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Ttulo: Transistor Unijuno Autor : Email:

O transistor unijuno, como o prprio nome diz, um dispositivo semicondutor de trs terminas com apenas uma juno PN. Na verdade, o transistor de unijuno um dispositivo de disparo. Entretanto, possui algumas caractersticas que o tornam bastante popular. Aps a anlise de seu princpio de funcionamento, essas caractersticas ficaro claras. 1.1 . Princpio de funcionamento do UJT As estruturas fsicas do UJT, seu smbolo e circuito equivalente, so mostradas na figura abaixo.

A figura acima ilustra a estrutura fsica do UJT, que no exatamente a estrutura real, mas serve para explicar como o UJT funciona. Em uma barra de material N levemente dopado, soldado um terminal de alumnio, que um dopante aceitador. Forma-se ento, na regio prxima juno, um material do tipo P de dopagem elevada, chamado de emissor (E). Os outros dois terminais da barra so chamados base 1 (B1) e base 2 (B2). Em relao aos terminais B1 e B2, a barra nada mais do que uma simples resistncia, cujo valor depende de detalhes construtivos, como dopagem e dimenses. O transistor unijuno se comporta como um resistor no trecho que corresponde os terminais base 1 e base 2, e o emissor deste componente est ligado por uma juno numa altura que corresponde de 0,4 a 0,9 v do seu comprimento. Isso significa que temos um divisor de tenso. Considerando a juno que existe entre o emissor e esta regio, precisamos de 0,4 a 0,9 da tenso de alimentao, mais 0,6 Volt para vencer a juno, para que alguma corrente flua entre as bases. O transistor unijuno um dispositivo lento, de modo que ele no pode oscilar acima de algumas dezenas de quilohertz, mas o pulso de descarga forte e pode acionar diversos dispositivos. Ao usar um transistor unijuno, observamos basicamente as seguintes caractersticas: > Relao intrnseca que nos permite determinar a tenso de emissor em que ocorre o disparo. Ela pode variar entre 0,2 e 0,8 conforme o transistor. > Tenso mxima de operao que pode chegar tipicamente a 35V para o UJT 2N2646. > Corrente mxima de emissor, que a corrente no momento de descarga e que nos d a intensidade do pulso gerado. Ela chega a 1 ampere nos tipos como o UJT 2N2646. 2 - FET O primeiro FET desenvolvido foi o de juno, FET (Junction Field Efect Transistor). H dois tipos: Canal N e Canal P. Sua estrutura consiste numa barra de material semicondutor N (ou P), envolvida no centro com material P (ou N), a regio N (ou P) esta parte, estreita, chamado canal, por influir a corrente controlada Obs.: No FET de canal P invertem-se camadas semicondutoras N e P Note que em torno de um canal forma-se uma regio de potencial na juno PN. Esta barreira restringe a rea de conduo de canal ao outro. 3 - SCR

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SCR a abreviao de Silicon Controlled Rectifier ou diodo (retificador) controlado de silcio. A estrutura decomposta pode ser considerada a dois transistores de tipos diferentes (NPN e PNP) ligados da forma indicada abaixo .

Temos ento o que se denomina de uma chave regenerativa. Levando em conta a analogia com os dois transistores, ficar fcil entender o princpio de funcionamento deste componente. Para esta finalidade, vamos que entre o anodo e o catodo seja aplicada uma tenso de alimentao, e em srie com o componente uma carga. Nas condies indicadas nada acontece, pois o componente no conduz corrente alguma. Se, no entanto, aplicarmos um pulso positivo de curta durao comporta do SCR (gate), este pulso polariza no sentido de saturar o transistor NPN que ento conduz fortemente a corrente. Ora, a corrente de coletor do transistor NPN justamente a corrente de base do transistor PNP, no sentido de satura-lo. Temos ento tambm a conduo do transistor PNP fluindo uma forte corrente entre o anodo e o catodo. Ao mesmo tempo porm, tambm flui uma corrente pelo coletor de transistor PNP e essa corrente justamente a que polariza ou mantm polarizado o transistor NPN, ou seja, ela realimenta o circuito. Assim, mesmo que o pulso inicial desaparea, a corrente de coletor do transistor PNP realimenta o circuito e o mantm ligado com uma forte conduo entre o anodo e o catodo. Para desligar o circuito preciso interromper a corrente entre o anodo e o catodo e isso pode ser feito de duas maneiras: Desligando a alimentao por um instante. Curto-circuitando o anodo com o catodo. Veja que ao conduzir a corrente, o SCR se comporta como um diodo, pois ela s pode ir do seu anodo para o catodo. Isso significa que se usarmos o SCR num circuito de corrente alternada, ele s pode conduzir metade dos semiciclos. Dizemos que se trata de um controle de meia onda. Existem entretanto, artifcios que permitem controlar os dois semiciclos de uma alimentao alternada usando apenas um SCR. 4 - DIAC O Diac tambm um semicondutor da famlia dos tiristores. Trata-se de um elemento bidirecional de disparo com dois terminais.

