E ST AD

NIDOS ME XI SU
CA
NO S

SECRETARA DE EDUCACI PBLICA N

SUBSECRETARA DE EDUCACIN SUPERIOR

INSTITUTO TECNOLGICO DE TLALNEPANTLA SUBDIRECCIN ACADMICA DESARROLLO ACADMICO

Prez Trejo Walter Adrin

CARRERA PLAN DE ESTUDIOS

09251142
NOMBRE DE LA ASIGNATURA CLAVE DE LA ASIGNATURA

Ingeniera Mecnica

Siglo XXI

Electrnica

MCE0511

PRCTICA No.
2

LABORATORIO DE

NOMBRE DE LA PRCTICA

DURACIN

Electrnica

Transistores

2:00 h

OBJETIVO DE LA PRACTICA
Objetivo: el alumno valida los ejercicios realizados en el saln de clases de los transistores BJT, FET y MOSFET

MARCO TEORICO

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, ordenadores, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, telfonos celulares, etc. El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica en 1956. Fue el sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos, o triodo. El transistor de efecto de campo fue descubierto antes que el transistor (1930), pero no se encontr una aplicacin til ni se dispona de la tecnologa necesaria para fabricarlos masivamente. Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los denominados transistores de efecto de campo (FET). En los ltimos, la corriente entre el surtidor o fuente (source) y el drenaje (drain) se controla mediante el campo elctrico establecido en el canal. Por ltimo, apareci el MOSFET (transistor FET de tipo Metal-xido-Semiconductor). Los MOSFET permitieron un diseo extremadamente compacto, necesario para los circuitos altamente integrados (CI).

Dise: Desarrollo Acadmico

Emisin: 20/09/2010

E ST AD

NIDOS ME XI SU
CA
NO S

SECRETARA DE EDUCACI PBLICA N

SUBSECRETARA DE EDUCACIN SUPERIOR

INSTITUTO TECNOLGICO DE TLALNEPANTLA SUBDIRECCIN ACADMICA DESARROLLO ACADMICO

Hoy la mayora de los circuitos se construyen con tecnologa CMOS. La tecnologa CMOS (Complementary MOS MOS Complementario) es un diseo con dos diferentes MOSFET (MOSFET de canal n y p), que se complementan mutuamente y consumen muy poca corriente en un funcionamiento sin carga. Transistor de unin bipolar El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P). La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector). El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin. TRANSISTOR FET (Introduccin). Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados as porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja. Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo. Explicacin de sus elementos o terminales. Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material p n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unin p-n. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin llamada puerta (g-gate) en el collar.

Dise: Desarrollo Acadmico

Emisin: 20/09/2010

E ST AD

NIDOS ME XI SU
CA
NO S

SECRETARA DE EDUCACI PBLICA N

SUBSECRETARA DE EDUCACIN SUPERIOR

INSTITUTO TECNOLGICO DE TLALNEPANTLA SUBDIRECCIN ACADMICA DESARROLLO ACADMICO

La figura muestra el croquis de un FET con canal N

Smbolos grficos para un FET de canal N

TRANSISTORES MOSFET Existen cuatro tipos principales de transistores MOSFET. Didcticamente conviene analizar primero el ms comn de todos que es el de canal N de empobrecimiento (o de deplexin), prcticamente el nico usado en fuentes de alimentacin y luego se har una referencia a los otros tipos en futuras entregas. El FET de semiconductoroxidometal, o MOSFET posee cuatro electrodos llamados fuente compuerta drenaje y sustrato. A diferencia del JFET, FET de juntura o simplemente FET o transistor de efecto de campo, la compuerta est aislada galvnicamente del canal. Por esta causa, la corriente de compuerta es extremadamente pequea, tanto cuando la tensin de compuerta es positiva
Dise: Desarrollo Acadmico Emisin: 20/09/2010

