1. Fundamentos de semiconductores 1.

1 El estado cristalino, redes cristalinas y crecimiento de cristales en Semiconductores CRECIMIENTO DE CRISTALES Cuando los tomos se combinan para formar un solido pueden acomodarse siguiendo un patrn ordenado llamado cristal. El orden de los tomos en un material es importante en la determinacin de sus propiedades especificas. La disposicin atomica de un solido, se puede clasificar como: amorfo, policristalino o cristalino. Un solido amorfo es aquel en el que no se reconoce ningn orden en la ubicacin de los tomos dentro del material. La disposicin atomica en cualquier porcin de un material amorfo es distinta de la de cualquier porcin del mismo. En los solidos cristalinos los tomos estan distribuidos en un conjunto tridimencional ordenado. En cualquier seccin de un material cristalino, se puede reproducir con facilidad la disposicin de los atomos en otra seccin del mismo. Los solidos policristalinos constituyen un caso intermedio, en el cual el solido est compuesto de subsecciones cristalinas que no son homogeneas o que no estan relacionados entre si. En electronica los materiales que son la base para la construccin de dispositivos electronicos son el silicio (Si) y el germanio (Ge). Los tomos de germanio o de silicio pueden agruparse en una estructura geometrica bien definida conocida como reticulo cristalino. Tanto el silicio (Si) como el germanio (Ge) son conocidos como tomos tetravalentes, porque cada uno tiene cuatro electrones de valencia. Cada tomo tetravalente comparte sus electrones de valencia por medio de enlaces covalentes de tal manera que cada tomo tiene 8 electrones en su capa de valencia estos 8 electrones producen un cristal de germanio o de silicio una cierta estabilidad quimica se puede decir que el cristal se comparta como un aislante a bajas temperaturas. La temperatura provoca la exitacin y el rompimiento de algunos enlaces covalentes. Algunos electrones adquieren energia para circular al azar, la salida de un electron de valencia deja vacio un electrn de valencia llamado hueco el cual se comporta como una carga positiva, est atraer y captura cualquier electrn de su densidad inmediata. La energia que se requiere para romper un enlace covalente es 0,72 eV para el Ge y 1,1 eV para el Si. Cuanto ms alta sea la temperatura mayor sera la cantidad de electrones libres y huecos que se generen. Cuando en electrn se aproxima a un hueco ser atraido y caera hacia el, a esta unin electrn libre-hueco se le llama recombinacin. El tiempo que transcurre entre la creacin y desaparicin de un electrn libre se denomina tiempo de vida. El tiempo de vida varia desde unos cuantos nanosegundos hasta varios microsegundos dependiendo de la perfeccin del cristal.

1.2 Materiales semiconductores Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad elctrica puede considerarse situada entre las de un aislante y la de un conductor, considerados en orden creciente Los semiconductores ms conocidos son el siliceo (Si) y el germanio (Ge). Debido a que, como veremos ms adelante, el comportamiento del siliceo es ms estable que el germanio frente a todas las perturbaciones exteriores que puden variar su respuesta normal, ser el primero (Si) el elemento semiconductor ms utilizado en la fabricacin de los componentes electrnicos de estado solido. A l nos referiremos normalmente, teniendo en cuenta que el proceso del germanio es absolutamente similar. Como todos los dems, el tomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el ncleo, como electrones en las rbitas que le rodean. (En el caso del silicio este nmero es de 14). El inters del semiconductor se centra en su capacidad de dar lugar a la aparicin de una corriente, es decir, que haya un movimiento de electrones. Como es de todos conocido, un electrn se siente ms ligado al ncleo cuanto mayor sea su cercana entre ambos. Por tanto los electrones que tienen menor fuerza de atraccin por parte del ncleo y pueden ser liberados de la misma, son los electrones que se encuentran en las rbitas exteriores. Estos electrnes pueden, segn lo dicho anteriormente, quedar libres al inyectarles una pequea energa. En estos recaer nuestra atencin y es as que en vez de utilizar el modelo completo del tomo de silicio (figura 1), utilizaremos la representacin simplificada (figura 2) donde se resalta la zona de nuestro inters.

La zona sombreada de la figura 2 representa de una manera simplificada a la zona sombreada de la figura 1

Como se puede apreciar en la figura, los electrones factibles de ser liberados de la fuerza de atraccin del ncleo son cuatro

1.3 Modelo de Enlace Covalente En este enlace cada uno de los tomos aporta un electrn. Los orbitales de las capas de valencia de ambos tomos se combinan para formar uno solo que contiene a los 2 electrones. El enlace covalente se representa con una linea recta que une a los 2 tomos, por ejemplo: O-H Caractersticas del enlace covalente.

Es muy fuerte y se rompe con dificultad. Si la diferencia de electronegatividades entre los 2 tomos es marcada, tenemos un enlace polar y se favorecer la solubilidad de la substancia en solventes polares. Ejemplo: un enlace O-H Si la diferencia de electronegatividades es poca, tenemos un enlace no polar y se favorecer la solubilidad de la substancia en solventes no polares. Ejemplo: un enlace C-H o C-C

ENLACE COVALENTE COORDINADO. En este enlace tambin se combinan los orbitales de las capas de valencia de ambos tomos para formar uno solo que contiene a los 2 electrones; la diferencia con el anterior es que slo uno de los tomos aporta los 2 electrones y queda con carga positiva. El enlace covalente coordinado se representa con una flecha que sale del tomo que cedi el par de electrones: N->H

Caractersticas del enlace covalente coordinado.

Una vez formado es idntico a los dems enlaces covalentes.

1.4 Materiales intrnsecos, materiales extrnsecos MATERIALES INTRINSECOS Los materiales intrnsecos son aquellos que han sido cuidadosamente refinados para reducir las impurezas a un nivel muy bajo, esencialmente tan puro como sepuede obtener a travs de la tecnologa moderna. A los electrones libres localizados en el material que se deben slo a causas naturales, se les conoce como portadores intrnsecos. SEMICONDUCTOR INTRINSECO: Un semiconductor intrnseco es un semiconductor cuyas propiedades son innatas al material. La concentracin de portadores en un semiconductor intrnseco es una de la propiedades intrnsecas que identifican al material ms acusadas a medida que aumenta la temperatura.

ni=concentracin de electrones por unidad de volumen de materiales intrnsecos pi=concentracin de huecos por unidad de volumen de materiales intrnsecos

NOTA: Por efectos trmicos se generan electrones libres generando huecos en la banda de valencia, es decir, generacin de pares electronhueco (ni=pi). MATERIALES EXTRINSECOS Una forma de aumentar la conductividad de un semiconductor es mediante el dopado consiste en aadir impurezas a un cristal intrnseco. Un semiconductor puede doparse para que tenga un exceso de electrones o de huecos. Para que un semiconductor tenga exceso de electrones libres se contamina con tomos pentavalentes a esa impureza se le conoce como donadora y al cristal se le llama semiconductor tipo N.. En un cristal tipo N los portadores mayoritarios sern los electrones. A un semiconductor dopado con tomos pentavalentes se le llama extrnseco. Cuando un semiconductor extrinseco se le contamina con tomos trivalentes (impurezas aceptoras) este presenta un exceso de huecos donde estos sern los portadores mayoritarios, a este tipo de cristal se le conoce como semiconductor tipo P. EXISTEN DOS CLASES DE DOPANTES: TIPO n:

-Impurezas dadoras que son pentavalentes provenientes del grupo V de la tabla peridica, que les queda "libre" el quinto electrn. -Elementos pentavalentes como fsforo, arsnico y antimonio. -En el tipo n los portadores mayoritarios son los electrones (n>p) y los minoritarios los huecos. -Nd=concentracin de dadores por unidad de volumen.

TIPO p:

--Impurezas aceptoras que son trivalentes provenientes del grupo III de la tabla peridica, que les queda "libre" un hueco . -Elementos trivalentes como boro, aluminio y galio -En el tipo p los portadores mayoritarios son los huecos (p>n) y los minoritarios los electrones. -Na=concentracin de aceptores por unidad de volumen.

