El Transistor BJT

LIC.
EN FSICA ELECTRNICA
Curso 03-04 Tema 3
F. MUGARRA, DEP. DENGINYERIA ELECTRNICA
FACULTAT DE FSICA Universitat de Valncia
1
TEMA 3. EL TRANSISTOR BJT.

3.1. El transistor de unin bipolar: BJT.

Un transistor de unin bipolar es un dispositivo de tres terminales, formado por dos
trozos de semiconductor extrnseco del mismo tipo, separados por una estrecha capa de
semiconductor extrnseco de tipo contrario. Los terminales son contactos ohmicos
ubicados uno en cada uno de estos tres trozos de material semiconductor. Las siglas de
la denominacin en ingls de este dispositivo bipolar junction transistor dan pie a que
habitualmente se denomine BJT ya que la denominacin transistor BJT es una
redundancia.

Dado que hay dos tipos de semiconductor extrnseco: semiconductor extrnseco tipo P y
semiconductor extrnseco tipo N, habr dos tipos de BJT: el que en los extremos el
semiconductor extrnseco es de tipo P y en el centro hay una fina capa de
semiconductor extrnseco tipo N, y el tipo opuesto, en los extremos semiconductor
extrnseco tipo N y en medio una fina capa de semiconductor extrnseco tipo P. El
primer tipo se denomina transistor PNP y al segundo transistor NPN.

En la figura 3.1 se puede observar lo que sera cada uno de estos dos tipos de BJT, as
como el smbolo con el cual se representa a cada uno de ellos. Cada uno de los
terminales del transistor se denomina por la sigla del nombre asignado a cada terminal:
el terminal emisor por E, el terminal de base por B y el terminal de colector por C.
La razn de estos nombres se comprender posteriormente.

Fig. 3.1

Es conveniente aclarar que la estructura geomtrica que se ha dado a ambos transistores
no es la ms habitual en la fabricacin de transistores BJT, pero es la que se utilizar
para explicar los fundamentos de su funcionamiento. Esta estructura geomtrica
presenta muchas facilidades para hacer ms comprensible la explicacin de su
funcionamiento.

Para explicar el funcionamiento del BJT se usar el PNP de la figura 3.1. Se supone
para ello que se ha fabricado de forma que el dopado de ambas zonas P es igual y que es
mayor que el dopado de la zona N. Si los terminales del dispositivo no estn conectados
a ningn circuito externo, en ambas uniones se habr formado una barrera de potencial:
U
E
en la unin emisor-base y U
C
en la unin colector-base, que segn se vi al principio
del tema anterior seran:
E
B
C
P N
E
B
C
P
P N N
TRANSISTOR NPN TRANSISTOR PNP
ELECTRNICA LIC. EN FSICA
Tema 3 Curso 03-04

2

2
i
B C
T C 2
i
B E
T E
n
N N
ln V U
n
N N
ln V U (3-1)

N
E
, N
C
y N
B
son la concentracin de impurezas en la zonas: emisor, colector y base
respectivamente. Puesto que se supone N
E
= N
C
, la barrera de potencial en ambas
uniones, en ausencia de polarizacin externa, ser la misma.

Fig. 3.2

En la figura 3.2 se puede observar las barreras de potencial que se han formado en las
uniones.

Si se conectan al transistor PNP dos fuentes de alimentacin de corriente continua: Vee
y Vcc, con resistencias en serie Re y Rc, tal que la unin emisor-base se polariza
directamente y la unin colector-base se polariza inversamente, tal como muestra el
circuito de la figura 3.3, se puede observar que circulan las corrientes Ie, Ib e Ic, donde
Ie e Ic son prcticamente iguales.

Fig. 3.3

Que las corrientes de emisor y colector, Ie e Ic, sean muy parecidas es aparentemente
extrao y elimina la posibilidad de tratar de analizar el comportamiento del transistor
PNP como dos diodos en oposicin con sus ctodos unidos en el terminal de base, tal
que mediante un circuito de polarizacin externo, se polariza directamente uno de los
diodos, D
eb
, y el otro inversamente, D
cb
, tal como muestra la figura 3.4.

UE UC P P N
E
B
C
P
P
N
TRANSISTOR PNP
BARRERAS DE POTENCIAL
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Curso 03-04 Tema 3
3

Fig. 3.4

Para comprobarlo se puede montar en el laboratorio ambos circuitos, el circuito de la
figura 3.3 y el circuito de la figura 3.4, usando componentes que se utilizarn en las
prcticas de laboratorio: transistor PNP BC548, diodos 1N4148, fuentes de CC de 10 V
y resistencias de 1k. Se miden las corrientes Ie, Ic e Ib en ambos circuitos y se
comprueba que la corriente Ie es prcticamente igual en ambos circuitos, pero las
corrientes Ib e Ic son muy diferentes en un circuito y en otro.

La corriente Ic en el primer circuito, con
transistor PNP, es casi igual a Ie. En el
segundo circuito es despreciable. Por el
contrario la corriente Ib es muy pequea
en el primer circuito, del orden de Ie/150, y
prcticamente igual a Ie en el segundo
circuito.

Para entender el comportamiento del
transistor PNP en el circuito de la figura
3,3, habr que analizar que est pasando en
las dos uniones del transistor PNP: la
unin emisor-base y la unin base-colector.

Lo primero que hay considerar es que la
barrera de potencial en las uniones, debido
a la polarizacin externa, ha cambiado
respecto a la que se vi en la figura 3.2 del
transistor PNP sin polarizacin externa. En
la unin emisor-base la barrera ha
disminuido en Veb, diferencia de potencial
entre los terminales de emisor y de base,
mientras que en la unin base colector la
barrera ha aumentado en Vcb, diferencia
de potencial entre los terminales de
colector y de base.
Fig. 3.5

Por tanto las concentraciones de portadores minoritarios tambin han variado tal como
se ve en la figura 3.5.

En la unin de emisor-base, polarizada directamente, se estn inyectando portadores
mayoritarios (huecos) desde la zona P (emisor) a la zona N (base) y electrones desde la
zona N (base) a la zona P (emisor), dando lugar a la corriente de emisor Ie. En la unin
de colector-base debido a su polarizacin inversa sern los portadores minoritarios los
U
E
U
C
npo npo
pno
BARRERAS DE POTENCIAL
CONCENTRACIN
PORTADORES MINORITARIOS
Veb
Vcb
EMISOR
COLECTOR
BASE
np
np
pn
Tema 3 Curso 03-04

4
que se inyectan a la unin: huecos desde la zona N (base) a la zona P (colector) y
electrones del colector a la base.

Si en la unin de colector-base no hubiese mas trasiego de portadores que los que se
producen en una unin PN polarizada inversamente, la corriente de colector Ic debera
ser Ics, corriente de saturacin inversa de una unin PN, pero debido a la estrechez de
la base gran parte de los huecos inyectados por el emisor en la base llegan a la unin
base-colector y la atraviesan. Por tanto:

Ic = Ics + Ie (3-2)

es un parmetro, 1, que da la fraccin de Ie que pasa hasta el colector.

