)=44.1W Sera la mxima potencia que se podra utilizar. R1=R2= ID1=50mA R1=146

-RC =5,3K

VCC=ICQ.RC+VCE+VE VE=8,96V VB=VE+VBE =9.66V RB=0.1( +1)RE RB = 80k  RB1= RB1 =165k RB2=154k



R7 165k

R6 300

ID=IDSS(1-VGS/VP)2 VGS 0 -4 -2 -1 -1.3 ID (mA) 18.5 0 4.62 10.4 8.2

14

Q2

2N2222 16 R8 154k

Por parmetros de diseo la VG=10V

R5 5.36k

y RG=500k
0

=> V= RG1=500k

Segun la siguiente ecuacion VGS = VG - ID RSr Rsr=1k => ID=0 VGS=10V VGS=0 ID=10mA La seal de la parte superior es la entrada. La seal de la parte inferior es la salida Diseo etapa con JFET Al igual que la etapa anterior nuestra RL=Zin => RL=RB//( +1)(re+RE) RL=72,7k Av=2 JFET=K117 VP=-4v IDSS=18.5mA VCC=20V IDQ= 11mA

VDS=VCC - RDIDQ-RsrIDQ Ahora hallamos una RD pero para que nos de una ganancia que queremos obtenemos una K K=


La seal de la parte superior es la de salida y la parte inferior es la seal de entrada. Por ultimo acoplamos todas las etapas con condensadores de 10 F para que actuaran como cortocircuito. Para corte de bajas calculamos la ultima etapa para que cortara en 100Hz. C=


=1,3k

Y con la ecuacion de Av obtenemos nuestra RD. Av=

=397f
VCC 20V VCC R7 165k

13

C1 10uF 14 Q2

15

10uF

C2 11 10uF

Q1

1 2SK117 12 2 2222

VCC

2 2222 3 R12 330

3 Q1

2SK117 2

REFERENCIA WEB
http://www.unicrom.com/Tut_emisor_com.as www.angelfire.com

R3 500k

R4 269

R1 500k

R2 900

Anlisis: tuvimos inconvenientes con la polarizacin de la etapa de potencia circuito AB pero esos errores generalmente son de despejes de las formulas, al obtener estos errores hay problemas como el calentamiento de los transistores o las resistencias y si no se calcular bien la potencia los parlantes se pueden daar. BIBLIOGRAFIA
[1]RASHID, Muhammad, Circuitos Microelectronicos analisis y diseo , University of Florida, Thomson Editores, 1999.

C3 10uF

20V

R3 500k

R4 269

R8 154k

R5 5 36k

C6 1uF

R13 4k

Q6 TIP32A

VCC

D2 1 4005

RD=1.34k

C5

R14 18k

18

D1 1 4005

R1 500k

R2 900

De la anterior ecuacin obtenemos una

R6 300

R9 3 28k

Q3

TIP31A C4 400uF 21

Q4

R11 4