1.5 Modelo de Bandas de energa La energa requerida para liberar los electrones de los conductores, los aislantes y los semiconductores, es lo que determina sus respectivas bandas de conduccin y pueden representarse por medio de diagramas de bandas de energa. Dichos diagramas nos indican qu tan fcil o difcil es liberar un electrn para iniciar la conducci elctrica. Los diagramas de bandas de energa mostrados en esta pgina slo abarcan los niveles de energa que van desde la banda de valencia hasta la de conduccin. En cada diagrama la banda de valencia representa el nivel de energa que poseen los electrones de valencia, mientras que la banda de conduccin representa el nivel de energa que stos deben alcanzar a fin de liberarse de su capa. Entre esta banda y la conduccin puede haber una intermedia, llamada banda prohibida. Si la energa agregada a un electrn de valencia es limitada, de modo que su nivel de energa total quede en la banda prohibida, entonces este electrn no ser liberado y permanecr en la capa de valencia. Puede verse, que la altura de la banda prohibida indica que tan fcil o difcil es liberar un electrn de valencia e iniciar la conduccion. Observando los diagramas, los aislantes tienen una banda prohibida ancha; los semiconductores, una banda prohibida ms estrecha; y los conductores no la tienen. 1.6 Distribucin de Fermi Dirac y distribucin de Maxwell- Boltzmann

Una distribucin que aumenta en el estudio de la integracin de las partculas en fsica,

(1) Su integral esta dada por: (2) (3) Donde es la trascendental. es el polilogaritmo

Distribucin de Maxwell- Boltzmann Todas las molculas de una qumica especfica, tienen la misma masa en sus elementos o compuestos, as que su energa cintica es solo dependiente de la velocidad de las partculas Recordar que la energa cintica es igual a mv2 En cualquier mezcla de molculas en movimiento, la velocidad variara en gran manera, desde las muy lentas partculas (de baja energa) hasta las partculas mas rpidas (de alta energa). La mayora de las partculas se movern a una velocidad muy cercana a la velocidad promedio. La distribucin de Mawell-Boltzmann muestra como la velocidad (desde la energa) de la mezcla de partculas vara en un temperatura especfica

Puntos a resaltar:

No hay moleculas sin energa Pocas molculas se encuentra con gran energa No hay molculas con el valor mximo de energ

Para que la reaccin, las partculas relacionadas necesitan una cantidad de energa la energa de activacin (Eact). Si una partcula no se encuentra en el rea de corte, entonces no tendr la energa requerida y no ser capaz de participar en la reaccin

1.7 Nivel de Fermi en materiales intrnsecos y extrnsecos Nivel de Fermi-Dirac La funcin de distribucin de Fermi-Dirac f(E), describe la probabilidad qe que un estado en la energia E, se llene por medio de un electron. La funcin de Fermi slo representa una probabilidad de ocupacin y no contiene informacin acerca de los estados disponibles para ser ocupados, por lo tanto no especifica la poblacin de electrones en una energia dada.

Nivel de Fermi-Dirac intrnseco Debido a que los electrones que pasan de la banda de conduccin, dejan huecos en la bandas de valencia, la igualdad de los numeros volumtricos de los electrones libres y de huecos permite determinar el nivel de fermi en un semiconductor intrnseco: El Nivel de Fermi se obtuvo de las Concentraciones de Portadores: ELECTRONES n=Nc.e^(-EC-EF/KT) HUECOS P=Nv.e^(-EF-EV/KT)

NIVEL DE FERMI EF=Ei=(Ev+Ec)/2 NOTA: El Nivel de Fermi del Material Intrnseco se encuentra ubicado en la Banda Prohibida

NIVEL DE FERMI EN EL MATERIAL EXTRINSECO Si se tienen temperaturas bajas, se tendrin muy pocos electrones excitados para atravesar la banda de valencia hacia la de la conduccin, de manera que p seria despreciable en comparacin con n; por lo tanto, en el intervalo de tamperaturas bajas se le conoce como nivel de Fermi-Dirac extrnseco. El intervalo extrnseco de temperatura comprende otros dos intervalos los que el calculo de nivel de Fermi es sencillo. 1. A temperaturas muy bajas, se ionizan slo una pequea fraccin de los tomos donadores. Dicho de otra forma, el nivel de Fermi esta situado a varias veces kT arriba del nivel donador para que la mayoria de los estados donadores contenga electrones. en

2. A temperaturas ms elevadas en el intervalo extrnseco, se ionizan casi todos los tomos de impureza, de manera que nD - = nD. En otras palabras, el nivel de Fermi se habr movido a por lo menos, varias veces kT debajo del nivel donador, esto da como resultado slo la probabilidad muy pequea de que cualquier nivel donador este ocupado.

NIVEL DE FERMI DEL MATERIAL TIPO n EF=Ei+Er. NOTA: EF=se desplaza hacia la banda de conduccin. Ei=el nivel de fermi de los materiales intrnsecos.

Er=(KT/2)*ln(p/n) n>>p NIVEL DE FERMI DEL MATERIAL TIPO p EF=Ei-Er. NOTA: EF=se desplaza hacia la banda de valencia. Ei=el nivel de fermi de los materiales intrnsecos. Er=(KT/2)*ln(p/n) n<<p

NOTA: El Nivel de Fermi del Material Intrinseco se encuentra ubicado en la Banda Prohibida 1.8 Conductividad, movilidad, proceso de difusin Conductividad La conductividad se define como la relacin entre la densidad de corriente y la intensidad del campo electrico aplicado.

En funcin de las cargas

Movilidad La movilidad es un parmetro importante en el fenomeno del transporte de electrones y huecos por arrastre. La movilidad es una medida de la facilidad de movimiento de los portadores dentro de un cristal. Si se incrementan las colisiones que retardan el movimiento dentro de un cristal, se reduce la movilidad de los portadores. Dicho de otra forma, la movilidad de los portadores vara en relacin inversa con el nmero de centros dispersores que existen dentro del semiconductor.

proceso de difusin La difusin es un proceso por el cual las partculas tienden a dispersarse o redistribuirse como resultado de su movimiento erratico trmico. Cabe sealar que la partcula que se mueve por difusin no necesita estar cargada; la causa del mecanismo es el movimiento trmico, no la repulsin entre partculas. En los semiconductores, las partculas mviles, los electrones y los huecos estn cargados, y el transporte de portadores debido a la difusin da lugar a corrientes de partculas.

1.9 Ecuaciones de continuidad ECUACIONES DE CONTINUIDAD El objetivo de una ecuacin de continuidad es describir la razn de un cambio en el tiempo de la densidad nemrica de partculas en un elemento de volumen del espacio. La idea bsica de partida es que la diferencia entre el nmero de portadores que entra y salen de una regin sin importar como lo hacen es igual a la variacin del nmero de portadores minoritarios en la regin. Esto lo expresa la condicin de equilibrio dinmico de los portadores del semiconductor que se encuentran en una situacin ligeramente de desequilibrio Donde la entrada y salida de los portadores estn en el orden de la suma de las componentes de arrastre y de difusin, puestos que la velocidad de generacin y recombinacin por unidad de volumen son G y U. Los electrones y los huecos no pueden aparecer y desaparecer misteriosamente en un punto determinado, sino que deben ser transportados al punto dado o creados en l, a travs de algn tipo de accin. Debe haber una continuidad espacial y

temporal en las concentraciones de portadores.. Por esta razn, las ecuaciones siguientes son conocidas como ecuaciones de continuidad. Ecuacin de continuidad para electrones en el material tipo p:

n*(d(npE)/dx)+Dn*(d(np)/dx)+Gn-((np-npo)/ n)=dnp/dt

Para

Huecos:

- p*(d(pnE)/dx)+Dp*(d(pn)/dx)+Gp-((pn-pno)/ p)=dpn/dt

MODELO TRIDIMENSIONAL:

dnp/dt =(1/q)* Jn+Gn-((np-npo)/ n)

Huecos:

dpn/dt = - (1/q)* Jp+Gp-((pn-pno)/ p)

2. Unin PN 2.1 Semiconductor P y semiconductor N SEMICONDUCTOR TIPO N Si en una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre s) ....

Enlace covalente de tomos de germanio, obsrvese que cada tomo comparte cada uno de sus electrones con otros cuatro tomos .... sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por un tomo de otro elemento que contenga cinco electrones en su capa exterior, resulta que cuatro de esos electrones sirven para enlazarse con el resto de los tomos de la red y el quinto queda libre.

Semiconductor dopado tipo N A esta red de silicio "dopado" con esta clase de impurezas se le denomina "Silicio tipo N" En esta situacin hay mayor nmero de electrones que de huecos. Por ello a estos ltimos se les denomina "portadores minoritarios" y "portadores mayoritarios" a los electrones Las Impurezas tipo N ms utilizadas en el proceso de dopado son el arsnico, el antimonio y el fsforo Est claro que si a un semiconductor dopado se le aplica tensin en sus bornas, las posibilidades de que aparezca una corriente en el circuito son mayores a las del caso de la aplicacin de la misma tensin sobre un semiconductor intrnseco o puro. SEMICONDUCTOR TIPO P Si en una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre s) ....

Enlace covalente de tomos de germanio, obsrvese que cada tomo comparte cada uno de sus electrones con otros cuatro tomos .... sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por un tomo de otro elemento que contenga tres electrones en su capa exterior, resulta que estos tres electrones llenarn los huecos que dejaron los electrones del tomo de silicio, pero como son cuatro, quedar un hueco por ocupar. Osea que ahora la sustitucin de un tomo por otros provoca la apricin de huecos en el cristal de silicio. Por tanto ahora los "portadores mayoritarios" sern los huecos y los electrones los portadores minoritarios. A esta red de silicio dopada con esta clase de impurezas se le denomina "silicio tipo P"

Semiconductor dopado tipo P

2.2 Unin P-N en estado de equilibrio 2.2.1

Potencial de contacto

La unin P-N esta polarizada directamente cuando el borne positivo de la alimentacin se aplica a la zona P y el negativo a la zona N. Para asimilar el comportamiento de la unin polarizada en directo, establecemos en principio el diagrama de potenciales asociados a la unin P-N sin polarizar. Se distinguen tres zonas perfectamente delimitadas:

Zona P. Unin P-N Zona N.

