UNIVERSIDAD ABIERTA PARA ADULTO UAPA

Transistores Bipolares

JOAN ML GREGORIO PEREZ 10-3655

MAT.

NOMBRE:

Presentado a:

Yeremis Gmez
Tema IV

Transistores Bipolares

Tema IV Transistores Bipolares 4.1 Transistores Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseo de circuitos electrnicos de reducido tamao, gran versatilidad y facilidad de control.

Vienen a sustituir a las antiguas vlvulas termoinicas de hace unas dcadas. Gracias a ellos fue posible la construccin de receptores de radio porttiles llamados comnmente "transistores", televisores que se encendan en un par de segundos, televisores en color... Antes de aparecer los transistores, los aparatos a vlvulas tenan que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban ms de 30 segundos en empezar a funcionar, y en ningn caso podan funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenan.
Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran: Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin) Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de radiofrecuencia) Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de alimentacin conmutadas, control de lmparas, modulacin por anchura de impulsos PWM) Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores) Los transistores de unin (uno de los tipos ms bsicos) tienen 3 terminales llamados Base, Colector y Emisor, que dependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden estar distribuidos de varias formas.

Por otro lado, los Transistores de Efecto de Campo (FET) tienen tambin 3 terminales, que son Puerta (Gate), Drenador (Drain) y Sumidero (Sink), que igualmente dependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden estar distribuidos de varias formas.

Tipos de transistores. Simbologa Existen varios tipos que dependen de su proceso de construccin y de las aplicaciones a las que se destinan. Aqu abajo mostramos una tabla con los tipos de uso ms frecuente y su simbologa:

Transistor Bipolar de Unin (BJT)

Transistor de Efecto de Campo, de Unin (JFET) Transistor de Efecto de Campo, de Metal-xido-Semiconductor (MOSFET) Fototransistor

Nota: En un esquema electrnico, los transistores se representan mediante su smbolo, el nmero de transistor (Q1, Q2, ...) y el tipo de transistor, tal como se muestra aqu:

4.2 Operacin del transistor Modos de operacin de un transistor bipolar En general, los transistores bipolares de circuitos analgicos lineales estn operando en la regin activa directa. En esta regin existe cuatro zonas de operacin definidas por el estado de las uniones del transistor (Tabla 1.1): saturacin, lineal, corte y ruptura; estas zonas se indican claramente en la figura 1.2 que representa las zonas de operacin de un transistor. A continuacin se describe las caractersticas del transistor en estos modos de operacin considerando el transistor NPN nicamente; similar resultado puede ser aplicado a transistores PNP. Regin activa lineal En la regin activa lineal, la unin emisor-base est directamente polarizada y la unin base-colector inversamente polarizada; la VBE est comprendida entre 0.4 V y 0.8 V (valor tpico de 0.7 V) y la VBC > 100mV.

En estas condiciones, las ecuaciones de Ebers-Moll se pueden aproximar a:

Operando con estas ecuaciones, se obtiene una relacin entre ambas intensidades de forma que:

donde:

Sustituyendo la ecuacin 1.1 en 1.7, resulta:

Siendo:

F, es la ganancia en corriente en continua del transistor que en las hojas de caractersticas del fabricante se representa por hFE. Este parmetro es muy importante en un transistor de unin y define la relacin entre las corrientes de colector y base.

Al ser ICO una corriente muy baja, el segundo trmino de la ecuacin (1.9) puede ser despreciado frente al primero. Como resultado, se obtiene una relacin muy utilizada para analizar transistores que operen en esta regin

La ecuacin (1.11) indica que en la regin activa lineal la relacin entre las corrientes de colector y base es constante. Sin embargo, en la prctica la hFE de los transistores vara hasta en un 500% debido principalmente a tres factores:

1) Proceso de fabricacin. Los transistores sufren variaciones en el proceso de fabricacin que modifican sus caractersticas. El fabricante asigna un valor tpico (typ) a ese transistor con un rango de valores comprendido entre un mximo (max) y un mnimo (min). Por ejemplo, el BC547B tiene, para una IC=2mA, una hFE(min)=200, hFE(typ)=290 y hFE(max)=450. 2) Corriente de colector. La hFE vara tambin con la corriente de colector. El fabricante proporciona curvas de caractersticas que permiten obtener la hFE para diferentes IC. En la figura 1.3 se muestra una de estas curvas

que incluye el valor tpico de la hFE con un rango de valores mximo y mnimo.

