Pontificia Universidad Catlica de Chile Departamento de Fsica

Mini-Proyecto Fsica del Slido DEFECTOS EN SLIDOS

Alumno: Nicols Velasco Profesor: Guido Tarrach

(I) Introduccin Se entiende por defecto cualquier regin de un cristal donde el arreglo microscpico de iones difiere drsticamente del de un cristal perfecto. Estos defectos pueden ser de superficie, de lnea o puntuales segn si la regin defectuosa est limitada a escala atmica a tres, dos o una dimensin respectivamente. Existen 2 tipos de defectos que son los ms importantes: 1) Vacancias o intersticialidades: Que son defectos puntuales consistentes en ausencia o presencia extra de iones. Este tipo de defectos son responsables de la conductividad elctrica de cristales inicos y pueden alterar profundamente sus propiedades pticas. Su presencia es un fenmeno normal en equilibrio trmico por lo tanto se considera que es un rasgo intrnseco de un cristal real. 2) Dislocaciones: Son defectos que, no obstante estn probablemente ausentes del cristal ideal en equilibrio trmico, estn casi siempre presentes en cualquier espcimen real. Las dislocaciones son esenciales para explicar los esfuerzos encontrados en cristales reales y las velocidades observadas en el crecimiento de un cristal. (II) Defectos Puntuales. (II.1) Defectos puntuales e intersticialidades. Los defectos puntuales siempre estn presentes en equilibrio trmico. La imperfeccin ms sencilla se conoce como Vacancia de red o Defecto Schottky en el cual un sitio de la red de Bravais que normalmente se encuentra ocupado por un ion, este se encuentra ausente. Este defecto se crea trasladando un tomo desde una posicin interior de la red a una posicin de la misma red en la superficie del cristal. Una intersticialidad se produce cuando un tomo extra se aloja dentro de la estructura cristalina debido por ejemplo a un bajo factor de empaquetamiento, produciendo de esta manera distorsin atmica. Una combinacin de los dos defectos anteriores se conoce como Defecto Frenkel en el cual un tomo o in se lleva desde una posicin de la red de Bravais a una posicin intersticial que no est normalmente ocupada por un tomo.

Para estimar la proporcin de vacantes presentes en un cristal se debe determinar la probabilidad de que un determinado sitio de la red est vacante y que viene dada por el factor de Boltzmann para el equilibrio trmico a la temperatura T: P=e-Ev/kBT Donde Ev es la energa necesaria para llevar un tomo desde un sitio en la red dentro del cristal a un sitio en la superficie. Si tenemos N tomos y si suponemos que el nmero de vacantes n<<N entonces en equilibrio, la razn del nmero de sitios vacantes a los ocupados viene dado por: n/Ne-Ev/kBT. Entonces, si Ev~1 eV y T~1000 K, entonces n/N~10-5. Sin embargo existe el requisito de conservacin de la carga lo cual introduce la restriccin de que el nmero de vacantes de iones positivos debe ser igual al nmero de vacantes de iones negativos lo cual mantiene al cristal electrostticamente neutro a escala local. En este caso el nmero de vacantes viene dado por n~Ne-Ep/2kBT Donde Ep es la energa de formacin de un par de vacantes. El defecto de Frenkel por definicin mantiene la neutralidad de la carga.

(II.2) Conductividad elctrica de cristales inicos. Aunque los cristales inicos son aisladores, su conductividad elctrica no es cero. Su resistividad depende sensiblemente de la temperatura y de la pureza del espcimen siendo el rango del orden de 102 a 108 ohm-cm (en conductores tenemos 10-6 ohm-cm). El mecanismo de conductividad no se produce por el movimiento de electrones sino que por el movimiento de iones a travs de la red y que se ve realzada por la presencia de vacancias. El movimiento de una vacancia en una direccin de la red es equivalente al movimiento de un in en la direccin opuesta, de este modo la difusin de iones a travs de vacancias es el responsable de la conductividad observada. Como prueba de este hecho, se ha encontrado experimentalmente que la conductividad aumenta exponencialmente con la temperatura en 1/T de la misma manera que lo hacen el nmero de vacancias en equilibrio trmico. La adicin de impurezas divalentes como el Ca aumenta la conductividad de un cristal inico monovalente como el NaCl debido a que por cada Ca++ incorporado substitucionalmente en un sitio de la red ocupado por un in de Na+, debido al requisito de neutralidad de la carga, se debe producir otra vacancia del mismo in. (II.3) Centro de colores. Cristales como los Haluros de Alcalinos puros son transparentes en todo el espectro visible. Sin embargo, estos cristales pueden adquirir un color debido a la existencia de un defecto puntual conocido como centro de color el cual es un defecto de la red que absorbe luz visible. El centro de color ms sencillo se denomina Centro F en el cual un electrn ha quedado ligado a una vacante de in negativo. De esta manera, el electrn tendr un espectro de niveles de energa la cual producir una serie de lneas pticas de

absorcin. La existencia de 2 centros F adyacentes forman un centro M mientras que la existencia de 3 centros F adyacentes forman un centro R.

(centro F) Un centro FA se produce cuando uno de los 6 vecinos ms prximos del centro F ha sido sustituido por un in alcalino diferente, por ejemplo, en KCl un in Potasio vecino al centro F se sustituye por un in Sodio. Cuando un par de iones negativos atrapan un hueco se tiene lo que se llama un centro VK. (II.4) Polarones. Se denomina Polarn a la combinacin de un electrn y su campo de deformacin. En este tipo de defecto, un electrn situado en la red cristalina interacciona con los iones o tomos de la red produciendo una deformacin local en el cristal debido a la fuerte interaccin coulombiana entre iones y electrones. De esta manera el electrn arrastra iones pesados con lo cual se produce una aparente aumento de masa del electrn. (II.5) Excitones. Un Excitn se produce por la existencia de un in en la red de un cristal perfecto que se encuentra en un estado excitado. Este defecto se conoce como Excitn Frenkel. Debido a que el acoplamiento entre iones es fuerte, la energa de excitacin puede transferirse de in en in de manera que el Excitn Frenkel se puede mover a travs del cristal sin que los iones tengan que cambiar de lugar.