Tomando como referencia la zona P -provista de cargas fijas negativas- a la que asignaremos el potencial cero, se observa que a la zona N -provista de cargas fijas positivas- corresponde un potencial Vo, habida cuenta de que es precisamente el potencial de contacto entre ambos semicristales a travs de la zona de transicin La evolucin de la curva en la zona de unin se ajusta a las siguientes consideraciones:

Los extremos del tramo intermedio coincidir con los puntos de potencial O y Vo al llegar a los lotes de las regiones P y N, respectivamente. Su trazado sera no lineal o lineal, aunque no mostrar inflexiones pronunciadas. 2.2.2 Campo elctrico

A medida que se produce la recombinacin o neutralizacin de pares, y +, el campo elctrico (E) en la unin tiende a aumentar paulatinamente. A su vez, se establece la zona libre de cargas alrededor de la unin P-N. Cabe precisar que el campo elctrico E se opone a la difusin, - y + a travs de la zona de carga de espacio. Por consiguiente, E frena la corriente de difusin y da lugar a la aparicin de una corriente de arrastre que se opone a la anterior. Este proceso se prolonga hasta que se establece el equilibrio cargas, circunstancia que depender el campo elctrico E y anchura de zona de transicin es provista de cargas. En equilibrio dinmico se verificara la igualdad entre las corrientes de difusin de arrastre. Se observa que a ambos lados de la unin en el campo elctrico es igual a cero, por lo que existe neutralidad de carga. 2.2.3 2.2.4 Zonas de vaciamiento Carga almacenada

Supongamos que se dispone de un monocristal de silicio puro, dividido en dos zonas con una frontera ntida, definida por un plano. Una zona se dopa con impurezas de tipo P y la otra de tipo N (Figura 4). La zona P tiene un exceso de huecos, y se obtiene introduciendo tomos del grupo III en la red cristalina (por ejemplo, boro). La zona N dispone de electrones en exceso, procedentes de tomos del grupo V (fsforo). En ambos casos se tienen tambin portadores de signo contrario, aunque en una concentracin varios rdenes de magnitud inferior (portadores minoritarios).

Figura 4: Impurificacin del silicio para la obtencin de diodos PN

En cada zona la carga total es neutra: por cada electrn hay un ion positivo, y por cada hueco un ion negativo, es decir, no existen distribuciones de carga neta, ni campos elctricos internos. En el momento mismo de crear dos zonas de diferente concentracin de portadores, entra en juego el mecanismo de la difusin. Como se recordar, este fenmeno tiende a llevar partculas de donde hay ms a donde hay menos. El efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unin de las dos zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria, es decir:

Electrones de la zona N pasan a la zona P. Huecos de la zona P pasan a la zona N.

Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto. Centrmonos en la regin de la zona P cercana a la unin: 1. El electrn que pasa la unin se recombina con un hueco. Aparece una carga negativa, ya que antes de que llegara el electrn la carga total era nula. 2. Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga positiva en la zona P, con lo que tambin aparece una carga negativa. El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para la zona N. En consecuencia, a ambos lados de la unin se va creando una zona de carga, que es positiva en la zona N y negativa en la zona P (Figura 5).

Figura 5: Formacin de la unin PN

En el ejemplo del captulo 5, los gases difunden completamente hasta llenar las dos estancias de la caja y formar una mezcla uniforme. Sin embargo, a diferencia de lo que ocurre con los gases de aquel ejemplo, en este caso estn difundiendo partculas cargadas. La distribucin de cargas formada en la regin de la unin provoca un campo elctrico desde la zona N a la zona P. Este campo elctrico se opone al movimiento de portadores segn la difusin, y va creciendo conforme pasan ms cargas a la zona opuesta. Al final la fuerza de la difusin y la del campo elctrico se equilibran y cesa el trasiego de portadores. En ese momento est ya formado el diodo de unin PN, y como resultado del proceso se ha obtenido:

Zona P, semiconductora, con una resistencia RP.

Zona N, semiconductora, con una resistencia

Zona de agotamiento (depleccin): No es conductora, puesto que no posee portadores de carga libres. En ella acta un campo elctrico, o bien entre los extremos acta una barrera de potencial.

Hay que tener en cuenta que este proceso sucede instantneamente en el momento en el que se ponen en contacto las zonas N y P, y no necesita de ningn aporte de energa, excepto el de la agitacin trmica 2.2.5 Capacitancia

Crecimiento de la unin: los diodos de este tipo se forman durante el proceso de estiramiento de cristal Czochralski. Se pueden aadir alternamente impurezas tipo p y n al material semiconductor fundido en el crisol, y da como resultado una unin p-n cuando el cristal se estira. Despus de rebanar, el dispositivo de rea grande puede cortarse en grandes cantidades (a veces miles) de diodos semiconductores de rea ms pequea. El rea de los diodos de unin por crecimiento es lo suficientemente grande para manejar altas corriente (y por tanto tener valores nominales de potencia altos). Sin embargo, al rea grande introducir efectos capacitivos indeseables en la unin. Aleacin: el proceso de aleacin dar como resultado un diodo semiconductor del tipo de unin que tambin tendr un alto valor nominal de corriente y PIV grande. Sin embargo, la capacitancia de la unin es tambin grande, porque el rea de unin tambin es grande. La unin p-n se forma poniendo primero una impureza tipo p en un sustrato tipo n y calentando ambos hasta que sucede la licuefaccin y los dos materiales se juntan. El resultado es una aleacin que cuando se enfra produce una unin p-n en la frontera entre la aleacin y el sustrato. Los papeles que desempean los materiales tipo n y p pueden intercambiarse.

2.3 Condiciones de polarizacin 2.3.1 Polarizacin directa Consiste en aplicar a la parte P del diodo una tensin ms positiva que a la parte N. De esta forma, el campo elctrico estar dirigido de la parte P a la parte N. Esto significa que circularan huecos de la parte P (donde son mayoritarios) a la parte N (donde son minoritarios) por lo que esta corriente tiene el mismo sentido que la corriente de difusin. De esta forma, la corriente total de huecos es muy alta. Un proceso anlogo ocurre para la corriente de electrones. La corriente total es la suma de la de huecos y la de electrones y toma un valor elevado a partir de un determinado valor de tensin (tensin ) que depende del tipo de semiconductor (en el Silicio es.umbral, V aproximadamente de 0,7 V y en el Germanio de 0,2 V). Puede considerarse que el diodo es el dispositivo binario ms elemental, ya que permite el paso de corriente en un sentido y lo rechaza en sentido contrario.

2.3.2

Polarizacin inversa

El diodo de unin P-N es el dispositivo semiconductor ms elemental. Consiste en el dopado de una barra de cristal semiconductor en una parte con impurezas donadoras (tipo N) y en la otra con impurezas aceptadoras (tipo P)De esta forma, en la parte P existe mucha mayor concentracin de huecos que de electrones libres y en la parte N ocurre lo contrario. La conductividad del diodo es diferente segn sea el sentido en que se aplique un campo elctrico externo. Existen dos posibilidades de aplicacin de este campo: polarizacin inversa y polarizacin directa. Polarizacin inversa. Consiste en aplicar a la parte N del diodo una tensin ms positiva que a la parte P. De esta forma, el campo elctrico estar dirigido de la parte N a la parte P y los huecos tendern a circular en ese sentido Mientras que los electrones tendern a circular en sentido contrario. Esto significa que circularan huecos de la parte N (donde son muy minoritarios) a la parte P (donde son mayoritarios), por lo que esta corriente se ve contrarrestada por una corriente de difusin que tiende a llevar a los huecos de donde son mayoritarios (parte P) hacia donde son minoritarios (Parte N). Por consiguiente, la corriente global de huecos es prcticamente nula. Algo totalmente anlogo ocurre con la corriente de electrones, la corriente de arrastre va en sentido contrario a la de difusin, contrarrestndose ambas y produciendo una corriente total Prcticamente nula. La corriente total es la suma de la de huecos ms la de electrones y se denominan Corriente inversa de saturacin ( Is ). En la prctica, el valor de esta corriente es muy pequeo (del orden de nA en el Silicio) y depende de la temperatura de forma que aumenta al aumentar sta. 2.4 Fenmenos de ruptura 2.4.1 Ruptura por multiplicacin o avalancha En polarizacin inversa se generan pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran e incrementan su energa cintica, de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar que salten a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocan con ms electrones de valencia y los liberan tambin. El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a 6 V en los diodos de silicio. 2.4.2 Ruptura Tener

