8.

Anexos
Optoelectrnica
1. Definicin La optoelectrnica es el nexo de unin entre los sistemas pticos y los sistemas electrnicos. Los componentes optoelectrnicos son aquellos cuyo funcionamiento est relacionado directamente con la luz. 2. Usos Los sistemas optoelectrnicos estn cada vez ms de moda. Hoy en da parece imposible mirar cualquier aparato elctrico y no ver un panel lleno de luces o de dgitos ms o menos espectaculares. Por ejemplo, la mayora de los walkman disponen de un piloto rojo (LED) que nos avisa, que las pilas se han agotado y que deben cambiarse. Los tubos de rayos catdicos con los que funcionan los osciloscopios analgicos y los televisores, las pantallas de cristal lquido, los modernos sistemas de comunicaciones mediante fibra ptica. Los dispositivos optoelectrnicos se denominan opto aisladores o dispositivos de acoplamiento ptico. 3. Diodos 3.1. LED Un LED (de la sigla inglesa LED: Light-Emitting Diode: "diodo emisor de luz", tambin "diodo luminoso") es un diodo semiconductor que emite luz. Se usan como indicadores en muchos dispositivos, y cada vez con mucha ms frecuencia, en iluminacin. Presentado como un componente electrnico en 1962, los primeros ledes emitan luz roja de baja intensidad, pero los dispositivos actuales emiten luz de alto brillo en el espectro infrarrojo, visible y ultravioleta. Cuando un led se encuentra en polarizacin directa, los electrones pueden recombinarse con los huecos en el dispositivo, liberando energa en forma de fotones. Este efecto es llamado electroluminiscencia y el color de la luz (correspondiente a la energa del fotn) se determina a partir de la banda de energa del semiconductor. Por lo general, el rea de un led es muy pequea (menor a 1 mm), y se pueden usar componentes pticos integrados para formar su patrn de radiacin. Los ledes presentan muchas ventajas sobre las fuentes de luz incandescente como un consumo de energa mucho menor, mayor tiempo de vida, tamao ms pequeo, gran durabilidad y fiabilidad. Los ledes que pueden iluminar un cuarto son relativamente costosos y requieren una corriente ms precisa y una proteccin trmica a comparacin de las lmparas fluorescentes. Los LEDs se usan en aplicaciones tan diversas como iluminacin de aviacin, iluminacin automotriz (especficamente las luces de posicin traseras, direccionales e indicadores) as como en las seales de trfico. El tamao compacto, la posibilidad de encenderse rpido, y la gran fiabilidad de los ledes han permitido el desarrollo de nuevas pantallas de texto y vdeo, mientras que sus altas frecuencias de operacin son tambin tiles en tecnologas avanzadas de comunicaciones. Los ledes infrarrojos tambin se usan en unidades de control remoto de muchos productos comerciales incluyendo televisores, reproductores de DVD, entre otras aplicaciones domsticas.

3.1.1. Tecnologa LED En corriente continua (CC), todos los diodos emiten cierta cantidad de radiacin cuando los pares electrn-hueco se recombinan; es decir, cuando los electrones caen desde la banda de conduccin (de mayor energa) a la banda de valencia (de menor energa), emitiendo fotones en el proceso. Indudablemente, por ende, su color depender de la altura de la banda prohibida (diferencias de energa entre las bandas de conduccin y valencia), es decir, de los materiales empleados. Los diodos convencionales, de silicio o germanio, emiten radiacin infrarroja muy alejada del espectro visible. Sin embargo, con materiales especiales pueden conseguirse longitudes de onda visibles. Los ledes e IRED, adems tienen geometras especiales para evitar que la radiacin emitida sea reabsorbida por el material circundante del propio diodo, lo que sucede en los convencionales. 3.2. Fotorresistencia (LDR)

Una fotorresistencia es un componente electrnico cuya resistencia disminuye con el aumento de intensidad de luz incidente. Puede tambin ser llamado fotorresistor, fotoconductor, clula fotoelctrica o resistor dependiente de la luz, cuya siglas, LDR, se originan de su nombre en ingls light-dependent resistor. Su cuerpo est formado por una clula o celda y dos patillas. En la siguiente imagen se muestra su smbolo elctrico.