Ie
Ics Ic
(3-3)

Este parmetro no es una constante ya que dada una geometra de las uniones, de la cual
depende fuertemente, tambin depende de Ie de Vcb y de la temperatura

La expresin (3-2) se puede generalizar para cualquier valor de la tensin de
polarizacin de la unin colector-base, dando lugar a la expresin:

,
_
+
T
CB
V
V
cs e c
e 1 I I I (3-4)

Es fcil suponer que se puede obtener una expresin similar para la corriente de emisor,
que da el valor de esta en funcin de la corriente de colector multiplicada por un
parmetro
R
, R de reverse, de la corriente de saturacin inversa en la unin de emisor
I
es
y de la tensin en la unin de emisor V
eb
, El parmetro
R
tendr un valor inferior a
. Por coherencia de nomenclatura se debera utilizar la denominacin de
F
para , F
de forward, pero se mantendr la denominacin de simplemente para el parmetro
F
.

3.2. Configuraciones del BJT.

Hay tres configuraciones bsicas para el transistor BJT, en cada una de ellas se usa
como terminal de referencia un terminal distinto del transistor BJT: base comn, emisor
comn y colector comn.

3.2.1 Configuracin en base comn.

Es la configuracin que se ha usado para introducir el transistor de unin bipolar BJT.
Curso 03-04 Tema 3
5
Se toma como circuito de entrada de seal el circuito de emisor-base y como circuito de
salida de seal el circuito colector-base. Las variables de la seal de entrada sern V
EB
e
I
E
, y para la seal de salida V
CB
e I
C
.

Para estudiar su funcionamiento se usan las curvas caractersticas de entrada y de salida
al dispositivo. En las curvas caractersticas de entrada, figura 3.6, se estudia la
dependencia de la tensin de entrada (V
EB
) con la corriente de entrada (I
E
) y la tensin
de salida (V
CB
)

, y en las curvas caractersticas de salida, figura 3.7, se estudia la
variacin de la corriente de salida (I
C
) con la corriente de entrada (I
E
) y la tensin de
salida (V
CB
).

Antes de analizar las curvas caractersticas de entrada y salida, y para comprender mejor
el comportamiento del dispositivo que reflejan estas curvas, se ha de mencionar el
efecto de la modulacin del ancho de base, llamado efecto Early.

Fig. 3.6

En un transistor PNP con polarizacin directa en la unin de emisor e inversa en la de
colector, existirn zonas de cargas descubiertas en ambas uniones. Dadas las
polarizaciones existentes esta ser pequea en la unin de emisor-base e importante en
la unin de colector-base. En concreto dado que el lado P (colector) de la unin de
colector-base est mucho ms dopado que el lado N (base) de dicha unin (1), la
anchura de la zona de cargas descubiertas en la base es considerable. Por tanto la
anchura real de la base, anchura fsica menos regin de cargas descubiertas, cambia con
V
CB
.

(1)-Habitualmente en los transistores BJT el nivel de dopado de la base es muy inferior al del emisor y al
del colector
0A 0.1mA 0.2mA 0.3mA 0.4mA 0.5mA 0.6mA 0.7mA 0.8mA 0.9mA 1.0mA
V(I1:-)
500mV
550mV
600mV
650mV
700mV
750mV
Ie
Veb
Vcb = -30V
Vcb = -5V
Vcb = -0,5V
Tema 3 Curso 03-04

6
Fig. 3.7

Por tanto el aumento de V
CB
, en polarizacin inversa, hace que el ancho de la regin de
cargas descubiertas en la unin colector-base aumente en la zona de base, con los
posibles efectos:

Aumento del parmetro , ya que al estrecharse la base disminuye la
recombinacin de huecos inyectados por el emisor en la base, y llegan en ms
proporcin a la unin de colector-base.

Aumento de I
E
ya que aumenta el gradiente de la concentracin de portadores
minoritarios (p
n
) en la unin de emisor-base en lado de la base (p
n
(0)). La
concentracin p
n
en el borde de la unin de colector debe ser cero, por tanto la
concentracin de huecos en la base decae desde p
n
(0) hasta cero en menos
espacio, su gradiente aumenta y con l la corriente en la unin emisor-base (I
E
).

Se ha de tener en cuenta que si se aumenta demasiado V
CB
se puede reducir a cero el
ancho real de base, provocando la ruptura del transistor, es lo que se denomina perforar
el transistor.

Una vez planteado el efecto Early se ha de a analizar las curvas caractersticas de
entrada y salida, figuras 3.6 y 3.7. En las curvas caractersticas de entrada se ve que hay
una tensin umbral de V
EB
, que se denomina V
, a partir de la cual el transistor empieza

a conducir apreciablemente. El valor de V
es de aproximadamente 0,55 V para un

transistor de Si. Igualmente en dichas curvas se observa la influencia de V
CB
sobre I
E
,
de acuerdo a lo que predice el efecto Early.

En las curvas caractersticas de salida se puede observar la ligera pendiente de I
C
para
un valor constante de I
E
al variar V
CB
, otra vez el efecto Early. Para I
E
= 0, I
C
ser I
CS
,
corriente de saturacin inversa. Tambin se observa que para I
E
> 0 se necesita llegar a
0V -2V -4V -6V -8V -10V 1V
I(V1)
0A
5mA
10mA
15mA
20mA
25mA
Ie = 25 mA
Ie = 20 mA
Ie = 15 mA
Ie = 10 mA
Ie = 5 mA
Ie = 0 mA
Vcb
Ic
Curso 03-04 Tema 3
7
polarizar positivamente la unin colector-base para anular la corriente de colector, pero
la curva de Ic correspondiente a I
E
= 0, pasa por (0,0).

Las curvas caractersticas de salida son las que ms se usan en el diseo con
transistores. En ellas se distinguen tres regiones:

Regin activa, es aquella en que I
E
> 0 y V
CB
< 0. Es la regin en que
normalmente se hace trabajar al transistor.

Regin de saturacin, es en la que se cumple que V
CB
> 0. Es la regin en la
que la corriente varia fuertemente para ligeras variaciones de V
CB
.

Regin de corte, es en la que I
E
0. Es la regin en la que las corrientes en el
transistor son despreciables, est cortado.

3.2.2 Configuracin en emisor comn.

En esta configuracin el terminal de referencia es el terminal de emisor.

El circuito de entrada de seal ser el de base-emisor
y el de salida de seal el de colector-emisor. En la
figura 3.8 se muestra una posible configuracin en
emisor comn donde se ha usado un BJT tipo NPN.
La razn del cambio de tipo de transistor es que este
tipo de transistor es el que habitualmente se usa en los
diferentes diseos con transistores BJT.
Fig. 3.8

En las grficas de la figuras 3.9 y 3.10, se pueden observar las curvas caractersticas de
entrada y salida de esta configuracin. Como en la configuracin anterior se usar como
variable a estudiar en el circuito de entrada la tensin entre los terminales de entrada al
transistor, por tanto la tensin V
BE
, y en el circuito de salida la corriente en el terminal
de salida del transistor, por tanto I
C.
Como variables independientes se toman
nuevamente la corriente en el terminal de entrada al transistor, I
B
, y la tensin en los
terminales de salida del transistor, V
CE
.

En las curvas caractersticas de entrada, figura 3.9 V
BE
= f (I
B
, V
CE
), se vuelve a
observar la existencia de una tensin umbral, V
, a partir de la cual la corriente en el

terminal de entrada es apreciable, V
0,55 V para un BJT de Si. Tambin se pone de

manifiesto el efecto Early: un incremento en la tensin en los terminales de salida V
CE

(2), disminuye la corriente de entrada I
B
, el estrechamiento de la base reduce la corriente
de recombinacin de base.