Cuanto ms dopado est el material, menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el semiconductor est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de 3105 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar

electrones de valencia y aumentar la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores. Para tensiones inversas de entre 4 y 6 V la ruptura del semiconductor se puede producir por ambos efectos. 2.5 Tcnicas de fabricacin de dispositivos de unin. El primer paso en la fabricacin de algn dispositivo es obtener materiales semiconductores del nivel de pureza deseado, como el silicio, germanio y arseniuro de galio. En la actualidad se requieren niveles de impureza de menos de una parte de mil millones (1 en 1,000,000,000) para la fabricacin de la mayora de los dispositivos semiconductores. Las materias primas se sujetan primero a una serie de reacciones qumicas y aun proceso de refinacin por zona para formar un cristal policristalino del nivel de pureza que se desea. Los tomos de un cristal policristalino estn acomodados en forma aleatoria, mientras que en el cristal nico, los tomos estn acomodados en una red cristalina geomtrica, simtrica y uniforme. El aparato para refinacin por zona consiste en un recipiente de grafito o cuarzo, para tener la contaminacin mnima, un tubo contenedor de cuarzo y un juego de bobinas de induccin de RF (radiofrecuencia). Las bobinas o el bote deben ser movibles a lo largo de la longitud del tubo de cuarzo. Se obtendr el mismo resultado en cualquier caso, aunque aqu se presenta el mtodo de las bobinas movibles porque parece ser el ms comn. El interior del tubo contenedor de cuarzo est lleno con un gas inerte (con poca o ninguna reaccin qumica) o al vaco, para reducir ms la posibilidad de contaminacin. En el proceso de refinacin por zona se pone en el bote una barra de silicio con las bobinas en un extremo de la barra. Luego se aplica la seal de radiofrecuencia a la bobina, la cual induce un flujo de carga (corrientes parsitas) en el lingote de silicio. Se aumenta la magnitud de estas corrientes hasta que se desarrolla suficiente calor para fundir esa regin del material semiconductor. Las impurezas del lingote entrarn en un estado ms lquido que el material semiconductor que las rodea. Las bobinas de induccin se mueven lentamente hacia la derecha para inducir la fusin de la regin vecina, las impurezas "ms fluidizas" "seguirn" a la regin fundida. El resultado neto es que un gran porcentaje de las impureza aparecern al extremo derecho del lingote cuando las bobinas de induccin hayan llegado a ese extremo. Este lado de la pureza con impurezas puede despus cortarse y se repite el proceso completo hasta que se llega al nivel de pureza deseado. 3. Dispositivos de unin 3.1 Diodo rectificador Son circuitos que convierten seales alternas en seales de una sola polaridad (positiva o negativa) Segn su configuracin son de media onda o de onda completa y segn la fuente AC usada son monofsicos o polifsicos.

Para mirar los voltajes y corrientes en el diodo examinamos dos circuitos bsicos a continuacin.

Como se aplica la polaridad positiva de la fuente al nodo y negativa a travs de la resistencia al ctodo, el diodo es polarizado en directo, entonces: VD = 0.7v VR = VF - VD = VF - 0.7 VF I VF/R

Si VF = 100v ; R = 200 VR 100v VD = 0.7 ID = I = 0.5A

Como la fuente aplica polaridad negativa al nodo y positiva a travs de la resistencia hacia el ctodo el diodo es polarizado en inverso, entonces: I = ID = 0 si I = 0 VR = RI = 0 VD = VF - VR = VF - 0 = VF (en inverso)

Al aplicar una fuente AC el diodo conduce en el ciclo positivo (1er circuito) y se abre en el semiciclo negativo (2do circuito).

En la carga (R) aparece voltaje de una sola polaridad positiva, es una seal llamada rectificada media onda. El voltaje pico en el diodo corresponde al valor pico negativo de la fuente: VDP = VFP La corriente pico en el diodo se produce cuando la fuente llega a su pico positivo y es:

Por la forma de onda la corriente promedio es:

Ejemplo: Sea VFef = 220 VRMS y R = 500 VDP = VFef = 2*220v = 310VP 2* IM = 0.18A

Del manual ECG se puede tomar el diodo ECG 116 que soporta VPR = 600v y IMmax = 1A.

Para obtener una onda rectificada negativa se coloca el diodo en sentido contrario.

3.2 Diodo zener DIODOS ZENER En 1934 un cientfico llamado Carlos Zener propuso una teora de ruptura elctrica en los slidos, sealo que bajo cierta intensidad de campo, los portadores pueden cruzar la unin o juntura mediante un proceso de mecnica cuntica. Tal como si los portadores hubiese tneles en la barrera. Una vez que se produce la juntura, se desarrolla con rapidez para convertirse en un avalancha de corriente. Por supuesto se refera a corriente de unos cuantos amperios; pero se trataba de corriente inversa. El diodo Zener se diseo para que funcionara de acuerdo con esta premisa, dicho componente funciona con polarizacin inversa y la polarizacin operacional apropiada produce corriente en el centro de la zona de ruptura. Puesto que el diodo Zener fue el primer dispositivo que funciona en estas condiciones, una parte de la curva de corriente inversa se conoce como regin Zener.

Figura 4.13. Regin Zener De acuerdo con la curva caracterstica anterior, cuando un diodo Zener se polariza en modo inverso, el diodo acta como un interruptor cerrado (igual que un diodo de unin normal). La corriente directa aumenta con la tensin aplicada y esta limitada prcticamente por parmetros externos del circuito. Cuento el diodo est polarizado en sentido inverso, produce una pequea i inversa llamada de saturacin, esta permanece relativamente constante hasta que se alcanza la regin de ruptura Zener en la proximidad de la tensin Zener del dispositivo. A pesar del aumento de polarizacin inversa cerca de la tensin de ruptura la i inversa aumenta rpidamente a causa del efecto de avalancha. Finalmente la ruptura Zener (caracterizada por un brusco cambio de corriente) tiene lugar cuando se alcanza la tensin Zener. En esta regin, pequeas variaciones de tensin dan por resultado grandes variaciones de corrientes. Evidentemente hay cambios muy bruscos de resistencia efectiva en la union p-n. La ruptura Zener no origina necesariamente la destruccin de dispositivos. Mientras la corriente esta limitada en el diodo por el circuito exterior hasta un nivel que no exceda la capacidad de potencia del diodo ste continua funcionando normalmente. Por otra parte reduciendo la polarizacin inversa por debajo de la tensin Zener, se puede variar el nivel de tensin hasta restaurar el nivel de corriente de saturacin. El proceso de conmutacin del diodo entre sus estados de corriente Zener y de saturacin puede ser repetido tantas veces como sea necesario sobre que se deteriore el elemento.

3.3 Diodo Tnel Diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el efecto tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica corriente-tensin. La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente activo (amplificador/oscilador). El diodo tnel est ms contaminado que el diodo zener, provocando que la zona desrtica sea ms pequea. Esto aumenta la velocidad de operacin, por lo que el diodo tnel es til en aplicaciones de alta velocidad. Conforme aumenta la polarizacin directo, la corriente aumenta con mucha rapidez hasta que se produce la ruptura. Entonces la corriente cae rpidamente. El diodo tnel es til debido a esta cesin de resistencia negativa. La regin de resistencia negativa de un diodo tnel se desarrolla de manera caracterstica en el intervalo de 50 mV a 250 mV. 3.4 Diodo varactor El Varicap El Varicap (Epicap, capacidad controlada por tensin o diodo de sintona) es un diodo que se comporta como un condensador donde la capacidad esta controlada por la tensin.

Las regiones p y n se comportan como las placas de un condensador y la zona de deplexin es como el dielctrico.

En inversa la anchura de la "Zona de deplexin" aumenta con la tensin inversa y la capacidad disminuye.

3.5 Diodo PIN Diodo PIN (Del ingls P region-Intrinsic region-N region) Unin pn semiconductora que posee dos regiones, una fuertemente dopada n, representada como n++, y otra fuertemente dopada p, representada por p++, y una zona intrnseca de dopado muy dbil. El diodo que tiene la regin poco contaminada y casi intrnseca entre las regiones de y n se llama diodo Pinto. El nombre se deriva del material intrnseco entre las capas p y n. Debido a su construccin, el diodo quien tiene baja capacitancia y, por tanto, encuentra aplicacin en frecuencias altas. Cuando se polariza en directo, la inyeccin de portadores minoritarios aumenta la conductividad de la regin intrnseca. Cuando se polariza en inverso, la regin i se vaca totalmente de portadores y la intensidad del campo a travs de la regin es constante. 3.6 Diodo Schottky El diodo Schottky A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fcilmente cuando la polarizacin cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutacin puede llegar a ser muy alto, poniendo en peligro el dispositivo. El diodo Schottky es la solucin ya que puede conmutar ms rpido que un diodo normal. El diodo Schottky con polarizacin directa tiene 0,25 V de barrera de potencial frente a los 0,7 V de un diodo normal. Puede rectificar con facilidad a frecuencias superiores a 300 MHz.

3.7 Dispositivos pticos 3.7.1

Fotodiodo

El fotodiodo se parece mucho a un diodo semiconductor comn, pero tiene una caracterstica que lo hace muy especial: es un dispositivo que conduce una cantidad de corriente elctrica proporcional a la cantidad de luz que lo incide (lo ilumina). Esta corriente elctrica fluye en sentido opuesto a la flecha del diodo y se llama corriente de fuga.

