13.

Qu significa electrones inyectados, difusin de electrones y colector de

electrones en un BJT?
Electrones Inyectados: Electrones que son agregados adrede en la regin emisor
del BJT.
Difusin de electrones: Movimiento de los electrones hacia el colector del BJT que
pasan por los huecos inyectados desde la base hacia el emisor de un BJT.
Colector de electrones: El inyectarse huecos y electrones, surge una corriente
elctrica que apunta a la regin colector del BJT.
14. Exprese la funcin IS (corriente de saturacin inversa del transistor) y para
los parmetros que
Componen la
S
I , verifique que dichos valores oscilan entre 1012A a 1018A.
[Pg. 382]
Por lo general,
S
I est en el intervalo de
12
10

A a
18
10

A
1
15. De dnde proviene el factor

del BJT? Segn esto, si el valor de

fuera
100, cmo es que se obtiene este valor? [Pg. 383]
Corriente se Saturacin: A partir de la Ecuacin
de
S
I

Relacionando lasa ecuaciones se obtiene:
De donde

se expresa mediante:

,
_

+
b n p D
A
n
p
D
W
L
W
N
N
D
D

2
2
1
/ 1
Si

es 100 se debe a que la Corriente del Colector es 100 veces la Corriente de

la Base.
1
Sedra y Smith: Circuitos Microelectrnicos 5ta Edicin Pag. 382
W N
n qD A
I
A
i n E
S
2

T
V BE
v
S c
e I i
/

T
V BE
v
b n p D
A
n
p
S B
e
D
W
L
W
N
N
D
D
I i
/
2
2
1

,
_

C
B
i
i
16. Por qu el

en la zona activa es distinto que en la zona de saturacin?

Al encontrarse en modo activo se utiliza el

dado, pero en el modo saturacin

al darse como prctico que v v
ec
2 . 0 el valor de

ser forzado por ende

distinto.
17. Qu significa el voltaje de Early en un BJT y para qu se le utiliza?
Es el valor donde las lneas grficas caractersticas se unen, este se encuentra en
la parte negativa del eje
ce
v . Sus valores estn entre 50v y 100v. Se denomina
voltaje early en honor a J.M. early, quien estudi primeramente este fenmeno.
18. Cmo se prueba la funcin de transferencia en un BJT npn? [Pg. 411]
Tomando a Vo Como el voltaje de salida y a Rc como la resistencia entre Vcc y el
nodo Colector de Mosfet.
Se obtiene una ecuacin de la siguiente manera:
c c cc ce o
i R v v v
Se reemplaza la ecuacin de
c
i en la ecuacin anterior y se obtiene la ecuacin,
funcin de transferencia:
19. Respecto a la modelacin en pequea seal: Qu representa el parmetro

r y re?

r representa la Resistencia de entrada a pequea seal entre la base y el

emisor del BJT, mirando hacia la base. Se define como:
gm

re representa la resistencia a pequea seal entra la base y el emisor del BJT,

mirando hacie el emisor. S define como:
e
be
i
v
20. Explique el por qu de la existencia de las capacitancias parsitas en un
transistor.
T
V BE
v
S c cc o
e I R v v
/

21. Qu capacitancias dentro de un circuito con BJT determinan los polos de un
amplificador, para el establecimiento del ancho de banda?
Las capacitancia Cc1( Que se encuentra posterior a la R seal, quien est junto a
la seal de entrada, en el nodo de la base del BJT).
La capacitancia CE ( Que se encuentra en el nodo del Emisor del BJT)
La capacitancia Cc2 (Que va junto en el nodo del colector del BJT)
22. Cmo se evala el fL y fH en un amplificador de emisor comn? [Pg. 491
502]
Para determinar el fH (respuesta de alta frecuencia) se evala al BJT con el
modelo a alta frecuencia y las capacitancias que establecen el ancho de banda
se comportan como cortocircuitos perfectos.
seal ent
H
R C
f

2
1
2
0
Para determiner el fL (respuesta de baja frecuencia) se considera el efecto de los
condensadores que establecen el ancho de banda uno por uno.
1
]
1

+ +
2 2 1 1
1 1 1
2
1
C C E E C C
L
R C R C R C
f