(2)-Como aclaracin se ha de tener en cuenta que al aumentar la tensin en los terminales de salida, V
CE
,
se aumenta la polarizacin inversa en el diodo colector-base.

Tema 3 Curso 03-04

8

Fig. 3.9

Fig. 3.10

0A 0.1mA 0.2mA 0.3mA 0.4mA 0.5mA 0.6mA 0.7mA 0.8mA 0.9mA 1.0mA
V(Q1:b)
500mV
550mV
600mV
650mV
700mV
750mV
800mV
Vce >= 0,3 V
Vce = 0,2 V
Vce = 0,1 V
Vbe
Ib
0V 1V 2V 3V 4V 5V 6V 7V 8V 9V 10V
0A
10mA
20mA
30mA
40mA
Ib = 220 uA
Ib = 170 uA
Ib = 130 uA
Ib = 90 uA
Ib = 50 uA
Ib = 30 uA
Ib = 15 uA
Ib = 0,5 uA Vce
Ic
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En las curvas caractersticas de salida, figura 3.10 I
C
= f (I
B
, V
CE
), se observa la ligera
variacin de I
C
, para I
B
constante, al variar V
CE
, otra vez el efecto Early. Como detalle
interesante se ha de resaltar que si se prolongan estas rectas, confluirn en un punto del
eje X, un valor V
CE
negativo, dicha tensin se denomina tensin Early.

Igual que en la configuracin de base comn, en la grfica de las curvas caractersticas
de salida se distinguen de tres regiones: activa, saturacin y corte. La regin activa es
aquella en que I
B
> 0 y V
CE
> 0,3 V, ya que para V
CE
< 0,3 V se entra en los codos de
las curvas y se pasa a la regin de saturacin, la cual se toma para V
CE
< 0,25 V. La
regin de corte es para I
B
0, en esta regin las corrientes en el transistor son
despreciables.

Al analizar un circuito que contenga un transistor este se comportar como un nudo en
el cual confluyen tres ramas por tanto se debe cumplir:

I
E
= I
C
+ I
B
(3-5)

Sustituyendo (3-5) en (3-2) y despejando I
C
, se obtiene:

B CS C
I
1
I
1
1
I

+

(3-6)

+

1
1
1
1
(3-7)

B CS C
I I ) 1 ( I + + (3-8)

Puesto que I
CS
<< I
B
, la expresin (3-8) se suele aproximar por la expresin:

I
C
= I
B
(3-9)

De la expresin previa se deduce que el parmetro , tambin denominado h
FE
, da la
ganancia de corriente en rgimen esttico, es decir sin seal variable aplicada al circuito
de entrada, por tanto es la ganancia de corriente en continua.

El parmetro ser muy usado en el anlisis y diseo de circuitos con transistores BJT,
por tanto es muy importante el tener claro sus posibles variaciones con el resto de
variables de las cuales pueda depender. Aumenta su valor con la temperatura y con V
CE
,
esto ltimo debido al efecto Early, pero la dependencia ms importante es con I
C,

aumenta con I
C
hasta llegar a un intervalo de valores de I
C
en que es prcticamente
Tema 3 Curso 03-04

10
constante, este intervalo es desde casi el miliamperio hasta unas decenas de
miliamperios, para despus volver a disminuir al seguir aumentado I
C
.

Otro aspecto importante a considerar es que de la definicin de , expresin (3-7), se
deduce que ligeras variaciones del parmetro producirn grandes variaciones del
parmetro . Dado que la geometra del transistor influye en el valor de , es lgico que
transistores tericamente iguales tengan valores de su parmetro ligeramente
diferentes y por tanto con valores de su muy diferentes, por ello al comprobar la hoja
de caractersticas que da el fabricante de un transistor cualquiera, no es difcil que para
el parmetro el fabricante de un intervalo de valores posibles muy grande, por
ejemplo entre 50 y 200.

Con un simple ejemplo numrico se puede comprender mejor este problema. Supuesto
que el valor medio del parmetro de unos transistores que se est fabricando es 0.99,
= 99, y que se garantice que los valores de que se van a obtener no varen ms del
0,5 %. El intervalo de valores del parmetro que garantiza es:

199 66 , 65
995 , 0 1
995 , 0
985 , 0 1
985 , 0
< <
< <

Por tanto antes de usar un transistor es conveniente medir su beta. Dado un transistor
concreto con un valor de beta dado, es importante comprender que el parmetro beta
slo tiene sentido cuando est trabajando en un punto de funcionamiento de la regin
activa del transistor.

La regin de saturacin es la zona izquierda de las curvas caractersticas de salida,
previa a los codos de las curvas. En la regin de saturacin no tiene validez el parmetro
beta ya que segn se ver posteriormente, la corriente de colector que pasa por el
transistor, en toda esta regin, es menor que la que define la expresin (3-9), expresin
que liga la corriente de base y de colector a travs del parmetro beta.

Igual que se ha definido el parmetro (h
FE
) para corrientes estticas, corriente
contina, se define tambin para variaciones de la corriente. En tal caso se usa
normalmente h
fe
para denominar la dinmica, es por ello que en lo que sigue se
utilizar h
FE
para denominar la esttica, y h
fe
para denominar la dinmica, tambin
denominada ganancia de corriente para pequea seal y cuya definicin es:

Cte V
B
C
fe
CE
i
i
h
1
]
1
(3-10)

Curso 03-04 Tema 3
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i
C
e i
B
son las corrientes instantneas de colector y base respectivamente. Se puede
demostrar que h
fe y
h
FE
estn relacionados por la expresin:

( )
C
FE
B 0 CB
FE
fe
I
h
I I 1
h
h
+
(3-11)

I
CB0
es la corriente de colector cuando se anula la corriente de emisor haciendo V
BE
= 0.

El transistor se usar en una zona de funcionamiento, valor de I
C
, en la que la variacin
de h
FE
con I
C
es prcticamente despreciable y h
FE
toma su valor mximo. Por ello en
los problemas de diseo y de anlisis de circuitos con transistores BJT se supondr que
h
FE
y h
fe
toman el mismo valor.

Dada la variacin de h
FE
con I
C
, para puntos de funcionamiento con I
C
muy pequeo h
fe

> h
FE
, y para puntos de funcionamiento con I
C
grande, varias decenas de miliamperios,
h
fe
< h
FE
,

3.2.3 Configuracin en colector comn.

Es prcticamente la misma que emisor comn, figura
3.11, salvo que la resistencia de carga se ha
transferido del colector al emisor.

Las curvas caractersticas de esta configuracin son
similares a las de la configuracin de emisor comn.

Fig. 3.11

3.3 Tensin de AvalanchaRuptura y mximo consumo.

En las curvas de salida que se han dado para las diferentes configuraciones se ha
obviado la continuacin de dichas curvas para valores elevados de V
CB
en la
configuracin de base comn y de V
CE
en la configuracin de emisor comn. Dado que
lo que ocurre para valores elevados de la tensin de salida de cualquier configuracin es
similar, se limitar la explicacin a una de ellas: la configuracin de emisor comn.

Si en la configuracin de emisor comn, figura 3.8, se aumenta suficientemente la
tensin entre los terminales de salida, las curvas Ic = f(V
CE
, I
B
) se levantan, I
C
sube
bruscamente, y se llega a destruir el transistor. El proceso puede tener su origen en dos
procesos fsicamente diferentes:

Avalancha: la cada de tensin en la unin de colector-base es tan fuerte que el
efecto multiplicativo de la generacin de portadores por colisin hace crecer I
C

fuertemente.

