El Transistor Bipolar

El Transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de

amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la
contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia").
Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los enseres domsticos de uso
diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y vdeo, hornos de
microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de
cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de
rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, celulares, etc.




El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas
artificialmente (contaminadas con materiales especficos en cantidades especficos)
que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los
recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el
paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un
dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el
diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia
de los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. Su
funcionamiento slo puede explicarse mediante mecnica cuntica.
De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es funcin
amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor slo grada la
corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente continua
se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", segn el tipo de
circuito que se utilice. El factor de amplificacin logrado entre corriente de base y
corriente de colector, se denomina Beta del transistor. Otros parmetros a tener en
cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de
Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Mxima, disipacin de
calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parmetros
tales como corriente de base, tensin Colector Emisor, tensin Base Emisor, corriente
de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas bsicos para utilizacin analgica de los
transistores son emisor comn, colector comn y base comn.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET,
MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el terminal
de "base" para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensin presente en




el terminal de puerta o reja de control y grada la conductancia del canal entre los
terminales de Fuente y Drenador. De este modo, la corriente de salida en la carga
conectada al Drenador (D) ser funcin amplificada de la Tensin presente entre la
Puerta (Gate) y Fuente (Source). Su funcionamiento es anlogo al del triodo, con la
salvedad que en el triodo los equivalentes a Puerta, Drenador y Fuente son Reja, Placa
y Ctodo.
Los MOSFET tienen en comn con los FET su ausencia de cargas en las placas
metlicas as como un solo flujo de campo. Suelen venir integrados en capas de arrays
con polivalencia de 3 a 4Tg. Trabajan, normalmente, a menor rango que los BICMOS y
los PIMOS.
Los transistores de efecto de campo, son los que han permitido la integracin a gran
escala que disfrutamos hoy en da, para tener una idea aproximada pueden fabricarse
varios miles de transistores interconectados por centmetro cuadrado y en varias
capas superpuestas.
Introduccin:
Sera imposible entender la evolucin de la electrnica digital en general, y de la
informtica en particular sin una buena comprensin de lo que es, y lo que ha
aportado el transistor a estas ciencias. El transistor vino a reemplazar a un dispositivo
denominado tubo de vaco (los tubos de vaco an se emplean en electrnica de
potencia, cuando son necesarias elevadsimas ganancias, por ejemplo en
amplificadores para trasmisin va satlite) con las siguientes ventajas:
Su consumo de corriente es mucho menor con lo que tambin es menor su
produccin de calor.
Su tamao es tambin mucho menor. Un transistor puede tener el tamao de
una lenteja mientras que un tubo de vaco tiene un tamao mayor que el de un
cartucho de escopeta de caza. Esto permite una drstica reduccin de tamao.
Mientras que las tensiones de alimentacin de los tubos estaban alrededor de
los 300 voltios las de los transistores vienen a ser de 10 voltios con lo que los
dems elementos de circuito tambin pueden ser de menor tamao al tener
que disipar mucho menos calor y soportar tensiones mucho menores.
El transistor es un elemento constituido fundamentalmente por silicio o
germanio. Su vida media es prcticamente ilimitada y en cualquier caso muy
superior a la del tubo de vaco.
Como podemos ver el simple hecho de pasar del tubo de vaco al transistor supone un
gran paso en cuanto a reduccin de tamao y consumo y aumento de fiabilidad.
Es necesario destacar que el desarrollo del transistor se apoya en mltiples disciplinas
cientficas que abarcan la qumica, la fsica y la ingeniera de materiales entre otras.





El Transistor Bipolar
Un transistor bipolar est formado por dos uniones pn en contraposicin. Fsicamente, el
transistor est constituido por tres regiones semiconductoras denominadas emisor, base y
colector. Existen 2 tipos de transistores bipolares, los denominados NPN y PNP:








Transistores Bipolares npn y pnp.
A partir de este punto nos centramos en el estudio de los transistores bipolares NPN,
siendo el comportamiento de los transistores PNP totalmente anlgolo.
El emisor en un transistor NPN es la zona semiconductora ms fuertemente dopada
con donadores de electrones, siendo su ancho intermedio entre el de la base y el
colector. Su funcin es la de emitir electrones a la base. La base es la zona ms
estrecha y se encuentra dbilmente dopada con aceptores de electrones. El colector es
la zona ms ancha, y se encuentra dopado con donadores de electrones en cantidad
intermedia entre el emisor y la base.
Condiciones de funcionamiento
Las condiciones normales de funcionamiento de un transistor NPN se dan cuando el
diodo B-E se encuentra polarizado en directa y el diodo B-C se encuentra polarizado
en inversa. En esta situacin gran parte de los electrones que fluyen del emisor a la
base consiguen atravesar sta, debido a su poco grosor y dbil dopado, y llegar al
colector.