E ST AD

NIDOS ME XI SU
CA
NO S

SECRETARA DE EDUCACI PBLICA N

SUBSECRETARA DE EDUCACIN SUPERIOR

INSTITUTO TECNOLGICO DE TLALNEPANTLA SUBDIRECCIN ACADMICA DESARROLLO ACADMICO

como cuando es negativa. La idea bsica se puede observar en la figura 1, en donde se muestra un corte de un MOSFET de empobrecimiento de canal N. Se compone de un material N (silicio con impurezas dadoras) con una zona tipo P a la derecha y una compuerta aislada a la izquierda. A similitud de una vlvula electrnica, en donde los electrones libres circulan desde el ctodo a la placa, en un MOSFET circulan desde el terminal de fuente al de drenaje, es decir desde abajo hacia arriba en el dibujo. En la vlvula lo hacen por el vaco y en el MOSFET por el silicio tipo N. La zona P se llama sustrato (algunos autores la llaman cuerpo) y opera como si fuera una pared que presenta una dificultad a la circulacin electrnica. Los electrones deben pasar por un estrecho canal entre la compuerta y el sustrato. La idea es que el silicio tipo N es un buen conductor, pero en la zona del sustrato se agregan impurezas tipo P que cancelan esa conductividad haciendo que esa zona sea aisladora.

DESARROLLO DE LA PRACTICA
MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO Computadora multisim Se realizaran los circuitos hechos en clase para comprobar si el voltaje obtenido es el mismo o varia mediante el programa multisim.

Dise: Desarrollo Acadmico

Emisin: 20/09/2010

E ST AD

NIDOS ME XI SU
CA
NO S

SECRETARA DE EDUCACI PBLICA N

SUBSECRETARA DE EDUCACIN SUPERIOR

INSTITUTO TECNOLGICO DE TLALNEPANTLA SUBDIRECCIN ACADMICA DESARROLLO ACADMICO

Dise: Desarrollo Acadmico

Emisin: 20/09/2010

E ST AD

NIDOS ME XI SU
CA
NO S

SECRETARA DE EDUCACI PBLICA N

SUBSECRETARA DE EDUCACIN SUPERIOR

INSTITUTO TECNOLGICO DE TLALNEPANTLA SUBDIRECCIN ACADMICA DESARROLLO ACADMICO

Dise: Desarrollo Acadmico

Emisin: 20/09/2010

E ST AD

NIDOS ME XI SU
CA
NO S

SECRETARA DE EDUCACI PBLICA N

SUBSECRETARA DE EDUCACIN SUPERIOR

INSTITUTO TECNOLGICO DE TLALNEPANTLA SUBDIRECCIN ACADMICA DESARROLLO ACADMICO

RESULTADOS
Cuando se estuvieron realizando los circuitos el voltaje obtenido vario un poco en algunos casos, en algunos circuitos se tuvo que cambiar la corriente alterna por corriente directa para que diera el voltaje deseado en los circuitos elctricos. As mismo se adquiri el conocimiento sobre las herramientas en el multisim para la realizacin virtual con transistores BJT , FET y MOSFET

Dise: Desarrollo Acadmico

Emisin: 20/09/2010

E ST AD

NIDOS ME XI SU
CA
NO S

SECRETARA DE EDUCACI PBLICA N

SUBSECRETARA DE EDUCACIN SUPERIOR

INSTITUTO TECNOLGICO DE TLALNEPANTLA SUBDIRECCIN ACADMICA DESARROLLO ACADMICO

CONCLUCIONES Y RECOMENDACIONES
el voltaje vario en algunos circuitos elctrico en algunos casos fue necesario cambiar la corriente alterna por corriente directa El multisim es muy recomendable para realizar los circuitos vistos en clase ya que este es de gran ayuda para saber los resultados y as mismo hacer circuitos virtualmente que se pueden llevar a cabo en la vida real

ANEXOS

El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio. Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de transistor.

El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el grfico de transistor. El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra (emisor) , una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin. Este factor se llama (beta) y es un dato propio de cada transistor. Entonces: - Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a (factor de amplificacin) por Ib (corriente que pasa por la patilla base). - Ic = * Ib - Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, slo que, la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de l, o viceversa.