(III) Defectos lineales. (III.1) Dislocaciones. Clculos tericos de la fuerza necesaria para deformar plsticamente un cristal perfecto entregan valores que son entre 103 a 104 veces mayores a los valores observados. Esto se debe a que el proceso de deslizamiento se ve fuertemente influenciado por la presencia de un tipo de defecto lineal conocido como dislocacin. Los 2 tipos ms simples de dislocaciones son la dislocacin de borde y la dislocacin de tornillo. La dislocacin de borde se puede describir como el borde de un plano extra de tomos dentro de una estructura cristalina que se produce cuando un bloque de celdas correspondientes a varias capas superiores deslizan una distancia atmica respecto de las capas inferiores mientras que el bloque situado inmediatamente enfrente no desliza. A lo largo de una dislocacin lineal el cristal se encuentra en un estado de distorsin local muy alto de modo que la distorsin adicional requerida para mover la dislocacin oblicuamente una constante de red requiere de la aplicacin de una tensin adicional relativamente pequea.

dislocacin de tornillo como un corte parcial del cristal el cual es deslizado un espaciamiento atmico paralelo al borde del corte. Retomndose el orden cristalino en todas partes excepto cerca de la lnea de dislocacin donde termina el plano de corte.

(Dislocacin de tornillo) (III.2) Vector de Burgers. El vector de Burgers es un vector cuya presencia indica la existencia de algn tipo de dislocacin. En un cristal perfecto se puede realizar una curva cerrada trazando vectores que pasan a travs de una sucesin de sitios de la red caracterizado por una secuencia de desplazamientos de vectores de la red de Bravais. Si se realiza la misma secuencia de desplazamientos de red de Bravais en un cristal dislocado se observar que la curva no ha cerrado y por lo tanto no hemos vuelto al punto inicial. El vector que une el punto de llegada de la secuencia con el de partida de conoce como el vector de Burgers.

(Dislocacin de borde) La Dislocacin de tornillo marca el borde entre partes deslizadas y no deslizadas de un cristal. Se puede imaginar la

(III.3) Fronteras de granos de angulo pequeo. Se llama grano a la porcin de un material donde los cristales tienen una orientacin dada. Cuando 2 granos con orientaciones cristalinas diferente de unen, se forma una frontera de grano que corresponde a una zona de transicin donde los cristales no estn orientados con ningn grano. Cuando la diferencia de orientacin entre 2 granos es pequea se est en presencia de una frontera de grano de ngulo pequeo. Un ejemplo conocido como frontera inclinada se forma de una secuencia lineal de dislocaciones de borde. Tambin existen fronteras curvas formadas por una secuencia de dislocaciones de tornillo. En general las fronteras de grano estn formadas por una mezcla de ambos tipos. (III.4) Dislocaciones cristalino y crecimiento

(III.6) Resistencia cristalina. Existen esencialmente 2 maneras de hacer ms resistente un cristal. Uno es hacer un cristal perfecto libre de toda dislocacin lo cual es extremadamente difcil y la otra es entorpecer el flujo de dislocaciones estorbando su paso con intersticialidades o impurezas o bien con otras dislocaciones que se cruzan en su camino. De este modo el trabajo necesario para moverlas crece considerablemente. Cuando la preparacin de un cristal mejora, las intersticialidades bajan hasta su equilibrio trmico y de esta manera las dislocaciones pueden moverse libremente tenindose de esta manera un cristal ms blando. (III.7) Trabajo de endurecimiento. Cuando un metal se dobla repetidamente llega un momento que se rompe. Esto ocurre porque con cada doblaje ms y ms dislocaciones fluyen en el metal hasta que hay tantos que se impiden el flujo entre si. De este modo el cristal est impedido de deformarse plsticamente y se rompe bajo las subsecuentes tensiones. (IIII) Conclusiones Se ha realizado una revisin de los distintos tipos de defectos que se pueden encontrar en un cristal y de como ellos afectan algunas de sus propiedades. Se puede ver que estos defectos, lejos de ser fenmenos indeseables en un cristal, pueden tener aplicaciones muy tiles si se explotan adecuadamente. Un ejemplo muy til es por ejemplo, el acero, en donde se adicionan a un espcimen de hierro, tomos intersticiales de carbono los cuales actan como impurezas que sirven de anclaje para el deslizamiento cristalino aumentando de esta manera la resistencia del material.

La existencia de dislocaciones aumenta la velocidad de crecimiento de cristales. Un tomo es dbilmente atrado hacia un plano cristalino perfecto mientras que es ms fuertemente atrado hacia un escaln entre 2 planos y an mas hacia una esquina. Debido al enlace relativamente dbil que existe entre un tomo y un plano cristalino perfecto, el crecimiento plano por plano ser un proceso extremadamente lento. Sin embargo, la existencia de dislocaciones de tornillo hace que no sea necesario nuclear un nuevo plano pudiendo producirse de esta manera un crecimiento en espiral. (III.5) Wiskers. El tipo de crecimiento cristalino descrito anteriormente puede conducir a un cristal de forma capilar y que pueden contener una nica dislocacin de tornillo a lo largo del eje que ayuda a su crecimiento. Estos Whiskers al contener una sola dislocacin se han observado que poseen tensiones de fluencia similares a lo predicho para un cristal perfecto.