3) Temperatura. La dependencia de la hFE con la temperatura se puede observar en las grficas que proporciona el fabricante para tal fin. En la figura 1.4 se describe diferentes curvas normalizadas a 25 de hFE para temperaturas de -55C y 175C.

4.3 Configuracin base comn

La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. la base se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia slo de tensin. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si aadimos una resistencia de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la fuente de seal, un anlisis similar al realizado en el caso de emisor comn, nos da la ganancia aproximada siguiente: .

La base comn se suele utilizar para adaptar fuentes de seal de baja impedancia de salida como, por ejemplo, micrfonos dinmicos.

La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia de corriente, pero no de tensin que es ligeramente inferior a la unidad. La impedancia de entrada es alta, aproximadamente +1 veces la impedancia de carga. Adems, la impedancia de salida es baja, aproximadamente veces menor que la de la fuente de seal. 4.4 Configuracin emisor comn Se le denomina configuracin de emisor comn debido a que el emisor es comn o relaciona las terminales tanto de entrada como de salida. Se necesitan 2 conjuntos de caractersticas para describir completamente el comportamiento de la configuracin de emisor-comn: uno para el circuito te entrada o de base-emisor y otro para el circuito de salida o de colectoemisor. Ambos se muestran en la figura.

Las corrientes de emisor, colector y base se muestran en su direccin convencional real para la corriente. La relacin que se desarrolla entre esta corriente es la siguiente:

IE = IC +IB e IC = IE.

La regin activa para la configuracin de emisor comn es la parte del cuadrante superior derecho que tiene la mayor linealidad es decir la regin en las que las curvas de I b son casi rectas e igualmente espaciadas.

En la regin activa de un amplificador de emisor comn, la unin base emisor se encuentra en polarizacin directa, mientras que la unin colector-base se encuentra en polarizacin inversa.

La regin de corte para la configuracin de emisor comn no se encuentra tan bien definida como para la configuracin de base comn.

4.5 Configuracin de colector comn

La tercera y ltima configuracin de transistores la de colector comn, mostrada en la figura 3.20 con las direcciones apropiadas de corriente y la notacin de voltaje. La configuracin de colector comn se emplea fundamentalmente para propsitos de acoplamiento de impedancia ya que tiene una elevada impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, que es lo opuesto a las configuraciones de base comn y de emisor comn.

Figura 3.20 Notacin y smbolos en la configuracin de colector comn. La configuracin del circuito de colector comn se muestra en la figura 3.21 con la resistencia de carga del emisor a tierra. Ntese que el colector est conectado a tierra aun cuando el transistor est conectado de manera similar a la configuracin de emisor comn. Desde el punto de vista de diseo, no es necesario elegir para un conjunto de caractersticas de colector comn, los parmetros del circuito de la figura 3.21. Pueden disearse empleando las caractersticas de emisor comn de la seccin 3.6. Para todos los propsitos prcticos, las caractersticas de salida de la configuracin de colector comn son las mismas que las de la configuracin de emisor comn. En la configuracin de colector comn las caractersticas de salida son una grfica de IE versus VEC para un intervalo de valores de IB. Por ellos, la corriente de entrada es la misma tanto para las caractersticas de emisor comn como para las de colector comn. El eje de voltaje para la configuracin de colector comn se obtiene cambiando simplemente el signo de voltaje de colector a emisor de las caractersticas de emisor comn. Por ltimo, hay un cambio casi imperceptible en la escala vertical de IC de las caractersticas de emisor comn si IC se remplaza por IE en las caractersticas de colector comn (puesto que a = 1). En el circuito de entrada de la configuracin de colector comn, las caractersticas de la base de emisor comn son suficientes para obtener la informacin que se requiera.

Figura 3.21 Configuracin de colector comn empleada para propsitos de acoplamiento de impedancia

4.6 Punto de operacin Q