Tema 3 Curso 03-04

12
Ruptura: el aumento de la cada de tensin en la unin colector-base aumenta
tanto la zona de cargas descubiertas en la regin de base que anula la regin de
base real y se perfora el transistor dando lugar a un brusco crecimiento de I
E
.
La destruccin del transistor se produce por un consumo superior a la potencia mxima
que especifica el fabricante en su hoja de caractersticas: P
max
. La potencia que consume
el transistor en la configuracin de emisor comn es prcticamente igual a V
CE
I
C
, por
tanto si trazamos en la grfica de las curvas de salida, la hiprbola P
max
= V
CE
I
C
, esta
curva limita la regin en la que el transistor puede trabajar sin alcanzar el consumo de la
mxima potencia que acarreara su destruccin. Habitualmente se impondr un margen
de seguridad que impida aproximarse a esta curva el punto de funcionamiento.

En las curvas caractersticas tambin hay otros valores mximos, para diferentes
corrientes y tensiones en el transistor, que no se deben de superar si no se quiere destruir
el mismo.

3.4. Polarizacin del BJT: Punto de funcionamiento.

En las tres configuraciones posibles del transistor BJT se han utilizado dos fuentes de
alimentacin de continua y dos resistencias para polarizar el circuito, es decir para que
el transistor est en un determinado punto de funcionamiento de continua, un
determinado valor de I
c
y V
ce
. El punto de funcionamiento de continua, denominado
habitualmente punto Q, se escoge normalmente sobre las curvas caractersticas de salida
en la zona central de la regin activa, en cualquier caso como se ver posteriormente es
importante que el transistor est polarizado en el punto de funcionamiento seleccionado.

Dado que uno de los objetivos del diseo de cualquier sistema es realizarlo fiable, eficaz
y de bajo coste, no parece lgico utilizar dos fuentes de continua para polarizar las
diferentes configuraciones del transistor si se puede conseguir con una sola.

Para analizar como resolver el problema se plantea polarizar un transistor NPN con
intervalo de valores posibles de la beta (h
FE
) entre 100 y 300, en el punto de
funcionamiento: I
c
= 2 mA y V
ce
= 5 V, usando una fuente de alimentacin de 10 V.

Una posible solucin, muy sencilla y por tanto econmica, es la de la figura 3.12 en la
que se usan solo dos resistencias y donde el circuito de la derecha es como en el futuro
se dibujar la conexin de la fuente de alimentacin. Para calcular que valor debe tomar
Rc y Rb se supone que beta tiene el valor intermedio de todos los posibles, 200.

Fig. 3. 12

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A 10
200
2
h
I
I
k 930
200
2
7 , 0 10
h
I
V V
I
V V
R V R I V
5 k 2
2
5 10
I
V V
R V R I V
FE
C
b
FE
C
BE CC
b
BE CC
b BE b b CC
C
CE CC
C CE C C CC

+
(3-12)

En las expresiones de (3-12) se ha sustituido la tensin en voltios y las corrientes en
miliamperios, por tanto las resistencias se obtienen en miles de ohms, es decir en k
Habitualmente solo se pondr la k kilo, y adems dicha k se utiliza de coma, en la
primera ecuacin 2k5 equivale a 2,5 k. Las unidades usadas y este tipo de
representacin son la que se usarn habitualmente en la resolucin de problemas.

Si para polarizar el transistor se usa la fuente de 10 V y las dos resistencias calculadas
en (3-12), el punto de funcionamiento ser el previsto si la beta del transistor vale 200.
El problema se plantea si el parmetro h
FE
del transistor no es de doscientos, por ello se
ha de comprobar como puede variar el punto de funcionamiento al variar h
FE
.

Cuando h
FE
tome el valor 100, en primer lugar hay que tener en cuenta que la corriente
de base no habr variado, por tanto:

I
C
= h
FE
I
b
= 100 10 A = 1 mA

V
CE
= V
CC
R
C
I
C
= 10 2k5 1mA = 7,5 V

Si ahora beta tomara el otro valor extremo, 300:

I
C
= h
FE
I
b
= 300 10 A = 3 mA

V
CE
= V
CC
R
C
I
C
= 10 2k5 3mA = 2,5 V

Los dos puntos de funcionamiento obtenidos son muy diferentes del deseado.

Se podra argumentar para resolver este problema que antes de calcular R
c
y R
b
se
debera medir el parmetro h
FE
y usar el valor medido para calcular ambas resistencias,
con lo cual el problema se obviara. El razonamiento es aparentemente correcto pero
tiene varios fallos muy importantes. El primero y no el ms importante es que si el
circuito est montado en una placa y tenemos que cambiar el transistor porque se haya
estropeado, como sabemos que valor del parmetro h
FE
debe tener el transistor a
reponer, o es que se han de cambiar tambin las resistencias.

Tema 3 Curso 03-04

14
No es bueno que el punto de funcionamiento sea tan dependiente del parmetro h
FE
del
transistor por ello se utiliza otra estructura ms compleja para polarizar el transistor, la
del divisor de tensin en base y resistencia en el emisor, como muestra el circuito de la
figura 3.13. En la figura se da tambin la transformacin por el teorema de Thevenin
del circuito de base.

Fig. 3.13

Tomando el mismo punto de funcionamiento que antes: I
c
= 2 mA y V
ce
= 5 V, pero
debido a un aspecto en el cual no se va a profundizar, la deriva trmica en el punto de
funcionamiento, la resistencia de emisor R
e
no debe ser mucho menor que R
b
.

5 k 2
2
5 10
R R
e c

+

Haciendo iguales ambas resistencias:

R
c
= R
e
= 1k25 R
b
= 5 R
e
= 6k25

Suponiendo h
FE
= 200:

V
bb
= R
b
I
b
+ V
BE
+ R
e
I
e

= R
b
I
b
+ V
BE
+ R
e
(h
FE
+1) I
b

= 0,7 + (6,25 + 201 1,25) I
b

como I
b
= 0,01 mA:

V
bb
= 0,7 + 2,575 = 3,275 V

De las expresiones de V
bb
y R
b
que se deducen por el teorema de Thevenin:
Curso 03-04 Tema 3
15

2 R 1 R
2 R 1 R
25 , 6
3 k 9 2 R , 1 k 19 1 R
V
2 R 1 R
2 R
275 , 3
CC
+

Tomando ahora los valores extremos de h
FE
, empezando por el valor inferior, h
FE
=
100:

V
bb
= R
b
I
b
+ V
BE
+ R
e
(h
FE
+1) I
b

3,275 = 6,25 I
b
+ 0,7 + 1,25 101 I
b

I
b
= 0,0194 mA I
c
= 1,94 mA

V
CE
= 10 I
c
R
c
R
e
(I
b
+I
c
) = 5,126 V

Para h
FE
= 300:

V
bb
= R
b
I
b
+ V
BE
+ R
e
(h
FE
+1) I
b

3,275 = 6,25 I
b
+ 0,7 + 1,25 301 I
b

I
b
= 0,006732 mA I
c
= 2,02 mA

V
CE
= 10 I
c
R
c
R
e
(I
b
+I
c
) = 4,942 V

Los resultados hablan por si solos, la polarizacin por divisor de tensin en base y
resistencia de emisor definen un punto de funcionamiento del transistor BJT muy poco
dependiente del valor del parmetro h
FE
del transistor. Este tipo de polarizacin es el
que se usar habitualmente.