El transistor posee tres zonas de funcionamiento:
1. Zona de saturacin: El diodo colector est polarizado directamente y es
transistor se comporta como una pequea resistencia. En esta zona un
aumento adicionar de la corriente de base no provoca un aumento de la
corriente de colector, sta depende exclusivamente de la tensin entre emisor
y colector. El transistor se asemeja en su circuito emisor-colector a un
interruptor cerrado.

2. Zona activa: En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de
corriente, determinada por la corriente de base. A pequeos aumentos de la
corriente de base corresponden grandes aumentos de la corriente de colector,
de forma casi independiente de la tension entre emisor y colector. Para
trabajar en esta zona el diodo B-E ha de estar polarizado en directa, mientra
que el diodo B-C, ha de estar polarizado en inversa.

3. Zona de corte: El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalente a
mantener el circuito base emisor abierto, en estas circunstancias la corriente
de colector es prcticamente nula y por ello se puede considerar el transistor
en su circuito C-E como un interruptor abierto.
Los transistores se usan en su zona activa cuando se emplean como amplificadores de
seales. Las zonas de corte y saturacin son tiles en circuitos digitales.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta forma quedan
formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial.
En su funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa,
mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el
emisor atraviesan la base, que por ser muy angosta, hay poca recombinacin de
portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de
operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad.





Estructura

Un transistor bipolar de juntura consiste en tres regiones semiconductoras dopadas:
La regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son,
respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un
transistor NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal,
denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.




Corte transversal simplificado de un transistor bipolar de juntura NPN. Dnde se puede
apreciar cmo la juntura base-colector es mucho ms amplia que la base-emisor.
La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta de
material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la
regin del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la regin
de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de a se
acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran .
El transistor bipolar de juntura, a diferencia de otros transistores, no es usualmente
un dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor
hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en
modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor est usualmente
optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor




hacen que los valores de a y en modo inverso sean mucho ms pequeos que los que
se podran obtener en modo activo; muchas veces el valor de a en modo inverso es
menor a 0.5. La falta de simetra es principalmente debido a las tasas de dopaje entre
el emisor y el colector. El emisor est altamente dopado, mientras que el colector est
ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensin de reversa
en la juntura colector-base antes de que esta colapse. La juntura colector-base est
polarizada en reversa durante la operacin normal. La razn por la cual el emisor est
altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del
emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relacin con aquellos
inyectados por la base. Para una gran ganancia de corriente, la mayora de los
portadores inyectados en la juntura base-emisor deben provenir del emisor.
El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en
procesos CMOS es debido a que son diseados simtricamente, lo que significa que no
hay diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo inverso.
Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que
la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este
efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada. Los TBJ
pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensin, pero son
caracterizados ms simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente,
o por amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base.
Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los TBJ
modernos estn compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte de stos (los
transistores bipolares de heterojuntura) estn hechos de arseniuro de galio,
especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad.








FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR BIPOLAR

En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la unin
base-colector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del
emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su
vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo
elctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo
compartida. En una operacin tpica, la juntura base-emisor est polarizada en directa
y la juntura base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por
ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la juntura base-emisor, el
equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo elctrico
repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados
trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de
la base, desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja
concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados
portadores minoritarios debido a que la base est dopada con material P, los cuales
generan "hoyos" como portadores mayoritarios en la base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a travs de sta en mucho menos tiempo que la vida til
del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de
portadores que se recombinan antes de alcanzar la juntura base-colector. El espesor
de la base debe ser menor al ancho de difusin de los electrones.