Luz incidente Sentido de la corriente generada El fotodiodo se puede utilizar como dispositivo detector de luz, pues convierte la luz en electricidad y esta variacin de electricidad es la que se utiliza para informar que hubo un cambio en el nivel de iluminacin sobre el fotodiodo. Si el fotodiodo quedara conectado, de manera que por l circule la corriente en el sentido de la flecha (polarizado en sentido directo), la luz que lo incide no tendra efecto sobre l y se comportara como un diodo semiconductor normal. La mayora de los fotodiodos vienen equipados con un lente que concentra la cantidad de luz que lo incide, de manera que su reaccin a la luz sea ms evidente. A diferencia del LDR o fotorresistencia, el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminacin y viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta ms pequeo. Si se combina un fotodiodo con una transistor bipolar, colocando el fotodiodo entre el colector y la base del transistor (con el ctodo del diodo apuntado al colector del transistor), se obtiene el circuito equivalente de un fototransistor. 3.7.2 LEDS LED (light Emitting Diode) o SSL (Solid State Lamp) lampara de estado slido Ventajas del SSL 1. Tienen una respuesta sumamente rpida de tiempo, esto es el encendido y apagado que puede ser del orden de nseg o pocos seg o inclusive pseg de tiempo, tambin tiene una larga y una gran rigidez mecnica de tiempo, tambin tienen una larga y una gran rigidez mecnica, adems tiene baja impedancia lo que les permite acoplarse a circuitos muy diversos en forma semejante a un diodo convencional. 2. La luz de salida es predominantemente monocromtica. En cualquier semiconductor se produce una conexin de par hueco electrn al fusionarse un hueco y electrn intercambian energa En el intercambio de energa desprende luz visible y calor, todas la uniones trabajan caliente. El LED es un dispositivo en el que intencionalmente se busca el aprovechamiento de luz. Cualquier diodo emite luz. El LED es una unin p-n hecho intencionalmente para aprovechar la luz. En una mesa de material aislante se le pone una diminuta pastilla, esta pastilla se encarga en radiar los electrones. Diodo emisor de luz

Los LED'S pueden trabajar hasta 100000 horas lo cual es un tiempo muy grande de funcionamiento. Si los alimentas con corriente alterna y lo switcheas te da mas utilidad. Los colores estan dados por el tipo de agente contaminate. La luz es un factor muy importante para estos elementos. Otra de las aplicaciones de los LEDS es la transferencia de luz como datos. La informacin que se ponga en la fuente f va a hacer transmitida por luz (por el LED) y es recibida por el emisor que la convierte a una seal elctrica. Esto genera un acoplador ptico (optoacopladores). Siempre va haber un LED de entrada y en la salida puede haber un semi-conductor. 3.7.3 Diodo lser

un diodo lser, tambin conocido como un lser de inyeccin o lser de diodo, es un dispositivo de semiconductor que produce radiacin coherente (en cul todas las ondas son en la misma frecuencia y fase) en el espectro visible o infra-rojo (IR) cuando la corriente pasa a travs de ella. Los diodos lser se utilizan en los sistemas de la fibra ptica, discos compactos (musica), impresoras de lser, dispositivos teledirigidos, y sistemas de la deteccin de intrusin." La construccin de un Diodo Lser Se ensea la estructura bsica en capas de un lser de diodo simple en la figura 6.24. Las capas de los materiales semiconductores estn dispuestas de modo que se crea una regin activa en la unin p-n , y en la que aparecen fotones como consecuencia del proceso de recombinacin . Una capa metlica superpuesta a las caras superior e inferior permite aplicar un voltaje externo al lser . Las caras del semiconductor cristalino estn cortadas de forma que se comportan como espejos de la cavidad ptica resonante.

Figura 6.24: Estructura bsica de un lser de diodo La Figura 6.25 describe la forma en que la radiacin lser electromagntica es emitida para un lser simple de diodo. La radiacin lser tiene forma rectangular y se difunde a diferentes ngulos en dos direcciones.

Figura 6.25: Perfil de la radiacin lser emitida por un diodo lser simple Ms tarde describiremos unas estructuras y diseos especiales que permiten confinar la zonas activa en una regin ms pequea , y controlar as el perfil del haz lser conseguido. Sumario de los Lseres de Diodo hasta ste punto: Los portadores de carga en un lser de diodo son los electrones libres en la banda de conduccin, y los agujeros positivos en la banda de valencia. En la unin p-n , los electrones "caen" en los agujeros , que corresponden a niveles de energa ms bajos El flujo de corriente a travs de la unin p-n del lser de diodo ocasiona que ambos tipos de portadores (agujeros y electrones ) se recombinen , siendo liberada energa en forma de fotones de luz. La energa de un fotn es aproximadamente igual a la de la brecha de energa. La brecha de energa viene determinada por los materiales que componen el diodo lser y por su estructura cristalina. Curva I-V de un Diodo Lser Si la condicin requerida para la accin lser de inversin de poblacin no existe , los fotones sern emitidos por emisin espontnea. Los fotones sern emitidos aleatoriamente en todas las direcciones , siendo sta la base de los LED - diodo emisor de luz .

La inversin de poblacin slo se consigue con un bombeo externo. Aumentando la intensidad de la corriente aplicada a la unin p-n , se alcanza el umbral de corriente necesario para conseguir la inversin de poblacin . En la figura 6.26 se muestra un ejemplo de la potencia emitida por un diodo lser en funcin de la corriente aplicada. Se aprecia enseguida que la pendiente correspondiente a la accin lser es mucho mayor que la correspondiente a un led.

Figura 6.26: Potencia de emisin de un diodo lser en funcin de la corriente aplicada. El umbral e corriente para el efecto lser viene determinado por la interseccin de la tangente de la curva con el eje X que indica la corriente ( esta es una buena aproximacin ) Cuando el umbral de corriente es bajo , se disipa menos energa en forma de calor , con lo que la eficiencia del lser aumenta. En la prctica , el parmetro importante es la densidad de corriente , medida en A/cm2 , de la seccin transversal de la unin pn. Dependencia de los parmetros del diodo lser de la temperatura Uno de los problemas bsicos de los diodos lser es el aumento del umbral de corriente con la temperatura . Los operativos a bajas temperaturas requieren bajas corrientes . A medida que la corriente fluye por el diodo , se genera calor . Si la disipacin no es la adecuada , ta temperatura aumenta , con lo que aumenta tambin el umbral de corriente . Adems , los cambios en temperatura afectan a la longitud de onda emitida por el diodo lser . Este cambio se ilustra en la figura 6.27. , y se compone de dos partes :

1. Un aumento gradual de la longitud de onda emitida proporcional al aumento de temperatura , hasta que : 2. Se produce un salto a otro modo longitudinal de emisin

Figura 6.27: cambio de la longitud de onda emitida en funcin de la temperatura Debido a estas variaciones con la temperatura , se necesitan diseos especiales para poder conseguir una emisin continua de alta potencia. Confinamiento de la luz dentro de la zona activa Un factor importante en la construccin de un diodo lser es el confinamiento de la luz dentro del rea activa . Dicho confinamiento se acompaa por la deposicin de distintos materiales cerca de la zona activa . En consecuencia , la primera clasificacin de los lseres de diodo considera los tipos de estructura cercanos a la zona activa (ver fig. 6.28) El nombre de cada grupo o familia viene dado por el tipo de materiales existentes cerca de la capa activa : Homojunction laser - Lser de unin homognea - Todo el lser est constituido por un mismo material , normalmente GaAs - Arsenuro de Galio . En este tipo de estructura simple , los fotones emitidos no estn confinados en direcciones perpendiculares al eje del lser , con lo que su eficiencia es muy baja . Single Heterostructure - Estructura heterognea simple - En un lado de la capa activa existe otro material con una brecha de energa diferente . Esta diversidad de brechas de energa motiva un cambio en el ndice de refraccin de los materiales , de modo que se pueden construir estructuras en gua de ondas que confinan a los fotones en un rea determinada . Normalmente , la segunda capa es de un material similar al de la primera , solo que con un ndice de refraccin menor .

