Introduo - Memrias EPROM e similares

As memrias no volteis e de apenas leitura vistas na pgina anterior (ROM e PROM) so teis e encontram uma extensa variedade de aplicaes. Os exemplos apresentados so apenas uma pequena amostra. Algumas aplicaes, entretanto, requerem alteraes, eventuais ou no, de dados gravados, o que no pode ser feito com esses tipos. Nesta pgina so comentados alguns tipos de memrias no volteis de semicondutores, que permitem alterao de dados, ou seja, so de leitura e escrita. So tambm denominadas memrias no volteis reprogramveis. A organizao bsica das clulas usualmente em forma de matriz similares s anteriores e, por isso, no repetida aqui. O propsito principal dar informaes sobre o funcionamento das clulas elementares.

Memrias EPROM
EPROM a sigla inglesa de Erasable Programable Read Only Memory (memria de somente leitura apagvel e programvel). A clula bsica de uma EPROM um transistor MOSFET especial, dotado de uma porta flutuante (floating gate) entre a porta normal e o substrato, isolada por uma fina camada de xido (Figura 01).

Em (a) da figura tem-se a situao normal, considerada bit 0. Nessa condio, o transistor conduz se aplicado um potencial na porta Vpf. Supe-se, por exemplo, Vpf = Vdd = 5 V. Para gravar o bit 1, aplicado um potencial mais alto entre dreno e fonte Vpp, normalmente acima de 12 volts. Alguns eltrons adquirem energia suficiente para atravessar a camada de xido e carregar a porta flutuante (b). Em (c) tem-se a porta flutuante carregada negativamente, o que cria uma barreira para a porta normal e a conduo s se d com valores mais altos de Vpf. Exemplo: Vpf = 7 V e no 5 V da situao normal. Se o transistor no conduz com Vpf = 5 V, ento suposto que ele contm o bit 1. O apagamento se faz pela exposio radiao ultravioleta. Os ftons de luz do aos eltrons energia suficiente para saltar da porta flutuante (d), retornando o transistor sua situao inicial (a). Os circuitos integrados de EPROMs so facilmente identificados pela presena da janela transparente para a operao de apagamento.

Memrias EEPROM
As memrias EPROM apresentam elevada densidade de armazenagem, porque apenas um transistor funciona como elemento de programao e acesso. Mas tm suas desvantagens, conforme itens a seguir. o nmero de ciclos de gravao limitado, cerca de 1000 (a radiao ultravioleta torna a camada de xido ligeiramente condutiva). o tempo de gravao relativamente alto. a operao de apagamento demorada, exige a retirada do circuito e remove todo o contedo da memria. No pode ser parcial. As memrias EEPROM (Electrically Erasable Programable Read Only Memory) ou E2PROM so construdas com camadas de xido mais finas e as clulas so apagadas pela aplicao de tenso inversa da usada na gravao. Isso permite o apagamento parcial, mas deve ser feito clula por clula, o que resulta em tempo relativamente alto para a operao.

Memrias Flash
Conforme visto no tpico anterior, as memrias EEPROM contornam algumas deficincias das EPROMs, mas o apagamento se d bit a bit, o que inviabiliza o emprego em circuitos que precisam de mudanas rpidas dos dados armazenados. As memrias Flash operam com o mesmo princpio das EEPROMs, mas as ligaes internas formam blocos. Isso torna possvel o apagamento simultneo (flash) de todas as clulas contidas no mesmo bloco. A Figura 01 deste tpico d exemplo de um bloco de memria flash.

Fig 01 Na leitura, a linha de palavra selecionada levada a um nvel de tenso suficiente para provocar a conduo das clulas no gravadas e no provocar nas clulas gravadas. As demais linhas esto em nvel zero. E um circuito apropriado pode detectar o estado de cada transistor na linha selecionada pela conduo de corrente entre a fonte (comum) e os drenos (em cada coluna de bit). Na escrita, a linha selecionada submetida a 12 volts e as demais permanecem em zero. A fonte (comum) conectada massa e a coluna de bit (dreno) levada a 6 volts. Para apagar, as coluna de bits so deixadas abertas, todas as linhas de palavras so levadas a zero volts e a fonte (comum) levada a 12 volts, o que apaga todas as clulas do bloco.