Dise: Desarrollo Acadmico

Emisin: 20/09/2010

E ST AD

NIDOS ME XI SU
CA
NO S

SECRETARA DE EDUCACI PBLICA N

SUBSECRETARA DE EDUCACIN SUPERIOR

INSTITUTO TECNOLGICO DE TLALNEPANTLA SUBDIRECCIN ACADMICA DESARROLLO ACADMICO

Segn la frmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente cuando se cambia Vcc. Ver figura.

En el segundo grfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender que a ms corriente la curva es ms alta. Fundamento de transistores de efecto de campo: Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente con purezas donadoras o aceptadoras de electrones. Su estructura y representacin se muestran en la tabla. Modelo de transistor FET canal n

Modelo de transistor FET canal p

Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta estn polarizadas en inversa de tal forma que no existe otra corriente que la inversa de saturacin de la unin PN. La zona n (en el FET canal n) es pequea y la amplitud de la zona de deplexin afecta a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexin y depende de la tensin inversa (tensin de puerta). Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):

ZONA HMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parmetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS. ZONA DE SATURACIN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS
Emisin: 20/09/2010

Dise: Desarrollo Acadmico

E ST AD

NIDOS ME XI SU
CA
NO S

SECRETARA DE EDUCACI PBLICA N

SUBSECRETARA DE EDUCACIN SUPERIOR

INSTITUTO TECNOLGICO DE TLALNEPANTLA SUBDIRECCIN ACADMICA DESARROLLO ACADMICO

ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).

A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la caracterstica V-I (se trata de un dispositivo simtrico).

La operacin de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FET de CANAL N, lo que sigmifica que todos los voltajes y corrientes son de sentido contrario.

MOSFET Observe que la corriente de drenaje se mantiene prcticamente constante independientemente de la tensin de drenaje-fuente, salvo en la zona inicial que se llama zona hmica y que no es utilizada cuando el transistor funciona como llave. La familia de curvas se suele dividir en dos secciones. Las que estn por debajo de cero y hasta VGSoff se llama seccin de empobrecimiento y las que estn por encima seccin de enriquecimiento. Esto significa que el canal no slo se puede angostar; en efecto, si se colocan tensiones positivas en la compuerta las lagunas del sustrato son repelidas y el canal se ensancha. En b se puede observar la curva de transferencia de un MOSFET de empobrecimiento en donde Idss es la corriente de drenaje con la puerta en cortocircuito. Como la curva se extiende hacia la derecha, sta no es la mxima corriente de drenaje. En efecto, tensiones positivas de compuerta generan una corriente de drenaje mayor. El smbolo elctrico de un MOSFET de canal N de empobrecimiento puede observarse en la figura 4 al lado de su dibujo en corte.

Dise: Desarrollo Acadmico

Emisin: 20/09/2010

E ST AD

NIDOS ME XI SU
CA
NO S

SECRETARA DE EDUCACI PBLICA N

SUBSECRETARA DE EDUCACIN SUPERIOR

INSTITUTO TECNOLGICO DE TLALNEPANTLA SUBDIRECCIN ACADMICA DESARROLLO ACADMICO

La compuerta se representa como una lnea vertical con una salida hacia la izquierda. A su derecha se dibuja el canal como otra lnea vertical fina, con una salida superior que es el drenaje y otra inferior que es la fuente. La flecha, en el sustrato P, apunta hacia adentro en el MOSFET de canal N de estrechamiento como indicando que el canal es estrecho.

BIBLIOGRAFIA
Dise: Desarrollo Acadmico Emisin: 20/09/2010

E ST AD

NIDOS ME XI SU
CA
NO S

SECRETARA DE EDUCACI PBLICA N

SUBSECRETARA DE EDUCACIN SUPERIOR

INSTITUTO TECNOLGICO DE TLALNEPANTLA SUBDIRECCIN ACADMICA DESARROLLO ACADMICO

es.wikipedia.org/wiki/transistores 1. www.monografias.com Ingenieria enciclopedia.us.es/index.php/transistores

FECHA Y FORMA DE REPORTE Jueves 17 de Noviembre del 2011

Dise: Desarrollo Acadmico

Emisin: 20/09/2010