Ejemplo: El GaAs - Arsenuro de Galio - y el GaAlAs - Arsenuro de Galio Aluminio - son materiales prximos utilizados habitualmente . Double Heterostructure - Estructura heterognea doble - Un material distinto se coloca a ambos lados de la capa activa , con un ndice de refraccin menor (mayor brecha de energa) . Este tipo de estructuras confinan la luz dentro de la capa activa , por lo que son ms eficientes . Ejemplo: Capa activa de GaAs confinada entre dos capas de GaAlAs. Distintas Estructuras de los Diodos Lser Hoy en da una estructura habitual es una tira estrecha de la capa activa ( Stripe Geometry - Geometra en tiras ), confinada por todos los lados ( tanto por los lados como por arriba y abajo ) con otro material . Esta familia de lseres se denomina Index Guided Lasers - Lseres orientados al ndice En la figura 6.28 se detallan distintas estructuras de confinamiento

utilizadas . Figura 6.28: Ejemplos de distintos tipos de estructura de confinamiento Diodos Lser orientado a Ganancia - Gain Guided Aislando los electrodos metlicos en las partes superior e inferior , se limita la zona por donde pasa la corriente . Como resultado , la inversin

de poblacin slo tiene lugar en la zona especfica por donde pasa la corriente . Un ejemplo est en la figura 6-28 (ltima figura) , en donde un electrodo de tira delgada se sobrepone al material lser . La corriente limita el rea en la zona activa en donde puede existir el efecto de amplificacin , y sta slo podr existir en sta zona . Las ventajas de este tipo de lseres de diodo son : 1.Fciles de producir 2.Es relativamente fcil conseguir una potencia alta , ya que al aumentar la corriente aumenta la zona activa Las desventajas son : 1.La calidad del haz obtenido es menor que con los orientados al ndice . 2.Es ms difcil conseguir una emisin estable en frecuencia simple . Monturas de los Lser de Diodo Se requieren monturas especiales para los lseres de diodo , debido a su tamao miniaturizado , para poder ser operativos y cmodos. Existen muchos tipos de monturas , pero quizs el ms estndar es similar a un transistor , e incluye en la montura las pticas necesarias para colimar el haz (ver figura 6.29)

Figura 6.29a: Montura de un lser de diodo comercial

Figura 6.29b: Seccin perpendicular Para poder obtener ms potencia de los lseres de diodo , se han desarrollado matrices de diodos lser , que emiten sincronizadamente , y que estn pticamente acoplados , de modo que se alcanzan las dcimas de vatio . Ventajas de los diodos lser

Son muy eficientes ( ms del 20% de la energa suministrada se consigue en forma de radiacin lser ) Son muy fiables Tienen vidas medias muy largas ( estimadas en ms de 100 aos de operacin continuada ! ). Son muy baratos ( se construyen con tcnicas de produccin en masa utilizadas en la industria electrnica ) Permiten la modulacin directa de la radiacin emitida , simplemente controlando la corriente elctrica a travs de la unin p-n . La radiacin emitida es funcin lineal de la corriente , pudindose modular a dcimas de GHz Ejemplo : En un sistema experimental , y utilizando fibras pticas de modo simple , se transmite informacin a 4 [GHz], lo que es equivalente a la emisin simultnea de 50,000 llamadas telefnicas en una fibra (cada llamada ocupa una banda de frecuencia de 64 [KB/s]).

Volumen y peso pequeos Umbral de corriente muy bajo Consumo de energa muy bajo

Banda del espectro estrecha , que puede llegar a ser de unos pocos kilo-Herz en diodos lser especiales Cavidades pticas especiales en los diodos lser

La cavidad ptica ms simple es la creada al pulir los extremos del cristal de semiconductor del que se compone el lser. El pulido crea un plano perpendicular al plano del medio activo , de modo que es perpendicular al eje del lser. Debido al alto ndice de refraccin (n 3.6) de los materiales utilizados , la reflexin de la cara pulida es de aproximadamente el 30%. Es posible cambiar esta reflexin utilizando tcnicas de metalizado en capas . Un tipo de capa es el 100% reflectante en uno de los lados del diodo lser . En algn tipo de lser , las prdidas que atraviesan la capa trasera son utilizadas para controlar la potencia emitida por la parte delantera , obtenindose una retro-alimentacin en tiempo real . Un tipo distinto y ms complicado puede fabricarse integrando una red de difraccin cerca de la capa activa del lser. Existen dos tipos de estructura que utilizan redes de difraccin en vez de capa espejada en un extremo de la cavidad ( ver figura 6.30 ) : 1.DFB = Distributed FeedBack Laser - - Retroalimentacin distribuida - la red de difraccin se distribuye a lo largo de todo el medio activo . La longitud de onda de la red determina la longitud de onda emitida por el lser , en una lnea muy fina del espectro. 2.DBR = Distributed Bragg Reflector - Reflector de Bragg distribuido - la red de difraccin est fuera de la zona activa , en donde no circula corriente ( parte pasiva de la cavidad )

Figura 6.30: Cavidades pticas especiales utilizadas para obtener lneas de emisin estrechas

Diodos lser Acoplados Existen tambin estructuras especiales en donde dos lseres se acoplan pticamente . La radiacin emitida por el primer lser es transferida al segundo , que es controlado por otra fuente de alimentacin . Un ejemplo puede verse en la figura 6.31

Figura 6.31: Lser de diodo con acoplamiento ptico 3.7.4 Celda fotovoltaica

Fotovoltaica es la conversin directa de luz en electricidad a nivel atmico. Algunos materiales presentan una propiedad conocida como efecto fotoelctrico que hace que absorban

fotones de luz y emitan electrones. Cuando estos electrones libres son capturados, el resultado es una corriente elctrica que puede ser utilizada como electricidad. El primero en notar el efecto fotoelctrico fu el fsico francs Edmundo Bequerel, en 1839. l encontr que ciertos materiales producan pequeas cantidades de corriente elctrica cuando eran expuestos a la luz. En 1905, Albert Einstein describi la naturaleza de la luz y el efecto fotoelctrico, en el cual est basada la tecnologa fotovoltaica. Por este trabajo, se le otorg ms tarde el premio Nobel de fsica. El primer mdulo fotovoltaico fue construido en los Laboratorios Bell en 1954. Fue descrito como una batera solar y era ms que nada una curiosidad, ya que resultaba demasiado costoso como para justificar su utilizacin a gran escala. En la dcada de los 60's, la industria espacial comenz por primera vez a hacer uso de esta tecnologa para proveer la energa elctrica a bordo de las naves espaciales. A travs de los programas espaciales, la tecnologa avanz, alcanz un alto grado de confiabilidad y se redujo su costo. Durante la crisis de energa en la dcada de los 70's, la tecnologa fotovoltaica empez a ganar reconocimiento como una fuente de energa para aplicaciones no relacionadas con el espacio.

El diagrama ilustra la operacin de una celda fotovoltica, llamada tambin celda solar. Las celdas solares estn hechas de la misma clase de materiales semiconductores, tales como el silicio, que se usan en la industria microelectrnica. Para las celdas solares, una delgada rejilla semiconductora es especialmente tratada para formar un campo elctrico, positivo en un lado y negativo en el otro. Cuando la energa luminosa llega hasta la celda solar, los electrones son golpeados y sacados de los tomos del material semiconductor. Si ponemos conductores elctricos tanto del lado positivo como del negativo de la rejilla, formando un circuito elctrico, los electrones pueden ser capturados en forma de una corriente elctrica -- es decir, en electricidad. La electricidad puede entonces ser usada para suministrar potencia a una carga, por ejemplo para encender una luz o energizar una herramienta.

Un arreglo de varias celdas solares conectadas elctricamente unas con otras y montadas en una estructura de apoyo o un marco, se llama mdulo fotovoltaico. Los mdulos estn diseados para proveer un cierto nivel de voltaje, como por ejemplo el de un sistema comn de 12 voltios. La corriente producida depende directamente de cunta luz llega hasta el mdulo.

Varios mdulos pueden ser conectados unos con otros para formar un arreglo. En general, canto ms grande es el rea de un mdulo o arreglo, ms electricidad ser producida. Los mdulos y arreglos fotovoltaicos producen corriente directa (CC). Estos arreglos pueden ser

conectados tanto en serie como en paralelo para producir cualquier cantidad de voltaje o corriente que se requiera. Hoy en da, los dispositivos fotovoltaicos (FV) ms comunes usan una sola juntura o interfase para crear un campo elctrico dentro de un semiconductor, como por ejemplo una celda FV. En una celda FV de una sola juntura, solamente aquellos fotones cuya energa sea igual o mayor a la del espacio interbanda del material de la celda, pueden liberar un electrn para ser usado en un circuito elctrico. En otras palabras, la reaccin fotovoltaica de las celdas de una sola juntura est limitada a la porcin del espectro solar cuya energa est por encima del espacio interbanda del material absorbente, y por tanto aquellos fotones con energas ms bajas no son utilizados. Una manera de sortear esta limitacin es usando dos (o ms) celdas diferentes, con ms de un espacio de banda y ms de una juntura, para generar un voltaje. Este tipo de celdas son conocidas como celdas "multijuntura" (tambin llamadas celdas "de cascada" o "tandem"). Los dispositivos multijuntura pueden lograr una mayor eficiencia de conversin total porque pueden convertir una fraccin ms grande del espectro luminoso en electricidad. Como se muestra abajo, un dispositivo multijuntura es un conjunto de celdas individuales de una sola juntura, colocadas en orden descendente de acuerdo a su espacio de banda (Eg). La celda ms alta captura los fotones de alta energa y deja pasar el resto de los fotones hacia abajo para ser absorbidos por las celdas con espacios de bandas ms bajos. Muchas de las investigaciones que se realizan en la actualidad sobre celdas multijuntura estn enfocadas al uso del arseniuro de galio en uno (o en todos) de los componentes de las celdas. Tales celdas han alcanzado eficiencias de alrededor del 35% bajo luz solar concentrada. Otros materiales estudiados para su uso en dispositivos multijuntura son por ejemplo, el silicio amorfo y el diseleniuro de indio con cobre.

