MOSFET

MOSFET tipo depleo (MOSFET-D) Curvas do MOSFET-D Amplificadores com MOSFET-D MOSFET tipo intensificao (MOSFET-E) Curvas de Dreno Tenso Porta-Fonte mxima

Fbio Makihara 710921 Gustavo de Carvalho Bertoli 610992 Lus Gustavo Fazzio Barbin 712418 Luiza Pio Costa da Silva 712001 Maurcio Ayres de Araujo 712396

Sumrio
Introduo...................................................................................................3 MOSFET tipo Depleo..............................................................................4 Amplificadores com MOSFET no Modo de Depleo...............................5 MOSFET tipo Intensificao.......................................................................6 Importncia da tenso Porta-Fonte..............................................................6 Curvas de dreno MOSFET tipo Intensificao...........................................7 Bibliografia..................................................................................................8

Introduo O transistor MOSFET (acrnimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) ou transistor de efeito de campo de semicondutor de xido metlico. A palavra "metal" no nome um anacronismo vindo dos primeiros chips, onde as comportas (gates) eram de metal. Os chips modernos usam comportas de polisilcio, mas ainda so chamados de MOSFETs. Um MOSFET composto de um canal de material semicondutor de tipo N ou de tipo P e chamado respectivamente de NMOSFET ou PMOSFET. Geralmente o semicondutor escolhido o silcio, mas alguns fabricantes, principalmente a IBM, comearam a usar uma mistura de silcio e germnio (SiGe) nos canais dos MOSFETs. Infelizmente muitos semicondutores com melhores propriedades eltricas do que o silcio, tais como o arsenieto de glio, no formam bons xidos nas comportas e portanto no so adequados para os MOSFETs. O IGFET um termo relacionado que significa Insulated-Gate Field Effect Transistor, e quase sinnimo de MOSFET, embora ele possa se referir a um FET com comporta isolada por um isolante no xido.

Corte transversal de um MOSFET tipo N (NMOS). O terminal de comporta uma camada de polisilcio (silcio policristalino) colocada sobre o canal, mas separada do canal por uma fina camada de dixido de silcio isolante. Quando uma tenso aplicada entre os terminais comporta (gate) e fonte (source), o campo eltrico gerado penetra atravs do xido e cria uma espcie de "canal invertido" no canal original abaixo dele. O canal invertido do mesmo tipo P ou tipo N, como o da fonte ou do dreno, assim, ele cria um condutor atravs do qual a corrente eltrica possa passar. Variando-se a tenso entre a comporta e a fonte se modula a condutividade dessa camada e torna possvel se controlar o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte.

MOSFET tipo Depleo

Ele uma parte de material tipo n com um regio p direita e uma porta isolada esquerda.Os eltrons livres podem fluir da fonte para p dreno atravs do material n.A regio p chamada substrato ou corpo.Os eltrons que fluem da fonte para o dreno tm de passar atravs do estreito canal entre a porta e a regio p. Com uma tenso de porta negativa a tenso Vdd fora os eltrons livres a fluir da fonte para o dreno.Como em um JFET a tenso de porta controla a largura do canal.Quanto mais negativa a tenso da porta, menor a corrente de dreno.Quando a tenso da porta suficientemente negativa, a corrente de dreno cortada.Portanto, o funcionamento de um MOSFET similar ao JFET quando Vgs negativa. Como a porta do MOSFET est eletricamente isolada do canal , podemos aplicar uma tenso positiva na porta, essa tenso positiva aumenta o nmero de eltrons livres que fluem atravs do canal.Quanto maior a tenso positiva, maior a conduo da fonte para o dreno. A operao no modo depleo se d quando Vgs est entre Vgs(off) e zero, quando Vgs maior que zero temos a operao no modo intensificao.

Amplificadores com MOSFET no Modo de Depleo Um MOSFET no modo de depleo o nico porque pode operar com tenses na porta positiva ou negativa. Por isso, podemos estabelecer o ponto Q em = 0V, no meio da reta de carga. Quando o sinal de entrada positivo, ele aumenta a acima de . Quando o sinal de entrada negativo, ele diminui abaixo de . Pelo fato de no existir a juno pn a ser polarizada, a resistncia de entrada do MOSFET permanece muito alta. A possibilidade de usar o valor zero para nos permite montar o circuito de polarizao muito simples da figura abaixo. Pelo fato de ser zero, = 0V, e . A tenso do dreno :

Pelo fato de o MOSFET-D ser um dispositivo normalmente em conduo, possivel tambm usar a auto polarizao adicionando-se um resistor de fonte. A operao fica semelhante de um circuito JFET com autopolarizao. Os amplificadores com MOSFETs-D tem um ganho de tenso relativamente baixo. Uma das principais vantagens deste dispositivo sua resistncia de entrada extremamente alta. Isso nos permite usar o dispositivo quando a carga para o circuito for um problema. Alm disso, os MOSFETs tm a exelente propriedade de baixo rudo. Essa a vantagem definitiva para qualquer estgio inicial de um sistema em que o sinal fraco; muito comum em muitos tidos de circuitos eletrnicos de comunicao.