3.5. Modelos del BJT.

Afn de poder analizar o disear los circuitos con transistores BJT se sustituye a los
transistores BJT por una interconexin de elementos de circuito que simulan el
comportamiento del mismo de una forma ms o menos afortunada. En este sentido hay
que distinguir entre los modelos para corriente continua y los modelos para pequea
seal.

Tema 3 Curso 03-04

16
3.5.1. Modelos de continua de un BJT.

En este caso no hay seales elctricas aplicadas que varen con el tiempo, por tanto se
plantean unos modelos sencillos, que en este caso tienen sentido en dos regiones de
funcionamiento, aquellas en que se tienen corrientes apreciables de colector y de
emisor: la regin activa y la regin de saturacin.

Tomando como base la configuracin de emisor comn, ya que es la configuracin mas
usada, el modelo que se usa para simular un BJT en la regin activa es el de la figura
3.14.

I
b
I
c

h
FE
I
b

I
e

Fig. 3.14

Entre la base y el emisor est la unin base emisor que representa la cada en una unin
polarizada directamente, esto es una cada de potencial V
be
que habitualmente se
aproxima por 0,7 V aunque suele ser algo menos. La corriente de colector ser
prcticamente igual a h
FE
I
b
ya que R
0
normalmente se suprime por ser de valor muy
grande y por ello la interconexin se ha realizado con una lnea punteada. Esta
resistencia refleja el efecto Early, variacin de I
c
con V
ce
para I
b
constante.

Para la regin de saturacin ya no tiene sentido el parmetro h
FE
, y el modelo se
simplifica bastante, quedando el circuito de la figura 3.15.

Fig. 3.15

La cada de tensin en la unin base emisor ser ligeramente mayor que en la regin
activa, se tomar normalmente de 0,75 V. La cada de tensin entre colector y emisor
depende de la corriente de colector y vara entre 0,2 y 0,3 V, en algunos trans istores
puede incluso llegar a ser mayor. En la prctica se usar el valor de 0,25 V.

3.5.2. Modelos de pequea seal de un BJT.

Para grandes seales de lenta variacin se puede obtener el funcionamiento del BJT
grficamente de las curvas caractersticas que aporta el fabricante. Un anlisis sencillo
muestra que si en el circuito de entrada, circuito de base-emisor en la configuracin de
Curso 03-04 Tema 3
17
E.C., se aplica una seal senoidal, en la salida, circuito de colector-emisor, se puede
obtener otra seal senoidal, que si es de mucha amplitud es muy probable que est
distorsionada (ver ejemplos en las referencias bibliogrficas (2, 3 y 4)). Pero si la seal
de ataque es de baja frecuencia y de pequea amplitud, la distorsin, si el circuito est
polarizado adecuadamente en la zona activa, es despreciable y el comportamiento del
BJT como amplificador de seal es prcticamente lineal.

Dado que un anlisis grfico se ha de calificar como mnimo de engorroso, se buscarn
modelos del BJT que permitan analizar adecuadamente este comportamiento, con un
tratamiento matemtico sistemtico y sencillo.

3.5.2.1 Modelo en de pequea seal.

Es el del circuito de la figura 3.16. Empezando por el terminal de base lo primero a
considerar es la resistencia del cuerpo semiconductor de base hasta su terminal: r
bb
,. Es
una resistencia pequea de decenas de ohmios que disminuye a medida que aumentan
las corrientes en el transistor.

r

r
bb

r
r
0
g
m
v

Fig. 3.16

El comportamiento en rgimen dinmico de la unin base-emisor est representado por
r
y c
. En primer lugar c
es la capacidad de difusin del diodo base-emisor polarizado

directamente y r
, segn se ver posteriormente, est ntimamente relacionada con la

resistencia dinmica del diodo base-emisor. En la rama que empalma la entrada de base
con la salida de colector estn c
y r
que representan: c
la capacidad de deplexin de
la unin colector-base polarizada inversamente, y r
el efecto Early. Prescindiremos de

ambas componentes normalmente ya que la resistencia es muy alta y el condensador de
muy bajo valor, prximo al pF.

Por ltimo entre colector y emisor estn una fuente de corriente controlada por tensin:
g
m
v
y la resistencia r
0
, esta ltima es muy alta de varios cientos de k y representa el
efecto Early. La fuente de corriente representa el acoplo entre uniones, lo que se
denomina el efecto transistor, y da la relacin entre i
c
e i
b
, ya que v
= i
b
r
.

Para baja frecuencia, a lo cual se limitar este curso en lo que se refiere a Electrnica
Analgica, es decir hasta unos pocos de cientos de kHz, el efecto de la capacidad C
es
despreciable ya que su valor es de unas decenas de pF, por tanto simplificando el
circuito de la figura 3.16 puede quedar reducido al de la figura 3.17.

Tema 3 Curso 03-04

18

r
g
m
v
r
0

Fig. 3.17

Del circuito se deduce:

[ ]

r i g v g i
b m Cte v m c
CE
(3-13)

CE
c fe
m fe
b m
v Cte
i h
g r h r
i g

1

1
]
(3-14)

(3-15)

( ) ( ) 1 h
'
h
' 1
1
1 h
' 1
'
h
fe
fe
fe fe
+

+

(3-16)

(r
d
)
BE
es la resistencia dinmica del diodo base emisor polarizado directamente.
Sustituyendo (3-15) en (3-14) y posteriormente (3-16) se obtiene:

( ) ( ) ( )
fe
d fe d '
BE BE
h
r r h 1 r
(3-17)

Expresin que da la relacin de r
con la resistencia dinmica del diodo base-emisor.

3.5.2.2 Modelo de los parmetros hbridos para un BJT.

Se basa en aplicar los parmetros hbridos de un cuadripolo al BJT

Un cuadripolo es una red bipuerta. Un puerto de entrada con tensin entre los terminales
de entrada v
1
y corriente de entrada i
1
, y un puerto de salida con tensin entre los
terminales de salida v
2
y corriente de salida i
2
, tal como muestra la figura 3.18. Se toma
el criterio de que las corrientes son positivas si entran al terminal correspondiente.

Nota: Un cuadripolo es una red elctrica cualquiera, tal que entre dos nodos de la red se
establece la entrada de seal (puerta de entrada) y entre otros dos nodos la salida de
seal (puerta de salida).

( )
CE CE CE
c e E
m
be be BE d
v Cte v Cte v Cte BE
i i i 1
g ' ' '
v v v r

1 1 1

1 1 1
] ] ]
Curso 03-04 Tema 3
19

Fig. 3.18

Dado el cuadripolo de la figura 3.18, los parmetros hbridos se definen mediante las
ecuaciones:

v
1
= h
11
i
1
+ h
12
v
2

(3-18)
i
2
= h
21
i
1
+ h
22
v
2

De la definicin de los parmetros se deduce que estos sern:

0 V
1
1
11 i
2
i
v
h h
impedancia de entrada con salida cortocircuitada.(1)

0 i
2
1
12 r
1
v
v
h h
ganancia inversa de tensin con entrada abierta.(1)

(3.19)

0 V
1
2
21 f
2
i
i
h h
ganancia de corriente con salida cortocircuitada.(1)

0 i
2
2
22 o
1
v
i
h h
admitancia de salida con ent rada abierta.(1)

(1)- El criterio que se tomar para la nomenclatura de las variables de tensin y corriente
es la que propone el I.E.E.E.:

V
B
tensin en continua v
B
tensin instantnea
v
b
seal: variacin en el tiempo = v
B
- V
B
V
b
valor eficaz de la seal

Tema 3 Curso 03-04

20
Los parmetros hbridos permiten sustituir el cuadripolo por el circuito de la figura 3.19

Fig. 3.19

La aplicacin de este modelo al BJT es inmediata si el transistor est polarizado en
zona activa y las variables v
1
, i
1
, v
2
e i
2
son variaciones alrededor del punto de
funcionamiento. El uso generalizado de estos parmetros es debido a que son
determinables experimentalmente de forma relativamente sencilla.