Como ejemplo de esto, el dispositivo multijuntura que se muestra abajo, utiliza una celda superior de fosfato de indio con galio, una juntura "de tnel" para facilitar el flujo de electrones entre las celdas, y una celda inferior de arseniuro de galio. 3.7.5 Fotorresistencias Fotoresistencias Estas resistencias, tambin conocidas como LDR, se caracteriza por su disminucin de resistencia a medida que aumenta la luz que incide sobre ellas. Las principales aplicaciones de estos componentes estn en controles de iluminacin, control de circuitos con rels, en alarmas, etc. Una fotorresistencia se compone de un material semiconductor cuya resistencia varia en funcin de la iluminacin. La fotorresistencia reduce su valor resistivo en presencia de rayos luminosos. Es por ello por lo que tambin se le llama resistencias dependientes de luz (light dependent resistors), fotoconductores o clulas fotoconductoras. Cuando incide la luz en el material fotoconductor se generan pares electrn - hueco. Al haber un mayor nmero de portadores, el valor de la resistencia disminuye. De este modo, la fotorresistencia iluminada tiene un valor de resistencia bajo.

Figura 10: Fotogeneracin de portadores Si dejamos de iluminar, los portadores fotogenerados se recombinarn hasta volver hasta sus valores iniciales. Por lo tanto el nmero de portadores disminuir y el valor de la resistencia ser mayor.

Figura 11: Estado de conduccin sin fotogeneracin Por supuesto, el material de la fotorresistencia responder a unas longitudes de onda determinadas. Es decir, la variacin de resistencia ser mxima para una longitud de onda determinada. Esta longitud de onda depende del material y el dopado, y deber ser suministrada por el proveedor. En general, la variacin de resistencia en funcin de la longitud de onda presentan curvas como las de la figura siguiente.

Figura 12: Variacin de resistencia en funcin de la longitud de onda de la radiacin. El material mas utilizado como sensor es el CdS, aunque tambin puede utilizarse Silicio, GaAsP y GaP. 4. Dispositivos bipolares y monopolares 4.1 Dispositivos bipolares 4.1.1 1Funcionamiento del transistor BJT Transistor Bipolar de Unin (BJT). Un transistor bipolar consiste fundamentalmente en dos uniones p-n contrapuestas, contenidas en un solo cristal semiconductor. Las dos uniones de un transistor dan lugar a tres regiones denominadas emisor, base y colector.

Emisor: Es la terminal encargada de dar a los portadores mayoritarios a el colector, pasando por un a regulacin de la base. Colector: Terminal que da la salida a la carga, est recoge los portadores que se d por resultado de una anterior regulacin de la base.

Base: Terminal encargada del corte o libre transito de la corriente de emisor a colector.

En funcin del tipo de impurezas de las tres regiones (dopado), los transistores se dividen en dos tipos fundamentales: npn y pnp. La flecha sobre la terminal del emisor obedece a dos propsitos. Primero, establece la distinci&oacuten entre las terminales del colector y del emisor. Segundo, la flecha indica la direccin del flujo convencional de corriente a travs del dispositivo, y permite discriminar entre el smbolo para el transistor npn y su contraparte pnp. El funcionamiento de los dos tipos es similar; la diferencia esencial es que en el tipo pnp los huecos son los portadores principales de la carga, mientras que en los del tipo npn los portadores ms principales son los electrones. Esta es la causa que obliga a polarizaciones distintas para cada tipo.

Funcionamiento del transistor Bipolar de Unin (BJT). El transistor en funcionamiento normal, la unin emisor-base est polarizado en directo y la unin colector-base est polarizada en inverso. En el caso de la estructura esquemtica npn, los electrones se inyectan desde el emisor tipo n hacia la base y, al mismo tiempo, se inyectan huecos de la base al emisor. Para mejorar la eficiencia del dispositivo, el nivel de contaminacin de la regin base se hace mucho ms bajo que el del emisor; prcticamente slo fluye corriente de electrones a travs de la unin emisor-base, y el nivel de inyeccin es controlado (en forma exponencial) por el potencial de polarizacin directa emisor-base (VBE).

Los electrones inyectados desde el emisor se convierten en portadores minoritarios en la base tipo p y, como la unin colector-base est polarizada en inversa, estos portadores minoritarios cruzan la base por difusin son llevados a travs de la regin de transicin colector-base. Como los electrones requieren un tiempo finito para transitar a travs de la regin de base, algunos se recombinan con huecos; los huecos que participan en esta recombinacin son reemplazados por un flujo de carga positiva hacia la base (por medio de su conexin a la fuente de polarizacin), lo que tiene como resultado una corriente de base (I B). El funcionamiento del transistor se puede resumir con ayuda de la siguiente figura(B). La corriente de electrones en el colector es casi toda la corriente inyectada desde el emisor, disminuida por la que se ha perdido como corriente de base debido a la recombinacin. Esta consideracin desprecia la inyeccin de huecos de la base al emisor y a la fuga de huecos del colector a la base, procesos que contribuyen a la corriente del dispositivo y por ende degradan la eficiencia total.

Figura B 4.1.2 Polarizacin. Es un termino referente a la aplicacin de fuentes de voltaje conectadas a un transistor, de tal forma qoe lo hagan trabajar y encontrar un punto optimo para su desempeo en su posterior configuracin. Cabe sealar que el transistor basa su funcionamiento utilizando corrientes, es decir se le adaptar al circuito original elementos que nos den como resultado diferentes corrientes circulantes dentro del circuito. Polarizacin del transistor bipolar BJT

Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles. Dependiendo del sentido o signo de los voltajes de polarizacin en cada una de las uniones del transistor pueden ser :

Regin activa directa: Corresponde a una polarizacin directa de la unin emisor - base y a una polarizacin inversa de la unin colector - base. Esta es la regin de operacin normal del transistor para amplificacin. Regin activa inversa: Corresponde a una polarizacin inversa de la unin emisor - base y a una polarizacin directa de la unin colector - base. Esta regin es usada raramente. Regin de corte: Corresponde a una polarizacin inversa de ambas uniones. La operacin en sta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo apagado, pues el transistor acta como un interruptor abierto (IC 0).

Regin de saturacin: Corresponde a una polarizacin directa de ambas uniones. La operacin en esta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo encendido, pues el transistor acta como un interruptor cerrado (VCE 0).

Polarizacin fija. En los circuitos de polarizacin fija tiene una desventaja, ya que si se usan varios transistores del mismo tipo, la beta de cada uno de ellos puede variar debido a la temperatura, y si se desea tener una corriente de colector constante entonces por cada transistor que se pruebe se tendr que cambiar cada vez la resistencia de base, para controlar la corriente de base de tal manera que cone sto se lograr mantener fija la corriente de colector. Para compensar o solucionar lo anterior se usa la polarizacin automatica (retroalimentada por colector). Polarizacin automatica. El circuito de la figura 3a representa la polarizacin automatica del transistor y con este circuito se compensa las variaciones que pudiera tener la corriente de colector debido a las variaciones de beta por efecto de la temperatura. De la ecuacin correspondiente a la corriente del colector se puede observar que la beta no influye tanto en el valor de la corriente del colector. El circuito de la figura 3b servir para determinar la corriente de base que circula por la resistencia de base y la figura 3c servir para determinar el valor de la corriente de colector en funcin de beta. Si se consider que la corriente de base es muy pequea con respecto a la corriente de colector, esta se puede despreciar de tal manera que nos queda el circuito de la figura 4 de donde se podr determinar el valor del voltaje colectoremisor en el punto Q.

4.1.3

Aplicaciones bsicas TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR

Los transitores bipolares de unin (BJT) se usan mucho como dispositivos amplificadores y, como son dispositivos de tres terminales, hay varias maneras de averiguar cul par de terminales conforma el puerto de entrada y cul el de salida. Las tres configuraciones tiles (en las que la entrada puede controlar la salida) se describen a continuacin. Emisor-comn. Es la configuracin ms utilizada para los transistores PNP y NPN. Se le denomina configuracin de emisor comn debido a que el emisor es comn tanto a la terminal de base como a la del colector. En la regin activa la unin colector-base estar polarizada inversamente y la unin base-emisor se encuentra polarizada directamente.

En la regin de corte existir para fines de conmutacin, cuando I B=0 A Ic=ICEO, pero slo para los transistores de silicio. Para los de germanio existira cuando Ic=ICBO.