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Basicamente podemos dizer que o Diac possui uma caracterstica de resistncia negativa que se manifesta em torno dos 27Volts (entre 25 e 30V conforme o tipo). Isso significa que polarizando em qualquer sentido um Diac, quando atingimos esta tenso ele dispara, conduzindo ento em qualquer sentido com facilidade. A utilizao mais comum do Diac em conjunto com o Triac. No entanto, existem algumas poucas aplicaes interessante em que este componente pode ser usado sozinho. A aplicao mais simples que uma chave sensvel tenso, tambm serve de teste para o componente. 5 - TRIAC O Triac um semicondutor para controle de potncia da mesma famlia dos SCRs, mas com capacidade de conduzir a corrente nos dois sentidos. A famlia a que pertencem esses dois semicondutores denominada do Tiristores.

Para efeito de anlise de funcionamento, podemos considera-lo como dois SCRs ligados em oposio. Isso significa que independentemente da polarizao dos seus eletrodos principais MT1 e MT2, podemos dispara-lo com um pulso de tenso positiva no terminal de comporta Esta capacidade de conduzir a corrente nos dois sentidos a partir de sinais aplicados na comporta, torna o Triac ideal para aplicaes em circuitos de controles de potncia em corrente alternada. Correntes de vrios amperes podem ser controlados pelos Triacs comuns, que so conseguidos em invlucros de alta dissipao para montagem em radiadores de calor. Os circuitos tpicos de aplicao de Triacs, colocam estes componentes em srie com a carga controlada e um circuito de disparo ligado comporta. 6 - FOTOTRANSISTOR O princpio de funcionamento do foto-transistores o mesmo dos foto-didos: a incidncia de luz ou infravermelho nas junes, libera portadores de carga, criando assim uma corrente cuja intensidade depende tambm da luz ou radiao incidente. Se a corrente liberada for de base de um transistor, teremos como efeito adicional amplificao, pois a corrente total de coletor ser multiplicada pelo ganho do componente.

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7 - DIODO DE QUATRO CAMADAS (Schockley) O diodo Schockley ou de quatro camadas um SCR sem gatilho preparado para disparar por tenso. Enquanto a tenso em cima do diodo for menor que a sua tenso de disparo, ele permanecer cortado. Quando a tenso aplicada sobre ele atingir o valor da tenso de gatilho, ele entrar em conduo e se transformar num caminho de baixa impedncia

8 - CHAVE UNILATERRAL DE SILCIO (SUS) A chave unilateral de silcio (SUS Silicon Unilateral Switch) uma verso aperfeioada do diodo de quatro camadas. Na verdade, esse dispositivo um circuito integrado, sendo internamente construdo com transistores, diodos e resistores. Um terceiro terminal de gatilho foi acrescentado para dar maior flexibilidade na utilizao da SUS. A tenso de disparo da ordem de 8 Volts.

9 - CHAVE BILATERAL DE SILCIO (SBS)

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A chave bilateral de silcio (SBS - Silicon Bilateral Switch) uma associao antiparalela de duas SUS, como mostra a figura abaixo e cujo smbolo est representado

Isto faz com que a SBS possa ser utilizada para o disparo de TRIACs. Tanto a SBS como a SUS so usadas como dispositivos de disparo aps uma rede defasadora. A vantagem da SBS e da SUS o gatilho, que pode alterar suas caractersticas. Dando maior flexibilidade escolha dos componentes dos circuitos. 10 - TRANSISTOR DE UNIJUNO PROGAMVEL (PUT) O PUT (Programable Unijunction Transistor ou transistor de unijuno programvel) um dispositivo de quatro camadas, semelhante ao SCR. A diferena que no PUT, o terminal de gatilho situa-se na regio N, prxima ao anodo.

Apesar de sua semelhana fsica com o SCR, o PUT chamado transistor de unijuno, por ser utilizado em circuitos, onde poderiam ser utilizados UJTs convencionais. As caractersticas eltricas do PUT e do UJT so semelhantes, mas a tenso de disparo do PUT programvel. Ale disso, o PUT mais rpido e mais sensvel do que o UJT. O PUT chamado de programvel, pois, enquanto no UJT o parmetro h (divisor resistivo) uma caracterstica construtiva, no PUT ele fixado por resistores externos.

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