3. 5.2.2.1. Parmetros hbridos de la configuracin de emisor comn.

En la figura 3.20 se muestra el BJT en la configuracin de emisor comn y el circuito
equivalente de parmetros hbridos a que da lugar.

a b

Fig. 3.20

Las ecuaciones de los parmetros hbridos de esta configuracin sern:

v
be
= h
ie
i
b
+ h
re
v
ce

(3.20)
i
c
= h
fe
i
b
+ h
oe
v
ce

Donde se han tomado como variables dependientes las seales de: la tensin de entrada,
v
be
, y de la corriente de salida, i
c
, y como variables independientes las seales de la
corriente de entrada, i
b
, y de la tensin de salida, v
ce
,

Curso 03-04 Tema 3
21

Cte i
CE
C
oe
Cte v
B
C
fe
Cte i
CE
BE
re
Cte v
B
BE
ie
B CE
B CE
v
i
h
i
i
h
v
v
h
i
v
h

1
]
1
1
]
1
1
]
1
1
]
1
(3.21)

Donde se ha utilizado la equivalencia:

v
ce
= 0 (seal) v
CE
= Cte (valor instantneo)

i
b
= 0 (seal) i
B
= Cte (valor instantneo)

3. 5.2.2.2. Parmetros hbridos de la configuracin de base comn.

En este caso el circuito es el de la figura 3.21.

a b

Fig. 3.21

Las ecuaciones sern:

v
eb
= h
ib
i
e
+ h
rb
v
cb

(3-22)
i
c
= h
fb
i
e
+ h
ob
v
cb

Cte i
CB
C
ob
Cte v
E
C
fb
Cte i
CB
EB
rb
Cte v
E
EB
ib
B CB
B CB
v
i
h
i
i
h
v
v
h
i
v
h

1
]
1
1
]
1
1
]
1
1
]
1
(3-23)

Tema 3 Curso 03-04

22
3. 5.2.2.3. Parmetros hbridos de la configuracin de colector comn.

En este caso el circuito es el de la figura 3.22.

a b

Fig. 3.22

Las ecuaciones sern:

v
bc
= h
i c
i
b
+ h
rc
v
ec

(3-24)
i
e
= h
fc
i
b
+ h
oc
v
ec

Cte i
EC
E
oc
Cte v
B
E
fc
Cte i
EC
BC
rc
Cte v
B
BC
ic
B EC
B EC
v
i
h
i
i
h
v
v
h
i
v
h

1
]
1
1
]
1
1
]
1
1
]
1
(3-25)

3. 5.2.2.4. Anlisis de los parmetros hbridos en las diferentes configuraciones.

Para analizar los parmetros hbridos se usan las grficas de entrada y de salida del
transistor. Empezando por las grficas de salida, se analizarn los parmetros h
f
y h
o
.

Parmetro h
f
:

En la configuracin de emisor comn es:

1 B 2 B
1 C 2 C
Cte v
B
C
fe
i i
i i
i
i
h
CE
1
]
1
(3-26)

el parmetro h
fe
se calcular como la variacin de i
C
al pasar entre dos curvas muy
prximas en las curvas caractersticas de salida, ver figura 3.10, con valores de
corriente de base i
B1
e i
B2
respectivamente, y para v
CE
= Cte. En la grfica de las curvas
de salida se ha de pasar del punto de funcionamiento en que las corrientes de colector y
Curso 03-04 Tema 3
23
base son i
C1
e i
B1
respectivamente, al punto de funcionamiento con corrientes de
colector y base i
C2
e i
B2
, para ello el desplazamiento se ha de realizar sobre una lnea
recta perpendicular al eje X. Si el parmetro h
FE
era la esttica, el parmetro h
fe
es la
o beta dinmica.

En la configuracin de base comn:

1 E 2 E
1 C 2 C
Cte v
E
C
fb
i i
i i
i
i
h
CB
1
]
1
(3-27)

En este caso tambin se puede hacer un clculo grfico de este parmetro en las curvas
de salida, figura 3.7. Este parmetro es el parmetro , alfa dinmica, ya que el
parmetro , alfa esttica, se defini como la relacin entre los valores instantneos de
la corriente de colector y la corriente de emisor(3-3).

En la configuracin de colector comn:

1 B 2 B
1 E 2 E
Cte v
B
E
fc
i i
i i
i
i
h
EC
1
]
1
(3-28)

Se puede decir algo similar a lo expuesto para la configuracin de emisor comn.

Parmetro h
o
:

En la configuracin de emisor comn es:

1 CE 2 CE
1 C 2 C
Cte i
CE
C
oe
v v
i i
v
i
h
B
1
]
1
(3-29)

Es obvio que el parmetro h
oe
ser la pendiente de la curva i
B
= Cte en las curvas
caractersticas de salida, figura 3.10. Su valor es bajo y toma un valor similar en la
configuracin de colector comn en la que se define como:

1 EC 2 EC
1 E 2 E
Cte i
EC
E
oc
v v
i i
v
i
h
B
1
]
1
(3-30)

ya que las variaciones de i
E
e i
C
son similares. En la configuracin de base comn este
parmetro, h
ob
, es an menor ya que la pendiente de las curvas de salida con i
B
= Cte es
Tema 3 Curso 03-04

24
menor, ver figura 3.7. Estos parmetros dentro de la regin activa, varan de un punto
de funcionamiento a otro, pero su variacin no es importante.

Los parmetros hbridos dependientes de las curvas de entrada son: h
i
y h
r
. Empezando
por el parmetro h
i
en la configuracin de emisor comn:

1 B 2 B
1 BE 2 BE
Cte v
B
BE
ie
i i
v v
i
v
h
CE
1
]
1
(3-31)

De su definicin se deduce que es la inversa de la pendiente de la curva v
CE
= Cte en el
punto de funcionamiento, en las curvas caractersticas de entrada figura 3.9. Est
relacionada con la resistencia dinmica del diodo base-emisor y toma valores muy
parecidos en la configuracin de colector comn:

1 B 2 B
1 BC 2 BC
Cte v
B
BC
ic
i i
v v
i
v
h
EC
1
]
1
(3-32)

En cambio en la configuracin de base comn:

1 E 2 E
1 EB 2 EB
Cte v
E
EB
ib
i i
v v
i
v
h
CB
1
]
1
(3-33)

ser mucho menor.