Base-comn. En esta configuracin los potenciales aplicados se describen con respecto al potencial de la base que se produce entre VEB y VCB. En la regin activa de la unin del colector estar polarizada inversamente. En la regin de corte la unin del colector y el emisor ambos estarn polarizados inversamente y en la regin de saturacin la unin del colector y emisor estarn polarizados directamente. Las configuraciones correspondientes tanto para el transistor PNP y NPN pueden observarse en las figuras 1a) y 1b). En donde todas las direcciones de las corrientes se referirn a la direccin convencional, en donde el flujo es de los huecos en lugar de los electrones, la direccin de las corrientes indican la direccin real del flujo en la regin activa. Colector-comn. La configuracin colector-comn por lo regular se usa como un acoplador de impedancia devido a que tiene una elevada impedancia de entrada y una baja impedancia de salida. Las curvas caractersticas se observan en la figura (2) donde esta depender de los incrementos que tenga la corriente de base. Por lo tanto la corriente de entrada tal como se puede observar ser la misma para la configuracin de emisor-comn y la de colector-comn.

4.2 Dispositivos monopolares 4.2.1 Estructura y construccin de los FET El transistor de efecto campo (FET: Field Effect Transistor) El FET es un dispositivo de estado solido, el cual opera controlado por un voltaje, ya sea con corriente de electrones o con corrientes de huecos. El FET se diferencia de un transistor bipolar debido a que tiene las siguientes caractersticas : 1. Su resistencia de entrada es muy alta (100 M ) y el BJT es de 2K. 2. No tiene voltaje de unin cuando se usan como interruptor no le afecta la radiacin. 3. Induce menos ruido. 4. Proporciona una mayor estabilidad termica. Las figuras 1a y 1b muestran la estructura fisica y simbolo del FET, la figura 1a representa al FET de canal tipo N, y este se construye empleando una barra de material N, dentro del cual se difunden un par de regiones tipo P. La figura 1b es un FET de canal P y este se construye empleando un material tipo P dentro del cual se difunden dos regiones tipo N. Las flechas en las compuertas muestran de que tipo ser, esto es canal P o canal N tal como de puede observar en los simbolos correspondientes.

G Compuerta Fuente S

P Mat. n P

D Drenaje

Figura 1a) Estructura del FET de canal N

G
Figura 1b) Simbolo del FET de canal N

4.2.2 FET de canal N.

Funcionamiento del FET

Operacin bsica del FET

El circuito de la figura 2 va a ser la fuente de alimentacin, la cual proporcionara un voltaje a travs de la fuente drenaje (VDS). VDS producir una corriente de drenaje a la fuente, esta corriente atraviesa el canal establecido por la compuerta tipo P. Tambin se observa una fuente entre la la compuerta y la fuente (VGS) la cual esta colocada devido al voltaje de (VGG). La polaridad de este voltaje (compuerta-fuente) polariza inversamente la unin interna entre la fuente y la compuerta por lo tanto no se produce ninguna corriente de compuerta. El efecto del voltaje compuerta-fuente crear una regin de vaciamiento en el canal N por lo cual se reducir el ancho de este, de tal manera que se incrementa la resistencia drenbaje-fuente produciendose por lo tanto una corriente de drenaje menor. De la figura 3 se observa que la corriente del drenaje atravs del material N

de (drenaje a fuente) producir una caida de voltaje a lo largo del canal la cual ser ms positiva en la unin (drenaje-compuerta) que en la unin (fuente-compuerta). Este voltaje de polarizacin inversa en la unin interna PN formar una regin de vaciamiento tal como se observa en la figura 3a. Si el voltaje de la fuente se sigue incrementado la corriente de drenaje aumentar produciendo una regin de vaciamiento mayor, de tal manera que la regin de vaciamiento se formar por completo a travs del canal tal como se observa en la figura 3b. Cualquier aumento adicional del voltaje de la fuente producir un aumento en la corriente de drenaje, y aun cuando se sigue incrementando el voltaje llegar un punto en el cual la corriente permanecer constante siempre con el voltaje compuerta-fuente = 0, lo anterior se puede observar en la figura 3c. Se dice que la coriente de drenaje se satura manteniendo contante su valor aun cuando se incremente el voltaje drenaje-fuente. Cuando se tiene esta condicin la corriente de drenaje se especificar como (IDSS).

FET de canal P. Las figuras 4a, 4b y 4c muestran la operacin del dispositivo de canal tipo P este opera de la siguiente manera. Cuando el voltaje VGS (compuerta-fuente) se hace menor que cero volts pero mayor que el voltaje de oclucin (VP), existira una corriente de drenaje ID la cual ser ajustada por el voltaje compuerta-fuente, siendo la corriente de compuerta = 0 (figura 4a). No pasar corriente alguna a travs de la unin compuerta-fuente, ya que esta polarizada inversamente. Cuando el voltaje compuerta-fuente se igual a cero el nivel de la corriente de drenaje adquirir un valor importante y se designar como IDSS. La corriente de compuerta seguira siendo 0 Amp. y si el voltaje de compuerta-fuente se incrementa a un valor mayor o igual al voltaje de oclusin ms negativo que el necesario para ocluir el canal, la corriente de drenaje se reduce a cero y el dispositivo en estas condiciones se comporta tal como se observa en la figura 4c. De las figuras (5a, 5b y 5c) muestran las caractersticas drenaje-fuente en donde se observa que cuando VGS=0 la curva muestra que la corriente de drenaje se incrementa conforme se aumenta el voltaje VDS (figura 5a), hasta que los niveles de coriente no aumenten ms, y esto se debe a la regin de vaciamiento que limita la corriente de drenaje.. Tambin se tiene que cuando VGS=0 la corriente de drenaje se desina por IDSS (corriente de saturacin). Si el voltaje compuerta-fuente se le asigna un valor

4.2.3

Funcionamiento del MOSFET

Transistor por efecto de campo a semiconductor de oxido de metal (Metal oxide semiconductor field efect transistor-MOSFET). Tambien se conocen con el nombre de transitores por efecto de campo de gate aislado (insulated gate field efect transistor IGFET). Este tipo de FET se subclasifica en :
MOSFET de canal N De agotamiento ( Depletion ) Crecimiento ( Enhancement ) MOSFET de canal P De agotamiento ( Depletion ) Crecimiento ( Enhancement )

Agotamiento-crecimiento ( Depletion- Agotamiento-crecimiento ( Depletionenhancement ) enhancement ) Los MOSFET o IGFET constituyen los transistores por efecto de campo de mayor aplicacion practica, cuya principal caracteristica de contruccion la representa la forma de ocupar el gate. MOSFET de canal N. Estructura fisica. Se forma de una barra de silicio tipo P, la cual actua como una especie de base o estructura para las partes principales del dispositivo y viene a constituir a la vez, una de las terminales del MOSFET, a la cual se le da el nombre se substrato (base). Dentro de esa barra de silicio tipo P , se han difundido dos tiras semiconductoras separadas tipo N , con su respectiva terminal de conexion, en donde una corresponde al source y la sobrante al drain. En la estructura de este MOSFET destaca tambien una capa semiconductora tipo N difundidad dentro del substrate , y debido a que queda dispuesta entre las tiras semiconductoras correspondientes al source y drain, de hecho actua como un canal semiconductor de acoplamiento entre esos electrodos y es precisamente esta tira conductora, la que determina el calificativo de MOSFET de canal N. Funcionamiento del MOSFET canal N ( modo de agotamiento ). Considerando el potencial gate-source (VGS) igual a cero, la corriente de source a drain alcanza su maximo valor, debido a que la anchura del canal es maxima ( minimo agotamiento de portadores ) y por la misma causa la resistencia es minima, cuya intensidad en este caso queda detreminada por la resistencia del canal y el potencial de la bateria. Sin embargo, cuando el gate recibe un potencial negativo con relacion al source, la corriente del drain decrece, tanto mas cunato mayor es la polarizacion aplicada, alcanzando el punto de corte ( Id = 0 mA ),

cuando esa tension cierre de modo material el ancho del canal, causando un agotamiento total de portadores; lo que trae como consecuencia una alta resistencia del canal y obviamente minima o cero corriente del drain. Funcionamiento del MOSFET canal N ( modo de crecimiento ). Este tipo de MOSFET, posee una estructura similar al MOSFET en modo de agotamiento; con la diferencia de que los MOSFET para modo crecimiento carecen de canal difundido entre el source y el drain. Sin embargo, este canal se forma entre source y drain cuando el bias es aplicado al gate; en consecuencia, se podria decir que en este tipo de MOSFET, el substrate actua como canal acoplador entre source y drain.

MOSFET de canal P. Funcionamiento del MOSFET canal P ( modo de agotamiento ). Opera de forma similar al MOSFET canal N, salvo algunas diferencias dentro de las cuales destacan las siguientes :

El drain recibe un potencial negativo con relacion al source. El gate recibe potencial positivo con relacion al source (Bias). La conduccion de corriente de source a drain es debida a portadores positivos.

Funcionamiento del MOSFET canal P ( modo de crecimiento ).

Al igual que el MOSFET de canal N se diferencia por los siguiente:

El drain recibe un potencial negativo con relacion al source. El gate recibe un potencial negativo con relacion al source (Bias). La conduccion de corriente de source a drain es debida a portadores positivos.