Control de tensin, carga y corriente
La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-
emisor (control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto
es debido a la relacin tensin-corriente de la juntura base-emisor, la cual es la curva
tensin-corriente exponencial usual de una juntura PN (es decir, un diodo).
En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que
es aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es
aproximadamente veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser
diseados asumiendo que la tensin base-emisor es aproximadamente constante, y
que la corriente de colector es veces la corriente de la base. No obstante, para
disear circuitos utilizando TBJ con precisin y confiabilidad, se requiere el uso de
modelos matemticos del transistor como el modelo Ebers-Moll.
El Alfa y Beta del transistor
La proporcin de electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector es una
forma de medir la eficiencia del TBJ. El alto dopaje de la regin del emisor y el bajo
dopaje de la regin de la base pueden causar que muchos ms electrones sean
inyectados desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La
ganancia de corriente emisor comn est representada por F o por hfe. Esto es
aproximadamente la tasa de corriente contnua de colector a la corriente contnua de
la base en la regin activa directa, y es tpicamente mayor a 100. Otro parmetro
importante es la ganancia de corriente base comn, aF. La ganancia de corriente base
comn es aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la
regin activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que
oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente determinados por las
siguientes relaciones (para un transistor NPN):


Tipos de Transistor Bipolar de Juntura
NPN:





El smbolo de un transistor NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P"
se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones
del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN,
debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en
los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la
"base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la
base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la
direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.
PNP :
El otro tipo de transistor bipolar de juntura es el PNP con las letras "P" y "N"
refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor.
Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho
mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.

El smbolo de un transistor PNP
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N
entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente
operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente
de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente
circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el
emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin
en que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento
activo.





Transistor Bipolar de Heterojuntura
El transistor bipolar de heterojuntura (TBH) es una mejora del TBJ que puede manejar
seales de muy altas frecuencias, de hasta varios cientos de GHz. Es un dispositivo
muy comn hoy en da en circuitos ultrarpidos, generalmente en sistemas de
radiofrecuencia.
Los transistores de heterojuntura tienen diferentes semiconductores para los
elementos del transistor. Usualmente el emisor est compuesto por una banda de
material ms larga que la base. Esto ayuda a reducir la inyeccin de portadores
minoritarios desde la base cuando la juntura emisor-base est polarizada en directa y
esto aumenta la eficiencia de la inyeccin del emisor. La inyeccin de portadores
mejorada en la base permite que sta pueda tener un mayor nivel de dopaje, lo que
resulta en una menor resistencia. Con un transistor de juntura bipolar convencional,
tambin conocido como transistor bipolar de homojuntura, la eficiencia de la
inyeccin de portadores desde el emisor hacia la base est principalmente
determinada por el nivel de dopaje entre el emisor y la base. Debido a que la base
debe estar ligeramente dopada para permitir una alta eficiencia de inyeccin de
portadores, su resistencia es relativamente alta.
Regiones operativas del transistor
Los transistores bipolares de juntura tienen diferentes regiones operativas, definidas
principalmente por la forma en que son polarizados:
REGIN ACTIVA:
Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte
entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de
colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de
corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren
conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms importante si lo que se desea
es utilizar el transistor como un amplificador de seal.
REGIN INVERSA:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el
transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las
regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los TBJ
son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parmetro
beta en modo inverso es drsticamente menor al presente en modo activo.
REGIN DE CORTE:
Un transistor esta en corte cuando:




Corriente de colector = corriente de emisor = 0,(Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de
alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje,
ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0
(Ib =0)
REGIN DE SATURACIN:
Un transistor est saturado cuando:
Corriente de colector = corriente de emisor = corriente mxima,(Ic = Ie = I mxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del
circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver ley
de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo
suficientemente grande como para inducir una corriente de colector veces ms
grande. (Recordar que Ic = * Ib)
Teora y modelos matemticos
MODELOS PARA SEALES FUERTES
EL MODELO EBERS-MOLL
Las corrientes continuas en el emisor y el colector en operacin normal son
determinadas por:

Modelo Ebers-Moll para transistores NPN






Modelo Ebers-Moll para transistores PNP



Dnde:
IE es la corriente de emisor.
IC es la corriente de colector.
aT es la ganancia de corriente directa en configuracin base comn. (de 0.98 a
0.998)
IES es la corriente de saturacin inversa del diodo base-emisor (en el orden de
10-15 a 10-12 amperes)
VT es el voltaje trmico kT / q (aproximadamente 26 mV a temperatura
ambiente ~ 300 K).
VBE es la tensin base emisor.
W es el ancho de la base.
La corriente de colector es ligeramente menor a la corriente de emisor, debido a que
el valor de aT es muy cercano a 1,0. En el transistor bipolar de juntura una pequea
variacin de la corriente base-emisor genera un gran cambio en la corriente colector-
emisor. La relacin entre la corriente colector-emisor con la base-emisor es llamada
ganancia, o hFE. Un valor de de 100 es tpico para pequeos transistores bipolares.
En una configuracin tpica, una seal de corriente muy dbil circula a travs de la
juntura base-emisor para controlar la corriente entre emisor-colector. est
relacionada con a a travs de las siguientes relaciones:

