DE LAS COMUNICACI UNIDAD 1.

CARACTERISTICAS NO LINEALES DE LOS DISPOSITIVOS ACTIVOS ONES

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Una resistencia en el emisor da ms estabilidad e inmunidad a variaciones en la beta o hfe, eso es por que la produccin de los transistores no siempre es igual an en un mismo lote o fabricados el mismo da, desde la base, la resistencia de emisor forma parte de la malla de entrada por lo que habr que considerarla en el momento de analizar la malla usando la primera Ley de Kirchoff. Un capacitor en paralelo con la resistencia de emisor se comporta como un circuito abierto cuando se analiza en CD, es decir en Corriente Continua, se puede "borrar" o ignorar el capacitor gracias a que Xc= 1/2*pi*f, para CD f=0 por lo que Xc=1/2*pi*0 = infinito, es una resistencia infinita, es decir un circuito abierto que no tiene efecto sobre la resistencia, pero para alterna se considera un corto circuito por la misma razn,

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DE LAS COMUNICACI UNIDAD 1. CARACTERISTICAS NO LINEALES DE LOS DISPOSITIVOS ACTIVOS Distorsin ONES en amplificadores de transistores
Distorsin por amplitud

La seal de salida de un amplificador es directamente proporcional a la seal de entrada. Si la entrada crece la salida crece, si la entrada disminuye, la salida tambin. Cuando la seal de entrada es suficientemente grande, hace que el transistor opere en la regin de corte y la regin de saturacin o en en ambas, dependiendo de donde est ubicado el punto de operacin (Q)

(Q) del amplificador se estableci en la parte central de la recta de carga (punto de operacin deseable), el recorte de la seal de salida ser simtrica (se -recortar por de operacin (Q) del Si el punto igual en la parte superior e est corrido, ya sea de amplificador inferior de la sealpara salida). arriba o para abajo del punto de operacin (ver grfico), la salida estar Q est corrido para arriba, la Cuando el punto de operacindistorsionada de la manera que se muestra. tensin Vce se distorsiona en el semiciclo negativo. Si el punto de operacin Q est corrido para abajo, la tensin Vce se distorsiona en el semiciclo positivo.

DE LAS COMUNICACI UNIDAD 1. CARACTERISTICAS NO LINEALES DE LOS DISPOSITIVOS ACTIVOS ONES - Si el punto de operacin

DE LAS COMUNICACI UNIDAD 1. CARACTERISTICAS NO LINEALES DE LOS DISPOSITIVOS ACTIVOS ONES Distorsin por alinealidad
Debido a la no linealidad de un dispositivo como el transistor (ver grfico de Ib contra Vbe). En este grfico se ve que a pesar de que la seal de entrada es una seal senoidal pura, la salida no tiene una forma de onda senoidal igual, sino que est deformada.

Se ve que a pesar de que la seal de entrada es una seal senoidal pura, la salida no tiene una forma de onda senoidal igual, sino que est deformada. La falta de linealidad causa que la corriente de entrada (corriente de base ib) no siga la seal de entrada pura (Vbe). Esta deformacin en la corriente de entrada causa a su vez una distorsin similar en la corriente y tensin de salida. En estos casos, para eliminar la distorsin, se utiliza una fuente de corriente en vez de una fuente de tensin.

DE LAS COMUNICACI UNIDAD 1. CARACTERISTICAS NO LINEALES DE LOS DISPOSITIVOS ACTIVOS ONES as ventajas del FET
Son dispositivos sensibles a la tensin con alta impedancia de entrada (del orden de 107 W ). Como esta impedancia de entrada es considerablemente mayor que la de los BJT, se prefieren los FET a los BJT para la etapa de entrada de un amplificador multietapa. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT. Los FET so ms estables con la temperatura que los BJT. Los FET son, en general, ms fciles de fabricar que los BJT pues suelen requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones. Es posible fabricar un mayor nmero de dispositivos en un circuito integrado (es decir, puede obtener una densidad de empaque mayor). Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensin para valores pequeos de tensin de drenaje a fuente. La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.

DE LAS COMUNICACI UNIDAD 1. CARACTERISTICAS NO LINEALES DE LOS DISPOSITIVOS ACTIVOS ONES que limitan la utilizacin de los FET en Existen varias desventajas
algunas aplicaciones:

Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia de entrada. Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre.

Los FET se pueden daar al manejarlos debido a la electricidad esttica. TRODO

Se denomina trodo a la vlvula termoinica de tres electrodos. El primero es el ctodo, que al calentarse produce electrones. El segundo es el nodo o placa, que est cargado positivamente y, por tanto, atrae a los electrones. El tercero es la rejilla que se sita entre el ctodo y el nodo.

DE LAS COMUNICACI UNIDAD 1. CARACTERISTICAS NO LINEALES DE LOS DISPOSITIVOS ACTIVOS ONESla rejilla hace que el flujo de electrones La tensin aplicada a
desde el ctodo al nodo sea mayor o menor. Esto es muy interesante pues aplicando una seal de muy dbil intensidad entre ctodo y rejilla podemos conseguir que la variacin del flujo de electrones entre ste y el nodo sea muy grande. Es decir, con una pequea tensin controlamos una gran corriente. A ese fenmeno se le llama amplificacin. Por eso, el triodo es un amplificador.

Tambin puede utilizarse para ms funciones tales como rectificador o como puertas que dejan pasar la corriente o no (onoff) y que son la base de la electrnica digital, pero su funcin ms importante es la de amplificar.

DE LAS COMUNICACI UNIDAD 1. CARACTERISTICAS NO LINEALES DE LOS DISPOSITIVOS ACTIVOS ONES TETRODO
Se denomina tetrodo a la vlvula termoinica constituida por cuatro electrodos: ctodo, dos rejillas y nodo. El tetrodo se desarroll para evitar un efecto indeseable que se produce en la vlvula trodo debido a que la rejilla y la placa de la misma se comportan como un condensador.

DE LAS COMUNICACI UNIDAD 1. CARACTERISTICAS NO LINEALES DE LOS DISPOSITIVOS ACTIVOS ONES realimenta la seal de la placa a la rejilla, Esta capacidad parsita
dificultando el buen funcionamiento de la vlvula en frecuencias altas, por lo que se introdujo una segunda rejilla, denominada pantalla, entre la rejilla normal y la placa. Con ello el condensador rejilla-placa queda desdoblado en dos condensadores en serie, desacoplando la seal entre la placa y la rejilla de control, consiguindose con ello una mejora de la amplificacin de las A la pantalla se le aplica un potencial frecuencias altas. positivo con objeto de acelerar los electrones que van del filamentoctodo a la placa. Este potencial positivo "oculta" el potencial del nodo, que ejerce poca influencia sobre la rejilla de control. Esta insensibilidad a la tensin de nodo permite mucha mayor ganancia a un tetrodo que a un