El valor de resistencia elctrica de un LDR es bajo cuando hay luz incidiendo en l (puede descender hasta 50 ohms) y muy alto cuando est a oscuras (varios megaohmios). 3.2.1. Caractersticas Un fotorresistor est hecho de un semiconductor de alta resistencia como el sulfuro de cadmio, CdS. Si la luz que incide en el dispositivo es de alta frecuencia, los fotones son absorbidos por la elasticidad del semiconductor dando a los electrones la suficiente energa para saltar la banda de conduccin. El electrn libre que resulta, y su hueco asociado, conducen la electricidad, de tal modo que disminuye la resistencia. Los valores tpicos varan entre 1 M, o ms, en la oscuridad y 100 con luz brillante. Las clulas de sulfuro del cadmio se basan en la capacidad del cadmio de variar su resistencia segn la cantidad de luz que incide la clula. Cuanto ms luz incide, ms baja es la resistencia. Las clulas son tambin capaces de reaccionar a una amplia gama de frecuencias, incluyendo infrarrojo (IR), luz visible, y ultravioleta (UV). La variacin del valor de la resistencia tiene cierto retardo, diferente si se pasa de oscuro a iluminado o de iluminado a oscuro. Esto limita a no usar los LDR en aplicaciones en las que la seal luminosa vara con rapidez. El tiempo de respuesta tpico de un LDR est en el orden de una dcima de segundo. Esta lentitud da ventaja en algunas aplicaciones, ya que se filtran variaciones rpidas de iluminacin que podran hacer inestable un sensor (ej. tubo fluorescente alimentado por corriente alterna). En otras aplicaciones (saber si es de da o es de noche) la lentitud de la deteccin no es importante.

Se fabrican en diversos tipos y pueden encontrarse en muchos artculos de consumo, como por ejemplo en cmaras, medidores de luz, relojes con radio, alarmas de seguridad o sistemas de encendido y apagado del alumbrado de calles. Tambin se fabrican fotoconductores de Ge:Cu que funcionan dentro de la gama ms baja "radiacin infrarroja". 3.3. Fotodiodo

Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construccin, los fotodiodos se comportan como clulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin muy pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad. 3.3.1. Principio de operacin Un fotodiodo es una unin PN o estructura P-I-N. Cuando una luz de suficiente energa llega al diodo, excita un electrn dndole movimiento y crea un hueco con carga positiva. Si la absorcin ocurre en la zona de agotamiento de la unin, o a una distancia de difusin de l, estos portadores son retirados de la unin por el campo de la zona de agotamiento, produciendo una fotocorriente. Los diodos tienen un sentido normal de circulacin de corriente, que se llama polarizacin directa. En ese sentido el diodo deja pasar la corriente elctrica y prcticamente no lo permite en el inverso. En el fotodiodo la corriente (que vara con los cambios de la luz) es la que circula en sentido inverso al permitido por la juntura del diodo. Es decir, para su funcionamiento el fotodiodo es polarizado de manera inversa. Se producir un aumento de la circulacin de corriente cuando el diodo es excitado por la luz. Fotodiodos de avalancha Tienen una estructura similar, pero trabajan con voltajes inversos mayores. Esto permite a los portadores de carga fotogenerados al ser multiplicados en la zona de avalancha del diodo, resultando en una ganancia interna, que incrementa la respuesta del dispositivo. 3.3.2. Composicin El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un factor crtico para definir sus propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de hasta 1m); germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8 m ); o de cualquier otro material semiconductor.

Material

Longitud de onda (nm)

Silicio

1901100

Germanio

8001900

Indio galio arsnico (InGaAs)

8002600

sulfuro de plomo

<1000-3900

Tambin es posible la fabricacin de fotodiodos para su uso en el campo de los infrarrojos medios (longitud de onda entre 5 y 20 m), pero estos requieren refrigeracin por nitrgeno lquido. Antiguamente se fabricaban exposmetros con un fotodiodo de selenio de una superficie amplia. 3.4. Diodo de Potencia

Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones: son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conduccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y ctodo. Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una pequea intensidad de fugas.

3.4.1. Caractersticas

Caractersticas estticas: o Parmetros en bloqueo (polarizacin inversa). o Parmetros en conduccin. o Modelo esttico. Caractersticas dinmicas: o Tiempo de recuperacin inverso (trr). o Influencia del trr en la conmutacin. o Tiempo de recuperacin directo. Potencias: o Potencia mxima disipable. o Potencia media disipada. o Potencia inversa de pico repetitivo. o Potencia inversa de pico no repetitivo. Caractersticas trmicas. Proteccin contra sobreintensidades. Fototransistor

3.5.

Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la regin de base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de conduccin. El fototransistor es ms sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio del transistor. Un fototransistor es igual a un transistor comn, con la diferencia que el primero puede trabajar de 2 formas: 1. 2. 3. Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo comn). Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. Ip (modo de iluminacin). Puede utilizarse de las dos en formas simultneamente, aunque el fototransistor se utiliza principalmente con el pin de la base sin conectar.

En el mercado se encuentran fototransistores tanto con conexin de base como sin ella y tanto en cpsulas plsticas como metlicas (TO-72, TO-5) provistas de una lente. Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lpices pticos, etc. Para comunicaciones con fibra ptica se prefiere usar detectores con fotodiodos p-i-n. Tambin se pueden utilizar en la deteccin de objetos cercanos cuando forman parte de un sensor de proximidad. Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED, formando interruptores pticos (opto-switch), que detectan la interrupcin del haz de luz por un objeto. Existen en dos versiones: de transmisin y de reflexin. Para obtener un circuito equivalente de un fototransistor, basta agregar a un transistor comn un fotodiodo, conectando en el colector del transistor el catodo del fotodiodo y el nodo a la base.