Exemplo de Amplificador com MOSFET-D

MOSFET tipo Intensificao A diferena entre o MOSFET tipo intensificao (MOSFET-E) e o MOSFET tipo depleo (MOSFET-D) com relao ao seu substrato, nos tipo intensificao o substrato estende-se at o dixido de silcio.

O MOSFET-E possui uma tenso mnima para seu funcionamento, chamada tenso de limiar, isto , uma tenso que a partir dela possvel obter uma camada entre o dixido de silcio e o substrato permitindo assim um fluxo de eltrons (corrente de dreno) entre fonte e dreno, a partir deste momento o MOSFET-E possui uma configurao semelhante ao MOSFET-D, vale lembrar que o controle da corrente neste dispositivo no caso canal n realizado por uma tenso positiva porta-fonte, o que no ocorria para o JFET de canal n e MOSFET-D de canal n, onde este controle era feito por tenses negativas. Outras caractersticas: A curva de transferncia no definida pela equao de Schocley. A corrente de dreno, cortada antes da tenso porta-fonte atingir determinado valor. Relaes bsicas: - IG = 0 A, ID=IS Devido a sua tenso de limiar, o MOSFET-E ideal para ser usado como um dispositivo de chaveamento. Quando a tenso da porta maior do que a tenso de limiar, o dispositivo conduz. Essa ao liga-desliga a base de funcionamento dos computadores.

Importncia da tenso Porta-Fonte Quando nos deparamos com um novo projeto usando transistores de efeito de campo (FETs), nos exigido ateno a alguns dados na escolha de qual tipo de transistor usar. A nvel de simplificao temos duas situaes, uma na escolha de transistores do tipo JFET e D-MOSFET, para os dois tipos fundamental conhecer, Idss (corrente mxima) e Vgs(off) tenso porta-fonte onde h desligamento do transistor. 6

Quando a escolhe de um transistor E-MOSFET, cabe a projetista conhecer Id(on) (corrente inicia a operao), Vgs(th) (tenso Vgs de limiar, mnimo valor para cria a camada de inverso tipo n) e Vgs(on) ( tenso onde inicia operao). Os MOSFETs possuem uma camada muito final de dixido de silcio, um isolante que impede o fluxo de corrente de porta, tanto para tenses negativas, quanto para positivas. fundamental que esta camada seja o mais fina possvel, pois quando isso ocorre h um controle maior sobre a corrente de dreno (Id). Como est camada muito fina, fcil destru-la quando se aplica uma tenso porta-fonte muito alta. Por exemplo, um transistor que tem especificao de Vgs(Max) de +-30V. Se a tenso porta-fonte for maior em mdulo que 30V, a fina camada de dixido de silcio ir ser destruda. Entretanto no s isto, quando se retira e recoloca-se o transistor com a fonte de alimentao ligada, devido ao efeito de cargas indutivas e outros efeitos, pode haver um excesso de Vgs(Max), fazendo com que o transistor torne-se inutilizvel. Quando transportando os MOSFET tambm necessrio muito cuidado, devida ao deposito de carga esttica, outro fator que causa excesso de Vgs(Max). Para evitar excesso de Vgs(Max) pode ser colocado um diodo Zener em paralelo com a porta e a fonte, de tenso menor que a especificao de Vgs(Max). Assim o diodo Zener atinge a ruptura antes de haver dano na camada de dixido de silcio. Entretanto h uma desvantagem, pois quando h diodo Zener interno h uma reduo da resistncia de entrada. S so usados diodos internos para aplicaes onde h fcil destruio sem o uso do Zener. Curvas de dreno MOSFET tipo Intensificao Um MOSFET-E tem como a curva mais baixa a de VGS(th) onde a corrente de dreno aproximadamente zero.Quando VGS for maior que VGS(th), o MOSFET entra em conduo e a corrente de dreno controlada pela tenso na porta. Existem duas partes no grfico de dreno, uma a regio hmica e as partes horizontais so a regio ativa.Quando polarizado na regio hmica o MOSFET-E equivale a um resistor e polarizado na regio ativa, ele equivalente a uma fonte de corrente.

Curva de dreno do MOSFET-E A figura 2 define a curva de transcondutncia,enquanto V GS no for igual VGS(th) no haver corrente no dreno. Aps atingir VGS(th) a corrente de dreno aumenta rapidamente at atingir a corrente de saturao ID(saturao).Depois desse ponto o 7

MOSFET fica polarizado na regio hmica, mesmo aumentando V GS a corrente ID no aumenta. Para garantir a saturao forte, usada uma tenso na porta de VGS(on) bem acima de VGS(th).

Figura 2

Bibliografia MALVINO, A P. ELETRNICA. VOLUME 1. 4 Edio. So Paulo. Pearson Makron Books BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. DISPOSITIVOS ELETRNICOS E TEORIA DE CIRCUITOS. 6 Edio. Rio de Janeiro. Prentice-Hall do Brasil.