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ELETRNICA I
TEORIA DOS SEMICONDUTORES
Professor Jnatas Roschild
SUMRIO
Objetivos Histrico Teoria
do estudo;
dos Semicondutores
Condutores e Isolantes Materiais Semicondutores Correntes nos Semicondutores Dopagem Materiais do Tipo P e do Tipo N Juno PN Polarizaes Polarizao Direta Polarizao Reversa
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OBJETIVOS DO ESTUDO
Conceituar
e analisar os materiais Semicondutores Analisar as caractersticas fsicas e eltricas da juno PN Analisar as caractersticas fsicas e eltricas da juno PN Polarizada
HISTRICO
Antes
dos Semicondutores
Vlvula
ENIAC
1943 - 17.000 Vlvulas
HISTRICO
O
princpio
Transistores
discretos
1 Transistor
1947
HISTRICO
Um
Ligaes
Ligaes
covalentes
Cobre 29
Prata 47
Ouro 79
9
10
11
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eltron-lacuna:
Cada
eltron livre que surge deixa um vazio em seu lugar. A esse vazio damos o nome de lacuna. A lacuna pode ser considerada uma carga positiva. O eltron uma carga negativa. Num cristal semicondutor, existe uma constante gerao de pares eltrons-lacunas e sucessivas recombinaes. Ainda assim o cristal semicondutor eletricamente neutro. Com a aplicao de uma diferena de potencial pode haver circulao de corrente eltrica atravs dos pares eltronslacunas.
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da dopagem se altera as caractersticas fsicas e eltricas dos cristais semicondutores. A dopagem consiste em substituir tomos tetravalentes por trivalentes e pentavalentes. Esses tomos so denominados impurezas. O semicondutor dopado denominado impuro (extrnseco). O processo de dopagem aumenta o grau de condutibilidade do cristal, reduzindo sua resistncia eltrica.
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material semicondutor do Tipo P dopado atravs da substituio de tomos de silcio por trivalentes (Boro, Alumnio, Glio)
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nmero de lacunas muito maior que de eltrons Lacunas so portadores majoritrios de carga Eltrons so portadores minoritrios de carga ons receptores so os tomos de impureza
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material semicondutor do Tipo N dopado atravs da substituio de tomos de silcio por pentavalentes (Fsforo, Antimnio)
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nmero de eltrons muito maior que de lacunas Eltrons so portadores majoritrios de carga Lacunas so portadores minoritrios de carga ons doadores so os tomos de impureza
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regio de depleo no h portadores por causa das recombinaes Nesta regio surge um campo eltrico que impede a passagem de eltrons do lado N para o lado P Esse impedimento chamado barreira de potencial No silcio em torno de 0,6 V a 0,7 V
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O plo positivo da fonte atrai os eltrons do lado N, gerando mais ons positivos, e o plo negativo da fonte fornece eltrons para se recombinarem com as lacunas do lado P, gerando mais on negativos
O excedente de ons aumenta a regio de depleo, portanto aumentando a barreira de potencial proporcionalmente tenso reversa da fonte
A juno PN comporta-se como uma elevada resistncia, isto , praticamente como um circuito aberto
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A aplicao da polarizao direta forar os eltrons do material do tipo N e as lacunas do material do tipo P a se recombinarem com os ons prximos da fronteira, de forma a diminuir a regio de depleo
Com a diminuio da regio de depleo comea um fluxo intenso de eltrons do lado do tipo N em direo ao plo positivo da fonte, portanto, de lacunas do lado do tipo P para o plo negativo da fonte
A juno PN comporta-se como uma baixa resistncia, isto , praticamente como um curto-circuito
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BIBLIOGRAFIA
Boylestad, Nashelsky. Dispositivos Eletrnicos e Teoria de circuitos. Prentice Hall. Malvino, Albert Paul. Eletrnica. Vol1, Prentice Hall. Markus, Otvio. Ensino Modular: Sistemas analgicos circuitos com Diodos e Transistores. rica.
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