El segundo de los parmetros hbridos a analizar en las curvas caractersticas de entrada
es h
r
, en la configuracin de emisor comn:

1 CE 2 CE
1 BE 2 BE
Cte i
CE
BE
re
v v
v v
v
v
h
B
1
]
1
(3-34)

De las curvas caractersticas de entrada, figura 3.9, se deduce que este parmetro toma
un valor muy bajo. Lo mismo ocurre en la configuracin de base comn, pero no as en
la configuracin de colector comn que h
rc
toma un valor prximo a la unidad. Se ha de
tener en cuenta que los parmetros h
i
y h
r
dependen de forma apreciable del punto de
funcionamiento.

Curso 03-04 Tema 3
25
3. 6. Anlisis de los amplificadores con BJT mediante los parmetros hbridos.

Se tratar ahora de aplicar el modelo de parmetros hbridos del BJT para pequea seal.
Para ello se supone que al BJT se le aplica en su entrada un generador de seal Vg, con
resistencia interna Rg y que se recoge la seal, a la salida del BJT, en una impedancia
de carga Z
L
, figura 3.23. El objetivo fundamental es analizar la relacin entre la seal
de entrada y la de salida, ganancias de corriente y de tensin, as como la impedancia de
entrada y de salida.

Fig. 3.23

3.6.1. Ganancia de corriente.

1
2
1
L
I
i
i
i
i
A

(3-35)

Como: i
2
= h
f
i
1
+ h
o
v
2
v
2
= i
L
Z
L
= - i
2
Z
L

sustituyendo v
2
en la expresin de i
2
y sustituyendo en la ecuacin (3-35), se obtiene:

L o
f
I
Z h 1
h
A
+
(3-36)

El parmetro h
o
tiene un valor muy bajo por lo que no es raro ver en la bibliografa que
el parmetro h
f
se toma como ganancia de corriente.

3.6.2. Ganancia de tensin.

1
2
V
v
v
A (3-37)

Como: v
2
= i
L
Z
L
= - i
2
Z
L
= A
I
i
1
Z
L

v
1
= i
1
Z
e

Tema 3 Curso 03-04

26
Donde Z
e
es la impedancia de entrada del BJT. Sustituyendo v
1
y v
2
en la ecuacin (3-
35), y simplificando:

e
L
I V
Z
Z
A A (3-38)

3.6.3. Impedancia de entrada.

Como la impedancia de entrada a un dispositivo se define como el cociente entre la
tensin de entrada y la corriente de entrada al dispositivo:

1
1
e
i
v
Z (3-39)

Como: v
1
= h
i
i
1
+ h
r
v
2
= h
i
i
1
+ h
r
(-i
2
Z
L
) = h
i
i
1
+ h
r
A
I
i
1
Z
L

Sustituyendo v
1
en la expresin (3-39) y simplificando:

L
L o
f r
i L I r i e
Z
Z h 1
h h
h Z A h h Z
+
+ (3-40)

3.6.4. Impedancia de salida.

A fin de usar un criterio, mas o menos correcto, se calcula la impedancia de salida, Z
S
,
del dispositivo supuesto que Vg = 0 y que se aplica a la salida un generador de tensin
v
2
. Por tanto, y observando el circuito, figura 3.23, la ecuacin del circuito de entrada
ser:

V
g
= i
1
R
g
+ i
1
h
i
+ h
r
v
2

Como se ha anulado el generador de entrada, V
g
= 0, de la ecuacin previa se obtiene
una relacin entre v
2
e i
1
:

i g
r
2
1
h R
h
v
i
+
(3.41)

La segunda de las ecuaciones de los parmetros hbridos era:

Curso 03-04 Tema 3
27
i
2
= h
f
i
1
+ h
o
v
2

Dividiendo por v
2
se obtiene:

i g
r f
o o
2
1
f
2
2
S
S
h R
h h
h h
v
i
h
v
i
Z
1
Y
+
+ + (3.42)

Donde Y
S
es la admitancia de salida, inversa de la impedancia de salida. Obvio es decir
que la impedancia de salida de un dispositivo se define como el cociente entre la tensin
y la corriente entre sus terminales de salida.

Tema 3 Curso 03-04

28
PROBLEMAS

1. Calcula el punto de funcionamiento de cada una de las dos configuraciones,
suponiendo: V
BE
= 0,7 V. y h
FE
= 100.
a b

a)

Circuito V
CC
-base-emisor:

12V = 470k I
B
+ V
BE
= 470k I
B
+ 0,7V I
B
= 11,3V / 470k = 0,024 mA

Circuito V
CC
-colector-emisor:

I
C
= h
FE
I
B
= 2,4 mA 12V = 1k5 I
C
+ V
CE
= 1k5 2,4mA + V
CE

V
CE
= 8,4 V

a)

Circuito V
CC
-base-emisor:

12V = 1k5 (I
C
+ I
B
) + I
B
270k + V
BE
I
C
= h
FE
I
B
= 100 I
B

12V = 421,5 I
B
+ 0,7V I
B
= 0,0268 mA I
C
= 2,68 mA

Circuito colector-emisor:

I
B
270k + V
BE
= V
CE
V
CE
= 7,94 V

Curso 03-04 Tema 3
29
2. Calcula el punto de funcionamiento de cada una de las dos configuraciones,
suponiendo: V
BE
= 0,7 V. y h
FE
= 100.

a b
----------------------------------------------------------------------------------------------------------

a) Circuito a:

Aplicando el Teorema de Thevenin al divisor de base, se obtiene:

k 4 , 11 =
k 47 + k 15
k 47 k 15
= R V 9 , 2 = V 12
k 47 + k 15
k 15
= V
bb bb

Con lo que el circuito resultante es el del la figura
anexa.

En el circuito base-emisor:

V
bb
= 11,4k I
B
+ V
BE
+ 0,47k I
E

= 11,4k I
B
+ 0,7V + 0,47k (h
FE
+1) I
B

2,9V = 58,9k I
B
+ 0,7V

I
B
= 0.0374 mA I
E
I
C
= h
FE
I
B
= 3,74 mA
En el circuito colector-emisor:

12V = I
C
1k + V
CE
+ 0,47k I
E
= 3,74V + V
CE
+ 1,76V V
CE
= 6,5 V

b) Circuito b:

Se van a seguir los mismos pasos que en el apartado a., ya que en continua los
condensadores equivalen a una impedancia infinita por la que no puede pasar corriente
Aplicando Thevenin al circuito de base:

k 7 , 14
k 81 k 18
k 81 k 18
R V 8 , 1 V 10
k 81 k 18
k 18
V
bb bb

+

+

Tema 3 Curso 03-04

30

El circuito de continua que se obtiene es el de la figura
anexa. En el circuito base-emisor:

V
bb
= 14,7k I
B
+ V
BE
+ 1k I
E

= 14,7k I
B
+ 0,7V + 1k (h
FE
+1) I
B

1,8V =115,7k I
B
+ 0,7V

I
B
= 0.0095 mA I
E
I
C
= h
FE
I
B
= 0,95 mA

En el circuito colector-emisor:

10V = I
C
4k + V
CE
+ 1k I
E
= 3,8V + V
CE
+ 0,95V V
CE
= 5,25 V

3. Calcula el punto de funcionamiento del transistor del circuito anexo,
suponiendo: V
EB
= 0,7 V. y h
FE
= 100.

---------------------------------------------------------------------

Aplicando el Teorema de Thevenin al divisor de base, se
obtiene:

k 3 , 21
k 27 k 100
k 27 k 100
R V 75 , 15 V 20
k 27 k 100
k 100
V
bb bb

+

+

Con lo que el circuito resultante es el del la figura anexa.