Eficiencia del emisor:




Otras ecuaciones son usadas para describir las tres corrientes en cualquier regin del
transistor estn expresadas ms abajo. Estas ecuaciones estn basadas en el modelo
de transporte de un transistor bipolar de juntura.



Dnde:
iC es la corriente de colector.
iB es la corriente de base.
iE es la corriente de emisor.
F es la ganancia activa en emisor comn (de 20 a 500)
R es la ganancia inversa en emisor comn (de 0 a 20)
IS es la corriente de saturacin inversa (en el orden de 10-15 a 10-12 amperes)
VT ies el voltaje trmico kT / q (aproximadamente 26 mV a temperatura
ambiente ~ 300 K).
VBE es la tensin base-emisor.
VBC es la tensin base-colector.
Modelos para seales dbiles
MODELO DE PARMETRO H

Modelo de parmetro h generalizado para un TBJ NPN.Reemplazar x con e, b o c para
las topologas EC, BC y CC respectivamente.
Otro modelo comnmente usado para analizar los circuitos TBJ es el modelo de
parmetro h. Este modelo es un circuito equivalente a un transistor bipolar de juntura
y permite un fcil anlisis del comportamiento del circuito, y puede ser usado para
desarrollar modelos ms exactos. Como se muestra, el trmino "x" en el modelo




representa el terminal del TBJ dependiendo de la topologa usada. Para el modo
emisor-comn los varios smbolos de la imagen toman los valores especficos de:
x = 'e' debido a que es una configuracin emisor comn.
Terminal 1 = Base
Terminal 2 = Colector
Terminal 3 = Emisor
iin = Corriente de Base (ib)
io = Corriente de Colector (ic)
Vin = Tensin Base-Emisor (VBE)
Vo = Tensin Colector-Emisor (VCE)
Y los parmetros h estn dados por:
hix = hie .- La resistencia de entrada del transistor (correspondiente a la
resistencia del emisor re).
hrx = hre .- Representa la dependencia de la curva IBVBE del transistor en el
valor de VCE. Es usualmente un valor muy pequeo y es generalmente
despreciado (se considera cero).
hfx = hfe .- La ganancia de corriente del transistor. Este parmetro es
generalmente referido como hFE o como la ganancia de corriente contnua
(DC) in en las hojas de datos.
hox = hoe .- La impedancia de salida del transistor. Este trmino es
usualmente especificado como una admitancia, debiendo ser invertido para
convertirlo a impedancia.
Como se ve, los parmetros h tienen subndices en minscula y por ende representan
que las condiciones de anlisis del circuito son con corrientes alternas. Para
condiciones de corriente continua estos subndices son expresados en maysculas.
Para la topologa emisor comn, un aproximado del modelo de parmetro h es
comnmente utilizado ya que simplifica el anlisis del circuito. Por esto los
parmetros hoe y hre son ignorados (son tomados como infinito y cero,
respectivamente). Tambin debe notarse que el modelo de parmetro h es slo
aplicable al anlisis de seales dbiles de bajas frecuencias. Para anlisis de seales de
altas frecuencias este modelo no es utilizado debido a que ignora las capacitancias
entre electrodos que entran en juego a altas frecuencias.









POLARIZACIN DEL TRANSISTOR

Polarizar un transistor bipolar implica conseguir que las corrientes y tensiones
continuas que aparecen en el mismo queden fijadas a unos valores previamente
decididos. Es posible polarizar el transistor en zona activa, en saturacin o en corte,
cambiando las tensiones y componentes del circuito en el que se engloba.

El transistor bipolar se emplea en numerosas aplicaciones, y en infinidad de circuitos
diferentes. Cada uno de ellos lo polariza de forma determinada. En este apartado se
abordar la polarizacin del transistor mediante una red de resistencias.

