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Ch. L
I. COMPOSANTS PASSIFS
1.1. Rsistance R (unit : Ohm [])
discret
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CMS
Ch. L
1.1.1. Rsistivit
.l R= S
l
l = 1 mm L = 5 cm e = 3 m = cuivre = 1,72.10-8
Ch. L
Section de la piste
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L e
R1
R2 Rn
Req
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Ch. L
R1
R2
Rn
Req
Req = R1 + R2 + . + Rn
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Ch. L
1.1.5. Technologie discrte : couche carbone Film de carbone dpos sur un tube en cramique. De lpaisseur de ce dpt dpend la valeur de la rsistance. Marquage de la valeur par code des couleurs Valeurs de 0,47 10 M. Chaque rsistance est aussi caractrise par sa puissance maximale (1/4 de W 2 W).
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Ch. L
1.1.6.Technologie CMS :
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Ch. L
1.1.7. Technologie : rseau de rsistances Plusieurs rsistances de mme valeur sur un seul substrat cramique. Possibilit de choix du cblage interne :
16 R R R R R R R R 1 R R R R R R R R R 10
16 R R 1 R R R R R R R R R R R R R 1 10
DIL
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SIL
Ch. L
Potentiomtre multitours
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Ch. L
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Ch. L
1.2.1. Principe
Une couche de dilectrique... prise en sandwich entre deux armatures... relies au circuit par deux broches...
S C = 0 r e
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1.2.2. Associations
En srie : 1/Ceq = 1/C1 + 1/C2 + . + 1/Cn En parrallle : Ceq = C1 + C2 + . + Cn
1.2.3. Technologies
(Plastique, cramique, lectrochimique, tantale,)
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Ch. L
1.3.1. Principe Un matriau magntique sur lequel on bobine un fil conducteur L=NS/l
: permabilit N : nombre de spires S : section d'une spire l : longueur de la bobine
1.3.2. Associations
L1 L2 L3 Ln Leq
En srie : Leq = L1 + L2 + . + Ln
L1
L2
L3
Ln
Leq
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i(t)
R C Vs(t)
Ch. L
Ve(t)
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A i(t) R
u(t)=vA(t)-vB(t)
Seff =
1 s(t)dt TT
Rem1 : valeur efficace > valeur moyenne Rem2 : s(t) et |s(t)| ont mme valeur efficace
u(t) = R.i(t)
i(t)= C.
du(t) dt
i(t) u(t)
u(t)= L.
di(t) dt
Ch. L
i(t) E u(t)
u E u=E
Source de tension relle
i(t) r E u(t)
u E u = E r.i i
Ch. L
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3.3.2. Loi des mailles La somme algbrique des tensions constituant une maille u1 est nulle
u4
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u2 u3
u1 + u2 - u3 + u4 = 0
Ch. L
us(t)=
R2 .ue(t) R1+ R2
R2
i1 (t)=
R2 .i(t) R1+ R2
R1
R2
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Ch. L
is us
Modle de Thvenin
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Ch. L
Exemple :
R1
is
R2
u1(t)
us(t)
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Ch. L
R1
is
is
Rth
us(t)
us(t)
R2
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Ch. L
R1
is
R2
u1(t)
us(t)
is us(t)
Rth=R1.R2 /R1R2 Eth=u1t .R2 /R1R2
Ch. L
i1+i2+i3=0
V2
V1 VA + V2 VA+ V3 VA = 0 Z1 Z2 Z3
V3
Vi.Yi
i= 1
Yi
i= 1
Yi= 1 Zi
Ch. L
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IV. DIPOLE RC
4.1. Rappels
i(t) u(t) i(t) u(t)
du(t) i(t)= C. dt
du(t) i(t)= C. dt
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Ch. L
K
1 2
A t = 0 : K en position 1
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Ch. L
i(t)= C.
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dvs(t) dt
dvs(t) vs(t)+ RC =E dt
Ch. L
vs(t)= E(1 e
Vs(t) E 0.63E
t RC
Excitation
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Ch. L
A t = t1 : K en position 2
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Ch. L
i(t)= C.
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dvs(t) dt
dvs(t) vs(t)= RC dt
t> t1
Ch. L
vs(t)= E.e
(t t1) RC
t1
t1 +
t
Ch. L
V. DIPOLE RL
5.1. Rappels
i(t) u(t) i(t) u(t)
di(t) u(t)= L. dt
di(t) u(t)= L. dt
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Ch. L
K
1 2
A t = 0 : K en position 1
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Ch. L
vs(t)= L.
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di(t) dt
L di(t) = E i(t)+ R dt R
Ch. L
Rsolution de lquation diffrentielle : 1. 2. recherche de la sol. gnrale de lquation sans second membre recherche dune solution particulire
i(t)= E (1 e ) R
i(t) E/R 0.63E/R Rponse 0 = L/R t
Ch. L
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K
1 2
A t = t1 : K en position 2
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Ch. L
vs(t)= L.
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di(t) dt
L di(t) i(t)= R dt
t> t1
Ch. L
i(t)= E .e R
i(t) E/R
(t t1)
Rponse 0.37E/R t1
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t1+
t
Ch. L
i(t)= C.
d 2vs Vs+ LC 2 = 0 dt
Ch. L
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0=
1 L.C
Vsmax t T0
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0=
1 L.C
m= r C 2 L
3 rgimes temporels Rgime apriodique (m>1) Rgime critique (m=1) Rgime oscillatoire amorti (m<1)
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vs(t)= e
Vs(t)
m. 0.t
(A.e
0 (m2 1)t
+ B .e
0 (m2 1)t
0
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t
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Rgime critique : (m = 1)
vs(t)= e m. 0.t(At + B)
Vs(t)
6 5 4 3 2 1 0
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Ch. L
Vs(t)
0
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t
Ch. L