20V = 1k I
E
+ V
EB
+ 21,3k I
B
+V
bb

20V = 1k (h
FE
+1) I
B
+ 0,7V + 21,3k I
B
+ 15,75
3,55V = 122,3k I
B

I
B
= 0.029 mA I
E
I
C
= h
FE
I
B
= 2,9 mA

En el circuito emisor-colector:

20V = I
E
1k + V
CE
+ 2k I
C
= 2,9V + V
CE
+ 5,8V V
CE
= 11,3 V

Curso 03-04 Tema 3
31

4. Calcular en el circuito de la figura:

a) Punto de funcionamiento en continua.
b) Ganancia de tensin a frecuencias
medias.
Suponer el condensador Ce de valor muy grande.
(h
FE
= h
fe
= 100)

---------------------------------------------------------------

a)

Los condensadores en continua equivalen a un circuito abierto, impedancia infinita, por
tanto los podemos suprimir.

Aplicando el Teorema de Thevenin al divisor de base, se obtiene:

k 7 , 6
k 20 k 10
k 20 k 10
R V 5 V 15
k 20 k 10
k 10
V
bb bb

+

+

Con lo que el circuito resultante es el del la figura anexa.


5V = 6,7k I
B
+ V
BE
+ 4,2k I
E

5V = 6,7k I
B
+ 0,7V + 4,2k (h
FE
+1) I
B

4,3V = 430,9k I
B

I
B
= 0.01 mA I
E
I
C
= h
FE
I
B
= 1 mA

En el circuito emisor-colector:

15V = I
C
5k + V
CE
+ 4,2k I
E
= 5V + V
CE
+ 4,2V V
CE
= 5,8 V

b)

Para calcular la ganancia del circuito como amplificador de tensin hay que considerar
los condensadores y sustituir el transistor por el circuito equivalente de parmetros
hbridos, donde dado que el condensador C
e
es de valor muy grande su impedancia
equivalente es muy pequea a frecuencias medias, se puede despreciar y cortocircuita a
la resistencia Re.

El punto que en el circuito se marca como los 15V de la alimentacin de continua, en
alterna es tierra ya que en ese punto hay una fuente ideal de tensin continua, entre ese
punto y tierra, la resistencia interna de un generador ideal es cero, por tanto en alterna la
fuente de continua equivale a un cortocircuito.

Sustituyendo el transistor por el circuito equivalente de parmetros hbridos:
Tema 3 Curso 03-04

32

En la figura se ha utilizado el circuito equivalente completo del transistor, donde se han
indicado que nodos son la base (B), el emisor (E) o el colector (C). Normalmente este
circuito equivalente se utiliza en su forma simplificada ya que los parmetros hbridos
hre y hoe son de valor muy pequeo, se cumplir:

a) la fuente de seal hre vc es despreciable, se quita

b) la impedancia 1/hoe es muy grande y al estar en paralelo se elimina.

Por tanto el circuito que se usar es :

La ganancia de tensin es la relacin entre la seal de salida Vs y la de entrada Vi.
Como a frecuencias medias, 1 kHz, la impedancia del condensador Ci se tomar como
despreciable, por tanto:

Vi = V
B
= i
b
hie = i
b
(h
fe
+1) r
d
V
S
= V
C
= - i
C
R
C
= - hfe i
b
R
C

( )
200
25
k 5
mA 1
mV 25
k 5
I
V
R
r
R
r 1 h
R h
h i
R i h
V
V
A
C
T
C
d
C
d fe
C fe
i e b
C b fe
i
S
V

Curso 03-04 Tema 3
33
5. El circuito de la figura anterior lo modificamos tal que la resistencia de emisor
la partimos en dos resistencias: R
E1
= 200 y R
E2
= 4k, y el condensador Ce solo
desacopla a R
E2
. Calcular nuevamente, en estas condiciones, los apartados a) y b)
del problema anterior.
(h
FE
= h
fe
= 100)
----------------------------------------------------------------------------------------------------------

El circuito de polarizacin en continua del transistor no se ve alterado porque ahora solo
est desacoplada, con un condensador muy grande en paralelo, la resistencia de 4k, R
e2
.
Por tanto el punto de funcionamiento de continua del transistor ser el mismo:

I
C
= 1 mA V
CE
= 5,8 V

Pero el circuito de alterna se ve modificado porque ahora entre el emisor y tierra hay
una resistencia de doscientos ohms, R
E1
, ya que esta resistencia al no estar desacoplada
por un condensador, en el circuito de alterna sigue estando. Por tanto el circuito que se
usar para calcular la ganancia ser:

Para calcular nuevamente la ganancia de tensin, se calculan Vi y Vs, que ahora sern:

Vi = V
B
= i
b
hie + i
e
R
e1
= i
b
(h
fe
+1) r
d
+ (h
fe
+1) i
b
R
e1

V
S
= V
C
= - i
C
R
C
= - hfe i
b
R
C

La nueva ganancia de tensin es:

( ) ( )
2 , 22
200 25
k 5
R r
R
R i 1 h r 1 h
R h
R i h i
R i h
V
V
A
1 e d
C
1 e b fe d fe
C fe
1 e e i e b
C b fe
i
S
V

+
+ + +

Tema 3 Curso 03-04

34

6. Calcula el valor mnimo de la resistencia R
C
para
que el transistor est saturado.
Datos: = h
FE
= 50, V
BE
= 0,7V, (V
CE
)
SAT
= 0,2V.

Para que el transistor est saturado se ha de cumplir:
I
C
I
B
y V
CE
= (V
CE
)
SAT
= 0,2V.

La corriente de base se obtiene de la expresin:

10V = I
B
R
b
+ V
BE
= I
B
56k + 0,7V I
B
= 0,17mA

La corriente de colector debe de cumplir:

I
C
I
B
I
C
8,5mA
10V = I
C
R
C
+ (V
CE
)
SAT
I
C
= 9,8 / R
C

R
C
9,8 / 8,5 = 1k2

7. Calcula el valor de la resistencia R para que el
transistor 2 est saturado.
Datos: = h
FE
= 100, V
BE
= 0,7V, (V
CE
)
SAT
= 0,2V.

Si el transistor 2 est saturado V
CE2
= 0,2V.

mA 75 , 1
k 10
V ) 5 , 2 20 (
R
V V
I
V 5 , 2 7 , 0 8 , 1 V V V V
V 8 , 1 V mA 8 , 1
k 1 k 10
2 , 0 20
I I
1 C
1 C CC
1 C
2 BE 2 E 2 B 1 C
2 E E C
+ +

+

V 20
k 9 R
R
V 875 , 0 V V V V 175 , 0 I R V
1 BE 1 E 1 B 1 E 1 E 1 E
+
+

R = 412

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LIC.

, a partir de la cual el transistor empieza

es de aproximadamente 0,55 V para un

, a partir de la cual la corriente en el

0,55 V para un BJT de Si. Tambin se pone de

es la capacidad de difusin del diodo base-emisor polarizado

, segn se ver posteriormente, est ntimamente relacionada con la

el efecto Early. Prescindiremos de

con la resistencia dinmica del diodo base-emisor.

impedancia de entrada con salida cortocircuitada.(1)

ganancia inversa de tensin con entrada abierta.(1)

ganancia de corriente con salida cortocircuitada.(1)

admitancia de salida con ent rada abierta.(1)

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