Supongamos que se quiere polarizar un transistor bipolar en zona activa. Se ha de
conseguir que sus tensiones y corrientes cumplan las condiciones de estar en activa:
VBE = 0,7V, VCE > 0,2V. Una primera opcin sera usar un circuito como el de la figura
17. Podemos ver cmo conseguimos polarizar la unin base-emisor mediante una
resistencia (R) conectada a alimentacin. Por la base del transistor circular una
corriente igual a (VCC-VBE)/R, y en colector-emisor tendremos VCE = VCC > VCEsat.










Este primer circuito tiene como inconveniente por un lado que el transistor nunca se
podra polarizar en saturacin, pues no se puede conseguir que VCE = 0,2V siendo VBE
=0,7V; y por otro lado la excesiva disipacin. Un circuito un poco ms complejo, y con
el que se puede conseguir polarizar al transistor en las tres regiones de
funcionamiento es el de la figura 18. Vemos que en este caso la tensin colector-
emisor depende directamente de la corriente de base (VCE=VCC-IBRC), y dicha
corriente se fija actuando sobre la resistencia de base (IB=(VCC-VBE)/RB). Para
polarizar el transistor en cada una de las regiones se pueden emplear las dos
ecuaciones mencionadas y aplicar las restricciones de cada regin.













Cuando se pretende que la polarizacin sea estable (es decir, que no vare con factores
externos), se usan redes de polarizacin ms complejas, que fijan la tensin en base,
como por ejemplo la que aparece en la figura 19. En apartados posteriores se resuelve
un ejercicio con un transistor polarizado tal y como aparece en la figura 19.













CURVAS CARACTERSTICAS

Entendemos por curvas caractersticas de un transistor la representacin grfica de
las relaciones entre sus corrientes y tensiones. Esta informacin es muy til para el
diseador a la hora de elegir uno u otro transistor para un circuito, pues permite tanto
observar todas las caractersticas del mismo, como realizar el diseo en s.
Las curvas caractersticas son representaciones grficas de 3 variables. En los ejes X e
Y se colocan dos de las variables, y se dibuja una curva para cada uno de los valores de
la tercera variable. En el siguiente apartado se expondr un ejemplo.
En funcin de qu tres variables se elijan para representar una curva caracterstica, y
si se consideran curvas de entrada o salida, se pueden definir los siguientes tipos de
grficas en los transistores bipolares:







Curvas caractersticas en emisor comn

Como ejemplo se describen aqu las curvas caractersticas de salida en la
configuracin de emisor comn1 por ser la ms utilizada en la prctica.

Como se coment en el apartado anterior, las curvas caractersticas son la
representacin de
Diversas variables (tensiones o corrientes) de un transistor bipolar en coordenadas
cartesianas. En el caso concreto de curvas de salida en emisor comn, las variables a
representar son (vase tabla 1): IC, VCE e IB

En la figura 14 vemos las curvas caractersticas indicadas. Se representa en el eje Y la
corriente de colector (IC), en el eje X la tensin colector-emisor (VCE), y se dibuja una
curva para cada uno de los valores de la corriente de base (IB) que se consideren, por
ejemplo en la figura se toma el intervalo de 10 a 70 A.

A partir de estas curvas es posible determinar el punto de trabajo del transistor, es
decir, las tensiones y corrientes del mismo, una vez polarizado.




Identificacin de las regiones de funcionamiento en las
curvas caractersticas.

Es posible identificar las distintas regiones de funcionamiento de un transistor bipolar
en sus curvas caractersticas. En la figura 15 se muestran las curvas caractersticas en
emisor comn con la indicacin de cada una de las regiones de funcionamiento.
Atendiendo a la definicin dada de regiones de funcionamiento se identifican de la
siguiente forma:
Regin de corte. Cuando no circula corriente por el emisor del transistor, lo cual
se puede aproximar como la no circulacin de corriente por el colector y la
base, luego la zona corresponde a corriente IB=IE=IC=01.




Regin de saturacin. En esta regin se verifica que la tensin colector-emisor
es muy pequea (VCE 0,2V, zona prxima al eje de coordenadas).
Regin activa. El resto del primer cuadrante corresponde a la regin activa



En la figura 16 se muestran las curvas caractersticas de una configuracin en emisor
comn marcando todas las regiones a considerar en el funcionamiento del transistor:
Regiones activa, corte y
saturacin
Regin de avalancha o ruptura
Hiprbola de mxima disipacin